專利名稱：電介質陶瓷及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電介質陶瓷，具體而言，涉及添加少量燒結助劑，在低溫下進行燒成、致密化得到的電介質陶瓷及其制造方法。
背景技術：
近年，隨著以手機為代表的移動通信等的發(fā)展及普及，作為用于該移動通信的電子部件的材料，電介質陶瓷組合物的需求逐漸增大。
以往，在電子部件中，同時燒成電介質陶瓷組合物與導通電阻小的Ag、Cu等內部導體時，使大量燒結助劑(玻璃成分)混合于作為主要成分的鈣鈦礦型氧化物中，實現(xiàn)低溫燒成化(例如，參見專利文獻1及2)。
專利文獻1公開的電介質陶瓷組合物以鈣鈦礦型氧化物為主要成分，且相對于該主要成分“含有5重量％以上、低于40重量％玻璃成分，該玻璃成分用通式aLi2O·bBaO·cB2O3·(1-a-b-c)SiO2表示時，a、b、c的值以摩爾比表示分別在0≤a＜0.25、0.1＜b＜0.5、0.1＜c＜0.5、0.3＜a+b+c＜0.8的范圍內”，由于為了在1050℃以下的低溫下使其燒結而含有大量玻璃成分，故介電常數(shù)小，介電損耗大，并且玻璃成分中含有的BaO偏離作為主要成分的鈣鈦礦型氧化物ABO3的A-site/B-site比，結果存在燒結性變差之類問題。
專利文獻2公開了下述低溫燒成陶瓷組合物的發(fā)明，相對于100重量份選自鈣鈦礦型氧化物等的至少一種陶瓷粉末，“含有10～30重量％SiO2；10～60重量％選自MgO、CaO、BaO及SrO中的至少一種；20～50重量％Al2O3及B2O3中的至少1種；0～30重量％選自Li2O、Na2O及K2O中的至少1種，上述成分的總量為95重量％以上，并且含有1～20重量份軟化點為600℃以下的低軟化點玻璃”，還公開了“本發(fā)明的使用軟化點玻璃的試樣No.1～9即使玻璃量為20重量％以下，也均在1050℃以下的燒成溫度被致密化至吸水率為0.1％以下，是具有相對介電常數(shù)為6.0～120、Q值為2000以上的優(yōu)良介電特性的試樣?！?段落 )，但是相對于鈣鈦礦型氧化物，使玻璃量為10重量％以上燒成得到的試樣的相對介電常數(shù)低(表2)。另外，專利文獻2公開的低溫燒成陶瓷組合物因低軟化點玻璃含有的堿土類氧化物偏離作為主要成分的鈣鈦礦型氧化物ABO3的A-site/B-site比，結果存在燒結性變差的問題。
也已知以鈣鈦礦型氧化物為主要成分、含有少量燒結助劑(玻璃成分)的電介質陶瓷組合物(參見專利文獻3)。
專利文獻3公開的發(fā)明為“一種電介質陶瓷組合物，該電介質陶瓷組合物相對于100重量份作為雜質的堿金屬氧化物的含量為0.03重量％以下的BaTiO3，含有0.5～3.0重量份Nb2O5、0.1～1.0重量份Co2O3、0.05～0.5重量份MnO2、及0.05～2.0重量份以BaO-B2O3-Li2O-SiO2為主要成分的氧化物玻璃”，由于氧化物玻璃的含量少，故介電常數(shù)大，介電損耗小，但是氧化物玻璃中含有的BaO偏離主要成分BaTiO3的Ba/Ti比，結果燒結性變差，燒成溫度高達1200～1250℃(表3)。
如上所述，現(xiàn)有的低溫燒成技術中，燒成溫度與介電常數(shù)為權衡(trade-off)關系，無法在低溫下燒成高介電常數(shù)的電介質材料。
特開昭63-224105號公報[專利文獻2]特開2003-2682號公報[專利文獻3]特開平5-6710號公報發(fā)明內容本發(fā)明欲解決上述問題，通過在鈣鈦礦型氧化物中使用低于以往的燒結助劑，在低溫下燒成，提供高介電常數(shù)的電介質陶瓷及其制造方法。
本發(fā)明為了解決上述問題，采用下面的方法。
(1)一種電介質陶瓷，所述電介質陶瓷為以鈣鈦礦型氧化物為主要成分、含有燒結助劑的燒結后的電介質陶瓷，其特征在于，所述燒結助劑具有以一定量為界限，隨著其含量的增加，致密化溫度降低，隨著其含量的減少，致密化溫度下降后上升的特性，并且，所述燒結助劑的含量低于上述一定量，為處于致密化溫度低的區(qū)域內的量。
(2)如上述(1)所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述致密化溫度為1080℃以下。
(3)如上述(1)或(2)所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述鈣鈦礦型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比為0.98～1.03。
(4)如上述(1)～(3)中的任一項所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述燒結助劑為含有B及Li的燒結助劑。
(5)如上述(4)所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述燒結助劑是Si取代部分B所得到的燒結助劑。
(6)一種電介質陶瓷，所述電介質陶瓷為以鈣鈦礦型氧化物為主要成分、含有燒結助劑的電介質陶瓷，其特征在于，所述鈣鈦礦型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比為0.98～1.03，所述燒結助劑為B及Li，或Si取代部分B得到的B、Li及Si，相對于100摩爾％所述鈣鈦礦型氧化物，B、Li及Si的含量，換算成B2O3、Li2O及SiO2為0.1～4.0摩爾％。
(7)如上述(6)所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述鈣鈦礦型氧化物ABO3中，A-site由選自Ba、Sr、Ca及Pb中的一種以上元素形成，B-site由選自Ti、Zr、Sn及Hf中的一種以上元素形成。
(8)如上述(6)或(7)所述的電介質陶瓷，其特征在于，Si取代部分B的比例，換算成B2O3及SiO2，SiO2/(B2O3+SiO2)的比為90％以下。
(9)如上述(6)～(8)中的任一項所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述燒結助劑中含有的Li含量，換算成B2O3、Li2O及SiO2，相對于(B2O3+Li2O+SiO2)的總量100摩爾％，Li2O為14～60摩爾％。
(10)一種電介質陶瓷的制造方法，所述電介質陶瓷的制造方法為向以鈣鈦礦型氧化物為主要成分的原料化合物中添加燒結助劑，混合粘合劑成型，進行脫粘合劑后，燒成，其特征在于，作為所述燒結助劑，使用具有下述特性的燒結助劑以一定量為界限，隨著其含量的增加，致密化溫度下降，隨著其含量的減少，致密化溫度下降后上升，燒結助劑的添加量低于上述一定量，為處于致密化溫度低的區(qū)域內的量。
(11)如上述(10)所述的電介質陶瓷的制造方法，其特征在于，所述致密化溫度為1080℃以下，在1080℃以下燒成。
(12)如上述(10)或(11)所述的電介質陶瓷的制造方法，其特征在于，所述鈣鈦礦型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比為0.98～1.03。
(13)如上述(10)～(12)中的任一項所述的電介質陶瓷的制造方法，其特征在于，所述燒結助劑為含有B及Li的燒結助劑。
(14)如上述(13)所述的電介質陶瓷的制造方法，其特征在于，所述燒結助劑為Si取代部分B所得到的燒結助劑。
根據(jù)本發(fā)明，通過向以BaTiO3為代表的鈣鈦礦型氧化物中添加低于以往的燒結助劑，在1080℃以下的溫度燒結，可以得到致密化后的電介質陶瓷。另外，使用含有少量導致介電常數(shù)降低的燒結助劑的電介質陶瓷，能得到具有優(yōu)良特性的電子部件。


表示本發(fā)明的燒結助劑的添加量區(qū)域的簡圖。
表示燒結助劑的添加量與致密化溫度(燒結溫度)的關系圖。
具體實施例方式
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在燒成鈣鈦礦型氧化物制造電介質陶瓷時，如果改變燒結助劑的添加量，如圖1所示，則隨著燒結助劑的添加量的減少，致密化溫度上升，但是如果比一定量還少，則隨著燒結助劑的添加量減少，致密化溫度暫時下降，并再度上升，從而完成了本發(fā)明。
以往，為了使致密化溫度下降至例如1080℃以下，則必須含有遠遠高于上述一定量、例如20摩爾％以上的燒結助劑，只能得到介電常數(shù)低的電介質陶瓷，但是根據(jù)本發(fā)明，即使燒結助劑的含量低于上述一定量，也可以選擇在1080℃以下這樣的致密化溫度低的區(qū)域內的量，可以使成為介電常數(shù)下降原因的燒結助劑減少到以往的一半～1/10左右，從而在低溫下燒成，得到高介電常數(shù)的電介質陶瓷。
另外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在現(xiàn)有的低溫燒結方法的燒成過程中，因作為部分燒結助劑添加的堿土類固溶在鈣鈦礦型氧化物中、或成為鈣鈦礦型氧化物的堿土類溶解析出于燒結助劑中引起的相互作用，偏離于主要成分鈣鈦礦型氧化物ABO3的A-site/B-site比，結果燒結性變差。本發(fā)明通過設計燒結體中含有的A-site成分及B-site成分的總含量，實現(xiàn)不偏離主要成分鈣鈦礦型氧化物的A-site/B-site比，在1080℃以下燒成。
主要成分鈣鈦礦型氧化物ABO3的A-site/B-site比優(yōu)選設定為0.98～1.03的范圍。如果超出上述范圍，則難以在1080℃以下致密化。
此處所示的A-site成分及B-site成分為在燒結體中含有的含量，未必需要形成主相，也含有作為二次相或玻璃相存在的成分。作為A-site，可以采用選自Ba、Sr、Ca及Pb中的一種以上元素，作為B-site，可以采用選自Ti、Zr、Sn及Hf中的一種以上元素。優(yōu)選BaTiO3或部分Ba被Ca、Sr取代得到的化合物或部分Ti被Zr取代得到的化合物。
另外，為了調整電特性等，可以添加1種以上稀土類(La、Y、Ho、Dy、Yb等)或Mg、Mn、Al等，確保燒結性。
燒結助劑優(yōu)選B及Li或部分B被Si取代的B、Li及Si，相對于100摩爾％主要成分鈣鈦礦型氧化物，燒結體(電介質陶瓷)中的B、Li及Si的含量，換算成B2O3、Li2O及SiO2，優(yōu)選為0.1～4.0摩爾％。如果超出上述范圍，則難以在1080℃以下致密化。
原因在于如果燒結助劑的添加量超過4.0摩爾，則難以控制將ABO3溶解成液相時的A-site/B-site溶解度比，ABO3液相間的溶解·再析出工序無法順利進行，不僅燒結體的介電常數(shù)下降，燒結性也變差。
燒結助劑低于0.1摩爾％時，由于燒成時的液相成分不充分，故燒結性變差，難以在1080℃以下燒結。
Si取代部分B時的比例，換算成B2O3及SiO2，優(yōu)選燒結體(電介質陶瓷)中SiO2/(B2O3+SiO2)的比為90％以下。如果高于該值則難以在1080℃以下致密化。
相對于(B2O3+Li2O+SiO2)的總量100摩爾％，燒結助劑中含有的Li的含量，換算成B2O3、Li2O及SiO2，Li2O優(yōu)選為14～60摩爾％。如果超過上述范圍，則難以在1080℃以下致密化。
本發(fā)明的電介質陶瓷可以如下制造作為燒結助劑，使用上述“具有為以一定量為界限，隨著其含量的增加致密化溫度降低，隨著其含量的減少致密化溫度下降后上升的特性的燒結助劑”，在以鈣鈦礦型氧化物為主要成分的原料化合物中添加小于上述一定量的燒結助劑，混合粘合劑成型，進行脫粘合劑后，在1080℃以下燒成，從而制得。
另外，按照下述與現(xiàn)有技術相同的方法，同時燒成電介質陶瓷組合物(陶瓷電介質層)與內部電極，制造層疊陶瓷電容器等電子部件。
作為形成陶瓷電介質層的材料，準備下述材料在主要成分BaTiO3等鈣鈦礦型氧化物中添加由B2O3及Li2O、或B2O3、Li2O及SiO2形成的燒結助劑得到的材料，還可以根據(jù)需要添加下述化合物La、Y、Ho、Dy、Yb等稀土類化合物；Mg、Mn、Al等化合物。
燒結助劑不是個別添加各成分，較優(yōu)選先玻璃化再添加的方法。此時，為了穩(wěn)定地使其玻璃化，可以在不超出上述規(guī)定的范圍內將形成鈣鈦礦型氧化物的部分A-site成分及/或B-site成分固溶在玻璃中。
向如上所述準備的材料中加入粘合劑、溶劑、其他添加劑，混煉，形成陶瓷漿液。作為粘合劑，可以使用聚乙烯醇縮丁醛樹脂或聚乙烯醇樹脂、丙烯酸聚合物等。作為溶劑可以使用乙醇或異丙醇、水等。
使用刮刀、輥涂機等涂布機將得到的陶瓷漿液成薄片狀涂布在PET膜等長形的基膜上，得到陶瓷基板(green sheet)。
在該陶瓷基板上采用絲網(wǎng)印刷涂布導電糊劑，形成內部電極金屬層。用于形成該內部電極金屬層的導電糊劑使用在粘合劑中分散Pt、Pd、Ag、Cu、Ni等金屬粉末得到的導電糊劑。
將形成內部電極金屬層的陶瓷基板沖切成規(guī)定形狀，將其重疊，壓合，得到陶瓷層疊體。切割該層疊體，成為層疊體芯片。加熱該層疊體芯片，脫粘合劑后，燒成。本發(fā)明中，可在1080℃以下進行燒成。
通過在燒成后的層疊體芯片上燒滲導電糊劑，形成外部電極，得到層疊陶瓷電容器。另外，可以在未燒成的層疊體芯片上涂布導電糊劑，在燒成陶瓷電介質層的同時燒滲導電糊劑。
作為主要成分鈣鈦礦型氧化物，使用A-site/B-site(Ba/Ti)比為0.99的BaTiO3，作為燒結助劑，使用組成為63摩爾％B2O3、3摩爾％SiO2、34摩爾％Li2O的燒結助劑，使燒結助劑的添加量(總量)如表1所示地從0.12摩爾％(實驗No.1-1)變化至46.17摩爾％(No.1-13)，制作13種試樣。
對向BaTiO3中添加B2O3、SiO2及Li2O的混合物得到的各試樣進行如下操作使用聚乙烯醇作為粘合劑成型，在400℃下進行脫粘合劑后，改變燒成溫度進行燒成。
使用XRF分析裝置進行A-site/B-site比的測定。將燒成后的試樣用瑪瑙乳缽粉碎，由于試樣的粒度或結晶結構等也對測定X射線強度有影響，故作為前處理，采用能排除上述因素的玻璃珠(glassbead)法。將混合試樣與熔劑得到的混合物熔解在鉑坩堝中，成型成玻璃狀。作為不含有測定元素的熔劑，使用無水四硼酸鋰。將制得的玻璃珠放在XRF分析裝置中，采用標準曲線法測定A-site/B-site比。
對于如上所述地燒成得到的試樣，以燒成后試樣的吸水率達到0.1％以下的溫度作為致密化溫度(燒結溫度)。吸水率遵照JIS C2141測定。
燒結助劑的添加量與致密化溫度(燒結溫度)的關系如表1及圖2所示。



根據(jù)表1及圖2確定，使用B、Li及Si作為燒結助劑燒成鈣鈦礦型氧化物時，隨著燒結助劑的添加量減少至9摩爾％(實驗No.1-9)左右，致密化溫度上升至1130℃，但是，如果燒結助劑的添加量比9摩爾％左右還少，則隨著添加量減少，致密化溫度暫時下降至1000℃以下，一旦添加量低于1.85摩爾％(實驗No.1-5)，則致密化溫度將再度上升。
因此，在燒結助劑的添加量低于9摩爾％的區(qū)域中，例如為了將致密化溫度設定為1080℃以下的低溫，根據(jù)表1及圖2可知，燒結助劑的添加量設定為0.2～8％(實驗No.1-2～1-8)即可。需要說明的是，燒結助劑中的B、Li兩種成分，因燒成而喪失，所以燒結助劑的添加量與下面所述的燒結體(低溫燒成陶瓷組合物)中的含量不一致。
制作下述試樣BaTiO3的A-site/B-site(Ba/Ti)比為0.97(實驗No.2-1)、0.98(No.2-2)、0.99(No.2-3)、1.00(No.2-4)、1.01(No.2-5)、1.02(No.2-6)、1.03(No.2-7)、1.04(No.2-8)。作為燒結助劑，實驗No.2-1～No.2-4使用B2O3、SiO2及Li2O(燒結體中的總含量為2.63～3.53摩爾％)，實驗No.2-5～No.2-8使用B2O3及Li2O(燒結體中的總含量為1.37～2.21摩爾％)。
燒結體中燒結助劑的含量如下求得將燒成后的試樣用瑪瑙乳缽粉碎后，使用酸解法溶解析出成分，采用ICP分析測定而求得。
燒結的○×判定將燒成后試樣的吸水率為0.1％以下的試樣判定為○。吸水率遵照JIS C2141測定。
與實施例1同樣地成型上述試樣，燒成，測定燒結溫度(致密化溫度)結果如表2所示。


根據(jù)表2可知，A-site/B-site(Ba/Ti)比為0.98～1.03(實驗No.2-2～No.2-7)的BaTiO3可以在1080℃以下燒結，但是如果A-site/B-site比為0.97(No.2-1)過小或為1.04(No.2-8)過大時，無法在1080℃以下燒結。因此，A-site/B-site比優(yōu)選為0.98～1.03。
制作下述試樣將燒結體中的燒結助劑B2O3、Li2O及SiO2(B2O3及Li2O)的含量相對于100摩爾％BaTiO3設定為0.54摩爾％(實驗No.3-1)、0.18摩爾％(No.3-2)、0.64摩爾％(No.3-3)、0.23摩爾％(No.3-4)、0.11摩爾％(No.3-5)、0.08摩爾％(No.3-6)、3.28摩爾％(No.3-7)、3.64摩爾％(No.3-8)、3.96摩爾％(No.3-9)、4.05摩爾％(No.3-10)。制作BaTiO3的A-site/B-site(Ba/Ti)比設定為0.99(實驗No.3-1、No.3-2、No.3-7～No.3-10)、1.00(實驗No.3-3～No.3-6)的試樣。
與實施例1相同地成型上述試樣，燒成，測定燒結溫度(致密化溫度)的結果如表3所示。


根據(jù)表3可知，燒結體中燒結助劑的含量為0.11摩爾％(No.3-5)～3.96摩爾％(No.3-9)的試樣可以在1080℃以下燒結，但是燒結助劑為0.08摩爾％(No.3-6)過少時，或為4.05摩爾％(No.3-10)過多時，無法在1080℃以下燒結。因此，B2O3、Li2O及SiO2(B2O3及Li2O)的含量優(yōu)選相對于100摩爾％鈣鈦礦型氧化物為0.1～4.0摩爾％。
制作下述試樣相對于燒結體中B2O3、Li2O及SiO2的總量3.65摩爾％(100摩爾％)，Li2O為2.35摩爾％(64摩爾％)(實驗No.4-1)；相對于總量2.89摩爾％(100摩爾％)，Li2O為1.59摩爾％(55摩爾％)(No.4-2)；相對于總量2.17摩爾％(100摩爾％)，Li2O為0.73摩爾％(34摩爾％)(No.4-3)；相對于總量3.08摩爾％(100摩爾％)，Li2O為0.73摩爾％(24摩爾％)(No.4-4)；相對于總量3.11摩爾％(100摩爾％)，Li2O為0.45摩爾％(14摩爾％)(No.4-5)；相對于總量3.56摩爾％(100摩爾％)，Li2O為0.45摩爾％(13摩爾％)(No.4-6)；相對于總量0.16摩爾％(100摩爾％)，Li2O為0.03摩爾％(19摩爾％)(No.4-7)。BaTiO3的A-site/B-site(Ba/Ti)比設定為0.99。SiO2/(B2O3+SiO2)的比，實驗No.4-1及No.4-2為90％、No.4-3為81％、No.4-4為50％、No.4-5為44％、No.4-6為38％、No.4-7為92％。
與實施例1相同地成型上述試樣，燒成，測定燒結溫度(致密化溫度)的結果如表4所示。


根據(jù)表4可知，燒結助劑中含有的Li2O的含量相對于B2O3、Li2O及SiO2的總量100摩爾％，Li2O為14～55摩爾％(實驗No.4-5～No.4-2)的試樣可以在1080℃以下燒結，但是Li2O的含量過少為13摩爾％(No.4-6)時，或過多為64摩爾％(No.4-1)時，無法在1080℃以下燒結。因此，燒結助劑中含有的Li2O的含量優(yōu)選相對于B2O3、Li2O及SiO2的總量100摩爾％為14～60摩爾％。
另外，SiO2/(B2O3+SiO2)的比為92％(No.4-7)時也無法在1080℃以下燒結。因此SiO2/(B2O3+SiO2)的比優(yōu)選為90％以下。
制作下述試樣燒結體中的燒結助劑B2O3及Li2O的總量設定為0.98摩爾％、Li2O設定為0.40摩爾％(相對于總量為41％)，主要成分鈣鈦礦型氧化物的A-site/B-site比設定為1.00，使用(Ba0.8Ca0.2)TiO3(No.5-2)、(Ba0.8Sr0.2)TiO3(No.5-3)、Ba(Ti0.7Zr0.3)O3(No.5-4)代替BaTiO3(實驗No.5-1)。
與實施例1相同地成型上述試樣，燒成，測定燒結溫度(致密化溫度)的結果如表5所示。


根據(jù)表5可知，不論主要成分鈣鈦礦型氧化物的組成如何，均可在1080℃以下燒結。
制作下述試樣BaTiO3的A-site/B-site(Ba/Ti)比設定為1.00，燒結體中的燒結助劑B2O3、Li2O及SiO2的總量為1.63摩爾％，Li2O為0.55摩爾％(相對于總量為34％)，SiO2/(B2O3+SiO2)的比設定為81％，添加有下述其他添加成分的試樣，作為其他添加成分，Ho2O30.25(實驗No.6-1)；Dy2O30.25(No.6-2)、Yb2O30.25(No.6-3)、Y2O30.25(No.6-4)、MgO0.5(No.6-5)、MnO2.0(No.6-6)、Ho2O30.25/MnO0.5(No.6-7)、Dy2O30.25/MnO0.5(No.6-8)、Yb2O30.25/MnO0.5(No.6-9)、MgO0.3/La2O30.3/MnO0.3(No.6-10)、Al2O30.3/MnO0.3(No.6-11)。
與實施例1相同地成型上述試樣，燒成，測定燒結溫度(致密化溫度)的結果如表6所示。


根據(jù)表6可知，即使在主要成分鈣鈦礦型氧化物中添加稀土類、Mn、Mg、Al等的化合物，也可在1080℃以下燒結。
權利要求
1.一種電介質陶瓷，所述電介質陶瓷為以鈣鈦礦型氧化物為主要成分、含有燒結助劑的燒結后的電介質陶瓷，其特征在于，所述燒結助劑具有以一定量為界限，隨著其含量的增加，致密化溫度降低，隨著其含量的減少，致密化溫度下降后上升的特性，并且，所述燒結助劑的含量低于上述一定量，為處于致密化溫度低的區(qū)域內的量。
2.如權利要求1所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述致密化溫度為1080℃以下。
3.如權利要求1或2所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述鈣鈦礦型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比為0.98～1.03。
4.如權利要求1～3中的任一項所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述燒結助劑為含有B及Li的燒結助劑。
5.如權利要求4所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述燒結助劑是Si取代部分B所得到的燒結助劑。
6.一種電介質陶瓷，所述電介質陶瓷是以鈣鈦礦型氧化物為主要成分、含有燒結助劑的燒結后的電介質陶瓷，其特征在于，所述鈣鈦礦型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比為0.98～1.03，所述燒結助劑為B及Li、或Si取代部分B得到的B、Li及Si，B、Li及Si的含量相對于所述鈣鈦礦型氧化物100摩爾％，換算成B2O3、Li2O及SiO2為0.1～4.0摩爾％。
7.如權利要求6所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述鈣鈦礦型氧化物ABO3，A-site由選自Ba、Sr、Ca及Pb中的一種以上元素形成，B-site由選自Ti、Zr、Sn及Hf中的一種以上元素形成。
8.如權利要求6或7所述的電介質陶瓷，其特征在于，Si取代部分B的比例，換算成B2O3及SiO2，SiO2/(B2O3+SiO2)的比為90％以下。
9.如權利要求6～8中的任一項所述的電介質陶瓷，其特征在于，所述燒結助劑中含有的Li的含量，換算成B2O3、Li2O及SiO2，相對于(B2O3+Li2O+SiO2)的總量100摩爾％，Li2O為14～60摩爾％。
10.一種電介質陶瓷的制造方法，所述電介質陶瓷的制造方法為向以鈣鈦礦型氧化物為主要成分的原料化合物中添加燒結助劑，混合粘合劑，成型，進行脫粘合劑后，進行燒成，其特征在于，作為所述燒結助劑，使用具有下述特性的燒結助劑以一定量為界限，隨著其含量的增加，致密化溫度下降，隨著其含量的減少，致密化溫度下降后上升，燒結助劑的添加量低于上述一定量，為處于致密化溫度低的區(qū)域內的量。
11.如權利要求10所述的電介質陶瓷的制造方法，其特征在于，所述致密化溫度為1080℃以下，在1080℃以下燒成。
12.如權利要求10或11所述的電介質陶瓷的制造方法，其特征在于，所述鈣鈦礦型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比為0.98～1.03。
13.如權利要求10～12中的任一項所述的電介質陶瓷的制造方法，其特征在于，所述燒結助劑為含有B及Li的燒結助劑。
14.如權利要求13所述的電介質陶瓷的制造方法，其特征在于，所述燒結助劑為Si取代部分B所得到的燒結助劑。
全文摘要
本發(fā)明涉及電介質陶瓷及其制造方法。其特征在于，所述電介質陶瓷為以鈣鈦礦型氧化物為主要成分、含有燒結助劑的燒結后的電介質陶瓷，所述燒結助劑具有以一定量為界限，隨著其含量的增加，致密化溫度降低，隨著其含量的減少，致密化溫度下降后上升的特點，并且，所述燒結助劑的含量低于上述一定量，為處于致密化溫度低的區(qū)域內的量。該電介質陶瓷的制造方法的特征在于添加所述量的燒結助劑。其中使用的鈣鈦礦型氧化物用通式ABO
文檔編號H01B3/12GK1970496SQ20061014674
公開日2007年5月30日 申請日期2006年11月22日 優(yōu)先權日2005年11月22日
發(fā)明者竹岡伸介 申請人:太陽誘電株式會社