專利名稱：H面基片集成波導(dǎo)環(huán)形電橋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種環(huán)形電橋，尤其涉及一種H面基片集成波導(dǎo)環(huán)形電橋。
背景技術(shù)：
環(huán)形電橋(又稱為混合環(huán))是微波毫米射頻子系統(tǒng)的一個關(guān)鍵部件，廣泛應(yīng)用 于微波電路中以實現(xiàn)功率分配與獲得信號間一定幅度和相位關(guān)系的功能。早期的 混合環(huán)由波導(dǎo)制成，功率容量大，宜作雷達天線收發(fā)開關(guān)用，但具有體積大、笨 重、造價昂貴和難于集成的缺點['],?？蓚鬏敎蔜EM波的微帶線構(gòu)成的電橋與波 導(dǎo)結(jié)構(gòu)的電橋相比具有結(jié)構(gòu)緊湊、小型輕便、頻帶寬和便于制造的優(yōu)點[6]—但 存在輻射損耗和電磁干擾等問題，并且微帶線環(huán)形電橋與基片集成波導(dǎo)器件連接 而產(chǎn)生的不連續(xù)性會降低系統(tǒng)的性能。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型提供一種體積小、重量輕、高品質(zhì)因數(shù)、低損耗、低成本、易于 集成的H面基片集成波導(dǎo)環(huán)形電橋。 本實用新型采用如下技術(shù)方案-
一種應(yīng)用于微波毫米波電路的H面基片集成波導(dǎo)環(huán)形電橋，包括環(huán)形導(dǎo)波 結(jié)構(gòu)，在環(huán)形導(dǎo)波結(jié)構(gòu)上設(shè)有同相輸入端、反相輸入端及2個輸出端，環(huán)形導(dǎo)波 結(jié)構(gòu)由按照同軸圓排列的金屬化通孔構(gòu)成，且金屬化通孔設(shè)在雙面覆有金屬箔的
介質(zhì)基片上。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有如下優(yōu)點
1) 具有良好的性能；
2) 沒有縫和槽，因此外界的電磁能量無法通過這類縫和槽耦合到器件的內(nèi)
部結(jié)構(gòu)當(dāng)中，而在結(jié)構(gòu)內(nèi)部傳播的能量也不會外泄出去，因此可以有效抑制電磁
干擾；
3) 以SIW作為端口的引出臂，可以簡單方便的與SIW天線等SIW器件連接， 不需要采用微帶結(jié)構(gòu)作為器件之間的轉(zhuǎn)接段，這樣不僅避免了因為不連續(xù)性而引
起的性能下降，同時也不會帶來額外的輻射損耗。所以整個器件的電磁干擾和插 入損耗都處于 一個較好的水平；
4) 在微波毫米波電路的設(shè)計中易于集成。由于這種環(huán)形電橋完全在介質(zhì)基 片上實現(xiàn)，并且利用介質(zhì)基片的介電常數(shù)可以很方便的調(diào)節(jié)這種環(huán)形電橋尺寸大 小，因此可以和系統(tǒng)的其它電路集成在一張印制電路板上，為子系統(tǒng)的集成提供 了一個良好的選擇，從而最終較好的實現(xiàn)和其他微波毫米波電路的集成；
5) 造價低。介質(zhì)基片可采用聚四氟乙烯壓板、聚四氟乙烯陶瓷復(fù)合介質(zhì)基 片、LTCC等類型多樣的微波介質(zhì)板，由于類似的印制電路板生產(chǎn)成本很低，而 且廣泛應(yīng)用非常普遍，因此貨源充足且進貨周期短，再考慮到不需要特種加工， 采用標準的印制電路板生產(chǎn)工藝就可能生產(chǎn)出性能合格的最終產(chǎn)品，因此造價 低，對于需要大規(guī)模生產(chǎn)的器件而言，尤其具有重要的意義。


圖l是本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是H面SIW環(huán)形電橋端口 1激勵的散射參數(shù)的仿真結(jié)果和測試結(jié)果。 圖3是H面SIW環(huán)形電橋平衡度，其中，(a)幅度不平衡度測試結(jié)果，(b) 相位不平衡度測試結(jié)果。
圖4是本實用新型的金屬化通孔結(jié)構(gòu)剖視圖。
具體實施方式
參照圖]， 一種應(yīng)用于微波毫米波電路的H面基片集成波導(dǎo)環(huán)形電橋，包括:
環(huán)形導(dǎo)波結(jié)構(gòu)1，在環(huán)形導(dǎo)波結(jié)構(gòu)1上設(shè)有同相輸入端portl、反相輸入端port2 及2個輸出端port3、 port4，環(huán)形導(dǎo)波結(jié)構(gòu)1由按照同軸圓排列的金屬化通孔 構(gòu)成，且金屬化通孔設(shè)在雙面覆有金屬箔的介質(zhì)基片2上。
參照圖4，金屬化通孔設(shè)在雙面覆有金屬箔的介質(zhì)基片2上設(shè)置通孔，在通 孔內(nèi)設(shè)置金屬襯套3且金屬襯套3與覆在介質(zhì)基片2上的金屬箔連接。
參照圖2，該圖是H面SIW環(huán)形電橋端口 1激勵的散射參數(shù)的仿真結(jié)果和測試結(jié)果。 從圖中可以看出在11.43GHz 11.6GHz的范圍內(nèi)，Sll均低于-10dB， S41均低 于-20dB。
參照圍3，該圖是H面SIW環(huán)形電橋平衡度，包括幅度不平衡度與相伴不平衡度。 其中，在11. 4GHz 11. 85GHz的范圍內(nèi)，幅度的波動均小于0. 6dB;在11. 55GHz
12. 15GHz的范圍內(nèi)，相位的波動在i0度之內(nèi)。
在本實用新型中，若信號由端口l輸入，則端口3無輸出，而端口2和端口 4有等幅、同相的信號輸出；若信號由端口3輸入，則端口l無輸出，而端口2 和4有等幅、反相的信號輸出。從而實現(xiàn)功率分配與獲得信號間一定幅度和相位 關(guān)系的功能。
權(quán)利要求1、一種H面基片集成波導(dǎo)環(huán)形電橋，包括環(huán)形導(dǎo)波結(jié)構(gòu)(1)，在環(huán)形導(dǎo)波結(jié)構(gòu)(1)上設(shè)有同相輸入端(port1)、反相輸入端(port2)及兩個輸出端(port3、port4)，其特征在于環(huán)形導(dǎo)波結(jié)構(gòu)(1)由按照同軸圓排列的金屬化通孔構(gòu)成，且金屬化通孔設(shè)在雙面覆有金屬箔的介質(zhì)基片(2)上。
專利摘要本實用新型公開了一種應(yīng)用于微波毫米波電路的H面基片集成波導(dǎo)環(huán)形電橋，包括環(huán)形導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，在環(huán)形導(dǎo)波結(jié)構(gòu)上設(shè)有同相輸入端、反相輸入端及2個輸出端，環(huán)形導(dǎo)波結(jié)構(gòu)由按照同軸圓排列的金屬化通孔構(gòu)成，且金屬化通孔設(shè)在雙面覆有金屬箔的介質(zhì)基片上。以SIW作為端口的引出臂，可以與SIW天線等SIW器件連接，不需要采用微帶結(jié)構(gòu)作為器件之間的轉(zhuǎn)接段，避免了不連續(xù)性而引起的性能下降，不會帶來額外的輻射損耗。在微波毫米波電路的設(shè)計中易于集成。造價低。介質(zhì)基片可采用聚四氟乙烯壓板、聚四氟乙烯陶瓷復(fù)合介質(zhì)基片、LTCC等類型多樣的微波介質(zhì)板，由于類似的印制電路板生產(chǎn)成本很低。
文檔編號H01P1/39GK201000915SQ20062012551
公開日2008年1月2日 申請日期2006年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月28日
發(fā)明者柯 吳, 張玉林, 偉 洪, 力 顏 申請人:東南大學(xué)