專利名稱：氣相生長裝置用基座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在供給半導(dǎo)體器件的硅晶片(以下，簡稱為晶片)的表面上使外延膜生長用的氣相生長裝置中所使用的基座，特別是涉及可以抑制自摻雜引起的外延膜外周部的摻雜物濃度的上升的氣相生長裝置用基座。
背景技術(shù)：
作為在晶片表面上使具有高質(zhì)量的膜質(zhì)的外延膜生長的氣相生長裝置，往往使用逐張型氣相生長裝置。
這種逐張型氣相生長裝置，在石英制的通路狀的腔室內(nèi)，把晶片放置于在石墨母件上涂敷碳化硅SiC的圓盤狀的基座上，一邊由配置于腔室外面的加熱器加熱晶片一邊使之與通過腔室內(nèi)的各種原料氣體反應(yīng)，在晶片表面上生長外延膜。
在這種收容晶片的基座的表面上，比晶片大一圈地形成深度1mm左右的稱為晶片凹部的凹部(洼部)，把晶片放置于該晶片凹部中，通過在規(guī)定溫度下把晶片保持于原料氣體流中，進行向晶片表面的硅外延層的生長。
可是，作為氣相生長反應(yīng)的原料氣體，可以使用在甲硅烷氣體或氫氣稀釋的氯硅烷類氣體中添加乙硼烷(P型)或者膦或氫化砷(N型)的摻雜物原料氣體，在晶片表面處與硅酮外延一起作為熱CVD反應(yīng)引起的副生成物甲硅烷氣體的場合生成H2，氯硅烷類氣體的場合生成HCl。因此，雖然在晶片表面處進行硅酮外延，但是在晶片背面處主要通過氣體擴散引起的蔓延，形成Si-H類氣氛或Si-H-Cl類氣氛，發(fā)生微量的析出/蝕刻反應(yīng)。
例如，像對摻雜物濃度P++型(比電阻5mΩ·cm)的晶片，進行P型(比電阻1Ω·cm)膜的外延生長的場合那樣，在進行濃度低于晶片的摻雜物濃度的外延生長的場合，可以看到外延層中的摻雜物濃度在晶片外周部處上升的現(xiàn)象。
這種現(xiàn)象雖然可以稱為自摻雜，但是其原因可以認為是在晶片背面的Si-H類氣氛或Si-H-Cl類氣氛中放出晶片中的摻雜物核，該摻雜物核因向表面的氣體擴散而向晶片表面蔓延，氣相中的摻雜物濃度局部地上升。結(jié)果，發(fā)生外延層的摻雜物濃度成為不能控制的區(qū)域，招致良品率的降低。
為了防止這種自摻雜引起的外延層的摻雜物濃度的偏差，本申請申請人以前提出了在晶片凹部的最外周部形成貫通孔部的基座(參照專利文獻1)。
但是，如果在基座的晶片凹部形成貫通孔，則來自設(shè)在基座的下側(cè)的鹵素?zé)舻燃訜崞鞯妮椛錈嵬ㄟ^貫通孔部照射到晶片背面，致使對著貫通孔部的晶片的部分與不是這樣的部分處產(chǎn)生溫度差，結(jié)果存在著在外延層和晶片背面產(chǎn)生生長不勻這樣的問題。
專利文獻1特開平10-223545號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的在于提供一種既防止自摻雜引起的摻雜物濃度的不均一又可以防止外延層和晶片背面的生長不勻的氣相生長裝置用基座。
(1)用來實現(xiàn)上述目的的根據(jù)本發(fā)明的氣相生長裝置用基座形成有用來在氣相生長之際收容晶片的晶片凹部，其中，在前述晶片凹部的表面與背面或側(cè)面之間形成有流體通路，該流體通路具有來自氣相生長之際的加熱源的輻射熱不直接照射在前述晶片的背面上的形狀。
在本發(fā)明中，由于在晶片凹部的表面與背面或側(cè)面之間形成流體通路，所以從晶片背面所釋放的摻雜物核不向晶片的表面蔓延而從流體通路被排出。結(jié)果，在晶片的背面上不形成自摻雜防止用氧化膜，可以謀求外延層的摻雜物濃度和電阻率的均一化。
此外，根據(jù)本發(fā)明的流體通路，由于取為來自氣相生長之際的加熱源的輻射熱不直接照射于晶片的背面的形狀，所以晶片表面的溫度不勻受到抑制，結(jié)果可以抑制外延層和晶片背面的生長不勻。
(2)作為根據(jù)本發(fā)明的流體通路的形狀，也就是在氣相生長之際來自加熱源的輻射熱不直接照射于晶片背面上的形狀，在例如晶片凹部至少具有放置晶片的外周緣部的第1凹部，與比該第1凹部直徑小且在下側(cè)形成的第2凹部的結(jié)構(gòu)的場合，可以把該流體通路構(gòu)成為一端開口于第2凹部的縱壁面上，并且另一端開口于基座的背面或側(cè)面上。
雖然在由多級凹部結(jié)構(gòu)構(gòu)成晶片凹部的場合，在凹部必然形成縱壁面，但是由于該縱壁面對晶片背面實質(zhì)上成直角，所以可以防止來自加熱源的輻射熱直接照射于晶片的背面。再者，流體通路的另一端可以開口于基座的背面，也可以開口于基座的側(cè)面。
再者，所謂根據(jù)本發(fā)明的第1凹部是指具有放置晶片的外周緣部的擱板部，和從該擱板部連接到外側(cè)的縱壁面的凹部。此外，所謂根據(jù)本發(fā)明的第2凹部是指比第1凹部直徑小且在基座的下側(cè)形成，具有連接于第1凹部的擱板部的縱壁面，和連接于該縱壁面的水平面(水平面本身沒有必要連續(xù)水平)的凹部。而且，根據(jù)本發(fā)明的第2凹部是除了第1凹部以外的第N凹部，也就是物理的第2號的第2凹部以外，還包括第3凹部、第4凹部......在內(nèi)的概念。也就是說，包括比第1凹部直徑小且在基座的下側(cè)所形成的多個凹部的全部。
此外，根據(jù)本發(fā)明的基座構(gòu)成為，在至少包括具有放置晶片的外周緣部的第1凹部的第1結(jié)構(gòu)體，和經(jīng)由與該第1結(jié)構(gòu)體的間隙所構(gòu)成的流體通路設(shè)在第1結(jié)構(gòu)體的下側(cè)的第2結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)的場合，可以把該流體通路構(gòu)成為一端開口于第1凹部的下側(cè)的第2縱壁面，并且另一端開口于基座的背面或側(cè)面。
也就是說，根據(jù)本發(fā)明的流體通路并不僅限定于在基座結(jié)構(gòu)體上穿孔的形態(tài)，除此以外，也可以通過組合多個結(jié)構(gòu)體來構(gòu)成基座本身，此時在兩個結(jié)構(gòu)體的接合面上形成間隙，以此作為流體通路。在采用這種結(jié)構(gòu)的場合也是為了防止來自加熱源的輻射熱直接照射于晶片的背面，在第1結(jié)構(gòu)體與第2結(jié)構(gòu)體之間形成的間隙，也就是流體通路的一端開口于位于第1凹部的下側(cè)的縱壁面。借此，由于該縱壁面對晶片背面實質(zhì)上成直角，所以來自加熱源的輻射熱直接照射于晶片的背面的情況被防止。再者，流體通路的另一端開口于基座的背面上，或者開口于基座的側(cè)面上。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的基座所適用的氣相生長裝置的實施方式的示意剖視圖。
圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的基座的實施方式的半俯視圖和半剖視圖。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的基座的另一個實施方式的半剖視圖。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的基座的又一個實施方式的半俯視圖和半剖視圖。
圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的基座的又一個實施方式的半剖視圖。
圖6是表示本發(fā)明的實施例與比較例的電阻率分布的曲線圖。
具體實施例方式
下面，基于

本發(fā)明的實施方式。
圖1是表示逐張式氣相生長裝置1的示意剖視圖，具有在穹頂安裝體5上安裝上側(cè)穹頂3與下側(cè)穹頂4而成的外延膜形成室2。該上側(cè)穹頂3和下側(cè)穹頂4由石英等透明的材料制成，由在裝置1的上方和下方配置多個的作為加熱源的鹵素?zé)?a、6b來加熱基座10和晶片W。
基座10下表面的外周部由連接于旋轉(zhuǎn)軸7的支撐臂8配合支撐，通過旋轉(zhuǎn)軸7的驅(qū)動而旋轉(zhuǎn)。雖然基座10的材質(zhì)未特別限定，但是最好是采用例如在碳質(zhì)基件的表面上包敷SiC包膜的材質(zhì)，關(guān)于其形狀后文述及。再者，作為向基座10送入晶片W，或從基座10送出晶片W的方式未特別限定，可以適用采用伯努里吸盤、通過輸送夾具的升降而移放晶片的方式，或由銷子支撐晶片下表面、通過該銷子的升降而移放的方式中的任何一種。
在穹頂安裝體5的側(cè)面設(shè)置第1氣體供給口11與第2氣體供給口12，在對著這些的穹頂安裝體5的側(cè)面上設(shè)置第1氣體排出口13和第2氣體排出口14。從第1氣體供給口11由氫氣稀釋SiHCl等Si源，在其中微量混合摻雜物而成的反應(yīng)氣體供給到形成室2內(nèi)，所供給的反應(yīng)氣體通過晶片W的表面外延膜生長后，由第1氣體排出口13排出到裝置1外。
再者，從第2氣體供給口12將氫氣等載體氣體向基座10的下表面?zhèn)裙┙o，由設(shè)在該載體氣體的下游側(cè)的第2氣體排出口14排出到裝置1外。借此，可以更有效地把從晶片背面所釋放的摻雜物向裝置1外排出。但是，在本發(fā)明中從第2氣體供給口12將氫氣等載體氣體供給到形成室2內(nèi)不是必須的，因而第2氣體供給口12和第2氣體排出口14也可以根據(jù)需要而省略。此外，在設(shè)置第2氣體供給口12而把氫氣等載體氣體供給到形成室2內(nèi)的場合，也可以不設(shè)第2氣體排出口14而兼用排出外延生長用的反應(yīng)氣體等的第1氣體排出口13。
接下來就根據(jù)本實施方式的基座10的構(gòu)成進行說明。
如圖2(A)(B)中所示，在本例的基座10的上表面上，形成由直徑比晶片W的外徑大一圈左右的凹部組成的晶片凹部101。該晶片凹部101由僅晶片W的外周緣部W1面接觸、線接觸或點接觸地支撐晶片W的第1凹部102，和比該第1凹部102直徑小且在基座10的下側(cè)所形成的第2凹部103構(gòu)成，晶片W相對于第1凹部102配置成在其中央部處晶片背面與第2凹部103的底面103b之間形成空間。再者，第1凹部102由相當(dāng)于凹部的縱壁面的第1縱壁面102a，與接觸于晶片W的外周緣部W1而支撐的擱板部102b構(gòu)成，第2凹部103由相當(dāng)于凹部的縱壁面的第2縱壁面103a與相當(dāng)于凹部的水平面的底面103b構(gòu)成。
借此，促進載體氣體向晶片背面?zhèn)鹊穆?，從晶片背面所釋放的摻雜物的排出效果增大。再者，第1凹部的擱板部102b如圖所示可以弄成從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)下方傾斜的錐形而以線接觸支撐晶片W的外周緣部W1，也可以在擱板部102b的表面上設(shè)置凹凸而以點接觸支撐晶片W的外周緣部W1。
特別是在本實施方式的基座10中，如圖2(B)的剖視圖中所示形成一端105a開口于第2凹部的第2縱壁面103a、并且另一端105b開口于基座10的背面104的流體通路105，該流體通路105如圖2(A)的俯視圖中所示由在基座10的圓周方向上形成多個的孔構(gòu)成。本例的流體通路105是用來從基座10的下表面排出氣相生長時的因加熱而從晶片背面W2擴散的摻雜物或因氣相蝕刻而從晶片背面W2所釋放的摻雜物而不蔓延到晶片表面W3側(cè)。
除此以外本例的流體通路105制成來自設(shè)在裝置1的下方的鹵素?zé)?b的輻射熱H不經(jīng)由該流體通路105直接照射于晶片背面W2的形狀。由于借此，可以防止從鹵素?zé)?b所照射的輻射熱H通過流體通路105直接照射于晶片背面W2，所以可以防止在對著流體通路105所設(shè)置的部分的晶片W的溫度與對著未設(shè)置的部分的晶片W的溫度之間產(chǎn)生溫度差，可以防止外延層和晶片背面的生長不勻的發(fā)生。
根據(jù)本發(fā)明的流體通路105，只要取為來自設(shè)在裝置1的下方的鹵素?zé)?b的輻射熱H不經(jīng)由該流體通路105直接照射于晶片背面W2的形狀，則在具體的形狀上沒有限定。圖3(A)～(H)中示出典型的變形例。該圖(A)中所示的流體通路105構(gòu)成為一端105a開口于第2凹部的第2縱壁面103a，并且另一端105b開口于基座10的側(cè)面106。如果用此例的流體通路105，則比起圖2中所示的例子來可以進一步防止來自鹵素?zé)?b的輻射熱直接照射于晶片背面W2。
此外，該圖(B)中所示的流體通路105雖然構(gòu)成為一端105a開口于第2凹部的第2縱壁面，并且另一端105b開口于基座10的背面104處第2凹部的第2縱壁面103a外側(cè)，所述這一點上與圖2中所示的例子是共同的，但是流體通路105的形狀不是直線狀而形成為曲折的非直線狀。因而，來自鹵素?zé)?b的輻射熱雖然進入到流體通路105的中途，但是該輻射熱被流體通路105的曲折部分所遮擋不再朝向晶片背面W2方向。
該圖(C)中所示的流體通路105雖然在構(gòu)成為一端105a開口于第2凹部的第2縱壁面103a，并且另一端105b開口于基座10的背面中第2凹部的第2縱壁面103a外側(cè)，進而在流體通路105的中途具有曲折部分這一點上與該圖(B)中所示的例子是共同的，但是比起一端105a側(cè)的流體通路105的內(nèi)徑來，另一端105b側(cè)的流體通路105的內(nèi)徑形成得大。
該圖(D)中所示的例子的流體通路105雖然構(gòu)成為一端105a開口于第2凹部的第2縱壁面103a，并且另一端105b開口于基座10的背面104處第2凹部的第2縱壁面103a外側(cè)，所述這一點上與該圖(B)或(C)中所示的例子是共同的，但是在流體通路105形成為直線狀方面是不同的。
該圖(E)中所示的例子，是代替減小流體通路105的內(nèi)徑，而把一端105a開口并列在第2縱壁面103a的上下，從而上下并列地形成流體通路105。
該圖(F)中所示的例子的流體通路105雖然在一端105a開口于第2凹部的第2縱壁面103a，并且另一端105b開口于基座10的背面104處第2凹部的第2縱壁面103a外側(cè)這一點上與該圖(B)或(C)中所示的例子共同，此外流體通路105形成為直線狀這一點上與該圖(D)中所示的例子共同，但是在第2凹部103的底面103b的外周上形成凹部103c這一點上，與第2凹部103的底面103b比起上述該圖(A)～(E)的實施方式來形成得淺這一點上是不同的。而且，流體通路105的一端105a開口于相當(dāng)于凹部103c的第2縱壁面103a。再者，第2凹部103的凹部103c可以跨越外周的全周連續(xù)地形成，也可以斷續(xù)地形成。本例的流體通路105也是制成來自設(shè)在裝置1的下方的鹵素?zé)?b的輻射熱H不經(jīng)由該流體通路105直接照射于晶片背面W2的形狀。
如果像這樣把第2凹部103的底面103b形成得淺，則來自基座10的背面的輻射熱變得容易傳遞到晶片W的內(nèi)周部，與晶片的外周部的溫度差減小。結(jié)果，溫度差引起的熱應(yīng)力據(jù)推測為原因之一的晶片的滑動移動受到抑制。
該圖(G)中所示的例子的流體通路105雖然在第2凹部103的外周上形成凹部103c這一點上與該圖(F)中所示的例子是共同的，但是該凹部103c僅由向外側(cè)下側(cè)傾斜的傾斜面構(gòu)成。而且，流體通路105的一端105a開口于相當(dāng)于由該傾斜面組成的凹部103c的第2縱壁面103a。再者，第2凹部103的凹部103c可以跨越外周的全周連續(xù)地形成，也可以斷續(xù)地形成。本例的流體通路105也是取為來自設(shè)在裝置1的下方的鹵素?zé)?b的輻射熱H不經(jīng)由該流體通路105直接照射于晶片背面W2的形狀。
該圖(H)中所示的例子雖然在第2凹部103的外周上形成凹部103c這一點上與該圖(F)中所示的例子是共同的，但是除了該凹部103的第2縱壁面103a外，還具有與之相對的第3縱壁面103d這一點上是不同的。此外，第2凹部103的底面103b與該圖(F)或該圖(G)的實施方式同樣地形成得淺。而且，流體通路105的一端105a開口于凹部103的第3縱壁面103d，另一端105b開口于基座10的背面且第2凹部的第2縱壁面103a的內(nèi)側(cè)，流體通路105直線狀地形成。再者，第2凹部103的凹部103c可以跨越外周的全周連續(xù)地形成，也可以斷續(xù)地形成。本例的流體通路105也是取為來自設(shè)在裝置1的下方的鹵素?zé)?b的輻射熱H不經(jīng)由該流體通路105直接照射于晶片背面W2的形狀。
根據(jù)本發(fā)明的基座10可以進一步改變。圖4是表示根據(jù)本發(fā)明的基座的又一個實施方式的半俯視圖和半剖視圖，在本例中是通過把兩個結(jié)構(gòu)體10a、10b組合構(gòu)成基座10本身，此時在兩個結(jié)構(gòu)體10a、10b的接合面上形成間隙，把它作為流體通路105的例子。
也就是說，如圖4(B)中所示本例的基座10通過把第1結(jié)構(gòu)體10a放置于第2結(jié)構(gòu)體10b來構(gòu)成，在這些第1結(jié)構(gòu)體和第2結(jié)構(gòu)體10a、10b的接合面上形成作為間隙的流體通路105。
為了把第1結(jié)構(gòu)體10a具有間隙地放置于第2結(jié)構(gòu)體10b，在第2結(jié)構(gòu)體10b的上表面外周部上，如該圖(A)中虛線所示例如間隔120°均布位置上形成三個突起107。此外，在第1結(jié)構(gòu)體10a的背面外周部上，在對應(yīng)于突起107的正規(guī)位置(指第1結(jié)構(gòu)體10a與第2結(jié)構(gòu)體10b的位置關(guān)系正規(guī)的位置)上形成收容突起107的凹部108。雖然只要靠把第1結(jié)構(gòu)體10a支撐于第2結(jié)構(gòu)體10b即使不設(shè)凹部108通過在至少三處設(shè)突起107也可以實現(xiàn)目的，但是通過像本例這樣在對應(yīng)于突起107的正規(guī)位置上設(shè)置凹部108也可發(fā)揮第1結(jié)構(gòu)體10a與第2結(jié)構(gòu)體10b的接合之際的定位功能。突起107相當(dāng)于根據(jù)本發(fā)明的支撐機構(gòu)，突起107和凹部108相當(dāng)于根據(jù)本發(fā)明的定位機構(gòu)。
如果像這樣通過把兩個結(jié)構(gòu)體10a、10b合起來構(gòu)成基座10，則由于結(jié)構(gòu)體10a、10b的接合面全周成為流體通路105，所以在氣相生長之際從晶片背面W2所釋放的摻雜物可以不蔓延到晶片表面W3，而從在該全周上所形成的流體通路105更有效地排出。此外，由于不形成成為流體通路105的孔而靠單單把第1結(jié)構(gòu)體10a與第2結(jié)構(gòu)體10b合起來形成由間隙組成的流體通路105所以加工上也方便。
圖4中所示的類型的基座10，在把第1結(jié)構(gòu)體10a與第2結(jié)構(gòu)體10b合起來之際在其接合面上形成構(gòu)成流體通路105的間隙，進而作為該間隙的流體通路105只要取為來自設(shè)在裝置1的下方的鹵素?zé)?b的輻射熱不經(jīng)由該流體通路105直接照射于晶片背面W2的形狀，則在具體的形狀上沒有限定。圖5(A)～(C)中示出變形例的典型例。
圖5(A)中所示的基座10構(gòu)成為在第1結(jié)構(gòu)體10a與第2結(jié)構(gòu)體10b的接合面上所形成的流體通路成為圖3(B)中所示那種曲折形狀，在第1結(jié)構(gòu)體10a的背面的均布位置三處設(shè)置突起107，通過該突起107與第2結(jié)構(gòu)體10b的表面的棱邊接觸而把第1結(jié)構(gòu)體10a支撐于第2結(jié)構(gòu)體10b。
此外，圖5(B)中所示的基座10也是，雖然是流體通路105的形狀與該圖(A)中所示的流體通路105同樣地構(gòu)成為曲折形狀，但是在第2結(jié)構(gòu)體10b的表面上形成作為支撐機構(gòu)的突起107，另一方面在第2結(jié)構(gòu)體10b的側(cè)面上形成作為定位機構(gòu)的突起109，該突起109通過接觸于第1結(jié)構(gòu)體10a的背面?zhèn)缺诙_定第1結(jié)構(gòu)體10a與第2結(jié)構(gòu)體10b的正規(guī)位置。
進而圖5(C)中所示的基座10也是，雖然是流體通路105的形狀與該圖(A)中所示的流體通路105同樣地構(gòu)成為曲折形狀，此外是在第2結(jié)構(gòu)體10b的表面上形成作為支撐機構(gòu)的突起107的構(gòu)成，但是在第1結(jié)構(gòu)體10a的背面?zhèn)缺谏闲纬勺鳛槎ㄎ粰C構(gòu)的突起109，通過該突起109接觸于第2結(jié)構(gòu)體10b的側(cè)面確定第1結(jié)構(gòu)體10a與第2結(jié)構(gòu)體10b的正規(guī)位置。
在圖5(A)～(C)中任一所示的某個機構(gòu)10中也是，與圖4中所示的基座10同樣，由于結(jié)構(gòu)體10a、10b的接合面全周成為流體通路105，所以在氣相生長之際從晶片背面W2所釋放的摻雜物可以不蔓延到晶片表面W3，而從在該全周上所形成的流體通路105更有效地排出。此外，由于不形成成為流體通路105的孔而靠單單把第1結(jié)構(gòu)體10a與第2結(jié)構(gòu)體10b合起來形成由間隙組成的流體通路105所以加工上也方便。
進而，由于流體通路105制成從鹵素?zé)?b所照射的輻射熱不會通過該流體通路105直接照射于晶片背面W2上的形狀，所以可以防止在對著流體通路105所設(shè)置的部分的晶片W的溫度與對著未設(shè)置的部分的晶片W的溫度之間產(chǎn)生溫度差，可以防止外延層的生長不勻的發(fā)生。
再者，上述說明的實施方式，是為了使本發(fā)明的理解容易而記載的，不是為了限定本發(fā)明而記載的。因而，上述實施方式中所公開的各要素包括屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍的所有的設(shè)計變更或等效物。
例如，雖然在上述實施方式中舉逐張式氣相生長裝置1為例來說明本發(fā)明的基座，但是本發(fā)明不限于此，當(dāng)然能夠運用于歷來實施的一次處理多張晶片的成批式氣相生長裝置。
實施例下面，示出本發(fā)明的實施例，通過與比較例進行對比，說明本發(fā)明的效果。
作為實施例和比較例的統(tǒng)一條件，用直徑200mm，主表面的面方位(100)，比電阻15mΩ·cm的P+型的單晶硅晶片，在1500℃、20秒的氫焙烤后，把由氫氣稀釋作為硅源的SiHCl3和作為硼摻雜物源的B2H6的混合反應(yīng)氣體供給到氣相生長裝置內(nèi)，在外延生長溫度1125℃下，在晶片表面上生長厚度大約6μm，比電阻大約10mΩ·cm的P型的外延膜。
在實施例中，使用圖1中所示的逐張式氣相生長裝置，基座用圖3(C)中所示的形狀。具體地說以4mm間距間隔(窄縫中心間的距離)在第2縱壁面整個區(qū)域上形成構(gòu)成流體通路的孔(大直徑孔的寬度為2mm，小直徑孔的直徑為1mmφ寬度2mm的窄縫狀)。
在比較例中，與實施例同樣，使用圖1中所示的逐張式氣相生長裝置，在基座上不形成流體通路。
針對實施例中和比較例中所得到的各自的外延硅晶片，用SCP(表面電荷輪廓)裝置測定從外周端到100mm的區(qū)域的外延膜中的徑向的摻雜物濃度，基于該測定結(jié)果求出外延膜中的徑向的電阻率分布。其結(jié)果示于圖6。
從圖6可以看出，確認到在實施例中成為目標(biāo)的比電阻10mΩ·cm的P型的外延膜可以均一地得到。與此相對照在比較例中，確認到電阻率分布在外周部大為降低。
權(quán)利要求
1.一種氣相生長裝置用基座，形成有用來在氣相生長之際收容半導(dǎo)體晶片的晶片凹部，其特征在于，在前述晶片凹部的表面與背面或側(cè)面之間形成有流體通路，該流體通路具有來自氣相生長之際的加熱源的輻射熱不直接照射在前述半導(dǎo)體晶片的背面上的形狀。
2.一種氣相生長裝置用基座，形成有用來在氣相生長之際收容半導(dǎo)體晶片的晶片凹部，其特征在于，前述晶片凹部至少具有放置前述半導(dǎo)體晶片的外周緣部的第1凹部，與比該第1凹部直徑小且在下側(cè)所形成的第2凹部，且形成有一端開口于前述第2凹部的縱壁面上、并且另一端開口于基座的背面或側(cè)面上的流體通路。
3.權(quán)利要求2所述的氣相生長裝置用基座，其特征在于，前述流體通路的前述基座的背面?zhèn)鹊拈_口形成于前述第2凹部的縱壁面的外側(cè)。
4.權(quán)利要求2所述的氣相生長裝置用基座，其特征在于，前述流體通路的前述基座的背面?zhèn)鹊拈_口形成于前述第2凹部的縱壁面的內(nèi)側(cè)。
5.權(quán)利要求2～4中的任何一項中所述的氣相生長裝置用基座，其特征在于，前述流體通路直線狀或非直線狀地形成。
6.權(quán)利要求2～5中的任何一項中所述的氣相生長裝置用基座，其特征在于，前述流體通路形成有多個，該流體通路的一端沿著前述第2凹部的縱壁面的圓周方向?qū)嵸|(zhì)上均等地開口。
7.權(quán)利要求2～6中的任何一項中所述的氣相生長裝置用基座，其特征在于，前述流體通路形成有多個，該流體通路的一端在前述第2凹部的縱壁面的豎直方向上并列地開口。
8.一種氣相生長裝置用基座，形成有用來在氣相生長之際收半導(dǎo)體容晶片的晶片凹部，其特征在于，至少包括具有放置前述半導(dǎo)體晶片的外周緣部的第1結(jié)構(gòu)體，與經(jīng)由與該第1結(jié)構(gòu)體的間隙所構(gòu)成的流體通路設(shè)在第1結(jié)構(gòu)體的下側(cè)的第2結(jié)構(gòu)體，前述流體通路的一端開口于前述第1凹部的下側(cè)的縱壁面上，并且另一端開口于基座的背面或側(cè)面上。
9.權(quán)利要求7所述的氣相生長裝置用基座，其特征在于，在前述流體通路內(nèi)的前述第1結(jié)構(gòu)體和/或第2結(jié)構(gòu)體上形成有用來把前述第1結(jié)構(gòu)體支撐于前述第2結(jié)構(gòu)體上的支撐機構(gòu)。
10.權(quán)利要求7或8所述的氣相生長裝置用基座，其特征在于，包括用來確定前述第1結(jié)構(gòu)體與第2結(jié)構(gòu)體的正規(guī)位置關(guān)系的定位機構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基座(10)，設(shè)有用來在氣相生長時收容晶片(W)的晶片凹部(101)。晶片凹部(101)至少具有晶片的外周部(W1)放置于其上的第1凹部(102)和在第1凹部之下形成的并具有小于第1凹部的直徑的第2凹部(103)?；?10)還設(shè)有流體通路(105)，該流體通路的一端(105a)開口在第2凹部的縱壁面(103a)上，而且另一端(105b)開口在基座的背面(104)或側(cè)面(106)上。
文檔編號H01L21/67GK101023200SQ200580023240
公開日2007年8月22日 申請日期2005年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月18日
發(fā)明者藤川孝, 石橋昌幸, 土肥敬幸, 杉本誠司 申請人:三菱住友硅晶株式會社