專利名稱：半導(dǎo)體器件和顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括連接端子的半導(dǎo)體器件。具體地說，本發(fā)明涉及顯示器件的連接端子的結(jié)構(gòu)，該顯示器件包括排列成矩陣的像素部分；并涉及外部端子和顯示器件的連接端子之間連接的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
顯示器件可以具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中柔性印刷電路可導(dǎo)電地連接到顯示面板，而信號和電力通過柔性印刷電路提供給該顯示面板。
例如，該顯示面板包括像素部分和驅(qū)動襯底上面的像素部分用的外圍驅(qū)動電路，而該襯底在密封區(qū)域用密封劑附在反面襯底上。于是，至少像素部分與襯底、反面襯底和密封劑密封在一起。
該襯底包括與該反面襯底不重疊的區(qū)域，并在該區(qū)域形成連接端子部分。在該連接端子部分中，電極(連接焊盤)配置成帶狀。每一個電極都連接到一條導(dǎo)線，后者形成得從該密封區(qū)域內(nèi)部向外延伸。
至于顯示面板，在該連接端子部分中，端子的電極(連接焊盤)通過熱壓結(jié)合用各向異性導(dǎo)電薄膜連接到柔性印刷電路板端子的電極(FPC焊盤)。
然后，信號和電力便從該柔性印刷電路通過每一個連接端子和導(dǎo)線提供給該襯底上面的電路。
這里，為了運(yùn)行像素、外圍驅(qū)動電路等等，大量的電流流過電源線(電源路徑)，包括提供用作該襯底上面的電路的電源的電源電位用的導(dǎo)線、該導(dǎo)線之間的連接部分、FPC端子和該襯底上面的連接端子之間的連接部分等等。
因此，若電源線的電阻高，則在該電源線上有顯著的電壓降。相應(yīng)地，提供給該像素和該外圍驅(qū)動電路的電源電位變得低于要求的電源電位。結(jié)果，輸入該像素和該外圍驅(qū)動電路的電源電位降低，引起顯示缺陷。
因而，參考文獻(xiàn)1和2公開了一種結(jié)構(gòu)，其中電力是通過柔性印刷電路的多條導(dǎo)線和連接到輸入用作襯底上電路電源的電源電位的連接端子的導(dǎo)線提供的，它們在密封區(qū)域彼此連接(參考文獻(xiàn)1日本專利特開No.2001-109395和參考文獻(xiàn)2日本專利申請書特開No.2001-102169)。
但是，即使按照上述結(jié)構(gòu)，若在該襯底和FPC(柔性印刷電路)接合時在連接焊盤的線寬方向上對不準(zhǔn)，則FPC端子和連接端子之間的連接區(qū)域變小，因而接觸電阻增大。具體地說，被輸入作為電源提供的電源電位的連接端子的接觸電阻增大，是造成有缺陷的顯示的一個原因。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述，本發(fā)明的目標(biāo)是降低電源線的電阻，以便抑制電源線上的電壓降，并避免有缺陷的顯示。
本發(fā)明結(jié)構(gòu)在下文中描述。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括連接端子部分，而該連接端子部分包括多個連接端子。該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，其中每一個都是連接端子的一部分。該多個連接焊盤包括第一連接焊盤和線寬不同于該第一連接焊盤的第二連接焊盤。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括連接端子部分，而該連接端子部分包括多個連接端子。該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，其中每一個都是該連接端子的一部分。該多個連接焊盤包括第一連接焊盤和其線寬不同于該第一連接焊盤的第二連接焊盤。該多個連接焊盤之間的間距彼此相等。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括連接端子部分。該連接端子部分包括連接端子，其中多個連接焊盤具有相等的線寬，間隔相等地排列，而且該多個連接焊盤的兩個或多個通過引入在該連接端子部分的導(dǎo)線彼此相聯(lián)系。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括連接端子部分。連接端子部分包括連接端子，其中多個連接焊盤具有相等的線寬，間隔相等地排列，而且該多個連接焊盤的兩個或多個與一個電極在較低的層面通過接觸孔彼此連接。
在按照上述配置的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中柔性印刷電路連接到該連接端子部分。
在按照上述配置的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，在該連接端子部分中，至少一個連接端子連接到該柔性印刷電路的多個端子，而該連接端子和該柔性印刷電路的多個端子之間的接觸電阻是5Ω或者更小。
本發(fā)明的顯示器件包括像素部分、外圍驅(qū)動電路和連接端子部分。該連接端子部分包括多個連接端子。該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，其中每一個都是該連接端子的一部分。該多個連接焊盤包括第一連接焊盤和線寬不同于該第一連接焊盤的第二連接焊盤。
另外，本發(fā)明的顯示器件包括像素部分、外圍驅(qū)動電路和連接端子部分。該連接端子部分包括多個連接端子。該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，其中每一個都是該連接端子的一部分。該多個連接焊盤包括第一連接焊盤和其線寬不同于該第一連接焊盤的第二連接焊盤。該多個連接焊盤之間的間距彼此相等。
另外，本發(fā)明的顯示器件包括像素部分、外圍驅(qū)動電路和連接端子部分。該連接端子部分包括連接端子，其中多個線寬相等的連接焊盤間隔相等地排列，而且多個連接焊盤中的兩個或多個與引入該連接端子部分的導(dǎo)線彼此連接。
另外，本發(fā)明的顯示器件包括像素部分、外圍驅(qū)動電路和連接端子部分。該連接端子部分包括連接端子，其中線寬相等的多個連接焊盤間隔相等地排列，而且該多個連接焊盤的兩個或多個通過接觸孔在較低的層面與一個電極彼此連接。
在按照上述配置的本發(fā)明顯示器中，柔性印刷電路連接到連接端子部分。
在按照上述配置的本發(fā)明顯示器中，在該連接端子部分中，至少一個連接端子連接到該柔性印刷電路的多個端子，而該連接端子和該柔性印刷電路的多個端子之間的接觸電阻是5Ω或者更小。
另外，本發(fā)明的顯示器件包括像素部分、外圍驅(qū)動電路和連接端子部分。該連接端子部分包括多個連接端子。該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，其中每一個都是該連接端子的一部分。該多個連接焊盤之間的間距彼此相等。該多個連接焊盤包括第一連接焊盤和線寬大于該第一連接焊盤的第二連接焊盤。多條導(dǎo)線電氣連接到該第二連接焊盤。該多條導(dǎo)線電氣連接到一個元件的反面電極。
請注意，要在本發(fā)明中描述的開關(guān)可以是不同的類型，其中一些示例是電氣開關(guān)、機(jī)械開關(guān)等。換句話說，可以控制電流流動的任何開關(guān)都可以使用，不同的類型的開關(guān)都可以使用，而不限于一種特定的開關(guān)。例如，該開關(guān)可以是晶體管、二極管(諸如PN二極管、PIN二極管、Schottky二極管或連接二極管的晶體管)或邏輯電路，就是說，它們的組合。在利用晶體管作為開關(guān)的情況下，該晶體管只起開關(guān)作用。因此，該晶體管的極性(導(dǎo)電類型)沒有特別限制。但是，在要求關(guān)斷電流較少的情況下，最好使用具有關(guān)斷電流較少的極性的晶體管。作為關(guān)斷電流小的晶體管，可以使用設(shè)有LDD區(qū)域的晶體管、具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管等。另外，在其源極端子的電位接近電源較低的電位側(cè)(諸如Vss，GND或0V)的狀態(tài)下作為開關(guān)運(yùn)行的情況下，最好使用n-溝道晶體管，而在其源極端子的電位接近于較高電位側(cè)電源(諸如Vdd)的狀態(tài)下運(yùn)行的晶體管的情況下，最好采用p-溝道晶體管。這是因?yàn)?，柵極-源極電壓的絕對值可能增大，使得該晶體管輕易地作為開關(guān)工作。請注意，該開關(guān)可以是既利用n-溝道晶體管又利用p-溝道晶體管的CMOS類型。若該開關(guān)是CMOS類型，即使在狀態(tài)改變的情況下，例如，要通過該開關(guān)輸出的電壓(換句話說，該開關(guān)的輸入電壓)高于或低于輸出電壓時，它也能適當(dāng)?shù)剡\(yùn)行。
請注意，在本發(fā)明中，詞組″被連接″是指電氣連接的情況和直接連接的情況。因此，在本發(fā)明所公開的結(jié)構(gòu)中，使電連接成為可能的另一個元件(諸如開關(guān)、晶體管、電容器、電感器、電阻或二極管)可以插入預(yù)定的連接中。作為另一方案，組件可以在它們之間不插入另一個元件的電路中直接連接。請注意，只有組件之間不插入另一個使電連接成為可能的元件而使組件直接連接的情況，不包括電氣連接的情況，才稱作″被直接連接″。還要注意，詞組″被電氣連接″意味著組件電氣連接和組件直接連接兩種情況。
請注意，作為晶體管，在本發(fā)明中不同的類型的晶體管都可以使用。因此，對可應(yīng)用的晶體管的類型沒有限制。因而，利用以無定形硅薄膜或多晶硅薄膜為特征的非單晶半導(dǎo)體薄膜的薄膜晶體管(TFT)、利用半導(dǎo)體襯底或SOI襯底形成的MOS晶體管、結(jié)晶體管、雙極性晶體管、利用化合物半導(dǎo)體諸如ZnO或a-InGaZnO的晶體管、利用有機(jī)半導(dǎo)體的晶體管或碳納米管或其他晶體管都可以使用。請注意，非單晶半導(dǎo)體薄膜可能包含氫或鹵素。另外，該晶體管可以是定位在不同的類型的襯底上，而且襯底的類型不限于特定一種。因此，該晶體管可以是定位在，例如，單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、紙襯底、玻璃紙襯底、石襯底等上面。另外，該晶體管可以在某些襯底上面形成，隨后可以是轉(zhuǎn)移到和定位在另一個襯底上面。
請注意，在本發(fā)明中假設(shè)像素是影像的最小單元。因此，在包括R(紅)、G(綠)和B(藍(lán))顏色元件的全色顯示器件的情況下，假設(shè)一個像素包括一個顏色元件R的點(diǎn)、一個顏色元件G的點(diǎn)和一個顏色元件B的點(diǎn)。請注意，這些顏色元件不限于3個顏色，可以多于3個顏色。例如，RGBW(W是白)、RGB加上黃色、青色或洋紅等等都可以使用。請注意，一個像素可以包括多個某些顏色元件的點(diǎn)。在這種情況下，多個顏色元件可能每一個都具有貢獻(xiàn)于顯示的不同大小的區(qū)域。另外，階度可以通過個別控制某些顏色元件的多個來表現(xiàn)。這稱作區(qū)域灰度法。作為另一方案，可以通過向某些顏色元件多個點(diǎn)中的各個點(diǎn)提供略微不同的信號來增大觀看角度。
請注意，詞組″像素配置成矩陣″包括在所謂垂直帶條和橫向帶條結(jié)合的所謂網(wǎng)格中帶條的配置。它還包括在用3個顏色元件完成全色顯示的情況下，對3個顏色元件(例如，RGB)的點(diǎn)的所謂增量配置。另外，它還包括Bayer排列的情況。請注意，該顏色元件不限于3個顏色，而且可以多于3個顏色。例如，可以使用RGBW(W是白)、加上黃色、青色或洋紅的RGB等等。另外，顏色元件的點(diǎn)可能每一個都具有不同的大小的光發(fā)射區(qū)域。
請注意，在本發(fā)明中，術(shù)語″半導(dǎo)體器件″是指一個具有包括半導(dǎo)體元件(諸如晶體管或二極管)的電路的器件。另外，它還可能一般地指可以通過利用半導(dǎo)體特性運(yùn)行的器件。該術(shù)語″顯示器件″是指包括顯示元件(諸如液晶元件或光發(fā)射元件)的器件。請注意，它還可能指顯示面板的主體，其中在一個襯底上面形成多個像素，其中的每一個都包括顯示元件，諸如液晶元件或EL元件；和用以驅(qū)動像素的外圍驅(qū)動電路。另外，它可以包括其上附上柔性印刷電路(FPC)或印刷接線板(PWB)(諸如IC、電阻、電容器、電感器或晶體管)。另外，它還可以包括光學(xué)紙，諸如偏振平板或阻滯薄膜。另外，它可以包括背光(它可以包括導(dǎo)光平板、棱鏡片、擴(kuò)散片、反射片或光源(諸如LED或冷陰極管))。
可以通過縮小電源線的電阻和抑制該電源線上的電壓降來防止缺陷顯示。


圖1A和1B分別為表示本發(fā)明的顯示面板的示意圖和說明連接端子部分的示意圖；圖2是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖3是一個本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖4A至4C是示意圖，說明連接端子部分；圖5A和5B是示意圖，說明連接端子部分；圖6A至6F是示意圖，說明連接端子部分；圖7是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖8是一個示意圖，表示本發(fā)明的顯示面板；圖9是本發(fā)明的顯示器件的一個電路原理圖；圖10是說明連接端子部分的示意圖；圖11是說明連接端子部分的示意圖；圖12是說明連接端子部分的示意圖；圖13是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖14是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖15是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖16是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖17是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖18是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖19是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖20是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖21是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖22是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖23是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖24是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；
圖25是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖26是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖27是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖28是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖29是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖30是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖31是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖32是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖33是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖34是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖35A至35C是說明連接端子部分的示意圖；圖36是說明連接端子部分的示意圖；圖37是說明連接端子部分的示意圖；圖38是說明連接端子部分的示意圖；圖39A和39B是說明連接端子部分的示意圖；圖40是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖41是本發(fā)明的顯示器件的電路原理圖；圖42是說明信號線驅(qū)動電路的示意圖；圖43A至43C是說明電流源電路的示意圖；圖44是說明連接端子部分的示意圖；圖45是說明連接端子部分的示意圖；圖46是說明連接端子部分的示意圖；圖47是說明連接端子部分的示意圖；圖48是說明連接端子部分的示意圖；圖49是說明連接端子部分的示意圖；圖50是說明連接端子部分的示意圖；圖51是說明連接端子部分的示意圖；圖52A和52B是本發(fā)明的顯示器件的剖面視圖；
圖53A和53B是本發(fā)明的顯示器件的剖面視圖；圖54A和54B是本發(fā)明的顯示器件的剖面視圖；圖55A和55B是本發(fā)明的顯示器件的剖面視圖；圖56A和56B是本發(fā)明的顯示器件的剖面視圖；圖57A和57B是本發(fā)明的顯示器件的剖面視圖；圖58A和58B是本發(fā)明的顯示器件的剖面視圖；圖59A和59B是本發(fā)明的顯示器件的剖面視圖；圖60A和60B是本發(fā)明的顯示器件的剖面視圖；圖61是說明連接端子部分的示意圖；圖62表示EL模塊的一個示例；圖63是一個方框示意圖，表示EL電視接收機(jī)的主要結(jié)構(gòu)；圖64表示可以應(yīng)用本發(fā)明的移動電話的一個示例；圖65A至65H表示電子器件的一個示例；圖66A和66B分別為表示本發(fā)明顯示面板結(jié)構(gòu)的電路原理圖和表示本發(fā)明顯示面板結(jié)構(gòu)的電路原理圖；圖67是說明連接端子部分的示意圖；圖68A和68B是說明移位寄存器和緩沖區(qū)電路電源的示意圖；圖69是表示本發(fā)明顯示面板的示意圖；圖70是表示本發(fā)明的顯示面板的示意圖；圖71A和71B是表示本發(fā)明的顯示面板的示意圖；圖72A和72B是表示光發(fā)射元件的示意圖；圖73A至73C是顯示器件的剖面視圖；圖74是顯示器件的剖面視圖；圖75是顯示器件的剖面視圖；圖76A和76B是表示本發(fā)明的顯示面板的示意圖；圖77是本發(fā)明的顯示面板的部分放大視圖；圖78是本發(fā)明的顯示面板的部分放大視圖；圖79A至79C表示光發(fā)射元件的一個示例；
圖80A至80C表示光發(fā)射元件的示例。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明不限于以下描述。正如本專業(yè)的技術(shù)人員容易理解的，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本發(fā)明的模式和細(xì)節(jié)可以以不同的方式改變。因而，說明本發(fā)明時不擬限于以下對實(shí)施方式的描述。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，其中電路是在襯底上面形成的，包括要連接到FPC(柔性印刷電路)的連接端子部分。該連接端子部分包括多個連接端子，至少其中一個連接到多個FPC端子。在下文中，該連接端子稱作組合連接端子。另外，在下文中成對地連接到一個FPC端子的一個連接端子稱作基準(zhǔn)連接端子。
正如上面描述的，通過連接多個FPC端子和一個組合連接端子可以降低接觸電阻。
請注意，在一個連接端子中，要連接到FPC端子的表面電極稱作連接焊盤。換句話說，作為連接端子的一部分的表面電極稱作連接焊盤。另外，一個要連接到連接端子的FPC端子的表面電極稱作FPC焊盤。換句話說，作為FPC端子的一部分的表面電極稱作FPC焊盤。另外，相鄰連接焊盤之間的寬度稱作連接間距，而相鄰FPC焊盤之間的寬度稱作FPC間距。
盡管在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個連接端子部分中連接焊盤排列得具有相等連接間距，但不限于相等連接間距。
因此，F(xiàn)PC端子陣列不必改變，在本申請書中，可以不作任何變化地使用FPC。因而，F(xiàn)PC可以是做成通用的。
請注意，在上述說明中，作為示例，F(xiàn)PC連接在半導(dǎo)體器件的連接端子部分；但是，本發(fā)明不限于此。例如，可以連接IC(半導(dǎo)體集成電路)芯片、印刷接線板(PWB)、可編程邏輯器件(諸如現(xiàn)場可編程的門陣列(FPGA)或復(fù)雜的可編程邏輯器件(CPLD))等。
在該實(shí)施模式中，將說明把本發(fā)明應(yīng)用于顯示面板的情況。另外，在該實(shí)施模式中，將說明組合連接端子包括組合連接焊盤的結(jié)構(gòu)。換句話說，說明這樣的結(jié)構(gòu)，其中組合連接端子包括連接焊盤(組合連接焊盤)，而該組合連接焊盤通過各向異性導(dǎo)電薄膜電氣連接到多個FPC焊盤。
首先，在該實(shí)施模式中，其中顯示面板連接到FPC的一個模塊示于圖1A。請注意，在本申請書中，這樣的一個模塊和顯示面板的主體合稱作顯示器件。
在襯底101上面形成像素部分106和驅(qū)動該像素部分106用的外圍驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路105和信號線驅(qū)動電路104)。然后，襯底101附在反面襯底102上。在該像素部分106中，在列方向上從該信號線驅(qū)動電路104延伸的多條信號線并排地排列在行方向上。另外，在該像素部分106中，在行方向上從掃描線驅(qū)動電路105延伸的多條掃描線并排地排列在列方向上。在像素部分106中，配置了包括顯示元件的多個像素。
請注意，顯示元件可以是不同的類型。例如，可以使用其中通過電磁作用改變對比度的顯示介質(zhì)，諸如EL元件(有機(jī)EL元件、無機(jī)EL元件或包含有機(jī)材料和無機(jī)材料的EL元件)、電子發(fā)射元件、液晶元件、電子墨水、光學(xué)衍射元件、放電元件、數(shù)字微鏡器件(DMD)、壓電元件或碳納米管。請注意，利用上述顯示元件的顯示器件的示例如下EL顯示器，作為利用EL元件的EL-面板顯示器件；場發(fā)射顯示器(FED)或SED平板顯示器(SED表面導(dǎo)電電子發(fā)射顯示器)，作為利用電子發(fā)射元件的顯示器件；液晶顯示器，作為利用液晶元件的液晶面板顯示器件；電子紙張，作為利用電子墨水的數(shù)字紙張顯示器件；光柵光閥(GLV)顯示器，作為利用光學(xué)衍射元件的顯示器件；等離子體顯示器，作為利用放電元件的PDP(等離子體顯示面板)顯示器；數(shù)字光處理(DLP)顯示器件，作為利用數(shù)字微鏡器件的DMD-面板顯示器件；壓電陶瓷顯示器，作為利用壓電元件的顯示器件；納米發(fā)光顯示器(NED)，作為利用碳納米管的顯示器件等等。
襯底101在連接端子部分連接到FPC 103。掃描線驅(qū)動電路105、信號線驅(qū)動電路104和像素部分106所需的信號和電力通過該FPC103提供給該顯示面板。
隨后，表示點(diǎn)線107附近襯底101和FPC 103之間的連接狀態(tài)的部分截面的電路透視圖示于圖1B。請注意，與圖1A中直線a-b對應(yīng)的方向通過圖1B中直線a-b表示，以便使剖面方向容易明白。
在該襯底101上面的形成多個連接焊盤。該多個連接焊盤包括基準(zhǔn)連接焊盤112和組合連接焊盤113。該多個連接焊盤與插入它們之間的寬度大致相等的隔壁114一起排列。請注意，基準(zhǔn)連接焊盤112和該組合連接焊盤113的排列順序不限于這里圖1B所示。
該FPC 103間隔相等地設(shè)有寬度大致相等的FPC焊盤111。然后，其上形成了連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤112和組合連接焊盤113)的襯底101的表面附在形成FPC焊盤111的FPC 103的表面上，使得彼此相對。
請注意，相應(yīng)的FPC焊盤111成對地設(shè)置在基準(zhǔn)連接焊盤112上面，以便面對基準(zhǔn)連接焊盤112。另外，多個相應(yīng)的FPC焊盤111設(shè)置在組合連接焊盤113上面，使之面對組合連接焊盤113。另外，連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤112和組合連接焊盤113)和FPC焊盤111用一個各向異性導(dǎo)電薄膜彼此電氣連接。請注意，為了使該結(jié)構(gòu)容易明白，該各向異性導(dǎo)電薄膜在這里沒有示出。
隨后，圖1A和1B所示的顯示面板的結(jié)構(gòu)的電路原理圖示于圖2。在該襯底101上面形成掃描線驅(qū)動電路105、信號線驅(qū)動電路104和像素部分106。另外，在該襯底101上面形成連接端子部分201。連接端子部分201設(shè)有作為基準(zhǔn)連接端子一部分的基準(zhǔn)連接焊盤112和作為組合連接端子的一部分的組合連接焊盤113。請注意，在圖2中，基準(zhǔn)連接焊盤112和組合連接焊盤113的數(shù)目和陣列不限于該示意圖所示。
多條掃描線206排列在行方向上，從掃描線驅(qū)動電路105延伸至像素部分106。另外，多條信號線207在列方向上排列，從信號線驅(qū)動電路104延伸至像素部分106。在該像素部分106中，多個像素205排列成矩陣，以便對應(yīng)于掃描線206和信號線207。請注意，詞組″像素排列成矩陣″包括三角形陣列的情況，其中在利用3個顏色元件的全色顯示器的情況下作為影像的最小單元的3個顏色元件(例如，RGB)排列成三角形配置；以及帶條陣列的情況，其中像素排列成垂直帶條和橫向帶條結(jié)合的網(wǎng)格。
請注意，每一個像素205都設(shè)有一個像素電極。形成一個反面電極202，以便覆蓋該像素部分106。于是，通過把顯示介質(zhì)夾在像素電極和反面電極202之間便形成顯示元件。另外，像素部分106包括電源線208，通過它把電力提供給每一個像素205的像素電極。
因?yàn)檫B接端子部分201設(shè)有組合連接焊盤113，它是組合連接端子的一部分，該實(shí)施模式的顯示面板可以降低功率消耗。因此，具體地說，向其輸入電源電位作為電源的連接端子最好形成為組合連接端子。
另外，當(dāng)輸入控制像素205發(fā)光和不發(fā)光用的視頻信號的連接端子也形成為組合連接端子時，可以防止有缺陷的顯示。
在該實(shí)施模式的顯示面板中，連接端子部分201可以在襯底201的邊沿內(nèi)形成，如圖2所示，或者可以形成得與該襯底的邊沿接觸，如圖3所示。另外，組合連接焊盤113可以設(shè)置在連接端子部分201的兩端，如圖7所示。另外，可以設(shè)置多個連接端子部分。例如，可以設(shè)置連接端子部分4001和連接端子部分4002，如圖40所示。請注意，不同的FPC單獨(dú)地連接到連接端子部分4001和連接端子部分4002。該連接端子部分的一個或兩個都可以包括一個組合連接焊盤。
圖1A和1B表示其中掃描線驅(qū)動電路105、信號線驅(qū)動電路104和像素部分106都集成該襯底上面的結(jié)構(gòu)；但是，掃描線驅(qū)動電路105和信號線驅(qū)動電路104可以在一個IC芯片上形成，它可以通過COG(玻璃上的芯片)等安裝，如圖8所示。請注意，該IC芯片是指在襯底上面形成的集成電路和分離為一個芯片。具體地說，對于該IC芯片，利用單晶硅晶園片作為襯底通過元件分離形成的電路和通過切割單晶硅晶園片分離為任意形狀是適當(dāng)?shù)摹?br> 另外，參照圖4B和4C詳細(xì)說明連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤112和組合連接焊盤113)和FPC焊盤111之間的連接結(jié)構(gòu)。基準(zhǔn)連接焊盤112和FPC焊盤111之間的電連接通過使用一個各向異性導(dǎo)電薄膜411加壓結(jié)合而成。請注意，各向異性導(dǎo)電薄膜411可能包含導(dǎo)電顆粒421，如圖4C所示。導(dǎo)電顆粒421是一個電阻比各向異性導(dǎo)電薄膜411低的顆粒。因此，基準(zhǔn)連接焊盤112和FPC焊盤111之間的接觸電阻可以減少。請注意，圖4B和4C表示了基準(zhǔn)連接焊盤112和FPC焊盤111之間連接部分，它同樣適用于組合連接焊盤113和FPC焊盤111之間的連接。
另外，參照圖4A說明在襯底101一側(cè)連接端子部分的特性。圖4A是襯底101連接端子部分的剖面視圖。組合連接焊盤113a和113b，每一個都具有對應(yīng)于圖1B所示的組合連接焊盤113的不同寬度。
于是，假定基準(zhǔn)連接焊盤112具有線寬401，組合連接焊盤113a具有線寬402，組合連接焊盤113b具有線寬403和在每一個連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤112和組合連接焊盤113a和113b)和一個相鄰連接焊盤之間設(shè)置的隔壁114具有寬度404(另外，稱作連接間距)，線寬402的長度對應(yīng)于兩個線寬401和該寬度404的總長度。另外，線寬403大致對應(yīng)于3個線寬401和兩個寬度404的總長度。換句話說，圖中1B中組合連接焊盤113的線寬長度n(n是一個大于1的整數(shù))個基準(zhǔn)連接焊盤112的線寬和(n-1)的隔壁寬度(又稱作連接間距)。
因此，圖1B表示組合連接的焊盤113電氣連接到兩個FPC焊盤111；但是，不用說本發(fā)明不限于此。換句話說，組合連接焊盤113可以電氣連接到3個FPC焊盤111、四個FPC焊盤111或四個以上FPC焊盤111。
組合連接焊盤113電氣連接到兩個FPC焊盤111的情況如圖5A所示。組合連接焊盤113a通過各向異性導(dǎo)電薄膜411連接到兩個FPC焊盤111。另外，組合連接焊盤113b電氣連接到3個FPC焊盤111的情況如圖5B所示。組合連接焊盤113b通過各向異性導(dǎo)電薄膜411連接到3個FPC焊盤111。請注意，各向異性導(dǎo)電薄膜411可能包含導(dǎo)電顆粒421，如圖4C所示。
請注意，在該實(shí)施模式中所描述的顯示面板的連接端子部分中，該組合連接端子的接觸電阻可以做得低于基準(zhǔn)連接端子的接觸電阻。因此，在提供電源電位用作電源等，消耗大量電力的情況下，最好通過一個連接到多個FPC端子的組合連接端子向顯示面板提供。換句話說，作為電源提供電源電位的連接端子可以形成為組合連接端子。照此，電源線的電阻可以減少，該電源線中的電壓降可以降低，并可以防止有缺陷的顯示。
當(dāng)該組合連接端子包括組合連接焊盤時，即使顯示面板附在該FPC上時該連接端子與該FPC端子在線寬方向上對不準(zhǔn)，該組合連接端子的接觸電阻也不增大。在下文中，參照圖6A和6B進(jìn)行說明。
圖6A是一個剖面視圖，表示在顯示面板和該FPC接合時沒有出現(xiàn)該連接端子與該FPC端子在線寬方向上對不準(zhǔn)的情況下，彼此通過該各向異性導(dǎo)電薄膜連接的基準(zhǔn)連接焊盤和該FPC焊盤。換句話說，該基準(zhǔn)連接焊盤112的線寬中心幾乎與該FPC焊盤111對準(zhǔn)。于是，圖6D對應(yīng)于圖6A的頂視圖。請注意，該FPC焊盤111不重疊該基準(zhǔn)連接焊盤112的區(qū)域具有寬度s。
圖6B是一個剖面視圖，表示在該顯示面板和該FPC接合時出現(xiàn)該連接端子與該FPC端子在線寬方向上對不準(zhǔn)的情況下，彼此連接通過該各向異性導(dǎo)電薄膜連接的基準(zhǔn)連接焊盤和FPC焊盤。于是圖6E對應(yīng)于圖6B的頂視圖。如圖6B和6E所示，與基準(zhǔn)連接焊盤112成對地對應(yīng)的FPC焊盤111，在線寬方向上對不準(zhǔn)；因此，在該連接焊盤112上產(chǎn)生不重疊區(qū)域，而該不重疊區(qū)域具有寬度g。請注意，在該FPC焊盤111放大的不重疊區(qū)域具有寬度t。該寬度g和寬度t大致彼此相等。因此，連接區(qū)域減少了寬度g。
另一方面，圖6C是一個剖面視圖，表示在該顯示面板和該FPC接合時該連接端子與該FPC端子在線寬方向上對不準(zhǔn)的情況下，通過該各向異性導(dǎo)電薄膜彼此連接的組合連接焊盤和FPC焊盤。于是，圖6F對應(yīng)于圖6C的頂視圖。在圖6C和6F所示的組合連接焊盤113和FPC焊盤111之間的連接中，即使出現(xiàn)對不準(zhǔn)，不重疊區(qū)域也只在連接到組合連接焊盤113的多個FPC焊盤111中的一個產(chǎn)生。于是，不重疊區(qū)域具有寬度t。另外，當(dāng)不出現(xiàn)對不準(zhǔn)時，在FPC焊盤111寬于基準(zhǔn)連接焊盤112的情況下，重疊該隔壁114的FPC焊盤111的區(qū)域重疊組合連接焊盤113。因此，連接區(qū)域放大了。放大的區(qū)域具有寬度s。隨著連接到組合連接焊盤113的FPC焊盤111的數(shù)目增大，由于不重疊區(qū)域的產(chǎn)生而造成的連接區(qū)域減少的影響減輕了。在組合連接焊盤113中，可以放大連接區(qū)域。因此，即使該顯示面板和FPC接合時該連接端子與該FPC端子在線寬方向上出現(xiàn)對不準(zhǔn)，也可以減少該組合連接端子與該FPC端子的接觸電阻。
相應(yīng)地，在該實(shí)施模式中描述的組合連接端子和多個FPC端子的接觸電阻可以做成5Ω或者更小，最好1Ω或者更小。
在該實(shí)施模式中，將詳細(xì)說明作為在實(shí)施模式1描述的連接端子(基準(zhǔn)連接端子和組合連接端子)的一部分的連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤112和組合連接焊盤113)的結(jié)構(gòu)，和從該連接焊盤延伸入密封區(qū)域的導(dǎo)線。
請注意，在該實(shí)施模式中，要描述的顯示面板特別適用于其中驅(qū)動像素用的外圍驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路和信號線驅(qū)動電路)與像素部分集成在一起的這種結(jié)構(gòu)的顯示面板。換句話說，該外圍驅(qū)動電路包括在形成包括在該像素中的薄膜晶體管的形成的同時形成的薄膜晶體管(又稱TFT)等等。具有這樣的結(jié)構(gòu)的顯示面板的電路原理圖示于圖9。請注意，連接端子部分201不一定像在該結(jié)構(gòu)中那樣在襯底101的邊沿內(nèi)形成，也可以形成得與襯底101的邊沿接觸，如圖3所示。
在該結(jié)構(gòu)的顯示面板中，在該襯底101上面形成的像素部分106和外圍驅(qū)動電路，夾在襯底101和反面襯底之間，并在密封區(qū)域901中密封。請注意，密封可以通過任何固體密封、真空密封、氣體密封、液體密封等等完成。例如，可以用樹脂等進(jìn)行固體密封。另外，可以用He(氦)，Ar(氬)，N(氮)等進(jìn)行氣體密封。另外，可以使用液體石臘、硅液體等進(jìn)行液體密封。
這里，點(diǎn)線902所包圍的區(qū)域的一個放大視圖示于圖10。該連接端子部分包括基準(zhǔn)連接焊盤112和組合連接焊盤(組合連接焊盤113a和組合連接焊盤113b)。該基準(zhǔn)連接焊盤112和導(dǎo)線1001用連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成。導(dǎo)線1001的線寬小于基準(zhǔn)連接焊盤112的線寬。具體地說，導(dǎo)線1001的線寬是基準(zhǔn)連接焊盤112的線寬的一半或者更小，1/3或者更小更好。另外，組合連接焊盤113a和導(dǎo)線1002和組合連接焊盤113b和導(dǎo)線1003也各自用各自連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成。于是，導(dǎo)線1002和導(dǎo)線1003具有大致等于組合連接焊盤113a和組合連接焊盤113b的線寬。
請注意，組合連接焊盤113a具有基準(zhǔn)連接焊盤112兩個線寬的總寬度和一個連接間距的寬度；但是，本發(fā)明不限于此。另外，組合連接焊盤113b具有基準(zhǔn)連接焊盤112三個線寬的總寬度和該連接間距的兩個寬度；但是，本發(fā)明不限于此。另外，如圖10所示，該連接端子部分可以包括具有不同的寬度的組合連接焊盤，或者可以包括多個具有相同寬度的組合連接焊盤。另外，該連接端子部分可以包括一個組合連接焊盤或更大。在接線部分中導(dǎo)線1001、導(dǎo)線1002和導(dǎo)線1003的線寬是密封區(qū)域901附近的寬度，而且它們可以具有不同的線寬進(jìn)一步進(jìn)入像素部分。另外，基準(zhǔn)連接焊盤112、組合連接焊盤113a和組合連接焊盤113b的數(shù)目和陣列順序不限于上述那些。
換句話說，在圖10所示的結(jié)構(gòu)中，用與該基準(zhǔn)連接焊盤連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成的導(dǎo)線在密封區(qū)域中的寬度窄。另一方面，在該密封區(qū)域中，用與該組合連接焊盤連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成的導(dǎo)線可以具有與該組合連接焊盤相同的線寬。
因此，因?yàn)橛门c該基準(zhǔn)連接焊盤112連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成的導(dǎo)線的區(qū)域在該密封區(qū)域中變小，襯底101和與之接合的反面襯底之間的粘結(jié)得以改善。另外，用與該組合連接焊盤(組合連接焊盤113a和組合連接焊盤113b)連續(xù)的各層形成的導(dǎo)線具有與該組合連接焊盤相同的寬度；因此，可以減少該導(dǎo)線的電阻。請注意，為了進(jìn)一步改善粘結(jié)，該組合連接焊盤的數(shù)目最好小于基準(zhǔn)連接焊盤112。
另外，點(diǎn)線902所包圍的區(qū)域的另一種結(jié)構(gòu)的放大視圖示于圖11。該結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步改善襯底101和與之接合的反面襯底之間的粘結(jié)。
在圖11的結(jié)構(gòu)中，用與基準(zhǔn)連接焊盤112連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成的導(dǎo)線1001示于圖10。于是，組合連接焊盤113a在該接線部分中包括一個窄的導(dǎo)線部分1101和一個寬的導(dǎo)線部分1102。另外，組合連接焊盤113b在該接線部分還包括一個窄的導(dǎo)線部分1103和一個寬的導(dǎo)線部分1104。
換句話說，在每一個組合連接焊盤(組合連接焊盤113a和組合連接焊盤113b)中，導(dǎo)線用跨越該密封區(qū)域901的相同的導(dǎo)電薄膜形成。該導(dǎo)線在該密封區(qū)域901是狹窄的，而在其中該襯底和反面襯底彼此接合的區(qū)域內(nèi)是寬的。最好，窄導(dǎo)線的線寬是基準(zhǔn)連接焊盤112線寬的三分之一或者更小，而該寬導(dǎo)線的線寬大致等于該組合連接焊盤的線寬。另外，在該范圍內(nèi)該窄導(dǎo)線的長度是密封區(qū)域901寬度的三倍至10倍。因而，該襯底和該反面襯底之間的粘結(jié)得到改善。另外，因?yàn)檎瓕?dǎo)線長度短，可以抑制電阻增大。
點(diǎn)線902所包圍的區(qū)域的另一個結(jié)構(gòu)的放大視圖示于圖12。該結(jié)構(gòu)可以改善襯底101和與之接合的反面襯底之間的粘結(jié)，而同時抑制導(dǎo)線電阻的增大。
在圖12所示的結(jié)構(gòu)中，用與基準(zhǔn)連接焊盤112連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成的導(dǎo)線1001與圖10所示的相同。于是，組合連接焊盤113a在該接線部分中包括一個窄導(dǎo)線部分1201和一個寬導(dǎo)線部分。另外，組合連接焊盤113b在該接線部分中還包括一個窄導(dǎo)線部分1203和一個寬導(dǎo)線部分1204。
換句話說，在每一個組合連接焊盤(組合連接焊盤113a和組合連接焊盤113b)中，導(dǎo)線用跨越該密封區(qū)域901的相同的導(dǎo)電薄膜形成。該導(dǎo)線在該密封區(qū)域901中被分成多條窄導(dǎo)線，而多條窄導(dǎo)線收斂并變?yōu)橐r底和彼此接合在一起的區(qū)域內(nèi)的寬導(dǎo)線。每一條窄導(dǎo)線的線寬最好是該組合連接焊盤線寬的三分之一或者更小，而該寬導(dǎo)線的線寬大致等于該組合連接焊盤的線寬。另外，該窄導(dǎo)線的長度是密封區(qū)域901寬度的三倍至10倍的范圍內(nèi)。因而，該襯底和該反面襯底之間粘結(jié)得以改善。另外，因?yàn)檎瓕?dǎo)線的長度短，可以抑制電阻的增大。
盡管在圖12所示的結(jié)構(gòu)中，具有基準(zhǔn)連接焊盤112兩個線寬和一個連接間距寬度的總寬度的組合連接焊盤113a在密封區(qū)域901被分成兩個狹窄的導(dǎo)線部分1201，但本發(fā)明不限于此。另外，具有基準(zhǔn)連接焊盤112的三個線寬和兩個連接間距寬度的總寬度的組合連接焊盤113b在密封區(qū)域901被分成3個狹窄的導(dǎo)線部分1203；但是，本發(fā)明不限于此。另外，如圖44所示，在一個具有與組合連接焊盤113a相同寬度的導(dǎo)線部分中，可以除去與密封區(qū)域901相交的導(dǎo)線的一部分，以便形成多個狹窄的導(dǎo)線部分4401，而且該導(dǎo)線在像素部分可以有寬的導(dǎo)線部分4402。同樣地，在具有與組合連接焊盤113b相同的寬度的導(dǎo)線部分中，可以除去與該密封區(qū)域901相交的導(dǎo)線的一部分，以便形成多個狹窄的導(dǎo)線部分4403，而且在像素部分中該導(dǎo)線可以有寬的導(dǎo)線部分4404。
請注意，在該顯示器件利用RGB顏色元件完成全色顯示的情況下，電源電位可以不同。在這種情況下，如圖41所示，顏色元件R的電源電位通過一個連接到組合連接焊盤113的導(dǎo)線4101R、連接到導(dǎo)線4101R的導(dǎo)線4201R和連接到導(dǎo)線4201R的電源線208R提供給像素。另外，顏色元件G的電源電位通過導(dǎo)線4101G、連接到導(dǎo)線4101G的導(dǎo)線4201G和連接到導(dǎo)線4201G的電源線208G提供給像素。顏色元件B的電源電位通過導(dǎo)線4101B、連接到導(dǎo)線4101B的導(dǎo)線4201B和連接到導(dǎo)線4201B的電源線208B提供給像素。
在該連接端子部分中，為了改善與該FPC的粘結(jié)，在連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤112、組合連接焊盤113a和組合連接焊盤113b)中可以設(shè)置凹處4701，如圖47所示。請注意，最好為一個連接焊盤提供多個凹處4701。但是，凹處4701的數(shù)目和形狀不限于圖47所示。因此，該凹處不僅可以有這樣的圓形形狀，如圖47所示，而且可以呈正方形或三角形。作為另一方案，在與該連接焊盤線寬方向垂直的方向上，可以設(shè)置形成得呈帶條形狀的凹處5001，如圖50所示，或者在該連接焊盤線寬方向上可以設(shè)置形成得呈帶條形狀的凹處5101，如圖51所示。
另外，該組合連接焊盤的結(jié)構(gòu)不限于上述。例如，該組合連接焊盤可以有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中具有與基準(zhǔn)連接焊盤相同形狀的多個電極在電極結(jié)合部分3601結(jié)合，如圖36所示。換句話說，每一個都具有與基準(zhǔn)連接焊盤112相同線寬的兩個電極，通過該電極結(jié)合部分3601結(jié)合，以此形成復(fù)合連接焊盤113a。另外，每一個都具有與該基準(zhǔn)連接焊盤112相同線寬的3個電極，通過電極結(jié)合部分3601結(jié)合，以此形成復(fù)合連接焊盤113b。請注意，該組合連接焊盤可以利用導(dǎo)電薄膜形成為連續(xù)的，或者該電極和電極結(jié)合部分3601可以用不同的導(dǎo)電薄膜形成。
另外，形成該連接端子的用作該連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤112、組合連接焊盤113a和組合連接焊盤113b)的電極可以用不同于從每一個連接端子延伸的導(dǎo)線所用的導(dǎo)電薄膜形成。例如，該連接端子部分中的電極4801用與伸進(jìn)密封區(qū)域的導(dǎo)線4802連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成，如圖48所示。于是，用作焊盤的電極在電極4801上面形成。換句話說，基準(zhǔn)連接焊盤112在形成該基準(zhǔn)連接端子的電極4801上面形成，而每一個組合連接焊盤113a和組合連接焊盤113b在多個用作該組合連接端子的電極4801上面形成。
在這樣的一種結(jié)構(gòu)中，該連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤112、組合連接焊盤113a和組合連接焊盤113b)用底部發(fā)射顯示器件的透明導(dǎo)電薄膜的材料形成，而電極4801和導(dǎo)線4802用金屬材料形成。作為透明導(dǎo)電薄膜的示例，可以給出ITO、TZO、CTO等。
請注意，該連接焊盤不限于用導(dǎo)電薄膜形成的電極。換句話說，其它區(qū)域比電極4901小的導(dǎo)電薄膜4903可以在電極4901、電極4902a和電極4902b上面形成，如圖49所示。換句話說，該基準(zhǔn)連接焊盤用電極4901和導(dǎo)電薄膜4903形成。該組合連接焊盤用電極4902a和導(dǎo)電薄膜4903形成。該組合連接焊盤用電極4902b和導(dǎo)電薄膜4903形成。正如上面描述的，當(dāng)該連接端子部分從上面看時，該連接焊盤還包括暴露的導(dǎo)電區(qū)域。
在這樣一種結(jié)構(gòu)中，電極4901、電極4902a和電極4902b用頂部發(fā)射顯示器件的透明導(dǎo)電薄膜的材料形成，而該導(dǎo)電薄膜4903用輔助導(dǎo)線的材料形成。作為透明導(dǎo)電薄膜的示例，可以給出ITO，TZO，CTO等。
請注意，可以適用于本發(fā)明的連接焊盤和連接到該連接焊盤的導(dǎo)線的結(jié)構(gòu)不限于上述。另外，上面描述的結(jié)構(gòu)可以結(jié)合使用。

在該實(shí)施模式中，說明顯示器件的一種結(jié)構(gòu)。具體地說，在該實(shí)施模式中，說明集中在組合連接焊盤和反面電極之間的連接結(jié)構(gòu)上。
首先，參照圖13說明該實(shí)施模式的第一結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。在該第一結(jié)構(gòu)中，作為反面電極202的一部分的寬導(dǎo)線1301是跨越信號線驅(qū)動電路104形成的，并連接到從組合連接焊盤113通過接觸孔1302延伸的導(dǎo)線上。在這種情況下，該寬導(dǎo)線1301最好形成得比組合連接焊盤113的線寬更寬。于是，可以減少接觸電阻，因?yàn)榭梢苑糯蠼佑|孔1302。換句話說，如圖45所示，從組合連接焊盤113b延伸的導(dǎo)線1204連接到寬導(dǎo)線1301，后者是通過該像素部分內(nèi)接觸孔4501的反面電極的一部分，跨越密封區(qū)域901。在這種情況下，導(dǎo)線1204可以形成得具有與組合連接焊盤113a的線寬相同的寬度；因此，該接觸孔的寬度還可以放大。換句話說，該接觸孔的寬度可以做得大于基準(zhǔn)連接焊盤112的線寬。請注意，與圖12共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。作為另一方案，導(dǎo)線1204和反面電極202可以不僅通過一個接觸孔而且通過多個接觸孔4601彼此連接，如圖46所示。
隨后，參照圖14說明該實(shí)施模式的第二結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。在該第二結(jié)構(gòu)中，從組合連接焊盤113延伸的導(dǎo)線1401具有大致等于組合連接焊盤113的寬度，并且還包括寬導(dǎo)線1402。該導(dǎo)線1402的寬度大致等于信號線驅(qū)動電路104。于是，連接到導(dǎo)線1402的導(dǎo)線1403穿過信號線驅(qū)動電路104，并通過接觸孔1404通過多層的接線結(jié)構(gòu)連接到反面電極202。請注意，接觸孔1404是在像素部分106和信號線驅(qū)動電路104之間的區(qū)域形成的。這樣，因?yàn)榻M合連接焊盤113和導(dǎo)線1401和具有低導(dǎo)線電阻的導(dǎo)線1402是用不帶接觸孔的連續(xù)導(dǎo)電薄膜形成的，從組合連接焊盤113到反面電極202的線電阻可以減少。
隨后，參照圖15說明該實(shí)施模式的第三結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。在第三個結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104在與連接端子部分201相反的一側(cè)上與該像素部分106一起在它們之間形成。在這樣的一種結(jié)構(gòu)中，反面電極202連接到從組合連接焊盤113通過接觸孔1501延伸的導(dǎo)線，而不跨越信號線驅(qū)動電路104延伸。另外，因?yàn)閺慕M合連接焊盤113至反面電極202的線的長度是短的，所以該線的電阻降低。
隨后，參照圖16說明該實(shí)施模式的第四結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。在該第四結(jié)構(gòu)中，連接到組合連接焊盤113的導(dǎo)線1603連接到配置得包圍信號線驅(qū)動電路104的導(dǎo)線1601。至少在信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間的區(qū)域，導(dǎo)線1601是寬的，其中它通過接觸孔1602連接到反面電極202。請注意，當(dāng)組合連接焊盤113、導(dǎo)線1603和導(dǎo)線1601用同一導(dǎo)電薄膜形成時，可以進(jìn)一步減少電阻，因?yàn)椴徊迦虢佑|孔。
隨后，參照圖17說明該實(shí)施模式的第五結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。在該第五結(jié)構(gòu)中，連接到組合連接焊盤113的導(dǎo)線1703連接到一個配置得包圍信號線驅(qū)動電路104和像素部分106的導(dǎo)線1701。至少在信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間的區(qū)域和在與此相反一側(cè)的區(qū)域，連同它們之間的像素部分106，導(dǎo)線1701是寬的，其中它通過接觸孔1702連接到反面電極202。請注意，當(dāng)組合連接焊盤113、導(dǎo)線1703和導(dǎo)線1701用同一導(dǎo)電薄膜形成時，電阻可以進(jìn)一步減少，因?yàn)椴徊迦虢佑|孔。按照該結(jié)構(gòu)，導(dǎo)線1701引向像素部分106周圍。因此，利用由導(dǎo)線1701用的低電阻材料形成的導(dǎo)電薄膜，反面電極202的平面內(nèi)電位可以均衡。請注意，反面電極202和導(dǎo)線1701可以在另一個區(qū)域彼此連接。例如，如圖18所示，至少在掃描線驅(qū)動電路105和像素部分106之間的區(qū)域和在與此相反一側(cè)的區(qū)域，連同它們之間的像素部分106，導(dǎo)線1701是寬的，其中它可以通過接觸孔1702連接到反面電極202。
隨后，參照圖19說明該實(shí)施模式的第六結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。在該第六結(jié)構(gòu)中，組合連接焊盤113配置在連接端子部分201的兩端。另外，在掃描線驅(qū)動電路105和像素部分106之間形成寬導(dǎo)線1901a。另外，在與導(dǎo)線1901a相反一側(cè)上，連同它們之間的像素部分106，形成寬導(dǎo)線1901b。
于是，連接到在兩端形成的組合連接焊盤113中的一個的導(dǎo)線1903連接到導(dǎo)線1901a。另外，連接到在兩端形成的其他組合連接焊盤113的導(dǎo)線1903連接到導(dǎo)線1901b。
于是，導(dǎo)線1901a和導(dǎo)線1901b通過接觸孔1902連接到反面電極202。請注意，導(dǎo)線1901a和該導(dǎo)線1901b最好用低電阻導(dǎo)電薄膜形成。于是，可以減少電壓降的影響，而反面電極202的平面內(nèi)電位可以均衡。另外，可以設(shè)置導(dǎo)線1901a或?qū)Ь€1901b；但是，通過在像素部分106兩側(cè)配置導(dǎo)線，如圖19所示，電壓降的影響可以進(jìn)一步減少。另外，本發(fā)明不限于兩側(cè)都設(shè)置導(dǎo)線的情況，像導(dǎo)線1901a和導(dǎo)線1901b，可以把該導(dǎo)線配置得包圍像素部分106。在這種情況下，在包圍像素部分106的導(dǎo)線2001，至少設(shè)置一個接觸孔1902到以下每個區(qū)域，即，像素部分106和信號線驅(qū)動電路104之間的區(qū)域、在與信號線驅(qū)動電路104相反一側(cè)的區(qū)域(連同它們之間的像素部分106)、掃描線驅(qū)動電路105和像素部分106之間的區(qū)域，和在與掃描線驅(qū)動電路105相反一側(cè)的區(qū)域(連同它們之間的像素部分106)，如圖20所示。于是，導(dǎo)線2001和反面電極202通過接觸孔1902彼此連接。
請注意，可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示器件的結(jié)構(gòu)不限于上述。
在該實(shí)施模式中，說明顯示器件的一種結(jié)構(gòu)。具體地說，在該實(shí)施模式中，說明集中在組合連接焊盤和像素電極之間連接的結(jié)構(gòu)上。
首先，參照圖21說明該實(shí)施模式的結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。在該第一結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)線2102形成得包圍信號線驅(qū)動電路104。于是，連接到組合連接焊盤113的導(dǎo)線2101進(jìn)一步連接到導(dǎo)線2102。至于導(dǎo)線2102，形成延伸至像素部分106的電源線208。采用這樣的一種結(jié)構(gòu)，可以減少電壓降的影響，并可以均衡每一個電源線208的電位。另外，利用導(dǎo)線2102用的低電阻導(dǎo)電薄膜，可以進(jìn)一步減少電壓降的影響。另外，為了抑制提供給像素部分106每一行上的每一個像素的電源電位變動，導(dǎo)線2102可以在像素部分106周圍引導(dǎo)。該情況如圖22中導(dǎo)線2201所示。在這種情況下，導(dǎo)線2201和電源線208在像素部分106和信號線驅(qū)動電路104之間的一個區(qū)域彼此連接，而導(dǎo)線2201和電源線208也在與信號線驅(qū)動電路104相反一側(cè)與它們之間的像素部分106連接。請注意，導(dǎo)線2201做得比電源線208的線寬更寬。作為另一方案，導(dǎo)線2201用的材料要比電源線208用的材料電阻低。作為另一方案，把這些加以結(jié)合。相應(yīng)地，可以進(jìn)一步減少電壓降的影響。
隨后，參照圖23說明該實(shí)施模式的第二結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。在該第二結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104在與連接端子部分201相反一側(cè)，連同它們之間的像素部分106一起形成。另外，從組合連接焊盤113至寬導(dǎo)線2301和寬導(dǎo)線2302用一個連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成。另外，寬導(dǎo)線2301的線寬大致等于組合連接焊盤113的線寬，而寬導(dǎo)線2302的線寬大致等于在行方向上像素部分106的寬度。于是，連接到寬導(dǎo)線2302的電源線208形成得延伸到像素部分106。按照該結(jié)構(gòu)，從連接焊盤113至電源線208可以用一個連續(xù)導(dǎo)線形成，而不帶接觸孔；因此，可以降低電阻。因而，可以進(jìn)一步減少電壓降的影響。
在該實(shí)施模式中，說明顯示器件的一種結(jié)構(gòu)。具體地說，在該實(shí)施模式中，說明集中在組合連接焊盤和該像素電極和該反面電極之間連接的結(jié)構(gòu)上。
首先，參照圖24說明該實(shí)施模式的第一結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。在該第一結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104在與連接端子部分201相反一側(cè)，連同它們之間的像素部分106一起形成。采用這樣的一種結(jié)構(gòu)，反面電極202連接到從組合連接焊盤113通過接觸孔1501延伸的導(dǎo)線，而不跨越信號線驅(qū)動電路104延伸。另外，從組合連接焊盤113至寬導(dǎo)線2301和寬導(dǎo)線2302利用一個連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成。于是，寬導(dǎo)線2301的線寬大致等于組合連接焊盤113的線寬，而寬導(dǎo)線2302的線寬在行方向上大致等于像素部分106的寬度。于是，連接到寬導(dǎo)線2302的電源線208形成得延伸到像素部分106。按照該結(jié)構(gòu)，從組合連接焊盤113至電源線208可以用一條連續(xù)導(dǎo)線形成，不帶接觸孔；因此，可以降低電阻。
隨后，參照圖25說明該實(shí)施模式的第二結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。該第二結(jié)構(gòu)包括至少兩個組合連接焊盤113。于是，從組合連接焊盤113中的一個至寬導(dǎo)線1401和寬導(dǎo)線1402用一個連續(xù)導(dǎo)電薄膜形成。于是，寬導(dǎo)線1401的線寬大致等于組合連接焊盤113的線寬，而寬導(dǎo)線1402的線寬在行方向上大致等于像素部分106的寬度。另外，連接到其他組合連接焊盤113的導(dǎo)線2101連接到形成得包圍信號線驅(qū)動電路104的導(dǎo)線2102。于是，寬導(dǎo)線1402通過接觸孔1404用具有多層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線1403連接到反面電極202。接觸孔1404在信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間形成。另外，電源線208形成得從導(dǎo)線2102延伸至像素部分106。
隨后，參照圖26說明該實(shí)施模式的第三結(jié)構(gòu)。請注意，與圖2共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。第三個結(jié)構(gòu)包括至少兩個組合連接焊盤113。作為反面電極202的一部分的寬導(dǎo)線1301跨越信號線驅(qū)動電路104而形成，并連接到從組合連接焊盤113中的一個通過接觸孔1302延伸的導(dǎo)線。在這種情況下，寬導(dǎo)線1301最好形成得比組合連接焊盤113的線寬更寬。于是，可以降低接觸電阻，因?yàn)榻佑|孔1302可以放大。另外，連接到其他組合連接焊盤113的導(dǎo)線2101連接到形成得包圍信號線驅(qū)動電路104的導(dǎo)線2102。另外，電源線208形成得從導(dǎo)線2102延伸至像素部分106。
在該實(shí)施模式中，更詳細(xì)地說明連接端子的剖面結(jié)構(gòu)。請注意，在該實(shí)施模式中，描述像素中具有EL元件像素的顯示器件的部分和連接端子部分的剖面結(jié)構(gòu)；但是，可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示器件不限于此。
在可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示器件中，包含在一個顯示面板中的薄膜晶體管(又稱TFT)的半導(dǎo)體層可以是一個結(jié)晶性半導(dǎo)體薄膜或無定形半導(dǎo)體薄膜。作為結(jié)晶性半導(dǎo)體薄膜，例如，可以使用多晶硅(p-Si)薄膜。作為無定形半導(dǎo)體薄膜，可以使用無定形硅(a-Si:H)薄膜。另外，可以使用所謂微晶硅薄膜。另外，該薄膜晶體管可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，諸如其中柵極設(shè)置在半導(dǎo)體層上面的頂部柵極結(jié)構(gòu)，或其中柵極設(shè)置在半導(dǎo)體層下面的底部柵極結(jié)構(gòu)。
首先，在使用結(jié)晶性半導(dǎo)體薄膜作為半導(dǎo)體層的情況下，具有頂部柵極晶體管的顯示面板的連接端子部分和像素部分的截面圖示于圖52A和52B。
在襯底5201上面形成基底薄膜5202。諸如玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底或陶瓷襯底等絕緣襯底、金屬襯底、半導(dǎo)體襯底可以用作襯底5201。
該基底薄膜5202可以通過化學(xué)氣相淀積法或?yàn)R射法形成。例如，可以使用通過化學(xué)氣相淀積法利用SiH4、N2O、NH3等用作源材料而形成的氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜等。作為另一方案，可以使用其層疊。請注意，基底薄膜5202設(shè)置來避免雜質(zhì)通過擴(kuò)散從襯底5201進(jìn)入半導(dǎo)體層，而在利用玻璃襯底或石英襯底作為襯底5201的情況下，不一定設(shè)置基底薄膜5202。
在基底薄膜5202上面形成一個島形半導(dǎo)體層。在該半導(dǎo)體層中，形成一個其中形成溝道的溝道形成區(qū)域5203和用作源極區(qū)或漏極區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域5204。于是，在溝道形成區(qū)域5203上面形成柵極5206，它們之間帶有一個柵極絕緣薄膜5205。
該柵極絕緣薄膜5205可以利用氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜等通過化學(xué)氣相淀積法或?yàn)R射法形成。另外，可以利用鋁(Al)薄膜、銅(Cu)薄膜、包含鋁或銅作為它的主要成分的薄膜、鉻(Cr)薄膜、鉭(Ta)薄膜、氮化鉭(TaN)薄膜、鈦(Ti)薄膜、鎢(W)薄膜、鉬(Mo)薄膜等形成柵極5206。
請注意，可以在柵極5206的一側(cè)形成側(cè)壁。該側(cè)壁可以通過形成諸如氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氮氧化硅薄膜的硅化合物覆蓋柵極206，然后向后蝕刻它而形成。
第一夾層絕緣薄膜5207在柵極5206和柵極絕緣薄膜5205上面形成。第一夾層絕緣薄膜5207可以包括無機(jī)絕緣薄膜作為較低的層以及樹脂薄膜作為上層。作為無機(jī)絕緣薄膜，可以使用氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜或它們的層疊薄膜。作為樹脂薄膜，可以使用聚丙亞胺、聚酰胺、丙烯酸、聚丙亞胺酰胺、環(huán)氧樹脂等。
另外，導(dǎo)線5208在第一夾層絕緣薄膜5207上面形成，而導(dǎo)線5208通過接觸孔電氣連接到雜質(zhì)區(qū)域5204。作為導(dǎo)線5208，可以使用鈦(Ti)薄膜、鋁(Al)薄膜、銅(Cu)薄膜、含鈦鋁薄膜等。導(dǎo)線5208最好具有三層結(jié)構(gòu)，和具有一個包括鈦(Ti)薄膜作為較低層、鋁(Al)薄膜在其上，和鈦(Ti)薄膜在其更上面的結(jié)構(gòu)。采用該結(jié)構(gòu)，與該雜質(zhì)區(qū)域5204的導(dǎo)線電阻和接觸電阻可以減少。
第二夾層絕緣薄膜5209在導(dǎo)線5208和第一夾層絕緣薄膜5207上面形成。作為該第二夾層絕緣薄膜5209，可以使用無機(jī)絕緣薄膜、樹脂薄膜或其層疊層。作為該無機(jī)絕緣薄膜，可以使用氮化硅薄膜、氧化硅薄膜或氮氧化硅薄膜或其層疊層。作為該樹脂薄膜，可以使用聚丙亞胺、聚酰胺、丙烯酸、聚丙亞胺酰胺、環(huán)氧樹脂等。請注意，該樹脂薄膜最好用于平面化。
像素電極5210在該第二夾層絕緣薄膜5209上面形成。最好把逸出功高的材料用于像素電極5210。于是，在使用底部發(fā)射，其中從襯底5201一側(cè)提取光的情況下，用透明的導(dǎo)電薄膜作像素電極5210。作為另一方案，可以使用透明的導(dǎo)電薄膜的層疊和這樣一個薄的金屬薄膜來透射光。另外，在使用頂部發(fā)射，其中從與襯底5201相反一側(cè)提取光的情況下，最好用反光金屬薄膜作像素電極5210。
例如，作為透明導(dǎo)電薄膜的材料，可以使用在氧化銦中加入氧化錫的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(TO)等。利用ITO可以形成一個低電阻像素電極5210。另外，通過利用IZO，可以形成一個均勻的薄膜并完成微小處理。
例如，可以利用諸如氮化鈦(TiN)薄膜、鉻(Cr)薄膜、鎢(W)薄膜、鋅(Zn)薄膜或鉑(Pt)薄膜等單層薄膜形成反光金屬薄膜；氮化鈦薄膜和包含鋁作為它的主要成份的薄膜的層疊層；氮化鈦薄膜、包含鋁作為它的主要成份的薄膜和氮化鈦薄膜的三層結(jié)構(gòu)等。當(dāng)像素電極210具有層疊結(jié)構(gòu)時，它可以具有低電阻作為導(dǎo)線和形成有利的歐姆接觸。另外，像素電極可以起陽極的作用。利用該反光金屬薄膜，可以形成不透光的陽極。
形成絕緣5211覆蓋像素電極5210的端部。例如，正片型光敏丙烯酸樹脂薄膜可以用作絕緣5211。
在像素電極5210上面形成包含有機(jī)化合物的層5212。另外，在包含有機(jī)化合物的層5212上面形成反面電極5213。
對于反面電極5213，最好使用逸出功低的材料。例如，可以使用鋁(Al)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈣(Ca)、其合金，諸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF2或Ca3N2等。
在采用底部發(fā)射的情況下，利用鋁(Al)，銀(Ag)，鋰(Li)，鈣(Ca)和諸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF2或Ca3N2等其合金等金屬薄膜形成反面電極5213，使之具有反射光的厚度。另外，在采用頂部發(fā)射的情況下，可以利用上述金屬薄膜形成反面電極，使之具有透射光的厚度，或利用具有透射光的厚度的上述金屬薄膜和透明的導(dǎo)電薄膜的結(jié)合形成反面電極。因而，可以形成可以透射光的反面電極5213。
在其中包含有機(jī)化合物，夾在反面電極5213和像素電極5210之間的層5212形成光發(fā)射元件5215。
另外，形成具有柵極5206、用作源極區(qū)或漏極區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域5204和溝道形成區(qū)域5203的晶體管5214。
隨后，說明連接端子部分的一種結(jié)構(gòu)。請注意，圖52A所示的連接端子部分的剖面視圖表示連接端子在線寬方向上的截面。
另外，在該連接端子部分中，該襯底5201上面形成基底薄膜5202，并在其上形成柵極絕緣薄膜5205。但是，在該連接端子部分中，不一定必要形成基底薄膜5202和柵極絕緣薄膜5205。
另外，在柵極絕緣薄膜5205上面形成第一電極5221、第一電極5223和第一電極5225，并分別在該第一電極5221、第一電極5223和第一電極5225形成第二電極5222、第二電極5224和第二電極5226。
于是，第一電極5221、第一電極5223和第一電極5225和第二電極5222、第二電極5224和第二電極5226在電氣上通過由第一夾層絕緣薄膜5207和第二夾層絕緣薄膜5209形成的隔壁絕緣。
請注意，第一電極5221、第一電極5223和第一電極5225由與柵極5206相同的材料形成。另外，第二電極5222、第二電極5224和第二電極5226由與導(dǎo)線5208相同的材料形成。第二電極5222、第二電極5224和第二電極5226中的每一個最好都具有三層結(jié)構(gòu)，在鈦薄膜上面它可以包括鋁薄膜和在其上的鈦薄膜。
基準(zhǔn)連接端子5227用第一電極221和第二電極5222形成。另外，組合連接端子5228用第一電極5223和第二電極5224形成。另外，基準(zhǔn)連接端子5229用第一電極5225和第二電極5226形成。于是在如圖52A所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第二電極5222和第二電極5226對應(yīng)于基準(zhǔn)連接焊盤，而第二電極5224對應(yīng)于組合連接焊盤。
請注意，可以采用如圖52B所示的結(jié)構(gòu)，在圖52A所示的結(jié)構(gòu)中，它包括第二電極5222上面的第三電極5231、第二電極5224上面的第三電極5232和第二電極5226上面的第三電極5233。換句話說，基準(zhǔn)連接端子5234用第一電極5221、第二電極5222和第三電極5231形成；組合連接端子5235用第一電極5223、第二電極5224和第三電極5232形成；而基準(zhǔn)連接端子5236用第一電極5225、第二電極5226和第三電極5233形成。在圖52B所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第三電極5231和第三電極5232對應(yīng)于基準(zhǔn)連接焊盤，而第三電極5233對應(yīng)于組合連接焊盤。
請注意，第三電極5231、第三電極5232和第三電極5233由與像素電極5210相同的材料形成。第三電極5231、第三電極5232和第三電極5233最好從諸如氧化錫加到氧化銦中的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋅(ZnO)或氧化錫(TO)等氧化物形成。因?yàn)樯鲜鲅趸镌诨瘜W(xué)上穩(wěn)定，它可以保護(hù)該電極。
作為另一方案，可以采用如圖53B所示的結(jié)構(gòu)，在圖52A所示的結(jié)構(gòu)中，在第一電極5222下面具有半導(dǎo)體薄膜5311，第一電極5223下面的半導(dǎo)體薄膜和第一電極5225下面的半導(dǎo)體薄膜5313。換句話說，基準(zhǔn)連接端子5314用第一電極5221、第二電極5222和半導(dǎo)體層5311形成；組合連接端子5315用第一電極5223、第二電極5224和半導(dǎo)體層5312形成；而基準(zhǔn)連接端子5316用第一電極5225、第二電極5226和半導(dǎo)體層5313形成。
另外，連接端子部分可以具有圖53A所示的結(jié)構(gòu)。換句話說，第一電極5301、第一電極5303、和第一電極5305在第一夾層絕緣薄膜5207上面形成，另外，第二電極5302、第二電極5304和第二電極5306分別在第一電極5301、第一電極5303和第一電極5305上面形成。
另外，第一電極5301、第一電極5303和第一電極5305和第二電極5302、第二電極5304和第二電極5306在電氣上用由第二夾層絕緣薄膜5209形成的隔壁絕緣。
請注意，第一電極5301、第一電極5303和第一電極5305由與導(dǎo)線5208相同的材料形成。另外，第二電極5302、第二電極5304和第二電極5306由與像素電極5210相同的材料形成。第二電極5302、第二電極5304和第二電極5036最好由諸如氧化錫加到氧化銦中的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋅(ZnO)或氧化錫(TO)等氧化物形成。因?yàn)樯鲜鲅趸镌诨瘜W(xué)上是穩(wěn)定的，它可以保護(hù)該電極。
基準(zhǔn)連接端子5307用第一電極5301和第二電極5302形成。組合連接端子5308用第一電極5303和第二電極5304形成。基準(zhǔn)連接端子5309用第一電極5305和第二電極5306形成。在圖53A所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第二電極5302和第二電極5306對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而第二電極5304對應(yīng)于該組合連接焊盤。
不一定設(shè)置第二夾層絕緣薄膜5209。首先，參照圖54A說明該像素部分的截面。在第一夾層絕緣薄膜5207上面形成導(dǎo)線5208的步驟類似于圖52A所示。
另外，形成絕緣層5402，覆蓋像素電極5401的端部。例如，正片型光敏丙烯酸樹脂薄膜可以用作絕緣5402。
另外，在像素電極5401上面形成包含有機(jī)化合物的層5403。另外，在包含有機(jī)化合物的層5403上面形成反面電極5404。
隨后，說明該連接端子部分的結(jié)構(gòu)。請注意，圖54A中的連接端子部分剖面視圖表示連接端子在線寬方向上的斷面。
另外，在該連接端子部分中，在襯底5201上面形成基底薄膜5202，而柵極絕緣薄膜5205在其上形成。但是，在該連接端子部分中，不一定要形成基底薄膜5202和柵極絕緣薄膜5205。
另外，第一電極5411、第一電極5413和第一電極5415在柵極絕緣薄膜5205上面形成，而第二電極5412、第二電極5414和第二電極5416分別在第一電極5411、第一電極5413和第一電極5415上面形成。
另外，第一電極5411、第一電極5413和第一電極5415，以及第二電極5412、第二電極5414和第二電極5416在電氣上通過第一夾層絕緣薄膜5207絕緣。
請注意，第一電極5411、第一電極5413和第一電極5415由與柵極5206相同的材料形成。另外，第二電極5412、第二電極5414和第二電極5416由與導(dǎo)線5208相同的材料形成。第二電極5412、第二電極5414和第二電極5416中的每一個都具有三層結(jié)構(gòu)，它可以包括鈦薄膜上面的鋁薄膜和在其上的鈦薄膜。
基準(zhǔn)連接端子5421用第一電極5411和第二電極5412形成。組合連接端子5422用第一電極5413和第二電極5414形成。基準(zhǔn)連接端子5423用第一電極5415和第二電極5416形成。在圖54A所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第二電極5412和第二電極5416對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而第二電極5414對應(yīng)于該組合連接焊盤。
請注意，可以使用圖54B所示的結(jié)構(gòu)，該圖54A所示的結(jié)構(gòu)中，它包括第二電極5412上面的第三電極5431、第二電極5414上面的第三電極和第二電極5416上面的第三電極5433。換句話說，基準(zhǔn)連接端子5441用第一電極5411、第二電極5412和第三電極5431形成；組合連接端子5442用第一電極5413、第二電極5414和第三電極5432形成；而基準(zhǔn)連接端子5443用第一電極5415、第二電極5416和第三電極5433形成。在圖54B所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第三電極5431和第三電極5432對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而第三電極5433對應(yīng)于該組合連接焊盤。
請注意，第三電極5431、第三電極5432和第三電極5433由與像素電極5401相同的材料形成。第三電極5431、第三電極5432和第三電極5433最好由諸如其中氧化錫加到氧化銦中的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋅(ZnO)或氧化錫(TO)等氧化物形成。因?yàn)樯鲜鲅趸镌诨瘜W(xué)上是穩(wěn)定的，它可以保護(hù)該電極。
另外，該連接端子部分可以具有圖55A所示的結(jié)構(gòu)。換句話說，第一電極5501、第一電極5503和第一電極5505在第一夾層絕緣薄膜5207上面形成，另外，第二電極5502、第二電極5504和第二電極5506分別在第一電極5501、第一電極5503和第一電極5505上面形成。
第一電極5501、第一電極5503和第一電極5505以及第二電極5502、第二電極5504和第二電極5506在電氣上用絕緣層5402絕緣。
請注意，第一電極5501、第一電極5503和第一電極5505由與導(dǎo)線5208相同的材料形成。第二電極5502、第二電極5504和第二電極5506由與像素電極5401相同的材料形成。第二電極5502、第二電極5504和第二電極5506最好由諸如其中氧化錫加到氧化銦中的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋅(ZnO)或氧化錫(TO)等氧化物形成。因?yàn)樯鲜鲅趸镌诨瘜W(xué)上是穩(wěn)定的，它可以保護(hù)該電極。
基準(zhǔn)連接端子5511用第一電極5501和第二電極5502形成。組合連接端子5512用第一電極5503和第二電極5504形成?；鶞?zhǔn)連接端子5513用第一電極5505和第二電極5506形成。在圖55A所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第二電極5502和第二電極5506對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而第二電極5504對應(yīng)于該組合連接焊盤。
作為另一方案，可以使用圖55B所示的結(jié)構(gòu)，其中在圖55A的結(jié)構(gòu)中不設(shè)置第二電極5502、第二電極5504和第二電極5506。換句話說，基準(zhǔn)連接端子5521用第一電極5501形成。組合連接端子5522用第一電極5503形成?；鶞?zhǔn)連接端子5523用第一電極5505形成。在圖55B所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第一電極5501和第一電極5505對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而第一電極5503對應(yīng)于該組合連接焊盤。
圖56A和56B是利用一個具有以下結(jié)構(gòu)的晶體管的顯示面板的剖面視圖，其中柵極夾在襯底和半導(dǎo)體層之間，就是說，具有底部柵極結(jié)構(gòu)的晶體管，其中柵極定位半導(dǎo)體層下面，作為一個利用多晶硅(p-Si)作為其半導(dǎo)體層的晶體管的結(jié)構(gòu)。
在襯底5601上面形成基底薄膜5602。然后，柵極5603在基底薄膜5602上面形成。作為柵極5603的材料，可以使用金屬薄膜或其中加入磷的多晶硅。除多晶硅以外，也可以使用作為金屬化合物的硅化物和硅。
然后，形成柵極絕緣薄膜5604，覆蓋柵極5603。柵極絕緣薄膜5604利用氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等形成。
在柵極絕緣薄膜5604上面形成半導(dǎo)體薄膜。該半導(dǎo)體薄膜包括溝道形成區(qū)域5606和雜質(zhì)區(qū)域5605。請注意，可在溝道形成區(qū)域5606上面以完成溝道攙雜。
作為襯底，可以使用玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底等?；妆∧?602可以利用單一的氮化鋁(AlN)層、氧化硅(SiO2)、氮氧化物(SiOxNy)等或其層疊層形成。
形成第一夾層絕緣薄膜5600，來覆蓋該半導(dǎo)體薄膜。在第一夾層絕緣薄膜5600中形成接觸孔，通過接觸孔導(dǎo)線5607與雜質(zhì)區(qū)域5605接觸。
另外，在第一夾層絕緣薄膜5600中形成開口5608。
形成第二夾層絕緣薄膜5609，覆蓋第一夾層絕緣薄膜5600、導(dǎo)線5607和開口5608。像素電極5610通過接觸孔在第二夾層絕緣薄膜5609上面形成。于是，形成絕緣層5611，覆蓋像素電極5610的端部。例如，可以使用正片型光敏丙烯酸樹脂薄膜。隨后，在像素電極5610上面形成含有機(jī)化合物和反面電極5613的層5612，在其中包含有機(jī)化合物的層5612，夾在像素電極5610和反面電極5613之間。開口5608定位在光發(fā)射元件5614下面；相應(yīng)地，在從該襯底側(cè)提取光發(fā)射元件5614的發(fā)射光的情況下，由于開口5608的存在可以改善透明度。
接著，說明該連接端子部分的結(jié)構(gòu)。請注意，圖56A中連接端子部分的剖面視圖表示在線寬方向上連接端子的斷面。
另外，在該連接端子部分中，該襯底5601上面形成基底薄膜5602，而柵極絕緣薄膜5604在其上形成。但是，在該連接端子部分中，不一定要形成基底薄膜5602和柵極絕緣薄膜5604。
另外，在柵極絕緣薄膜5604上面形成半導(dǎo)體薄膜5615、半導(dǎo)體薄膜5617和半導(dǎo)體薄膜5619，另外，分別在半導(dǎo)體薄膜5615、半導(dǎo)體薄膜5617和半導(dǎo)體薄膜5619上面形成第一導(dǎo)電薄膜5616、第一導(dǎo)電薄膜5618和第一導(dǎo)電薄膜5620。
另外，半導(dǎo)體薄膜5615、半導(dǎo)體薄膜5617和半導(dǎo)體薄膜5619和第一導(dǎo)電薄膜5616、第一導(dǎo)電薄膜5618和第一導(dǎo)電薄膜5620在電氣上通過從夾層絕緣薄膜5600和第二夾層絕緣薄膜5609隔壁絕緣。
請注意，半導(dǎo)體薄膜5615、半導(dǎo)體薄膜5617和半導(dǎo)體薄膜5619由與該晶體管的半導(dǎo)體層相同的材料形成。另外，第一導(dǎo)電薄膜5616、第一導(dǎo)電薄膜5618和第一導(dǎo)電薄膜5620由與導(dǎo)線5607相同的材料形成。
基準(zhǔn)連接端子5621用半導(dǎo)體薄膜5615和第一導(dǎo)電薄膜5616形成。組合連接端子5622用半導(dǎo)體薄膜5617和第一導(dǎo)電薄膜5618形成?；鶞?zhǔn)連接端子5623用半導(dǎo)體薄膜5619和第一導(dǎo)電薄膜5620形成。在圖56A所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第一導(dǎo)電薄膜5616和第一導(dǎo)電薄膜5620對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而第一導(dǎo)電薄膜5618對應(yīng)于該組合連接焊盤。
請注意，可以使用如圖56B所示的結(jié)構(gòu)，在圖56A所示的結(jié)構(gòu)中，它包括第一導(dǎo)電薄膜5616上面的第二導(dǎo)電薄膜5631，第一導(dǎo)電薄膜5618上面的第二導(dǎo)電薄膜5631、第一導(dǎo)電薄膜5618上面的第二導(dǎo)電薄膜5632和第一導(dǎo)電薄膜5620上面的第二導(dǎo)電薄膜5633。換句話說，基準(zhǔn)連接端子5641用半導(dǎo)體薄膜5615、第一導(dǎo)電薄膜5616和第二導(dǎo)電薄膜5631形成；組合連接端子5642用半導(dǎo)體薄膜5617、第一導(dǎo)電薄膜5618和第二導(dǎo)電薄膜5632形成；而基準(zhǔn)連接端子5643用半導(dǎo)體薄膜5619、第一導(dǎo)電薄膜5620和第二導(dǎo)電薄膜5633形成。在圖56B所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第二導(dǎo)電薄膜5631和第二導(dǎo)電薄膜5632對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而該第二導(dǎo)電薄膜5633對應(yīng)于該組合連接焊盤。
請注意，第二導(dǎo)電薄膜5631、第二導(dǎo)電薄膜5632和第二導(dǎo)電薄膜5633由與像素電極5610相同的材料形成。第二導(dǎo)電薄膜5631、第二導(dǎo)電薄膜5632和第二導(dǎo)電薄膜5633最好由諸如其中氧化錫加到氧化銦中的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋅(ZnO)或氧化錫(TO)等氧化物形成。因?yàn)樯鲜鲅趸镌诨瘜W(xué)上是穩(wěn)定的，它可以保護(hù)該電極。。
作為另一方案，可以使用圖57B所示的結(jié)構(gòu)，其中在圖56B的結(jié)構(gòu)中不設(shè)置半導(dǎo)體層5615、半導(dǎo)體層5617和半導(dǎo)體層5619。換句話說，基準(zhǔn)連接端子5711用第一導(dǎo)電薄膜5616和第二導(dǎo)電薄膜5631形成。組合連接端子5712用第一導(dǎo)電薄膜5618和第二導(dǎo)電薄膜5632形成?；鶞?zhǔn)連接端子5713用第一導(dǎo)電薄膜5620和第二導(dǎo)電薄膜5633形成。在圖57B所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第二導(dǎo)電薄膜5631和第二導(dǎo)電薄膜5633對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而該第二導(dǎo)電薄膜5632對應(yīng)于該組合連接焊盤。
另外，該連接端子部分可以具有圖57A所示的結(jié)構(gòu)。換句話說，第一導(dǎo)電薄膜5701、第一導(dǎo)電薄膜5703和第一導(dǎo)電薄膜5705在第一夾層絕緣薄膜5600上面形成，另外，第二導(dǎo)電薄膜5702、第二導(dǎo)電薄膜5704和第二導(dǎo)電薄膜5706分別在第一導(dǎo)電薄膜5701、第一導(dǎo)電薄膜5703和第一導(dǎo)電薄膜5705上面形成。
另外，第一導(dǎo)電薄膜5701、第一導(dǎo)電薄膜5703和第一導(dǎo)電薄膜5705以及第二導(dǎo)電薄膜5702、第二導(dǎo)電薄膜5704和第二導(dǎo)電薄膜5706在電氣上通過從該第二夾層絕緣薄膜5609形成的隔壁絕緣。
請注意，第一導(dǎo)電薄膜5701、第一導(dǎo)電薄膜5703和第一導(dǎo)電薄膜5705由與導(dǎo)線5607相同的材料形成。另外，第二導(dǎo)電薄膜5702、第二導(dǎo)電薄膜5704和該第二導(dǎo)電薄膜5706由與像素電極5610相同的材料形成。最好該第二導(dǎo)電薄膜5702、第二導(dǎo)電薄膜5704和第二導(dǎo)電薄膜5706由諸如其中氧化錫加到氧化銦中的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋅(ZnO)或(TO)等氧化物形成。因?yàn)樯鲜鲅趸镌诨瘜W(xué)上是穩(wěn)定的，它可以保護(hù)該電極。
基準(zhǔn)連接端子5707用第一導(dǎo)電薄膜5701和第二導(dǎo)電薄膜5702形成。組合連接端子5708用第一導(dǎo)電薄膜5703和第二導(dǎo)電薄膜5704形成?；鶞?zhǔn)連接端子5709用第一導(dǎo)電薄膜5705和第二導(dǎo)電薄膜5706形成。在圖57A所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第二導(dǎo)電薄膜5702和第二導(dǎo)電薄膜5706對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而第二導(dǎo)電薄膜5704對應(yīng)于該組合連接焊盤。
隨后，說明利用無定形硅(a-Si:H)薄膜作為晶體管半導(dǎo)體層的情況。
圖58A是一個其半導(dǎo)體層利用無定形硅的頂部柵極晶體管的剖面視圖。如圖58A所示，基底薄膜5802在襯底5801上面形成。另外，像素電極5803在基底薄膜5802上面形成。
作為該襯底，可以使用玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底等?；妆∧?802可以利用單一層氮化鋁(AlN)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiOxNy)等或其層疊層形成。
導(dǎo)線5804在基底薄膜5802上面形成，像素電極5803的端部被導(dǎo)線5804覆蓋。在導(dǎo)線5804的上面，形成具有n-型導(dǎo)電性能的n-型半導(dǎo)體層5806。另外，半導(dǎo)體層5805在n-型半導(dǎo)體層5806和基底薄膜5802上面形成。請注意，半導(dǎo)體層利用諸如無定形硅(a-Si:H)薄膜或微晶半導(dǎo)體(a-Si:H)薄膜等無定形半導(dǎo)體薄膜形成。于是，柵極絕緣薄膜5807在半導(dǎo)體層5805上面形成。請注意，氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等用作柵極絕緣薄膜5807。
在柵極絕緣薄膜5807上面，形成柵極5808。另外，形成絕緣層5809，以便覆蓋像素電極5803和晶體管5812的端部。
在位于絕緣層5809開口的絕緣5809和像素電極5803上面，形成一個包含有機(jī)化合物和反面電極5811的層5810。在一個其中包含有機(jī)化合物的層5810夾在像素電極5803和反面電極5811之間的區(qū)域形成光發(fā)射元件5813。
接著，說明連接端子部分的一種結(jié)構(gòu)。請注意，圖58A中連接端子部分的剖面視圖表示連接端子在線寬方向上的斷面。
另外，在該連接端子部分中，基底薄膜5802在該襯底5801上面形成。但是，在該連接端子部分中，不一定形成基底薄膜5802。
另外，第一導(dǎo)電薄膜5814、第一導(dǎo)電薄膜5816和第一導(dǎo)電薄膜5818在基底薄膜5802上面形成，另外，第二導(dǎo)電薄膜5815、第二導(dǎo)電薄膜5817和第二導(dǎo)電薄膜5819分別在第一導(dǎo)電薄膜5814、第一導(dǎo)電薄膜5816和第一導(dǎo)電薄膜5818上面形成。
另外，第一導(dǎo)電薄膜5814、第一導(dǎo)電薄膜5816和第一導(dǎo)電薄膜5818以及第二導(dǎo)電薄膜5815、第二導(dǎo)電薄膜5817和第二導(dǎo)電薄膜5819在電氣上通過絕緣物5809絕緣。
請注意，第一導(dǎo)電薄膜5814、第一導(dǎo)電薄膜5816和第一導(dǎo)電薄膜5818由與導(dǎo)線5804相同的材料形成。第二導(dǎo)電薄膜5815、第二導(dǎo)電薄膜5817和第二導(dǎo)電薄膜5819由與柵極5808相同的材料形成。基準(zhǔn)連接端子5820用第一導(dǎo)電薄膜5814和第二導(dǎo)電薄膜5815形成。組合連接端子5821用第一導(dǎo)電薄膜5816和第二導(dǎo)電薄膜5817形成?；鶞?zhǔn)連接端子5822用第一導(dǎo)電薄膜5818和第二導(dǎo)電薄膜5819形成。在圖58A所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第二導(dǎo)電薄膜5815和第二導(dǎo)電薄膜5819對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而第二導(dǎo)電薄膜5817對應(yīng)于該組合連接焊盤。
作為另一方案，可以使用如圖58B所示的結(jié)構(gòu)，在圖58A的結(jié)構(gòu)中，它包括第一導(dǎo)電薄膜5814下面的第三導(dǎo)電薄膜5823、第一導(dǎo)電薄膜5816下面的第三導(dǎo)電薄膜5824和第一導(dǎo)電薄膜5818下面的第三導(dǎo)電薄膜5825。換句話說，基準(zhǔn)連接端子5820用第一導(dǎo)電薄膜5814、第二導(dǎo)電薄膜5815和第三導(dǎo)電薄膜5823形成；組合連接端子5821用第一導(dǎo)電薄膜5816、第二導(dǎo)電薄膜5817和第三導(dǎo)電薄膜5824形成；而基準(zhǔn)連接端子5822用導(dǎo)電薄膜5818、第二導(dǎo)電薄膜5819和第三導(dǎo)電薄膜5825形成。
圖59A和59B是顯示面板的部分剖面視圖，它設(shè)有利用無定形硅作為其半導(dǎo)體層的底部柵極晶體管。
基底薄膜5902在襯底5901上面形成。在基底薄膜5902上面，形成柵極5903。作為柵極5903的材料，可以使用加了磷的多晶硅。除多晶硅以外，也可以使用作為金屬化合物的硅化物和硅。
然后，形成柵極絕緣薄膜，來覆蓋柵極5903。柵極絕緣薄膜5904利用氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等形成。
半導(dǎo)體層5905在柵極絕緣薄膜5904上面形成。
作為該襯底，可以使用玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底等?？梢岳脝我粚拥X(AlN)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiOxNy)等或其層疊層形成。
在半導(dǎo)體層5905上面形成具有n-型導(dǎo)電類型的n-型半導(dǎo)體層5906。
在該n-型半導(dǎo)體層5906上面形成導(dǎo)線5907。
導(dǎo)線5907的一個端部延伸，而像素電極5908在延伸的導(dǎo)線5907上形成。
形成絕緣層5909，來覆蓋像素電極5908和晶體管5912的端部。
于是，在像素電極5908和絕緣5909上面形成包含有機(jī)化合物的層5910和反面電極5911。在一個其中包含有機(jī)化合物的層5910夾在像素電極5908和反面電極5911之間的區(qū)域形成光發(fā)射元件5913。
接著，說明連接端子部分的一種結(jié)構(gòu)。請注意，圖59A中連接端子部分的剖面視圖表示連接端子在線寬方向上的斷面。
另外，在該連接端子部分中，在該襯底5901上面形成基底薄膜5902。但是，在該連接端子部分中，不一定形成基底薄膜5902。
另外，在基底薄膜5902上面形成第一導(dǎo)電薄膜5914、第一導(dǎo)電薄膜5915和第一導(dǎo)電薄膜5916。
另外，第一導(dǎo)電薄膜5914、第一導(dǎo)電薄膜5915和第一導(dǎo)電薄膜5916在電氣上通過絕緣壁5909絕緣。
請注意，第一導(dǎo)電薄膜5914、第一導(dǎo)電薄膜5915和第一導(dǎo)電薄膜5916由與導(dǎo)線5907相同的材料形成。
基準(zhǔn)連接端子5917用第一導(dǎo)電薄膜5914形成。組合連接端子5918用第一導(dǎo)電薄膜5915形成?；鶞?zhǔn)連接端子5919用第一導(dǎo)電薄膜5916形成。在圖59A所示的結(jié)構(gòu)的情況下，第一導(dǎo)電薄膜5914和第一導(dǎo)電薄膜5916對應(yīng)于該基準(zhǔn)連接焊盤，而第一導(dǎo)電薄膜5915對應(yīng)于該組合連接焊盤。
作為另一方案，可以使用如圖59B所示的結(jié)構(gòu)，在圖59A所示的結(jié)構(gòu)中，它包括第一導(dǎo)電薄膜5914上面的第二導(dǎo)電薄膜5920、第一導(dǎo)電薄膜5915上面的第二導(dǎo)電薄膜5921和第一導(dǎo)電薄膜5916上面的第二導(dǎo)電薄膜5922。換句話說，基準(zhǔn)連接端子5923用第一導(dǎo)電薄膜5914和第二導(dǎo)電薄膜5920形成；組合連接端子5924用第一導(dǎo)電薄膜5915和第二導(dǎo)電薄膜5921形成；而基準(zhǔn)連接端子5925用第一導(dǎo)電薄膜5916和第二導(dǎo)電薄膜5922形成。
請注意，圖59A和59B表示反向交錯溝道蝕刻型晶體管，但是，可以使用溝道保護(hù)型晶體管?，F(xiàn)參照圖60A和60B說明溝道保護(hù)型晶體管的情況。
圖60A和60B所示的溝道保護(hù)型晶體管6002不同于圖59A和59B所示的溝道蝕刻型晶體管的方面在于，用作蝕刻掩模的絕緣6001設(shè)置在該半導(dǎo)體層5905中溝道形成區(qū)域的上面。其他共同的組件標(biāo)以共同的引用號。
利用無定形半導(dǎo)體薄膜作為包括該本發(fā)明的像素內(nèi)的晶體管半導(dǎo)體層(諸如溝道形成區(qū)域、源極區(qū)和漏極區(qū))，可以降低制造成本。
請注意，應(yīng)用本發(fā)明的顯示面板不限于上述。
在該實(shí)施模式中，說明不同于實(shí)施模式1的組合連接端子的結(jié)構(gòu)。
首先，參照圖39A和39B說明該實(shí)施模式的第一結(jié)構(gòu)。在襯底101上面的連接端子部分中，連接焊盤3901a、多個連接焊盤3902和連接焊盤3901b間隔相等地排列。另外，這些連接焊盤的線寬也大致彼此相等。
電極3903在連接焊盤3902下面形成，它們之間有一個絕緣薄膜。從連接焊盤3901a至連接焊盤3901b形成電極3903。于是，連接焊盤3901a通過接觸孔3904a電氣連接到電極3903，而連接焊盤3901b通過接觸孔3904b電氣連接到電極3903。因而，連接焊盤3901a和連接焊盤3901b電氣上彼此連接。組合連接端子用連接焊盤3901a、連接焊盤3901b和電極3903形成。另外，該組合連接端子連接到FPC端子的部分是連接焊盤3901a和連接焊盤3901b。
請注意，在圖39中，連接端子部分兩端的連接焊盤電氣上彼此連接，以此形成組合連接端子；但是，本發(fā)明不限于此。換句話說，可以通過在電氣上使該連接端子部分中的任何連接焊盤彼此連接而形成組合連接端子。相應(yīng)地，要電氣連接的連接焊盤的數(shù)目不限于兩個，可以是3個或更多。增大該數(shù)目，便可以放大帶有FPC焊盤的連接區(qū)域；因此，可以降低接觸電阻。
按照該結(jié)構(gòu)，在該連接端子部分的較低的層面上，連接焊盤電氣上彼此連接。因此，在導(dǎo)線不伸入密封區(qū)域3901包圍的部分的情況下，可以實(shí)現(xiàn)間隔開的連接焊盤之間的連接。
請注意，該結(jié)構(gòu)可以與實(shí)施模式2中描述連接端子部分的不同的結(jié)構(gòu)結(jié)合。一個示例如圖61所示。
在圖61中，組合連接焊盤6101a、組合連接焊盤6101b、組合連接焊盤6102和基準(zhǔn)連接焊盤6103間隔相等地排列在襯底101上面的連接端子部分中。
電極6104在組合連接焊盤6101a和組合連接焊盤6101b下面形成，它們之間有絕緣薄膜。電極6104由組合連接焊盤6101a至組合連接部分6101b形成。然后，組合連接焊盤6101a通過接觸孔6105a電氣連接到電極6104，而組合連接焊盤6101b通過接觸孔6105b電氣連接到電極6104。因而，組合連接焊盤6101a和組合連接焊盤6101b電氣上彼此連接。組合連接端子用組合連接焊盤6101a、組合連接焊盤6101b和電極6104形成。另外，該組合連接端子連接到FPC端子的部分是組合連接焊盤6101a和組合連接焊盤6101b。
請注意，在這種情況下，接觸孔6105a的寬度可以做得大于基準(zhǔn)連接焊盤6103的線寬。因此，可以降低接觸電阻。
請注意，在圖61中，在該連接端子部分的兩端，組合連接焊盤電氣上彼此連接，以此形成組合連接端子；但是，本發(fā)明不限于此。換句話說，組合連接端子可以通過在電氣上使在該連接端子部分中的任何連接焊盤彼此連接而形成。相應(yīng)地，要電氣連接的連接焊盤的數(shù)目不限于兩個，可以是3個或更多。增大該數(shù)目，便可以放大帶有FPC焊盤的連接區(qū)域；因此，可以降低接觸電阻。
另外，盡管組合連接焊盤彼此連接，但是組合連接端子可以通過在電氣上使組合連接焊盤和基準(zhǔn)連接焊盤彼此連接而形成。
按照該結(jié)構(gòu)，連接焊盤在連接端子部分的一個較低的層面電氣連接。因此，可以在導(dǎo)線不伸入被密封區(qū)域901包圍的部分的情況下，可以實(shí)現(xiàn)間隔開的連接焊盤之間的連接。
隨后，參照圖37說明該實(shí)施模式的第二結(jié)構(gòu)。連接焊盤3701a、多個連接焊盤3702和連接焊盤3701b間隔相等地排列在襯底101上面的連接端子部分內(nèi)。另外，這些連接焊盤的線寬也大致彼此相等。
連接焊盤3701a和連接焊盤3701b通過在該連接端子部分中在襯底101的周邊形成的導(dǎo)線3703連接。請注意，導(dǎo)線3703由與連接焊盤3701a和連接焊盤3701b連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成；因此，導(dǎo)線3703、連接焊盤3701a和連接焊盤3701b不用接觸孔電氣上彼此連接。相應(yīng)地，組合連接端子用連接焊盤3701a、連接焊盤3701b和導(dǎo)線3703形成。另外，組合連接端子連接到FPC端子的部分是連接焊盤3701a和連接焊盤3701b。
請注意，在圖37中，連接端子部分兩端的連接焊盤電氣上彼此連接，以此形成組合連接端子；但是，本發(fā)明不限于此。換句話說，組合連接端子可以通過在電氣上使在該連接端子部分中的任何連接焊盤彼此連接而形成。相應(yīng)地，要電氣連接的連接焊盤的數(shù)目不限于兩個，可以是3個或更多。增大該數(shù)目，帶有FPC焊盤的連接區(qū)域便可以放大；因此，可以降低接觸電阻。
按照該結(jié)構(gòu)，連接焊盤不用接觸孔彼此連接；因此，允許間隔開的連接焊盤之間的連接，而又不增大接觸電阻。因而，可以降低電阻。
請注意，該結(jié)構(gòu)可以與實(shí)施模式2中所描述的連接端子部分的不同的結(jié)構(gòu)結(jié)合。一個示例示于圖38。
在圖38中，組合連接焊盤3801a、組合連接焊盤3801b、組合連接焊盤3802和基準(zhǔn)連接焊盤3803間隔相等地排列在襯底101上面的連接端子部分。
組合連接焊盤3801a和組合連接焊盤3801b通過在連接端子部分中襯底101周邊形成的導(dǎo)線3804彼此連接。請注意，導(dǎo)線3804由與組合連接焊盤3801a和組合連接焊盤3801b連續(xù)的導(dǎo)電薄膜形成；因此，導(dǎo)線3804、組合連接焊盤3801a和組合連接焊盤3801b不通過接觸孔電氣上彼此連接。相應(yīng)地，組合連接端子用組合連接焊盤3801a、組合連接焊盤3801b和導(dǎo)線3804形成。另外，組合連接端子連接到FPC端子的部分是組合連接焊盤3801a和組合連接焊盤3801b。
請注意，在圖38中，連接端子部分兩端的連接焊盤電氣上彼此連接，以此形成組合連接端子；但是，本發(fā)明不限于此。換句話說，組合連接端子可以通過在電氣上使連接端子部分中的任何組合連接焊盤彼此連接而形成。相應(yīng)地，要電氣連接的連接焊盤數(shù)目不限于兩個，可以是3個或更多。作為另一方案，組合連接焊盤和基準(zhǔn)連接焊盤可以是用設(shè)置在襯底周邊的導(dǎo)線電氣上彼此連接。請注意，增大該數(shù)目，便可以放大與FPC焊盤的連接區(qū)域，因此，可以降低接觸電阻。
在該實(shí)施模式中，將說明使顯示器件有缺陷的顯示進(jìn)一步改善成為可能的結(jié)構(gòu)。
在該實(shí)施模式的結(jié)構(gòu)中，外圍驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路、信號線驅(qū)動電路等等)中的電流源電路和連接該電流源電路和電流源的導(dǎo)線不與反面電極重疊。
首先，該實(shí)施模式的第一結(jié)構(gòu)如圖27所示。請注意，與圖13共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。在圖27所示的結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104包括閂鎖電路2701和移位寄存器2702。閂鎖電路2701配置得離像素部分106比離移位寄存器2702更遠(yuǎn)的位置。為了有效使用顯示面板區(qū)域，信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間的距離短。因此，延伸到超出像素部分106的反面電極202部分地重疊該移位寄存器2702。但是，包括該電流源、電流源電路、連接它們用的導(dǎo)線等等的閂鎖電路2701不與反面電極202重疊。
采用這樣的一種結(jié)構(gòu)，可以防止由于用該導(dǎo)線和反面電極202形成寄生電容的影響造成的有缺陷的顯示，而同時有效地利用顯示面板的區(qū)域。
這是因?yàn)椋演斎氲囊曨l信號保持在閂鎖電路每一級的閂鎖電路2701用的時間，比把視頻信號從該閂鎖電路2701寫入像素所需的時間短；因此，若與視頻信號對應(yīng)的信號電流小，則寄生電容的影響增大，故該視頻信號一般不寫入閂鎖電路2701。
這里，信號線驅(qū)動電路104配置的一個示例如圖42所示。移位寄存器2702包括多個觸發(fā)器4201和觸發(fā)器4202。時鐘信號(CLK)和反轉(zhuǎn)時鐘信號(CLKB)輸入移位寄存器2702。于是，開始脈沖(S_SP)輸入第一級移位寄存器2702的觸發(fā)器4201。然后，至于從第二級的觸發(fā)器4202輸出的脈沖，開始脈沖延遲一個脈沖。換句話說，當(dāng)從觸發(fā)器4202輸出時，輸入觸發(fā)器4201的脈沖延遲一個脈沖；因此，該觸發(fā)器4202的每一個輸出都延遲一個脈沖。這用作采樣脈沖，確定視頻信號(視頻數(shù)據(jù))保持的定時。
另外，按照每一個信號線，閂鎖電路2701包括寫選擇開關(guān)4203a、寫選擇開關(guān)4203b、采樣開關(guān)4204a、采樣開關(guān)4204b、電流源電路4205a、電流源電路4205b、讀入選擇開關(guān)4206a和讀入選擇開關(guān)4206b。
寫選擇開關(guān)4203a和寫選擇開關(guān)4203b中的一個接通，其他就截止。當(dāng)寫選擇開關(guān)4203a接通時，寫選擇開關(guān)4203b截止，而電流源電路4205a被選定作為寫入視頻信號用的電流源電路。換句話說，采樣開關(guān)4204a按照該定時接通，此時向閂鎖電路2701輸入采樣脈沖，與該視頻信號對應(yīng)的電流便寫入電流源電路4205a。同樣地，當(dāng)寫選擇開關(guān)4203b接通時，寫選擇開關(guān)4203a截止，而電流源電路4205b被選定作為寫入視頻信號用的電流源電路。換句話說，采樣開關(guān)4204b按照向閂鎖電路2701輸入采樣脈沖的定時接通，與該視頻信號對應(yīng)的電流便寫入電流源電路4205b。
另外，當(dāng)寫選擇開關(guān)4203a接通時，讀入選擇開關(guān)4206b接通，而讀入選擇開關(guān)4206a截止。于是，與寫入電流源電路4205b的視頻信號對應(yīng)的電流輸出至信號線。同樣地，當(dāng)寫選擇開關(guān)4203b接通時，讀入選擇開關(guān)4206a接通，而讀入選擇開關(guān)4206b截止。于是，與寫入電流源電路4205a的視頻信號對應(yīng)的電流輸出至信號線。
這里，當(dāng)輸入視頻信號(視頻數(shù)據(jù))的視頻線4207與該反面電極重疊時，產(chǎn)生寄生電容。當(dāng)與視頻信號對應(yīng)的電流值小時，電流流動至寄生電容，這造成寫入該電流源電路的視頻信號不足。因而，引起有缺陷的顯示。
但是，使用如圖27所示實(shí)施模式的結(jié)構(gòu)，便可以防止有缺陷的顯示，因?yàn)榉疵骐姌O202不重疊閂鎖電路2701，即使試圖有效地使用顯示面板區(qū)域。
請注意，如圖43A至43C所示的任何結(jié)構(gòu)都可以應(yīng)用于該電流源電路。圖43A的電流源電路包括開關(guān)4304、晶體管4302和電容器4303。另外，寫入該電流源電路是通過電流源4301完成的。圖43B的電流源電路包括開關(guān)4313、晶體管4311和電容器4312。另外，寫入該電流源電路是通過電流源4301完成的。圖43C的電流源電路包括開關(guān)4324、晶體管4321、晶體管4322、電容器4323和開關(guān)4325。另外，寫入該電流源電路是通過電流源4301完成的。
接著，實(shí)施模式的第二結(jié)構(gòu)如圖28所示。請注意，與圖14共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。另外，在該結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104包括閂鎖電路2701和移位寄存器2702。閂鎖電路2701配置在離開像素部分106比離開移位寄存器2702更遠(yuǎn)的位置。為了有效地使用顯示面板的區(qū)域，信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間的距離是短的。因此，延伸超出像素部分106的反面電極202部分地重疊移位寄存器2702。但是，包括電流源、電流源電路、連接它們用的導(dǎo)線等等的閂鎖電路2701不與反面電極202重疊。
在該結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)線1403通過移位寄存器2702中的接觸孔1404連接到反面電極202。
接著，該實(shí)施模式的第三結(jié)構(gòu)如圖29所示。請注意，與圖15共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。另外，在該結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104包括閂鎖電路2701和移位寄存器2702。閂鎖電路2701配置在離開像素部分106比離開移位寄存器2702更遠(yuǎn)的位置。為了有效地使用顯示面板的區(qū)域，信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間的距離是短的。因此，延伸到超出像素部分106的反面電極202部分地重疊移位寄存器2702。但是，包括電流源、電流源電路、連接它們用的導(dǎo)線等等的閂鎖電路2701不與反面電極202重疊。
在該結(jié)構(gòu)中，閂鎖電路2701配置在與提供信號或電力的連接端子201相反一側(cè)，它們之間帶有像素部分106；因而，導(dǎo)致寄生電容產(chǎn)生的原因的導(dǎo)線不延伸得跨越閂鎖電路2701。因此，可以進(jìn)一步防止有缺陷的顯示。
隨后，該實(shí)施模式的第四結(jié)構(gòu)如圖30所示。請注意，與圖16共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。另外，在該結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104包括閂鎖電路2701和移位寄存器2702。閂鎖電路2701配置在離開像素部分106比離開移位寄存器2702更遠(yuǎn)的位置。為了有效地使用顯示面板的區(qū)域，信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間距離是短的。因此，延伸到超出像素部分106的反面電極202部分地重疊移位寄存器2702。但是，包括電流源、電流源電路、連接它們用的導(dǎo)線等等的閂鎖電路2701不與反面電極202重疊。因此，可以防止有缺陷的顯示。
隨后，該實(shí)施模式的第五結(jié)構(gòu)示于圖31。請注意，與圖17共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。另外，在該結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104包括閂鎖電路2701和移位寄存器2702。閂鎖電路2701配置離開像素部分106比離開移位寄存器2702更遠(yuǎn)的位置。為了有效地使用顯示面板的區(qū)域，信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間的距離是短的。因此，延伸到超出像素部分106的反面電極202部分地重疊移位寄存器2702。但是，包括電流源、電流源電路、連接它們用的導(dǎo)線等等的閂鎖電路2701不與反面電極202重疊。因此，可以防止有缺陷的顯示。
隨后，該實(shí)施模式的第六結(jié)構(gòu)如圖32所示。請注意，與圖18共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。另外，在該結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104包括閂鎖電路2701和移位寄存器2702。閂鎖電路2701配置在離開像素部分106比離開移位寄存器2702更遠(yuǎn)的位置。為了有效地使用顯示面板的區(qū)域，信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間的距離是短的。因此，延伸到超出像素部分的反面電極202部分地重疊移位寄存器2702。但是，包括電流源、電流源電路、連接它們用的導(dǎo)線的閂鎖電路2701不與反面電極202重疊。因此，可以防止有缺陷的顯示。
隨后，該實(shí)施模式的第七結(jié)構(gòu)如圖33所示。請注意，與圖19共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。另外，在該結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104包括閂鎖電路2701和移位寄存器2702。該閂鎖電路2701配置離開像素部分106比離開移位寄存器2702更遠(yuǎn)的位置。為了有效地使用顯示面板的區(qū)域，信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間的距離是短的。因此，延伸到超出像素部分106反面電極202部分地重疊移位寄存器2702。但是，包括電流源、電流源電路、連接它們用的導(dǎo)線等等的閂鎖電路2701不與反面電極202重疊。因此，可以防止有缺陷的顯示。
隨后，該實(shí)施模式的第八結(jié)構(gòu)如圖34所示。請注意，與圖共同的組件標(biāo)以共同的引用號，故其說明從略。另外，在該結(jié)構(gòu)中，信號線驅(qū)動電路104包括閂鎖電路2701和移位寄存器2702。閂鎖電路2701配置在離開像素部分106比離開移位寄存器2702更遠(yuǎn)的位置。為了有效地使用顯示面板的區(qū)域，信號線驅(qū)動電路104和像素部分106之間的距離是短的。因此，延伸到超出像素部分106的反面電極202部分地重疊移位寄存器2702。但是，包括電流源、電流源電路、連接它們用的導(dǎo)線等等的鎖電路2701不與反面電極202重疊。因此，可以防止有缺陷的顯示。
在該實(shí)施例中，參照圖35A至35C說明實(shí)施模式1中所描述的基準(zhǔn)連接焊盤的線寬、組合連接焊盤的線寬、連接間距、FPC焊盤的線寬和FPC間距之間有利的數(shù)量關(guān)系。
圖35A表示襯底101，設(shè)有連接到FPC103的電路。點(diǎn)線3501包圍的區(qū)域的部分放大的示意圖示于圖35B。另外，其截面如圖35C所示。
首先，參照圖35C進(jìn)行說明。連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤112和組合連接焊盤113)在襯底101上面形成，而隔壁114在這些連接焊盤之間的每一個形成。隔壁114具有絕緣特性并在這些連接焊盤之間保持絕緣。連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤112和組合連接焊盤113)通過各向異性導(dǎo)電薄膜411連接到各自相應(yīng)的FPC焊盤111。請注意，這里在組合連接焊盤113連接到兩個FPC焊盤111的情況下描述該結(jié)構(gòu)；但是，本發(fā)明不限于此。另外，導(dǎo)電顆粒421可以在該各向異性導(dǎo)電薄膜411中混合。照此可以降低接觸電阻。
在襯底101與FPC 103接合時在該焊盤線寬方向上不出現(xiàn)對不準(zhǔn)的情況下，基準(zhǔn)連接焊盤112的中央軸線與FPC焊盤111的中央軸線對準(zhǔn)，如圖35B和35C所示。
隨后，參照圖35B進(jìn)行說明。直線3502指示該FPC的邊沿。
基準(zhǔn)連接焊盤112的線寬L1形成得小于連接間距L3。FPC焊盤111的線寬L2形成得大于FPC間距L4。另外，基準(zhǔn)連接焊盤112的線寬L1形成得小于FPC焊盤111的線寬L2。換句話說，通過形成每一個焊盤來滿足條件L1＜L3，L2＞L4，和L1＜L2，使相應(yīng)的焊盤之間的電連接成為可能，并且即使襯底101與FPC 103接合時出現(xiàn)該焊盤在線寬方向上略微對不準(zhǔn)，也可以減少產(chǎn)生與相鄰焊盤短路的情況。
另外，按照該結(jié)構(gòu)，組合連接焊盤113的線寬L5大致等于PFC焊盤111的線寬L2、基準(zhǔn)連接焊盤112的線寬L1和FPC間距L4的總和。換句話說，滿足L5＝L2+L1+L4。另外，組合連接焊盤113和兩個FPC焊盤111之間的連接區(qū)域線寬是L2+L1。于是，L2大于L1；因此，組合連接焊盤113和兩個FPC焊盤111之間連接區(qū)域是基準(zhǔn)連接焊盤112和FPC焊盤111之間連接區(qū)域的兩倍或更大。相應(yīng)地，可以極大地減少組合連接焊盤113的接觸電阻。請注意，在把組合連接焊盤113連接至3個或更多FPC焊盤111的情況下，連接區(qū)域也同樣地極大地放大；因而，可以降低接觸電阻。
在該實(shí)施例中，在利用光發(fā)射元件作為顯示元件的情況下，說明顯示面板的結(jié)構(gòu)。
在該實(shí)施例中，參照圖66A和66B說明可應(yīng)用于本發(fā)明的顯示器件的顯示面板。請注意，圖66A是一個表示顯示面板的頂視圖，而圖66B是一個沿著直線a-a′取出的圖66A的剖面視圖。該顯示面板包括信號線驅(qū)動電路6601、像素部分6602、第二掃描線驅(qū)動電路6603和點(diǎn)線所指出的第一掃描線驅(qū)動電路6606。它還包括密封襯底6604和密封劑6605，而被密封劑6605包圍的部分是空間6607。
請注意，導(dǎo)線6608是通過用作外部輸入端子的FPC(柔性印刷電路)6609向第二掃描線驅(qū)動電路6603、第一掃描線驅(qū)動電路6606和信號線驅(qū)動電路6601傳送信號和接收視頻信號、時鐘信號、開始信號等等用的導(dǎo)線。IC芯片(半導(dǎo)體芯片設(shè)有存儲器電路、緩沖區(qū)電路等)6619用COG(玻璃上的芯片)封裝在FPC 6609和該顯示面板的結(jié)點(diǎn)上。請注意，這里表示FPC；但是，可以把一個印刷接線板(PWB)附在FPC上。在本申請書中，該顯示器件不僅包括顯示面板本身，而且包括帶有FPC或與之接合的PWB的顯示面板。另外，它還包括在其上安裝了IC芯片等的顯示面板。
接著，參照圖66B說明剖面結(jié)構(gòu)。像素部分6602和它的外圍驅(qū)動電路(第二掃描線驅(qū)動電路6603、第一掃描線驅(qū)動電路6606和信號線驅(qū)動電路6601)在襯底6610上面形成；這里表示信號線驅(qū)動電路6601和像素部分6602。
請注意，作為信號線驅(qū)動電路6601，利用n-溝道TFT 6620和p-溝道TFT 6621形成CMOS電路。在該實(shí)施例中，描述了其中該外圍驅(qū)動電路集成在該襯底上面的顯示面板；但是，本發(fā)明不限于此。所有外圍驅(qū)動電路或其一部分可以在一個IC芯片等上形成并通過COG等封裝。
像素部分6602包括多個電路，每一個都形成包括TFT 6611和TFT6612的像素。請注意，TFT 6612的源極連接到第一電極6613。形成絕緣6614來覆蓋層第一電極6613的端部。這里，使用正片型光敏丙烯酸樹脂薄膜。
形成絕緣6614，使之具有一個曲面，在其上端部或下端部帶有曲率，以便形成有利的覆蓋。例如，在利用正片型光敏丙烯酸作為絕緣6614的材料的情況下，最好形成絕緣層6614，使之只在該上端部具有一個曲面(曲率半徑0.2μm至3μm)。通過光照在蝕刻劑變成不溶性的負(fù)片類型或通過光照在蝕刻劑中變成可溶性的正片類型都可以用作絕緣層6614。
包含有機(jī)化合物和第二電極6617的層6616在第一電極6613上面形成。這里，逸出功高的材料最好用作起陽極作用的第一電極6613用的材料。例如，第一電極6613可以利用單層薄膜，諸如ITO(氧化銦錫)薄膜、氧化銦鋅(IZO)薄膜、氮化鈦薄膜、鉻薄膜、鎢薄膜、鋅薄膜或鉑薄膜；氮化鈦薄膜和包含鋁作為它的主要成份的薄膜的層疊層；氮化鈦薄膜、包含鋁作為它的主要成份的薄膜和氮化鈦薄膜的三層結(jié)構(gòu)等形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O6613具有層疊結(jié)構(gòu)時，它可以具有像導(dǎo)線一樣低的電阻并形成一個有利的歐姆接觸。另外，該第一電極可以起陽極的作用。
另外，包含有機(jī)化合物的層6616通過蒸發(fā)方法利用蒸發(fā)掩?；驀娔椒ㄐ纬?。屬于周期表第4族的金屬絡(luò)合物用于包含有機(jī)化合物的層6616，此外，可以結(jié)合使用的材料可以是低分子材料或高分子材料。另外，作為用于包含有機(jī)化合物是層的材料，往往一般地使用有機(jī)化合物的單一層或?qū)盈B層，另外，該實(shí)施例還包括其中無機(jī)化合物用于由有機(jī)化合物形成的薄膜的一部分的結(jié)構(gòu)。另外，還可以使用已知的三態(tài)材料。
作為在層6616上面形成包含有機(jī)化合物的第二電極(陰極)6617用的材料，可以使用逸出功低的材料(Al，Ag，Li，Ca或它們的合金，諸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF2或Ca3N2)。在包含有機(jī)化合物的層6616產(chǎn)生的光通過第二電極6617傳輸?shù)那闆r下，最好用厚度薄的金屬薄膜和透明的導(dǎo)電薄膜(氧化銦和氧化錫(ITO)的合金、氧化銦和氧化鋅的合金(ln2O3-ZnO)氧化鋅(ZnO)等)作為第二電極(陰極)6617。
通過用密封劑6605把密封襯底6604與襯底6610接合，獲得一種結(jié)構(gòu)，其中光發(fā)射元件6618設(shè)置在被襯底6610、密封襯底6604和密封劑6605包圍的空間6607內(nèi)。請注意，還有一種情況，其中空間6607用密封劑6605以及惰性氣體(諸如氮或氬)填充。
請注意，最好用環(huán)氧樹脂基樹脂作密封劑6605。該材料最好允許盡可能少的水份和氧滲透。作為密封襯底6604，除玻璃襯底或石英襯底外，可以使用由FRP(玻璃纖維增強(qiáng)塑料)、PVF(聚氟乙烯)、Myler、聚酯、丙烯酸等形成的塑料襯底。
可以如上所述地獲得顯示面板。
另外，可用作光發(fā)射元件6618的EL元件的一個示例示于圖72A和72B。
該EL元件具有這樣的元件結(jié)構(gòu)，其中陽極7202、由空穴注入材料形成的空穴注入層7203、由空穴傳輸材料形成的空穴傳輸層7204、光發(fā)射層7205、由電子傳輸材料形成的電子傳輸層7206、由電子注入材料形成的電子注入層7207和陰極7208層疊在襯底7201上面。這里，光發(fā)射層7205可以只由一種類型的光發(fā)射材料形成；但是，它可以由兩個或多個類型的材料形成。另外，本發(fā)明的元件結(jié)構(gòu)不限于此。
除各圖72A所示的各自功能層的層疊結(jié)構(gòu)以外，在元件結(jié)構(gòu)上有一個范圍很寬的變動，諸如利用高分子化合物的元件或光發(fā)射層利用從三態(tài)激勵狀態(tài)發(fā)射光的三態(tài)光發(fā)射材料形成的高效元件。另外，本發(fā)明的元件結(jié)構(gòu)還可以應(yīng)用于通過用空穴封鎖層控制載流子復(fù)合區(qū)把光發(fā)射區(qū)分為兩個區(qū)域而實(shí)現(xiàn)的白光顯示元件等。
在圖72A所示的本發(fā)明的元件制造方法中，空穴注入材料、空穴傳輸材料和光發(fā)射材料依次蒸鍍在已經(jīng)設(shè)有陽極7202的襯底7201上面。然后，蒸鍍電子傳輸材料和電子注入材料，最后，通過蒸鍍形成陰極7208。
適用于空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料、電子注入材料和光發(fā)射材料的材料開列于下。
作為空穴注入材料，在有機(jī)化合物當(dāng)中卟啉化合物、酞菁染料在下文中稱作″H2Pc″)、銅酞菁染料(在下文中稱作″CuPc″)等都是有效的。另外，電離化電位數(shù)值比要使用的空穴傳輸材料小的材料和具有空穴傳輸功能的材料也可以用作空穴注入材料。還有包括用聚苯乙烯磺酸酯(在下文中稱作″PSS″)的聚乙烯二氧噻吩(在下文中稱作″PEDOT″)、聚苯胺等等化學(xué)攙雜導(dǎo)電高分子化合物。另外，在陽極的平面化上絕緣高分子化合物也是有效的，并往往使用聚丙亞胺(在下文中稱作″PI″)。另外，一種包括超薄氧化鋁薄膜(在下文中稱作″氧化鋁″)以及諸如金或鉑的金屬薄膜的無機(jī)化合物也被采用。
作為空穴傳輸材料使用最廣泛的材料是芳香胺基化合物(換句話說，具有一個苯環(huán)中氮鍵的化合物)。廣泛使用的材料包括4，4′-雙(二苯氨基)-聯(lián)苯(在下文中稱作″TAD″)、其衍生物，諸如4，4′-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基-聯(lián)苯(在下文中稱作″TPD″)或4，4′-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-聯(lián)苯(在下文中稱作″α-NPD″)，此外，星爆式芳香胺化合物，諸如4，4′，4″-三(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(在下文中稱作″MTDATA″)。
作為電子傳輸材料，經(jīng)常使用金屬絡(luò)合物，包括具有喹啉骨絡(luò)或苯并喹啉骨絡(luò)的金屬絡(luò)合物，諸如Alq3、BAlq、三(4-甲基-8-喹啉根合(quinolinolato))鋁(在下文中稱作″Almq″)或雙(10-羥基苯并[h]-喹啉根合(quinolinato))鈹(在下文中稱作″Bebq″)，和此外具有噁唑基或噻唑基配體的金屬絡(luò)合物，諸如雙[2-(2-羥基苯基)-苯并噁唑根合(benzoxazolato)]鋅(在下文中稱作″Zn(BOX)2″)或雙[2-(2-羥基苯基)-苯并噻唑根合(benzothiazolato)]鋅(在下文中稱作″Zn(BTZ)2″)。另外，除金屬絡(luò)合物以外，噁二唑衍生物，諸如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)1，3，4-噁二唑(在下文中稱作″PBI″)或OXD-7，一種三唑衍生物，諸如TAZ或3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(在下文中稱作″p-EtTAZ″)，和菲咯啉衍生物，諸如紅菲咯啉(在下文中稱作″BPhen″)或具有電子傳輸特性的BCP。
作為電子注入材料可以使用上面描述的電子傳輸材料。另外，經(jīng)常使用超薄的絕緣薄膜，諸如金屬鹵化物，包括氟化鈣、氟化銫等等，或包括氧化鋰的堿金屬氧化物等等。另外，堿金屬絡(luò)合物，諸如乙酰丙酮鋰酯(在下文中稱作″Li(acac)″)或8-喹啉鋰酯(quinolinolato-lithium)也是有效的。
作為光發(fā)射材料，上面描述的金屬絡(luò)合物，諸如Alq3，Almq，BeBq，BAlq，Zn(BOX)2或Zn(BTZ)2以外，不同的熒光染料是有效的。這些熒光染料包括藍(lán)色的4，4′-雙(2，2-二苯-乙烯基)-聯(lián)苯、橙紅色的4-二氰亞甲基)-2-甲基-6-(p-二甲氨基苯乙烯)-吡喃等等。另外，三態(tài)光發(fā)射材料也是可能的，它主要是帶有鉑或銥作為中央金屬的絡(luò)合物。作為該三態(tài)光發(fā)射材料，已知有三(2-苯基吡啶)銥、雙(2-(4′-tryl)吡啶-N，C2′)乙酰丙酮銥(在下文中稱作″acacIr(tpy)2″)、2，3，7，8，12，13，17，18-辛乙基-21H、23H-卟啉鉑等等。
通過結(jié)合上面描述的具有各自功能的材料，可以制造高度可靠的顯示元件。
另外，以與圖72A相反順序具有多層層疊的顯示元件也可以像圖72B所示那樣使用。換句話說，在一個元件結(jié)構(gòu)中，陰極7208、由電子注入材料形成的電子注入層7207、由電子傳輸材料形成的電子傳輸層7206、光發(fā)射層7205、由空穴傳輸材料形成的空穴傳輸層7204、由空穴注入材料形成的空穴注入層7203和陽極7202依次該襯底7201上面層疊。
另外，為了從光發(fā)射元件提取光發(fā)射，該陽極和該陰極中的至少一個可以是透明的。于是，在襯底上面形成TFT和顯示元件。有具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的光發(fā)射元件，其中光發(fā)射通過與該襯底相反的表面提?。痪哂械撞堪l(fā)射結(jié)構(gòu)的光發(fā)射元件，其中光發(fā)射通過襯底一側(cè)的表面提取；和具有雙發(fā)射結(jié)構(gòu)的光發(fā)射元件，其中光發(fā)射通過與該襯底相反的表面和該襯底一側(cè)的表面提取。本發(fā)明的像素配置可以應(yīng)用于具有任何發(fā)射結(jié)構(gòu)的顯示元件。
現(xiàn)參照圖73A描述具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的光發(fā)射元件。
在襯底7300上面，形成一個TFT 7301，并形成一個第一電極7302與該TPT 7301的源極接觸。在其上形成包含有機(jī)化合物的層7303和第二電極7304。
請注意，第一電極7302是該光發(fā)射元件的陽極，而該第二電極7304是該光發(fā)射元件的陰極。換句話說，該光發(fā)射元件是在這樣一個區(qū)域內(nèi)形成，其中包含有機(jī)化合物的層7303夾在第一電極7302和第二電極7304之間。
這里，起陽極的作用的第一電極7302最好利用逸出功高的材料形成。例如，可以使用單層薄膜，諸如氮化鈦薄膜、鉻薄膜、鎢薄膜、鋅薄膜或鉑薄膜、氮化鈦薄膜和包含鋁作為它的主要成份的薄膜的層疊層、或氮化鈦薄膜、包含鋁作為它的主要成份的薄膜和氮化鈦薄膜的三層結(jié)構(gòu)等。請注意，當(dāng)?shù)谝浑姌O7302具有層疊結(jié)構(gòu)時，它可以作為導(dǎo)線具有低的電阻，形成一個良好的歐姆接觸并起陽極的作用。通過利用光反射金屬薄膜，可以形成不透光的陽極。
起陰極的作用的第二電極7304最好利用由逸出功低的材料(Al，Ag，Li，Ca或其合金，諸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF2或Ca3N2)形成的金屬薄膜和透明的導(dǎo)電薄膜(氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)等)形成。正如上面描述的，通過利用金屬薄膜和透明的導(dǎo)電薄膜可以形成可以透射光的陰極。
因而，該光發(fā)射元件的光可以從頂面提取，正如圖73A中的箭頭所表明的。換句話說，在把該光發(fā)射元件應(yīng)用于圖71A和71B所示的顯示面板的情況下，光向襯底7145一側(cè)發(fā)射。因此，當(dāng)顯示器件使用具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的光發(fā)射元件時，使用透射光的襯底作為襯底7145。
另外，在設(shè)置光學(xué)薄膜的情況下，可以在襯底7145上面設(shè)置光學(xué)薄膜。
請注意，第一電極7302可以利用由逸出功低的材料，諸如MgAg，MgIn或AlLi形成的金屬薄膜形成，在實(shí)施模式7所描述的像素結(jié)構(gòu)的情況下，起陰極的作用。在這種情況下，可以利用透明的導(dǎo)電薄膜，諸如氧化銦錫(ITO)薄膜或氧化銦鋅(IZO)薄膜形成第二電極7304。因而，采用該結(jié)構(gòu)，可以改善頂部發(fā)射的透明度。
現(xiàn)參照圖73B描述具有底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的光發(fā)射元件。該描述是利用與圖73A中的引用號完成的，因?yàn)槌陌l(fā)射結(jié)構(gòu)外結(jié)構(gòu)相同。
這里，起陽極的作用的第一電極7302最好利用逸出功高的材料形成。例如，可以使用透明的導(dǎo)電薄膜，諸如氧化銦錫(ITO)薄膜或氧化銦鋅(IZO)薄膜。通過利用透明的導(dǎo)電薄膜，可以形成可以透射光的陽極。
起陰極的作用的第二電極7304可以利用由逸出功低的材料(Al，Ag，Li，Ca或其合金，諸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF2或Ca3N2)形成的金屬薄膜形成。通過利用光反射金屬薄膜，正如上面描述的，可以形成不透射光的陰極。
因而，該光發(fā)射元件的光可以從底部表面提取，正如圖73B中的箭頭所表明的。換句話說，在把該光發(fā)射元件應(yīng)用于圖71A和71B所示的顯示面板的情況下，光是向襯底7100一側(cè)發(fā)射的。因此，當(dāng)該顯示器件使用具有底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的光發(fā)射元件時，用透射光的襯底作襯底7100。
另外，在設(shè)置光學(xué)薄膜的情況下，該光學(xué)薄膜可以設(shè)置在該襯底7100上面。
現(xiàn)參照圖73C說明具有雙發(fā)射結(jié)構(gòu)的光發(fā)射元件。描述是利用與圖73A中相同的引用號完成的，因?yàn)槌陌l(fā)射結(jié)構(gòu)外，結(jié)構(gòu)相同。
這里，起陽極的作用的第一電極7302最好利用逸出功高的材料形成。例如，可以使用透明的導(dǎo)電薄膜，諸如氧化銦錫(ITO)薄膜或氧化銦鋅(IZO)薄膜。通過利用透明的導(dǎo)電薄膜，可以形成可以透射光的陽極。
起陰極作用的第二電極7304最好利用由逸出功低的材料(Al，Ag，Li，Ca或其合金，諸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF2或Ca3N2)形成的金屬薄膜、透明的導(dǎo)電薄膜(氧化銦錫(ITO)、氧化銦和氧化鋅(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)形成。通過利用金屬薄膜和透明的導(dǎo)電薄膜，正如上面描述的，可以形成可以透射光的陰極。
因而，該光發(fā)射元件的光可以從兩個表面提取，正如圖73C中的箭頭所表明的。換句話說，在把該光發(fā)射元件應(yīng)用于圖71A所示的光發(fā)射元件的情況下，光是向襯底7100一側(cè)和襯底7145一側(cè)發(fā)射的。因此，當(dāng)該顯示器件使用具有雙發(fā)射結(jié)構(gòu)的光發(fā)射元件時，用透射光的襯底作襯底7100和襯底7145。
另外，在設(shè)置光學(xué)薄膜的情況下，該光學(xué)薄膜可以設(shè)置在襯底7100和襯底7145兩者的上面。
另外，本發(fā)明可以應(yīng)用于利用白光發(fā)射元件和顏色濾光片達(dá)到全色顯示的顯示器件。
如圖74所示，在襯底7400上面形成TFT 7401，并形成第一電極7403與該TFT 7401的源極接觸。在其上形成包含有機(jī)化合物的層7404和第二電極7405。
請注意，第一電極7403是該光發(fā)射元件的陽極，而第二電極7405是該光發(fā)射元件的陰極。換句話說，在這樣一個區(qū)域形成該光發(fā)射元件，其中包含有機(jī)化合物的層7404夾在第一電極7403和第二電極7405之間。采用圖74所示的結(jié)構(gòu)發(fā)射白光。在該光發(fā)射元件上面分別設(shè)置紅色濾光片7406R、綠色濾光片7406G和藍(lán)色濾光片7406B以達(dá)到全色顯示。另外，設(shè)置黑矩陣(又稱″BM″)7407，隔離這些顏色濾光片。
該光發(fā)射元件的上面描述的結(jié)構(gòu)可以結(jié)合使用，并適當(dāng)?shù)赜糜诒景l(fā)明的顯示面板。請注意，上述光發(fā)射元件僅僅是一些示例，還可以應(yīng)用其他結(jié)構(gòu)的顯示器件。
本發(fā)明的顯示面板可以應(yīng)用于不同的電子器件。具體地說，它可以應(yīng)用于電子裝置的顯示部分。這樣一種電子裝置的示例如下攝像機(jī)，諸如攝像機(jī)或數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、護(hù)眼罩型顯示器(頭戴式顯示器)、瀏覽系統(tǒng)、聲音重現(xiàn)裝置(諸如汽車音頻或音頻組件)、計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(諸如移動式計(jì)算機(jī)、移動電話、便攜式游戲機(jī)或電子書籍)、設(shè)有記錄介質(zhì)讀出部分的影像重現(xiàn)裝置(具體地說，可以復(fù)制記錄介質(zhì)的裝置，諸如數(shù)字萬用光盤(DVD)并包括能夠顯示其影像的發(fā)光器件)等等。
圖65A表示發(fā)光器件，它包括機(jī)殼65001、支架65002、顯示部分65003、揚(yáng)聲器部分65004、視頻輸入端子65005等等。本發(fā)明的顯示器件可以用作顯示部分65003。請注意，該發(fā)光器件發(fā)光器件包括在它的所有各類顯示信息用的發(fā)光器件中，例如，用于個人計(jì)算機(jī)、電視廣播接收機(jī)或廣告顯示器。利用本發(fā)明的顯示面板用作顯示部分65003的發(fā)光器件可以避免有缺陷的顯示。
圖65B表示攝像機(jī)，它包括主體65101、顯示部分65102、影像接收部分65013、操作鍵65104、外部連接端口65105、快門65106等等。
利用本發(fā)明的顯示面板用作顯示部分65102的攝像機(jī)可以避免有缺陷的顯示。
圖65C表示計(jì)算機(jī)，它包括主體65201、機(jī)殼65202、顯示部分65203、鍵盤65204、外部連接端口65205、指向鼠標(biāo)65206等等。利用本發(fā)明的顯示面板作為顯示部分65203的計(jì)算機(jī)可以避免有缺陷的顯示。
圖65D表示移動式計(jì)算機(jī)，它包括主體65301、顯示部分65302、開關(guān)65303、操作鍵65304、紅外線端口65305等等。利用本發(fā)明的顯示面板作為顯示部分65302的移動式計(jì)算機(jī)可以避免有缺陷的顯示。
圖65E表示便攜式影像重現(xiàn)裝置，設(shè)有記錄介質(zhì)讀出部分(DVD重現(xiàn)裝置)，它包括主體65401、機(jī)殼65402、顯示部A65403、顯示部分B65404、記錄介質(zhì)(DVD等)、讀出部分65405、操作鍵65406、揚(yáng)聲器部分65407等等。顯示部分A65403主要顯示影像信息，而顯示部分B65404主要顯示字符信息。利用本發(fā)明的顯示面板作為顯示部分A65403和顯示部分B65404的影像重現(xiàn)裝置可以避免有缺陷的顯示。
圖65F表示護(hù)眼罩型顯示器，它包括主體65501、顯示部分65502、臂部分65503等等。利用本發(fā)明的顯示面板作為顯示部分65502的護(hù)眼罩型顯示器可以避免有缺陷的顯示。
圖65G表示攝像機(jī)，它包括主體652001、顯示部分652002、機(jī)殼652003、外部連接端口652004、遙控裝置接收部分652005、影像接收部分652006、電池組652007、音頻輸入部分652008、操作鍵652009等等。利用本發(fā)明的顯示面板作為顯示部分652002的攝像機(jī)可以避免有缺陷的顯示。
圖65H表示移動電話，它包括主體65701、機(jī)殼65702、顯示部分65703、音頻輸入部分65704、音頻輸出部分65705、操作鍵65706、外部連接端口65707、天線65708等等。利用本發(fā)明的顯示面板作為顯示部分65703的移動電話可以避免有缺陷的顯示。
正如上面描述的，本發(fā)明的顯示面板可以應(yīng)用于所有電子裝置。
在該實(shí)施例中，現(xiàn)參照圖64說明在顯示部分中具有本發(fā)明的顯示面板的移動電話的結(jié)構(gòu)的一個示例。
顯示面板6410包含在外殼6400中，以便是可拆卸的。外殼6400的形狀和尺寸可以按照顯示面板6410的尺寸適當(dāng)?shù)母淖?。固定顯示面板6410的外殼6400裝有要作為一個模塊裝配的印刷電路板6401。
該顯示面板6410通過FPC 6411連接到印刷電路板6401。在該印刷電路板6401上面，形成揚(yáng)聲器6402、微音器6403、發(fā)射和接收電路6404和包括CPU、控制器的信號處理電路6405。這樣的一個模塊、輸入裝置6406和電池組6407結(jié)合并貯存在機(jī)殼6409內(nèi)。顯示面板6410的像素部分配置得可從在機(jī)殼6409內(nèi)形成的窗口觀看。
請注意，在該實(shí)施例中，描述的結(jié)構(gòu)是移動電話的一個示例，本發(fā)明的顯示器件不僅可以應(yīng)用于具有上面描述的結(jié)構(gòu)的移動電話，而且可以應(yīng)用于具有不同的結(jié)構(gòu)類型的移動電話。
圖62表示一個EL模塊，其中結(jié)合顯示面板6201和印刷電路板6202。顯示面板6201包括像素部分6203、掃描線驅(qū)動電路6204和信號線驅(qū)動電路6205。在印刷電路板6202上面，例如，形成控制電路6206、信號分配電路6207等等。顯示面板6201和印刷電路板6202通過連接接線6208彼此連接。作為該接線，可以使用FPC等。
可以用該EL模塊完成一個EL電視接收機(jī)。圖63是一個方框示意圖，表示該EL電視接收機(jī)的主要的結(jié)構(gòu)。調(diào)諧器6301接收視頻、音頻信號。該視頻信號由視頻信號放大器電路6302、把視頻信號放大器電路6302的輸出信號轉(zhuǎn)換為與紅、綠和藍(lán)每一個顏色對應(yīng)的顏色信號視頻信號處理電路6303，和把該視頻信號轉(zhuǎn)換為驅(qū)動電路輸入規(guī)格說明的控制電路6206處理。控制電路6206向掃描線側(cè)和信號線側(cè)中的每一個輸出一個信號。在數(shù)字驅(qū)動器的情況下，可以采用其中該信號除法電路6207設(shè)置在信號線側(cè)上以便把輸入數(shù)字信號分為m塊的結(jié)構(gòu)。
在由調(diào)諧器6301接收的信號當(dāng)中音頻信號傳輸至音頻信號放大器電路6304，其輸出通過音頻信號處理電路6305提供給揚(yáng)聲器6306?？刂齐娐?307從輸入部分6308接收接收站(接收頻率)的或聲音音量的控制信息，并把信號發(fā)射至調(diào)諧器6301和音頻信號處理電路6305。
通過把圖62所示的該EL模塊包括進(jìn)入機(jī)殼65001，如圖65A所示，可以完成電視接收機(jī)。顯示部分65003用該EL模塊形成。另外，適當(dāng)設(shè)置揚(yáng)聲器65004、視頻輸入端子65005等等。
自然，本發(fā)明不限于電視接收機(jī)。并可以應(yīng)用于不同的應(yīng)用，特別是作為街上大尺寸顯示介質(zhì)，諸如訓(xùn)練站、機(jī)場等上的信息顯示板器，或街上的廣告顯示板以及個人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器。
在該實(shí)施例中，說明顯示面板有利的結(jié)構(gòu)，其在連接端子部分中包括組合連接焊盤。
首先，參照圖67說明顯示面板連接端子部分中連接焊盤(基準(zhǔn)連接焊盤和組合連接焊盤)的結(jié)構(gòu)。
在襯底6701上面形成連續(xù)的導(dǎo)電薄膜，在連接端子部分的區(qū)域內(nèi)導(dǎo)電薄膜起連接焊盤作用，而在接線部分的一個區(qū)域內(nèi)導(dǎo)電薄膜起導(dǎo)線的作用。在圖67中，基準(zhǔn)連接焊盤6703和導(dǎo)線6706用一個連續(xù)導(dǎo)電薄膜形成。另外，組合連接焊盤6704、導(dǎo)線6707和導(dǎo)線6708用一個連續(xù)導(dǎo)電薄膜形成。另外，組合連接焊盤6705、導(dǎo)線6709、導(dǎo)線6710，和導(dǎo)線6711用一個連續(xù)導(dǎo)電薄膜形成。
一個密封區(qū)域6702中，在與襯底6701相對的地方設(shè)置的反面襯底用密封劑接合。
請注意，組合連接焊盤6704連接到兩個FPC焊盤，而組合連接焊盤6705連接到3個FPC焊盤上。
這里，基準(zhǔn)連接焊盤6703的線寬用W標(biāo)示，組合連接焊盤6704的線寬用W′標(biāo)示，而組合連接焊盤6705的線寬用W″標(biāo)示。另外，相鄰基準(zhǔn)連接焊盤線寬中心之間的距離用L標(biāo)示。
這里，組合連接焊盤6704線寬中心和基準(zhǔn)連接焊盤線寬中心之間的距離是L的1.5倍，而組合連接焊盤6705線寬中心和該基準(zhǔn)連接焊盤線寬中心之間的距離是L的兩倍。因此，F(xiàn)PC端子陣列不必改變，而在本申請書中，F(xiàn)PC可以不作任何變化地使用。請注意，組合連接焊盤6704的線寬W′最好大于相鄰基準(zhǔn)連接焊盤線寬中心之間的距離。另外，組合連接焊盤6705的線寬W″最好是L的兩倍以上。這可以降低該連接焊盤和FPC焊盤之間的接觸電阻。
隨后，說明顯示面板上電氣連接到組合連接焊盤的多條導(dǎo)線的作用。
在包括例如兩個掃描線驅(qū)動電路的顯示面板中，圖67中的導(dǎo)線6707電氣連接到這些掃描線驅(qū)動電路中的一個，而圖67中的導(dǎo)線6708電氣連接到其他掃描線驅(qū)動電路。換句話說，提供公用信號或公用電力到兩個掃描線驅(qū)動電路用的各自導(dǎo)線電氣連接到一個連接焊盤。因而，可以防止兩個掃描線驅(qū)動電路的故障。
作為另一種結(jié)構(gòu)，在包括驅(qū)動一個像素用的像素部分和外圍驅(qū)動電路顯示面板中，其中外圍驅(qū)動電路包括移位寄存器和緩沖電路，圖67中的導(dǎo)線6707電氣連接到移位寄存器，而圖67中的導(dǎo)線6708電氣連接到該緩沖電路。換句話說，向該移位寄存器和該緩沖電路提供公用電力用的各自導(dǎo)線電氣連接到一個連接焊盤。換句話說，如圖68B所示，導(dǎo)線6804是一個向移位寄存器6801供電用的導(dǎo)線并電氣連接到圖67中的導(dǎo)線6707。另外，導(dǎo)線6805是向緩沖電路6802供電的導(dǎo)線，并電氣連接到圖67中的導(dǎo)線6708。這里，若電力通過圖68A所示的導(dǎo)線6803提供給移位寄存器6801和緩沖電路6802，則當(dāng)緩沖電路6802要輸出一個大電流時，導(dǎo)線6803的電源電位降低。結(jié)果，移位寄存器6801不能正常運(yùn)行，因而通過使用圖68B所示的結(jié)構(gòu)，該移位寄存器6801的故障便可以防止。
作為另一個結(jié)構(gòu)，在包括像素中的液晶元件的液晶顯示面板中，圖67中的導(dǎo)線6707和導(dǎo)線6708電氣連接到反面電極。換句話說，提供用作反面電極電源的電源電位用的各自導(dǎo)線，電氣連接到連接焊盤。特別是在該液晶顯示面板中，改變一個反面電極的電位，以便使液晶元件通過翻轉(zhuǎn)適用于該液晶元件的電壓的極性，達(dá)到較長的液晶元件壽命。通過降低與在該結(jié)構(gòu)中電源線的電阻，可以減少功率消耗。
作為另一個結(jié)構(gòu)，在一個像素中具有一個EL元件的EL顯示面板上，圖67中的導(dǎo)線6707和導(dǎo)線6708電氣連接到電源線或反面電極。換句話說，提供用作反面電極的電源的電源電位用的各自導(dǎo)線或該電源線電氣連接到連接焊盤。特別是該EL顯示面板上，大量電流流動到該EL元件。因此，當(dāng)電源線具有高電阻時，由于電壓降而不能獲得要求的電源電位。通過像在該結(jié)構(gòu)中，降低該電源線的電阻，可以防止有缺陷的顯示。
作為另一個結(jié)構(gòu)，在包括像素中的光發(fā)射元件的顯示面板上，圖67中的導(dǎo)線6707電氣連接到反面電極，而圖67中的導(dǎo)線6708電氣連接到一個設(shè)置得與該反面電極接觸而設(shè)置的導(dǎo)線(稱作輔助導(dǎo)線)。換句話說，向反面電極提供公用電力用的各自導(dǎo)線和該輔助導(dǎo)線電氣連接到一個連接焊盤。請注意，參照圖75說明在這種情況下該顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)。
在襯底7501上面形成一個基底薄膜7502。一個絕緣襯底、金屬襯底、半導(dǎo)體襯底等，諸如玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底或陶瓷襯底可以用作襯底7501。基底薄膜7502可以通過化學(xué)氣相淀積法或?yàn)R射法形成。例如，可以使用通過化學(xué)氣相淀積法利用SiH4，N2O，NH3等作為源材料的氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜等。作為另一方案，可以使用其層疊。請注意，設(shè)置基底薄膜7502來避免雜質(zhì)從襯底7501進(jìn)入半導(dǎo)體層，而在玻璃襯底或石英襯底作為襯底的情況下，不一定設(shè)置基底薄膜7502。
在基底薄膜7502上面形成一個島形半導(dǎo)體層。在該半導(dǎo)體層中，形成溝道形成區(qū)域7505、用作源極區(qū)或漏極區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域7506、晶體管7503和溝道形成區(qū)域7508的低濃度雜質(zhì)區(qū)域(LDD區(qū)域)7507、用作源極區(qū)或漏極區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域7509、晶體管7504的低濃度雜質(zhì)區(qū)域(LDD區(qū)域)7510。然后，在該溝道形成區(qū)域7505和溝道形成區(qū)域7508上面用它們之間的柵極絕緣薄膜7511形成柵極7512和柵極7513?？梢岳醚趸璞∧ぁ⒌璞∧?、氮氧化硅薄膜等通過化學(xué)氣相淀積法或?yàn)R射法形成柵極絕緣薄膜7511。另外，可以利用鋁(Al)薄膜、銅(Cu)薄膜、包含鋁或銅作為它的主要成份的薄膜、鉻(Cr)薄膜、鉭(Ta)薄膜、氮化鉭(TaN)薄膜、鈦(Ti)薄膜、鎢(W)薄膜、鉬(Mo)薄膜等形成柵極7512和柵極7513。
在柵極7512一側(cè)形成側(cè)壁7514，并在柵極7513一側(cè)形成側(cè)壁7515。可以通過形成硅化合物，諸如氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氮氧化硅薄膜，形成側(cè)壁7514和側(cè)壁7515，以便覆蓋柵極7512和柵極7513，然后向后蝕刻它。
請注意，低濃度雜質(zhì)區(qū)域7507和低濃度雜質(zhì)區(qū)域7510分別定位在側(cè)壁7514和側(cè)壁7515的下面。換句話說，低濃度雜質(zhì)區(qū)域7507和低濃度雜質(zhì)區(qū)域7510以自對準(zhǔn)的方式形成。請注意，設(shè)置側(cè)壁7514和側(cè)壁7515，以便以自對準(zhǔn)方式形成低濃度雜質(zhì)區(qū)域7507和低濃度雜質(zhì)區(qū)域7510，而且不一定須要設(shè)置該側(cè)壁。
在柵極7512、柵極7513、側(cè)壁7514、側(cè)壁7515和柵極絕緣薄膜7511的上面形成一夾層絕緣薄膜。第一夾層絕緣薄膜包括作為較低的層的無機(jī)絕緣薄膜7516和作為一個上層的樹脂薄膜7517。作為無機(jī)絕緣薄膜7516，可以使用氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜或?qū)盈B薄膜。作為樹脂薄膜7517，可以使用聚丙亞胺、聚酰胺、丙烯酸、聚丙亞胺酰胺、環(huán)氧樹脂等。
導(dǎo)線7518、導(dǎo)線7519和導(dǎo)線7520是在第一夾層絕緣薄膜上面形成的，而導(dǎo)線7518電氣通過一個接觸孔連接到該雜質(zhì)區(qū)域7506；導(dǎo)線7519通過接觸孔電氣連接到雜質(zhì)區(qū)域7506和雜質(zhì)區(qū)域7509；導(dǎo)線7520通過接觸孔電氣連接到該雜質(zhì)區(qū)域7509。可以利用鈦(Ti)薄膜、鋁(Al)薄膜、銅(Cu)薄膜、含Ti鋁薄膜等形成導(dǎo)線7518、導(dǎo)線7519和導(dǎo)線7520。請注意，在諸如信號線等在與導(dǎo)線7518相同的層的情況下，導(dǎo)線7519和導(dǎo)線7520最好使用電阻低的銅。
在導(dǎo)線7518、導(dǎo)線7519、導(dǎo)線7520和第一夾層絕緣薄膜上面形成第二夾層絕緣薄膜7521。可以利用無機(jī)絕緣薄膜、樹脂薄膜或?qū)盈B層形成第二夾層絕緣薄膜7521。作為無機(jī)絕緣薄膜，可以使用氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜或其層疊層。作為樹脂薄膜，可以使用聚丙亞胺、聚酰胺、丙烯酸、聚丙亞胺酰胺、環(huán)氧樹脂等。
在第二夾層絕緣薄膜7521上面形成像素電極7522和導(dǎo)線7523。像素電極7522和導(dǎo)線7523由相同的材料形成。換句話說，它們同時在相同的層內(nèi)形成，最好把逸出功高的材料用于像素電極7522和導(dǎo)線7523。例如，可以使用單層薄膜，諸如氮化鈦(TiN)薄膜、鉻(Cr)薄膜、鎢(W)薄膜、鋅(Zn)薄膜，或鉑(Pt)薄膜；氮化鈦薄膜和包含鋁作為它的主要成份的薄膜的層疊層；氮化鈦薄膜、包含鋁作為它的主要成份的薄膜和氮化鈦薄膜的三層結(jié)構(gòu)等。當(dāng)像素電極7522和導(dǎo)線7523具有層疊結(jié)構(gòu)時，它們作為一個導(dǎo)線可以具有低電阻，并形成一個有利的歐姆接觸。另外，該像素電極和該導(dǎo)線可以起陽極的作用。通過利用反光金屬薄膜，可以形成不透射光的陽極。
形成絕緣7524，以便覆蓋像素電極7522和導(dǎo)線7523。例如，可以用正片類型光敏丙烯酸樹脂薄膜作為絕緣7524。
在像素電極7522上面形成包含有機(jī)化合物的層7525，而包含有機(jī)化合物的層7525的一部分重疊絕緣7524。請注意，包含有機(jī)化合物的層7525不在導(dǎo)線7523上面形成。
包含有機(jī)化合物、絕緣7524和導(dǎo)線7523的層7525的上面形成反面電極7526。對于反面電極7526，最好使用逸出功低的材料。例如，可以使用鋁(Al)、銀(Ag)、鋰(Li)、鈣(Ca)、其合金，諸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF2或Ca3N2等。通過這樣地利用金屬薄膜，可以形成可以透射光的陰極。
在該層7525包含有機(jī)化合物的區(qū)域形成光發(fā)射元件7527，其中包含有機(jī)化合物的層7525夾在反面電極7526和像素電極7522之間。
在一個其中包含有機(jī)化合物的層7525通過絕緣體7524隔開的區(qū)域中，形成結(jié)部分7528，其中反面電極7526和導(dǎo)線7523彼此接觸。因此，導(dǎo)線7523起反面電極7526的輔助電極的作用，可以降低反面電極7526的電阻。因而，反面電極7526的厚度可以做得薄，并可以增大其透射率。相應(yīng)地，在一個具有光從光發(fā)射元件7527獲得的光從該頂面提取的結(jié)構(gòu)的顯示面板上，可以獲得較高的亮度。
請注意，反面電極7526可以利用金屬薄膜和透明的導(dǎo)電薄膜(氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)等)的層疊層形成，以便進(jìn)一步降低其電阻。正如上面描述的，通過利用金屬薄膜和透明的導(dǎo)電薄膜，也可以形成可以透射光的陰極。
請注意，雜質(zhì)區(qū)域7506和雜質(zhì)區(qū)域7509使用n-型雜質(zhì)攙雜。因此，晶體管7503和晶體管7504是n-溝道晶體管。
請注意，用圖75說明的顯示面板，其中反面電極7526可以做得薄，與要從該頂面發(fā)射光的相比，呈現(xiàn)一個高的透光特性。相應(yīng)地，該頂部發(fā)射的亮度可以增大。另外，通過把導(dǎo)線7523連接到反面電極7526，可以減少反面電極7526的電阻。相應(yīng)地，可以降低功率消耗。請注意，導(dǎo)線7523是一條輔助導(dǎo)線。
接著，參照圖76A和76B所示的概要的頂部視圖說明顯示面板的一種結(jié)構(gòu)。在襯底7600上面形成信號線驅(qū)動電路7601、掃描線驅(qū)動電路7602和像素部分7603。請注意，襯底7600連接到FPC(柔性印刷電路)7604，而要輸入的信號線驅(qū)動電路7601和掃描線驅(qū)動電路7602的信號，諸如視頻信號、時鐘信號和開始信號等通過FPC7604提供。在FPC 7604的結(jié)和襯底7600上，通過COG(玻璃上的芯片)等安裝芯片(設(shè)有存儲器電路、緩沖電路等的半導(dǎo)體芯片)7605。盡管這里只舉例說明FPC 7604，印刷接線板(PWB)可以與FPC 7604接合。在本申請書中，顯示器件不僅包括顯示面板的主體，還包括設(shè)有FPC或PWB的顯示面板，此外顯示面板用芯片等安裝。
在圖76A所示顯示面板的像素部分7603中，像素排列成矩陣，以便形成每一個顏色元件用的像素列。包含有機(jī)化合物的層7607設(shè)置在每一個顏色用的一列像素上面。另外，在該像素部分中，由與像素電極相同的材料形成的結(jié)部分和反面電極在設(shè)置包含有機(jī)化合物的層的7607區(qū)域以外的區(qū)域7606形成。換句話說，在圖76B中，在區(qū)域7606形成圖75剖面視圖的結(jié)部分7528。該像素部分的概要頂視圖示于圖77。在圖77中，導(dǎo)線7702由與像素電極7701相同的材料形成。另外，像素電極7701對應(yīng)于圖75中的像素電極7522，而導(dǎo)線7702對應(yīng)于圖75中的導(dǎo)線7523。包含有機(jī)化合物的層在一列像素電極7701上面形成，而光發(fā)射元件在一個其中包含有機(jī)化合物的層夾在像素電極7701和反面電極之間的區(qū)域形成。因?yàn)閷?dǎo)線7702與反面電極在該結(jié)部分接觸，所以可以減少反面電極的電阻。換句話說，導(dǎo)線7702起反面電極的輔助電極的作用。請注意，采用如圖77所示的像素部分的結(jié)構(gòu)，可以是設(shè)置孔徑率高的其中反面電極的電阻減少的顯示面板。
在圖76B所示的顯示面板的像素部分7603中，像素排列成矩陣，以便為每一個顏色元件形成像素列。包含有機(jī)化合物的層7617為每一個顏色用的一列像素設(shè)置。另外，在該像素部分中，由與像素電極相同的材料形成的導(dǎo)線的結(jié)部分和反面電極是在其中設(shè)置包含有機(jī)化合物的層7617以外的區(qū)域7616形成的。換句話說，圖75剖面視圖所示的結(jié)部分7528是在圖76B中的區(qū)域7616形成的。該像素部分的概要頂視圖示于圖78。在圖78中，導(dǎo)線7802是由與像素電極7801相同的材料形成的。另外，該像素電極7801對應(yīng)于圖75中像素電極7522，而導(dǎo)線7802對應(yīng)于圖75中的導(dǎo)線7523。包含有機(jī)化合物的層在每一個像素電極7801上面形成，而光發(fā)射元件在一個其中包含有機(jī)化合物的層夾在像素電極7801和反面電極之間的區(qū)域形成。因?yàn)閷?dǎo)線7802與該結(jié)部分中的反面電極接觸，可以減少反面電極的電阻。換句話說，導(dǎo)線7802起該反面電極的輔助電極的作用。請注意，通過使用如圖78所示像素部分該結(jié)構(gòu)，可以設(shè)置一個其中該反面電極的電阻可以減少的顯示面板。
在該實(shí)施例中描述的顯示面板中，其中反面電極具有一個高透光特性，具有高像素孔徑率。因此，即使當(dāng)亮度降低時，也可以獲得必需的光強(qiáng)度。相應(yīng)地，可以改善該光發(fā)射元件的可靠性。另外，可以降低反面電極的電阻；因而，也可以降低功率消耗。
另外，利用電路原理圖說明該顯示面板。
圖69中的顯示面板，在襯底6901上面，包括信號線驅(qū)動電路6903、第一掃描線驅(qū)動電路6904、第二掃描線驅(qū)動電路6905、像素部分6906和連接端子部分6907。襯底6901和反面襯底在密封區(qū)域6902彼此接合，密封信號線驅(qū)動電路6903、第一掃描線驅(qū)動電路，和第二掃描線驅(qū)動電路6905。
連接端子部分6907包括多個連接焊盤。在該多個連接焊盤當(dāng)中，基準(zhǔn)連接焊盤6908電氣連接到導(dǎo)線6910。組合連接焊盤6909電氣連接到導(dǎo)線6911和導(dǎo)線6912。導(dǎo)線6911和導(dǎo)線6912電氣連接到信號線驅(qū)動電路6903。例如，如圖68B所示，導(dǎo)線6911和導(dǎo)線6912中的一個電氣連接到信號線驅(qū)動電路6903中移位寄存器的供電導(dǎo)線，而另一個電氣連接到向信號線驅(qū)動電路6903中緩沖電路供電的導(dǎo)線。
在襯底7001上面，圖70中的顯示面板包括信號線驅(qū)動電路7003、第一掃描線驅(qū)動電路7004、第二掃描線驅(qū)動電路7005、像素部分7006和連接端子部分7007。襯底7001和反面襯底在密封區(qū)域7002彼此接合，并密封了信號線驅(qū)動電路7003、第一掃描線驅(qū)動電路7004和第二掃描線驅(qū)動電路7005。
連接端子部分7007包括多個連接焊盤。在該多個連接焊盤當(dāng)中，基準(zhǔn)連接焊盤7008電氣連接到導(dǎo)線7010。組合連接焊盤7009電氣連接到導(dǎo)線7011和導(dǎo)線7012。導(dǎo)線7011電氣連接到第一掃描線驅(qū)動電路7004，而導(dǎo)線7012電氣連接到第二掃描線驅(qū)動電路7005。
在該實(shí)施例中，參照圖79A至79C和圖80A至80C說明可以應(yīng)用于本發(fā)明的光發(fā)射元件的另一種結(jié)構(gòu)。
利用電致發(fā)光的光發(fā)射元件，按照光發(fā)射元件是有機(jī)化合物還是無機(jī)化合物進(jìn)行分類。一般，前者稱作有機(jī)EL元件，而后者稱作無機(jī)EL元件。
無機(jī)EL元件按照它們的元件結(jié)構(gòu)分類為擴(kuò)散無機(jī)EL元件和薄膜無機(jī)EL元件。它們差異在于，前者包括電致發(fā)光層，其中光發(fā)射材料粒子擴(kuò)散在粘結(jié)劑中，而后者包括由光發(fā)射材料薄膜形成的電致發(fā)光層；但是，它們的共同點(diǎn)是，都要求通過高電場加速電子。請注意，可以獲得光發(fā)射用的機(jī)構(gòu)包括利用施主電平和受主電平的施主-受主復(fù)合光發(fā)射，并利用金屬離子的內(nèi)殼層電子渡越的定位光發(fā)射。一般，往往是擴(kuò)散無機(jī)EL元件完成施主-受主復(fù)合光發(fā)射，而薄膜無機(jī)EL元件完成定位光發(fā)射。
可以在本發(fā)明中使用的光發(fā)射材料包括基底材料和用作光發(fā)射中心的雜質(zhì)元素。不同顏色的光發(fā)射可以通過改變要包含的雜質(zhì)元素獲得。作為產(chǎn)生光發(fā)射材料用的方法，可以使用不同的方法，諸如固相法和液相法(共同淀積法)。另外，可以使用液相法，諸如噴射熱解法、雙分解法、采取前體熱解的方法、反向膠束法、這些方法的結(jié)合方法和高溫烘焙或冷凍烘干法。
固相法是這樣一種方法，其中基底材料和雜質(zhì)元素或包含雜質(zhì)元素的化合物稱重、在研缽中混合并加熱反應(yīng)并在電熱爐中烘焙，制做包含在該基底材料中的雜質(zhì)元素。該烘焙溫度最好在700℃至1500℃的范圍內(nèi)。這是因?yàn)?，?dāng)溫度太低時，不會進(jìn)行固相反應(yīng)，該溫度太高時，該基底材料會分解。請注意，該烘焙可以以粉末形式完成，但是烘焙最好以小丸形式完成。該方法要求在一個相對較高的溫度下烘焙；但是，它是一種簡單的方法。因此，該方法具有良好的生產(chǎn)率并適于大規(guī)模生產(chǎn)。
液相法(共同淀積法)是這樣一種方法，其中基底材料或包含基底材料的化合物在一種帶有雜質(zhì)元素或包含雜質(zhì)元素的化合物的溶液中反應(yīng)，反應(yīng)物烘干后烘焙。光發(fā)射材料的粒子均勻地分布，顆粒尺寸小，即使在低的烘焙溫度下也能進(jìn)行反應(yīng)。
對于光發(fā)射材料，作為基底材料可以使用硫化物、氧化物或氮化物。作為硫化物例如，可以使用硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、硫化鈣(CaS)、硫化釔(Y2S3)、硫化鎵(Ga2S3)、硫化鍶(SrS)、硫化鋇(BaSBaS)等。作為氧化物，例如，可以使用氧化鋅(ZnO)、氧化釔(Y2O3)等。作為氮化物，例如，可以使用氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)等。另外，也可以使用硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)等。它可以是三元混合的晶體，諸如硫化鎵鈣(CaGa2S4)、硫化鎵鍶(SrGa2S4)、硫化鎵鋇(BaGa2S4)等。
作為定位光發(fā)射的光發(fā)射中心，可以使用錳(Mn)、銅(Cu)、釤(Sm)、鋱(Th)、鉺(Er)、銩(Tm)、銪(Eu)、鈰(Ce)、鐠(Pr)等。請注意，可以增加諸如氟(F)或氯(Cl)的鹵素元素，作為電荷補(bǔ)償。
另一方面，作為施主-受主復(fù)合光發(fā)射的光發(fā)射中心，可以使用包含形成施主電平的第一雜質(zhì)元素和形成受主電平的第二雜質(zhì)元素的光發(fā)射材料。作為該第一雜質(zhì)元素，例如，可以使用氟(F)、氯(Cl)、鋁(Al)等。作為該第二雜質(zhì)元素，例如，可以使用銅(Cu)、銀(Ag)等。
在用固相法合成施主-受主復(fù)合光發(fā)射的光發(fā)射材料的情況下，基底材料、第一雜質(zhì)元素或包含第一雜質(zhì)元素的化合物和第二雜質(zhì)元素或包含第二雜質(zhì)元素的化合物單獨(dú)稱重、在研缽中混合并在電熱爐中加熱和烘焙。作為基底材料，可以使用上述基底材料。作為第一雜質(zhì)元素或包含第一雜質(zhì)元素的化合物，例如，可以使用氟(F)、氯(Cl)、硫酸鋁(Al2S3)等。作為第二雜質(zhì)元素或包含第二雜質(zhì)元素的化合物，例如，可以使用銅(Cu)、銀(Ag)、硫化銅(Cu2S)、硫化銀(Ag2S)等。烘焙溫度最好在700℃至1500℃的范圍內(nèi)。這是因?yàn)?，?dāng)溫度太低時，不會進(jìn)行固相反應(yīng)，而溫度太高時，基底材料會分解。請注意，烘焙可以以粉末形式完成，但是烘焙最好以小丸形式完成。
在利用固相反應(yīng)的情況下，作為雜質(zhì)元素，可以使用包括第一雜質(zhì)元素和第二雜質(zhì)元素的化合物。在這種情況下，雜質(zhì)元素輕易地?cái)U(kuò)散，而且固相反應(yīng)容易進(jìn)行，使得可以獲得一種均勻的光發(fā)射材料。另外，可以獲得高純度光發(fā)射元件，因?yàn)椴换旌喜槐匾碾s質(zhì)元素。作為包括第一雜質(zhì)元素和第二雜質(zhì)元素的化合物，例如，可以使用氯化銅(CuCl)、氯化銀(AgCl)等。
請注意，雜質(zhì)元素對基底材料的濃度可以是在0.01原子％至10原子％，最好0.05原子％至5原子％的范圍內(nèi)。
作為具有施主-受主復(fù)合光發(fā)射的光發(fā)射中心的光發(fā)射材料，作為另一方案，可以使用包含第三雜質(zhì)元素的光發(fā)射材料。在這種情況下，第三個雜質(zhì)元素對基底材料的濃度最好在0.05原子％至5原子％的范圍內(nèi)。具有這樣的一種結(jié)構(gòu)的光發(fā)射材料使低電壓下的光發(fā)射成為可能。相應(yīng)地，可以獲得可以在低驅(qū)動電壓下發(fā)射光的光發(fā)射元件，并可以獲得降低功率消耗的光發(fā)射元件。另外，還可以包括用作上面描述的定位光發(fā)射的光發(fā)射中心的雜質(zhì)元素。
作為這樣一種光發(fā)射材料，可以使用包含ZnS作為基底材料的光發(fā)射材料、Cl作為第一雜質(zhì)元素、Cu作為第二雜質(zhì)元素、Ga和As作為第三雜質(zhì)元素和Mn作為定位光發(fā)射的光發(fā)射中心的光發(fā)射材料?？梢杂靡韵路椒▉硇纬蛇@樣的光發(fā)射材料。在光發(fā)射材料(ZnS:Cu，Cl)中加入Mn，在真空中烘焙兩個至四個小時。烘焙溫度最好在700℃至1500℃的范圍內(nèi)進(jìn)行。該烘焙材料破碎為5μm至20μm、其中加入顆粒尺寸為1μm至3μm的GaAs，攪拌該混合物。在約500℃至800℃下，在包括硫氣體的氮?dú)饬髦泻姹涸摶旌衔飪蓚€至四個小時，獲得光發(fā)射材料。用蒸鍍法等利用該光發(fā)射材料形成薄膜，該薄膜可以用作光發(fā)射元件的光發(fā)射層。
在薄膜無機(jī)EL的情況下，電致發(fā)光層是一個包含上面描述的光發(fā)射材料的層，它可以通過真空蒸鍍法，諸如電阻加熱蒸鍍法或電子束蒸鍍(EB蒸鍍)法、物理蒸氣淀積(PVD)法，諸如濺射法、化學(xué)氣相淀積(CVD)法，諸如有機(jī)金屬化學(xué)氣相淀積法或氫化物轉(zhuǎn)移低壓化學(xué)氣相淀積、原子層外延(ALE)法等形成。
圖79A至79C表示可以用作光發(fā)射元件的薄膜無機(jī)EL元素的示例。在圖79A至79C中，每一個光發(fā)射元件都包括第一電極層50、電致發(fā)光層51和第二電極層53。
圖79B和79C所示的光發(fā)射元件中，每一個都具有一個這樣的結(jié)構(gòu)，其中絕緣層設(shè)置在圖79A中光發(fā)射元件的電極層和電致發(fā)光層之間。圖79B所示的光發(fā)射元件包括第一電極層50和電致發(fā)光層52之間的絕緣層54。圖79C所示的光發(fā)射元件包括第一電極層50和電致發(fā)光層52之間的絕緣層54a和第二電極層53和電致發(fā)光層52之間的絕緣層54b。正如上面描述的，該絕緣層可以設(shè)置在該電致發(fā)光層和夾著電致發(fā)光層的一對電極中的一個或兩個之間。該絕緣層可以是單一層或多個層的層疊。
在圖79B中，絕緣層54設(shè)置得與第一電極層50接觸。但是，絕緣層54可以通過翻轉(zhuǎn)該絕緣層和該電致發(fā)光層的順序而設(shè)置得與第二電極層53接觸。
在擴(kuò)散無機(jī)EL元件的情況下，顆粒狀光發(fā)射材料散布在粘結(jié)劑中，形成薄膜電致發(fā)光層。在通過光發(fā)射材料生產(chǎn)方法不能獲得足夠的要求尺寸的顆粒情況下，該材料可以通過在研缽中破碎等處理為粒子。該粘結(jié)劑是這樣一種物質(zhì)，它用以把顆粒狀光發(fā)射材料以擴(kuò)散方式固定，并作為電致發(fā)光層使該材料保持形狀。光發(fā)射材料通過該粘結(jié)劑均勻地?cái)U(kuò)散和固定在該電致發(fā)光層中。
在擴(kuò)散無機(jī)EL元件的情況下，電致發(fā)光層可以通過液滴釋放方法(它可以選擇性地形成電致發(fā)光層)、印刷方法(諸如絲網(wǎng)印刷或膠印)、涂敷方法(諸如旋涂法、浸漬法、分散法等)形成。其厚度沒有特定限制，但是最好在10nm至1000nm的范圍內(nèi)。另外，在包含該光發(fā)射材料和該粘結(jié)劑的電致發(fā)光層中，該光發(fā)射材料的部分最好在50重量％至80重量％的范圍內(nèi)。
圖80A至80C表示可以用作光發(fā)射元件的擴(kuò)散無機(jī)EL元件的示例。圖80A中的光發(fā)射元件具有第一電極層60、電致發(fā)光層62和第二電極層63，并包含在該電致發(fā)光層62中由粘結(jié)劑固定的光發(fā)射材料61的層疊結(jié)構(gòu)。
作為可以在該實(shí)施例中使用的粘結(jié)劑，可以使用絕緣材料、有機(jī)材料或無機(jī)材料或有機(jī)材料和無機(jī)材料的混合材料。作為有機(jī)絕緣材料，可以使用介電常數(shù)相對較高的聚合物，諸如氰乙基纖維素樹脂；或樹脂，諸如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯樹脂、硅氧烷樹脂、環(huán)氧樹脂或有助于亞乙烯基氟化物。作為另一方案，可以使用耐熱高分子化合物，諸如芳香聚酰胺或聚苯并咪唑或硅氧烷樹脂。請注意，硅氧烷樹脂對應(yīng)于包括Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧烷包括由硅(Si)和氧(O)鍵形成的骨絡(luò)?？梢杂冒辽贇涞挠袡C(jī)族(例如，烷基族或芳香碳?xì)浠衔?或氟族作為取代基，或可以用包含至少氫的有機(jī)族和氟族作為取代基。作為另一方案，可以使用樹脂材料，諸如聚乙烯醇的乙烯基樹脂、聚乙烯醇縮丁醛等、苯酚樹脂、酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂、蜜胺樹脂、尿烷樹脂或噁唑樹脂(聚苯并噁唑)。另外，例如，可以使用光固化型樹脂等。介電常數(shù)可以通過在上述樹脂中適當(dāng)混合介電常數(shù)高的細(xì)粒子，諸如鈦酸鋇(BaTiO3)或鈦酸鍶(SrTiO3)調(diào)整。
作為包括在該粘結(jié)劑中的無機(jī)絕緣材料，可以使用選自包含無機(jī)絕緣材料的物質(zhì)的材料，諸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、包含氧和氮的硅、氮化鋁(AlN)、包含氧氮的鋁、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、BaTiO3、SrTiO3、鈦酸鉛(PbTiO3)、釹酸鉀(KNbO3)、釹酸鉛(PbNbO3)、氧化鉭(Ta2O5)、鉭酸鋇(BaTa2O6)、鉭酸鋰(LiTaO3)、氧化釔(Y2O3)、氧化鋯(ZrO2)或鋅。包括光發(fā)射材料和粘結(jié)劑的電致發(fā)光層的介電常數(shù)可以通過形成有機(jī)材料，以便包含高介電常數(shù)無機(jī)材料來控制，使介電常數(shù)得以增大。
在生產(chǎn)過程中，光發(fā)射材料擴(kuò)散在包括粘結(jié)劑的溶液中。作為包括可以在該實(shí)施例中使用的粘結(jié)劑的溶液的溶劑，可以適當(dāng)選擇其中粘結(jié)劑材料是可溶性，而且可以產(chǎn)生具有適用于形成該電致發(fā)光層(不同的濕處理)用的方法的粘度和要求厚度的溶液的溶劑?？梢允褂糜袡C(jī)溶劑等。在利用時，例如，硅氧烷樹脂作為該粘結(jié)劑的情況下，可以使用丙二醇乙二醇一甲基醚、丙二醇乙二醇一甲基醚醋酸鹽(又稱PGMEA)、3-甲氧(基)3-甲基-1-丁醇(又稱MMB)等。
圖80B和80C所示的光發(fā)射元件中的每一個都具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中在圖80A中的光發(fā)射元件中，絕緣層設(shè)置在該電極層和該電致發(fā)光層之間。圖80B所示的光發(fā)射元件包括第一電極層60和電致發(fā)光層62之間的絕緣層64。圖80C所示的光發(fā)射元件包括第一電極層60和電致發(fā)光層62之間的絕緣層64a以及第二電極層63和電致發(fā)光層62之間的絕緣層64b。正如上面描述的，該絕緣層可以設(shè)置在該電致發(fā)光層和夾著該電致發(fā)光層的一對電極中的一個或兩個之間。另外，該絕緣層可以是單一層或多個層的層疊。
在圖80B中，絕緣層64設(shè)置得要與第一電極層60接觸。但是，絕緣層64可以設(shè)置得通過翻轉(zhuǎn)該絕緣層和該電致發(fā)光層的順序與第二電極層63接觸。
絕緣層，諸如圖79A至79C中的絕緣層54或圖80A至80C中的絕緣層64都沒有特定限制，但是它最好具有高絕緣電阻和致密的薄膜質(zhì)量。另外，它最好具有高的介電常數(shù)。例如，可以使用氧化硅(SiO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Ta2O5)、鈦酸鋇(BaTiO3)、鈦酸鍶(SrTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、氮化硅(Si3N4)、氧化鋯(ZrO2)等、其混合的薄膜或兩個或多個類型的層疊薄膜。這些絕緣薄膜可以通過濺射、蒸鍍、化學(xué)氣相淀積、CVD等形成。作為另一方案，該絕緣層可以通過把絕緣材料的粒子分散在粘結(jié)劑中而形成。粘結(jié)劑材料可以利用類似于包括在該電致發(fā)光層中的粘結(jié)劑的材料和方法形成。對厚度沒有特定限制，但是它最好在10nm至1000nm的范圍內(nèi)。
在該實(shí)施例中描述的光發(fā)射元件，可以通過在夾著該電致發(fā)光層的一對電極層之間施加電壓來提供光發(fā)射，可以通過直流驅(qū)動或通過交流驅(qū)動。
請注意，在該實(shí)施例中描述的光發(fā)射元件，可以應(yīng)用于本專利說明書的光發(fā)射元件，并可以應(yīng)用于例如實(shí)施例2中顯示面板的光發(fā)射元件。在這種情況下，該實(shí)施例的電致發(fā)光層對應(yīng)于包含圖66A和66B所示的實(shí)施例2的有機(jī)化合物的層6616。
在該實(shí)施例中，在利用液晶元件作為顯示元件的情況下，說明顯示面板的結(jié)構(gòu)。
圖71A表示一個液晶顯示面板，其中信號線驅(qū)動電路7130、掃描線驅(qū)動電路7138和像素部分7131在第一襯底7100上面形成。
圖71B是該液晶顯示面板沿著直線A-A′的剖面視圖，它表示信號線驅(qū)動電路7130設(shè)有CMOS電路，其在第一襯底7100上面包括n-溝道TFT 7121和p-溝道TFT 7122。該n-溝道TFT 7121和該p-溝道TFT 7122可以形成得包括結(jié)晶性半導(dǎo)體薄膜。形成信號線驅(qū)動電路7130或掃描線驅(qū)動電路7138的TFT可以用CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。
像素部分7131包括TFT 7123和電容器7158。該TFT 7123可以形成得包括結(jié)晶性半導(dǎo)體薄膜。電容器7158包括半導(dǎo)體薄膜，在其上加入雜質(zhì)，而柵極絕緣薄膜夾在該半導(dǎo)體薄膜和柵極之間。
請注意，該像素部分7131的TFT 7123不必具有像信號線驅(qū)動電路7130和掃描線驅(qū)動電路7138那樣高的結(jié)晶度。
另外，像素部分7131包括連接到該TFT 7123的一個電極的像素電極7111。然后，設(shè)置第三絕緣薄膜7109，以便覆蓋該n-溝道TFT7121、p-溝道TFT 7122、像素電極7111、TFT 7123等等。
另外，準(zhǔn)備一個用作反面襯底的第二襯底7145。在一個與至少該信號線驅(qū)動電路7130對應(yīng)的位置上，第二襯底7145設(shè)有黑矩陣7151，在與至少該像素部分對應(yīng)的位置上設(shè)有顏色濾光片7152，并進(jìn)一步設(shè)有反面電極7153。在本發(fā)明中，該黑矩陣、顏色濾光片或反面電極不一定設(shè)置在第二襯底7145上面，可以設(shè)置在第一襯底7100一側(cè)。此后，可以形成間隔物7156，用以保持襯底間隔。另外，可以同時形成突出部分7150，用來防止液晶材料的傳導(dǎo)，以便避免混合在液晶材料中的有機(jī)鐵電細(xì)粒子的分布偏壓。作為間隔物7156，可以使用球形間隔物，或可以使用通過蝕刻絕緣薄膜形成的所謂柱狀間隔物。另外，可以形成突出部分7150，以便具有一個等于液晶層7154的厚度的高度，使之具有像間隔物7156那樣的作用。是間隔物7156和突出部分7150兩個都單獨(dú)形成，還是間隔物7156用突出部分7150替換，可以適當(dāng)選定。
隨后，對第二襯底7145進(jìn)行定向處理，并用密封劑7143與第一襯底7100接合。作為密封劑7143，最好用環(huán)氧樹脂。另外，第三絕緣薄膜7109的一部分可以在密封劑7143要形成的位置的左邊。其結(jié)果是，接合區(qū)域放大了，可以增大接合強(qiáng)度。請注意，使襯底保持間隔用的間隔物7156可以在定向薄膜上完成定向處理之后形成。
在第一襯底7100和第二襯底7145之間注入液晶層7154。液晶層7154的注入最好在真空中完成。作為另一方案，在第一襯底7100上滴落液晶層之后，可以與第二襯底7145接合。特別是在利用大尺寸襯底的情況下，液晶層最好滴落，而不是注入。
另外，第一襯底7100或第二襯底7145都可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)有偏振片或圓偏振片，以增強(qiáng)對比度。
柔性印刷電路(FPC)7146由各向異性導(dǎo)電薄膜(ACF)連接到設(shè)置在第一接合區(qū)域7132的導(dǎo)電薄膜7108。然后，作為外部輸入信號的視頻信號和時鐘信號通過該FPC 7146提供。請注意，這里只表示FPC；但是，印刷接線板(PWB)是通過該FPC接合的。另外，外部信號產(chǎn)生電路安裝在印刷接線板上。
在加壓或加熱接合該ACF中，需要留意，以免由于襯底的柔軟性或通過加熱軟化而產(chǎn)生開裂。例如，至少在第一接合區(qū)域7132的下面可以設(shè)置剛度高的襯底。
在該實(shí)施例中，描述驅(qū)動器集成型發(fā)光器件在第一襯底7100上面設(shè)有信號線驅(qū)動電路7130和掃描線驅(qū)動電路7138。但是，信號線驅(qū)動電路和掃描線驅(qū)動電路可以用IC形成，并通過SOG方法或TAB方法可以連接到信號線、掃描線等。
正如上面描述的，可以制造液晶顯示面板。
本申請書是根據(jù)序號No.2005-133741，2005年四月28日在日本專利廳歸檔的日本專利申請書，其整個內(nèi)容附此作參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括連接端子部分，其中該連接端子部分包括多個連接端子，其中該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，每一個都是該連接端子的一部分，和其中該多個連接焊盤包括第一連接焊盤和其線寬不同于該第一連接焊盤的第二連接焊盤。
2.一種半導(dǎo)體器件，包括連接端子部分，其中連接端子部分包括多個連接端子，其中該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，每一個都是該連接端子的一部分，其中該多個連接焊盤包括第一連接焊盤和其線寬不同于該第一連接焊盤的第二連接焊盤，和其中該多個連接焊盤之間的間距彼此相等。
3.一種半導(dǎo)體器件，包括連接端子部分，其中連接端子部分包括連接端子，其中具有相等線寬的多個連接焊盤配置得間距相等，該多個連接焊盤的兩個或多個通過引入該連接端子部分的導(dǎo)線彼此相接。
4.一種半導(dǎo)體器件，包括連接端子部分，其中連接端子部分包括連接端子，其中具有相等線寬的多個連接焊盤配置得間距相等，該多個連接焊盤的兩個或多個通過接觸孔用一個較低的層面上的電極彼此相接。
5.按照權(quán)利要求1至4中任何一項(xiàng)的半導(dǎo)體器件，其中柔性印刷電路連接到該連接端子部分。
6.按照權(quán)利要求1至4中任何一項(xiàng)的半導(dǎo)體器件，其中在該連接端子部分中的至少一個連接端子連接到柔性印刷電路的多個端子，并且該連接端子和該柔性印刷電路的多個端子之間的接觸電阻是5Ω或者更小。
7.按照權(quán)利要求1至4中任何一項(xiàng)的半導(dǎo)體器件，其中該半導(dǎo)體器件選自由攝像機(jī)、計(jì)算機(jī)、移動式計(jì)算機(jī)、護(hù)眼罩型顯示器、攝像機(jī)、影像重現(xiàn)裝置和移動電話構(gòu)成的組的至少一個。
8.一種顯示器件，包括像素部分；驅(qū)動電路部分；和連接端子部分，其中該連接端子部分包括多個連接端子，其中該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，每一個都是該連接端子的一部分，和其中該多個連接焊盤包括第一連接焊盤和其線寬不同于該第一連接焊盤的第二連接焊盤。
9.一種顯示器件，包括像素部分；驅(qū)動電路部分；和連接端子部分，其中該連接端子部分包括多個連接端子，其中該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，其中每一個都是該連接端子的一部分，其中該多個連接焊盤包括第一連接焊盤和其線寬不同于該第一連接焊盤的第二連接焊盤，和其中該多個連接焊盤之間的間距彼此相等。
10.一種顯示器件，包括像素部分；驅(qū)動電路部分；和連接端子部分，其中連接端子部分包括一個連接端子，在其中具有相等線寬的多個連接焊盤間隔相等地排列，且該多個連接焊盤的兩個或多個通過引入該連接端子部分的導(dǎo)線彼此相聯(lián)系。
11.一種顯示器件，包括像素部分；驅(qū)動電路部分；和連接端子部分，其中該連接端子部分包括連接端子，其中線寬相等的多個連接焊盤間隔相等地排列，和該多個連接焊盤中的兩個或多個通過接觸孔用一個較低的層面上的電極彼此連接。
12.按照權(quán)利要求8至11中任何一項(xiàng)的顯示器件，其中柔性印刷電路連接到該連接端子部分。
13.按照權(quán)利要求8至11中任何一項(xiàng)的顯示器件，其中在該連接端子部分中，至少一個連接端子連接到該柔性印刷電路的多個端子，且該連接端子和該柔性印刷電路的多個端子之間的接觸電阻是5Ω或者更小。
14.一種顯示器件，包括像素部分；驅(qū)動電路部分；和連接端子部分，其中該連接端子部分包括多個連接端子，其中該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，每一個都是該連接端子的一部分，其中該多個連接焊盤之間的間距彼此相等，其中多個連接焊盤包括第一連接焊盤和線寬大于第一連接焊盤的第二連接焊盤，其中多條導(dǎo)線電氣連接到第二連接焊盤，其中該多條導(dǎo)線電氣連接到元件的反面電極。
15.按照權(quán)利要求8至11和14中任何一項(xiàng)的顯示器件，其中該顯示器件包含選自由攝像機(jī)、計(jì)算機(jī)、移動式計(jì)算機(jī)、護(hù)眼罩型顯示器、攝像機(jī)、影像重現(xiàn)裝置和移動電話構(gòu)成的組的至少一個。
全文摘要
若一個襯底與一個FPC接合時出現(xiàn)連接端子的一個電極(焊盤)在線寬方向上對不準(zhǔn)，則該FPC端子和該連接端子的連接區(qū)域變小，從而使接觸電阻增大。具體地說，用作電源輸入電源電位的連接端子的接觸電阻增大會造成有缺陷的顯示。鑒于上述，本發(fā)明的目標(biāo)是減少電源線的電阻，以便抑制該電源線上的電壓降，并避免有缺陷的顯示，連接端子部分包括多個連接端子。該多個連接端子設(shè)有多個連接焊盤，它們是該連接端子的一部分。該多個連接焊盤包括第一連接焊盤和其線寬不同于該第一連接焊盤的第二連接焊盤。該多個連接焊盤之間的間距彼此相等。
文檔編號H01L27/00GK1855465SQ20061007783
公開日2006年11月1日 申請日期2006年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月28日
發(fā)明者木村肇, 山崎舜平 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所