專利名稱：用于高密度封裝應(yīng)用的高性能氣冷式散熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明整體涉及一種用于集成電路組件的散熱技術(shù)，尤其涉及一種用于從集成電路裝置上散熱的技術(shù)。
背景技術(shù)：
集成電路裝置、微處理器及其它相關(guān)計(jì)算機(jī)部件由于其性能的提高而變得功率越來越大，這就導(dǎo)致由這些部件產(chǎn)生的熱量增加。雖然這些部件的封裝單元和集成電路裝置尺寸在減小或保持與原來相同，但是這些部件每單位體積、質(zhì)量、表面積或任何其它這種公制所產(chǎn)生的熱能量卻在增加。在當(dāng)前的封裝技術(shù)中，散熱器通常包括一在一側(cè)安裝于集成電路裝置上的平底板。散熱器還包括在另一側(cè)垂直于平底板的一翼片陣列。通常，集成電路裝置(其為熱源)具有比散熱器的平底板小得多的覆蓋區(qū)尺寸。散熱器的平底板具有一很大的覆蓋區(qū)，其需要比與其接觸的集成電路裝置更多的母板使用區(qū)。由于底板的尺寸較大，因而導(dǎo)致底板的不直接與集成電路裝置相接觸的最外部分的溫度比底板的直接與集成電路裝置相接觸的部分低得多。而且，隨著計(jì)算機(jī)相關(guān)設(shè)備變得功率更大，因而更多部件被置于設(shè)備內(nèi)和母板上，而這就需要更多的母板使用區(qū)。此外，現(xiàn)有技術(shù)的散熱器設(shè)計(jì)中的底板與上面連接著它的集成電路裝置處于同一水平。因此，散熱器的平底板構(gòu)型通常豎立著，因而耗用的母板使用區(qū)比上面安裝著它的集成電路裝置更多。另外，當(dāng)前設(shè)計(jì)實(shí)踐要求翼片延伸至平底板的邊緣，而且為了沿側(cè)向增加翼片，平底板也不得不增大。結(jié)果，底板的較大覆蓋區(qū)尺寸阻礙了其它母板部件，例如低成本電容器置于微處理器周圍或上面。因此，當(dāng)設(shè)計(jì)集成電路安裝和封裝裝置時(shí)，需要考慮到許多這種集成電路會(huì)產(chǎn)生大量熱量并且對母板使用區(qū)的需求會(huì)增加。
由于上述原因以及本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通過閱讀和理解本說明書將會(huì)清楚的下述其它原因，本領(lǐng)域就需要一種質(zhì)量輕的增強(qiáng)型散熱裝置及方法，其具有最小的側(cè)向熱傳播阻力以及位于鄰近部件上方的高性能翼片面積。另外，需要一種耗用的母板使用區(qū)不會(huì)比上面連接著它的集成電路裝置更多的散熱裝置，以便容納需要置于微處理器周圍的低成本電子部件。


圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)的散熱器的軸測圖，其連接于安裝在組裝式印刷電路板上的微處理器上。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的散熱裝置的另一個(gè)實(shí)施例的軸測圖。
圖3是圖2中所示的散熱裝置的軸測圖，其連接于安裝在組裝式印刷電路板上的微處理器上。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一種形成散熱裝置的示例性方法的流程圖。
圖5、6、7、8和9示出了利用擠壓方法來形成圖2中所示的散熱裝置的一個(gè)示例性實(shí)施例。
圖10和11示出了利用沖擊擠壓技術(shù)來形成圖2中所示的散熱裝置的另一個(gè)示例性實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
在對實(shí)施例的以下詳細(xì)描述中，將參照示出了本發(fā)明及其實(shí)踐方式的附圖。在圖中，相同的數(shù)字描述了在這幾個(gè)圖中始終基本相似的部件。對這些實(shí)施例進(jìn)行了充分詳細(xì)的描述以便使得本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明。也可以使用其它實(shí)施例，并且在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)、邏輯和電方面的改變。而且，應(yīng)當(dāng)理解，盡管本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例并不同，但是并不一定互相排斥。例如，在一個(gè)實(shí)施例中所述的特定特性、結(jié)構(gòu)或特征可以包括于其它實(shí)施例中。因此，以下詳細(xì)描述并不應(yīng)理解為限制的意義，并且本發(fā)明的范圍只由附屬權(quán)利要求以及這些權(quán)利要求所賦予的等價(jià)物的全部范圍一起來限定，其中，本文檔尤其描述了一種增強(qiáng)型散熱裝置，其包括一位于其內(nèi)的室以便容放一空氣運(yùn)動(dòng)裝置，其使得電子部件能夠置于微處理器周圍的位置，同時(shí)通過利用目前可用的大批量制造技術(shù)而保持高性能和高成本效率。
圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)的散熱器110的軸測圖100，其安裝于組裝式母板130的微處理器120上。另外，圖1中還示出了安裝于散熱器110周圍和母板130上的多個(gè)低成本電容器140。
現(xiàn)有技術(shù)的散熱器110具有一平底板150，其包括從平底板150上垂直延伸出的一翼片陣列160。散熱器110的這種構(gòu)型要求使用平底板150及翼片陣列160來散發(fā)由微處理器120產(chǎn)生的熱。使用圖1中所示的現(xiàn)有技術(shù)的散熱器110時(shí)，增加散熱通常要求增大平底板150和/或翼片陣列160的表面積。這又導(dǎo)致耗用更多的母板使用區(qū)。通常，微處理器120(其為熱源)具有比圖1中所示的散熱器110的平底板150構(gòu)型更小的覆蓋區(qū)尺寸。平底板150的覆蓋區(qū)尺寸較大，就會(huì)造成平底板的最外部分(未直接與集成電路裝置接觸的部分)的溫度比平底板150的直接與集成電路裝置接觸的部分低得多。因此，帶有較大平底板150的現(xiàn)有技術(shù)的散熱器110不能有效地散發(fā)由集成電路裝置產(chǎn)生的熱。此外，封裝單元和集成電路裝置的尺寸在減小，而由這些部件所產(chǎn)生的熱量在增加。現(xiàn)有技術(shù)的散熱器110的構(gòu)型要求翼片陣列160延伸至平底板150的邊緣以便從集成電路裝置上排熱。另外，現(xiàn)有技術(shù)的散熱器110要求增加翼片陣列160的尺寸以便增大散熱能力。為了沿側(cè)向增大翼片120，平底板150不得不增大尺寸。增大平底板150就會(huì)耗用更多的母板使用區(qū)。在系統(tǒng)封裝密度隨著連續(xù)每一代性能更高的集成電路裝置的出現(xiàn)而不斷增加的環(huán)境中，耗用更多的母板使用區(qū)通常并不可行。另外，現(xiàn)有技術(shù)的散熱器100的平底板150的構(gòu)型具有比上面安裝著它的集成電路裝置更大的覆蓋區(qū)尺寸(平底板110與上面安裝著它的集成電路裝置處于同一水平)。底板150的覆蓋區(qū)尺寸較大，就會(huì)阻礙母板部件，例如低成本電容器，置于集成電路裝置的上面或周圍。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的散熱裝置200的軸測圖。圖2中所示的散熱裝置200包括一導(dǎo)熱柱210和一傳導(dǎo)熱交換部分220。在一些實(shí)施例中，傳導(dǎo)熱交換部分220包括一翼片陣列230。導(dǎo)熱柱210具有基本上為平面的頂面240和底面250。頂面240置于底面250的對面。底面250適于接觸集成電路裝置。柱210具有一軸線270。頂面240和底面250可以基本上垂直于軸線270。
包括翼片陣列230的傳導(dǎo)熱交換部分220從柱210的頂面240向上延伸，在這里可以容許安裝于印刷電路板上的部件置于集成電路裝置周圍。包括陣列230的熱交換部分220還在其內(nèi)具有一室245，以便容放一空氣運(yùn)動(dòng)裝置例如風(fēng)扇，從而通過將冷卻介質(zhì)例如空氣280引入室245內(nèi)并推動(dòng)空氣四面八方地290穿過翼片陣列230來增強(qiáng)集成電路裝置的散熱作用。
向上延伸的熱交換部分220和陣列230懸于柱210之上，以便使得部件能夠置于集成電路裝置的周圍。另外，包括向上延伸的熱交換部分220和陣列230的柱210具有足夠的尺寸，以便使得它們不會(huì)與需要置于集成電路裝置周圍的部件形成機(jī)械干涉。在一些實(shí)施例中，柱210和傳導(dǎo)熱交換部分220的構(gòu)造設(shè)置使得柱聯(lián)接于集成電路裝置上而不會(huì)在熱交換部分220和安裝于印刷電路板上的其它部件之間發(fā)生干涉。在一些實(shí)施例中，包括陣列230的熱交換部分220繼續(xù)延伸以便使得延伸的熱交換部分懸在置于集成電路裝置周圍的部件之上。向上延伸的熱交換部分220和陣列230可具有外形例如圓形、方形、矩形、橢圓形和/或任何其它適用于集成電路裝置散熱的形狀。散熱裝置200可由例如銅、鋁之類的材料和/或其它適用于集成電路裝置散熱的材料制成。集成電路裝置可為微處理器、數(shù)字信號處理器和/或?qū)Ｓ眉呻娐贰?br> 圖3是一種電子系統(tǒng)300的軸測圖，示出了圖2中所示的增強(qiáng)型散熱裝置200，其連接于組合式母板320上的微處理器310上。在圖3中所示的示例性實(shí)施例中，微處理器310具有前側(cè)330和后側(cè)340。前側(cè)330與后側(cè)340相對。前側(cè)330連接于包括部件例如低成本電容器350和其它此類電子部件的母板320上。增強(qiáng)型散熱裝置200的如圖2中所示的底面250連接于微處理器310的后側(cè)340上。從圖3中可以看出，熱交換部分220和陣列230向上延伸以便使得它們的尺寸和形狀足以容許安裝于母板320上的低成本電容器350能夠置于微處理器310的周圍。還可以看出，低成本電容器350位于熱交換部分220和陣列230的下方以及柱210的周圍。
還可以想象，柱210的底面250的尺寸與微處理器的后側(cè)340相同，以便使散熱裝置200的散熱特征最大化。另外，從圖3中可以看出，包括陣列230的熱交換部分220大于柱210，因而可以增加散熱率而不會(huì)再增加散熱裝置200的柱210的覆蓋區(qū)尺寸超過微處理器310的后側(cè)340。柱210的覆蓋區(qū)尺寸與微處理器310的后側(cè)340相一致就會(huì)使得柱210與微處理器310的后側(cè)340具有相同的傳熱率。這又會(huì)顯著增加柱210與微處理器310的后側(cè)340之間的傳熱效率。柱210與微處理器310的后側(cè)340之間的傳熱率還可通過使用熱脂層和/或?qū)嵴辰Y(jié)材料層將柱210與后側(cè)340熱聯(lián)接在一起而進(jìn)一步增加。另外，圖3中還示出了一置于室245內(nèi)的空氣運(yùn)動(dòng)裝置例如風(fēng)扇360以便增大散熱裝置200的散熱率。
圖4是一種示例性方法400的流程圖，其用于形成圖2中所示的散熱裝置200以便從集成電路裝置上排熱，從而使得散熱裝置200能夠容許部件置于集成電路裝置的周圍。圖4中所示的方法400從形成一包括基本上為平面的頂面和底面的導(dǎo)熱柱的動(dòng)作410開始。底面適于與集成電路裝置相接觸。頂面位于底面的對面。所形成的柱可為一基座。集成電路裝置可以包括例如微處理器、數(shù)字信號處理器和/或?qū)Ｓ眉呻娐返难b置。
方法400的下一動(dòng)作420包括形成一包括翼片陣列的熱交換部分以便使得熱交換部分和陣列具有一足以容放所形成的柱并將其保持就位的通孔。在一些實(shí)施例中，包括陣列和通孔的熱交換部分在單次操作中使用擠壓方法而形成。在一些實(shí)施例中，通孔可以在形成熱交換部分和陣列后通過鉆孔或鏜孔操作而形成。在一些實(shí)施例中，通孔基本上形成于熱交換部分的中間。通孔具有一基本上平行于陣列的軸線。另外，軸線基本上位于通孔的中心。在一些實(shí)施例中，所形成的陣列按照例如直形、圓形、半圓形之類的構(gòu)型和/或其它此類適用于集成電路裝置散熱的構(gòu)型而向上延伸。在一些實(shí)施例中，所形成的包括陣列的熱交換部分具有的外形為圓形、方形、矩形、橢圓形和/或其它此類適用于集成電路裝置的形成和散熱的形狀。
下一動(dòng)作430包括在熱交換部分、陣列及通孔內(nèi)形成一室。室的尺寸適于容放一空氣運(yùn)動(dòng)裝置以便使得利用通過空氣運(yùn)動(dòng)裝置引入的空氣來增強(qiáng)散熱裝置的散熱能力。在一些實(shí)施例中，室利用鉆孔操作而形成。室基本上與通孔同心?？諝膺\(yùn)動(dòng)裝置可為一風(fēng)扇。
下一動(dòng)作440包括將熱交換部分與柱形成熱聯(lián)接。在一些實(shí)施例中，柱的頂面與通孔形成熱聯(lián)接。在一些實(shí)施例中，這可通過對擠壓成的通孔進(jìn)一步進(jìn)行鏜制以便使得當(dāng)柱的頂面插入經(jīng)過鏜制的通孔中時(shí)，可在通孔和柱之間形成機(jī)械干涉配合而得以實(shí)現(xiàn)。在一些實(shí)施例中，柱和熱交換部分利用導(dǎo)熱粘結(jié)材料和/或任何其它可在柱與熱交換部分之間提供所需熱聯(lián)接的適用材料而形成熱聯(lián)接。散熱裝置可由例如銅、鋁的材料和/或其它此類適用于集成電路裝置散熱的材料形成。在一些實(shí)施例中，柱與包括陣列的熱交換部分形成熱聯(lián)接以便使得當(dāng)散熱裝置安裝于集成電路裝置上時(shí)，熱交換部分懸在柱之上以容許部件置于集成電路裝置周圍。
圖5、6、7、8和9示出了形成圖2中所示的散熱裝置的一個(gè)示例性實(shí)施例。圖5和6示出了利用擠壓方法由毛坯形成帶有一半徑為R1的通孔510的翼片陣列230。圖7和8示出了利用鏜孔操作形成熱交換部分220及位于熱交換部分220與陣列230內(nèi)的半徑為R2的室245。圖9示出了利用熱交換部分220內(nèi)的通孔510將柱210與熱交換部分220形成熱聯(lián)接，以便使得柱的頂面240緊密靠近室245。在一些實(shí)施例中，形成的室245和通孔510與軸線270同心。在一些實(shí)施例中，室245和通孔510分別基本上位于熱交換部分220和柱210的中間。
圖10和11示出了利用沖擊擠壓方法形成圖2中所示的散熱裝置200的另一個(gè)示例性實(shí)施例。圖10示出了通過撞擊位于兩個(gè)相對的模具1010和1020之間的冷金屬塊而形成散熱裝置200，其中模具1010和1020具有與圖2中所示的散熱裝置200的間距、排列、高度和寬度相對應(yīng)的空腔區(qū)域。沖擊擠壓為一種通過打擊容放于兩個(gè)相對的模腔1010和1020之間的金屬塊1000而產(chǎn)生成品加工件的成形方法。在沖擊擠壓過程中，金屬塊1000通過一次高速?zèng)_擊而被迫在相對模腔1010和1020之間流動(dòng)。沖擊擠壓也稱作微鍛，其通常為一種冷鍛技術(shù)。沖擊擠壓方法使得能夠批量生產(chǎn)帶有精確而且超細(xì)的零件的組件，而這點(diǎn)利用常規(guī)擠壓和鍛造方法通常不能實(shí)現(xiàn)。沖擊擠壓通常用于生產(chǎn)不需要任何后續(xù)機(jī)加工操作的成品組件。利用沖擊擠壓所生產(chǎn)的成品通常具有高的抗腐蝕能力。另外，沖擊擠壓在成品組件中產(chǎn)生了均質(zhì)且不失真的顆粒和微觀結(jié)構(gòu)。圖11示出了在兩個(gè)相對的模腔1010和1020之間完成了單次高速?zèng)_擊后所形成的散熱裝置200。
結(jié)論其中，上述方法和裝置提供了一種增強(qiáng)型散熱裝置，包括一位于內(nèi)部的室的其翼片從導(dǎo)熱柱向外向上延伸，這樣就可以容許電子部件置于微處理器的周圍，同時(shí)通過利用目前可用的大批量制造技術(shù)而保持高性能和高成本效率。
權(quán)利要求
1.一種散熱裝置，用于從安裝于印刷電路板上并被其它部件所包圍的集成電路裝置進(jìn)行散熱，其包括一導(dǎo)熱柱，具有基本上為平面的頂面和底面，其中底面適于接觸集成電路裝置；以及一導(dǎo)熱熱交換部分，其從柱的頂面向上延伸，柱和熱交換部分的構(gòu)造設(shè)置使得柱與集成電路裝置相聯(lián)接而不會(huì)在熱交換部分和安裝于印刷電路板上的其它部件之間發(fā)生干涉，熱交換部分在其內(nèi)具有一室以便容放一空氣運(yùn)動(dòng)裝置，空氣運(yùn)動(dòng)裝置的構(gòu)造設(shè)置用于使空氣循環(huán)流過翼片上以增強(qiáng)散熱裝置的散熱作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，傳導(dǎo)熱交換部分包括一翼片陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，頂面置于底面的對面，并且其中包括陣列的傳導(dǎo)熱交換部分從柱的頂面向上延伸，包括包括陣列的向上延伸的熱交換部分懸于柱之上，以便使得部件能夠置于集成電路裝置的周圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，柱和包括陣列的向上延伸的熱交換部分具有足夠的尺寸，以便使得它們不會(huì)與需要置于集成電路裝置周圍的部件形成機(jī)械干涉。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，散熱裝置的外形選自圓形、方形、矩形、橢圓形和適用于散熱器的其它此類形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，包括陣列的熱交換部分從頂面向上延伸，包括包括陣列的熱交換部分向上延伸以便使得延伸的熱交換部分懸在置于集成電路裝置周圍的部件之上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，散熱裝置由選自銅、鋁和其它適用于從集成電路裝置散熱的此類材料中的材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，集成電路裝置為一微處理器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，集成電路裝置為一數(shù)字信號處理器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，集成電路裝置包括一專用集成電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，空氣運(yùn)動(dòng)裝置包括一風(fēng)扇。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，包括陣列的熱交換部分與柱的頂面形成熱聯(lián)接。
13.一種電子系統(tǒng)，包括一印刷電路板，具有至少一個(gè)集成電路裝置，其中集成電路裝置具有一前側(cè)和一后側(cè)，并且其中前側(cè)安裝于印刷電路板上；一散熱裝置，包括一導(dǎo)熱柱，具有基本上為平面的頂面和底面，其中底面的形狀基本上與集成電路裝置的后側(cè)相似，其中底面熱聯(lián)接于集成電路裝置的后側(cè)上；以及一傳導(dǎo)熱交換部分，從柱的頂面向上延伸，以便使得熱交換部分和柱為鄰近集成電路裝置安裝于印刷電路板上的部件留有空間，熱交換部分在其內(nèi)具有一室以便容放一空氣運(yùn)動(dòng)裝置，空氣運(yùn)動(dòng)裝置的構(gòu)造設(shè)置用于使空氣從四面八方移過室以增強(qiáng)散熱裝置的散熱作用。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，集成電路裝置為一微處理器。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，空氣運(yùn)動(dòng)裝置為一風(fēng)扇，其中風(fēng)扇置于室內(nèi)以便增強(qiáng)散熱裝置的散熱作用。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，散熱裝置由選自銅、鋁和其它適用于從集成電路裝置散熱的此類材料中的材料制成。
17.一種用于形成一散熱裝置的方法，該散熱裝置用于從連接于印刷電路板上并被其它部件包圍的集成電路裝置上排熱，包括形成一導(dǎo)熱柱和一熱交換部分，導(dǎo)熱柱包括一適于接觸集成電路裝置的基本上為平面的表面，而熱交換部分在其內(nèi)具有一室以便容放一空氣運(yùn)動(dòng)裝置從而使得空氣移過陣列以增強(qiáng)裝置的散熱作用，并且包括陣列的熱交換部分還從柱向上延伸以便使得包括陣列的熱交換部分不會(huì)與安裝于印刷電路板上的其它部件發(fā)生干涉。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，形成包括熱交換部分和陣列的導(dǎo)熱柱的過程包括使用沖擊擠壓方法來形成包括熱交換部分和陣列的導(dǎo)熱柱。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，形成包括陣列的熱交換部分的過程包括形成包括陣列的熱交換部分以便使得包括陣列的熱交換部分懸于該柱之上，從而容許部件置于集成電路裝置周圍。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，形成散熱裝置的過程包括形成散熱裝置以便使得散熱裝置的外形選自圓形、方形、矩形、橢圓形和適用于散熱器的其它此類形狀。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，散熱裝置由選自銅、鋁和/或其它適用于從集成電路裝置散熱的此類材料中的材料制成。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，集成電路裝置為一微處理器。
23.一種用于形成一散熱裝置的方法，該散熱裝置用于從連接于印刷電路板上并被其它部件包圍的集成電路裝置上排熱，包括形成一導(dǎo)熱柱，導(dǎo)熱柱包括基本上為平面的頂面和底面，其中頂面置于底面的對面，其中底面適于與集成電路裝置保持熱接觸；形成一熱交換部分，熱交換部分包括一翼片陣列和一基本上位于熱交換部分中間的通孔，并且其中通孔的軸線基本上平行于翼片陣列；在包括陣列和通孔的熱交換部分內(nèi)形成一室以便接納和容放一空氣運(yùn)動(dòng)裝置，從而通過利用空氣運(yùn)動(dòng)裝置所產(chǎn)生的空氣運(yùn)動(dòng)而增強(qiáng)裝置的散熱作用；以及將柱與熱交換部分中的通孔形成熱聯(lián)接，以便使得柱的頂面緊靠該室，并且包括陣列的熱交換部分還從柱的頂面向上延伸以使得包括陣列的柱不會(huì)與安裝于印刷電路板上的其它部件發(fā)生干涉。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，形成包括陣列和通孔的熱交換部分的過程包括使用擠壓方法來形成包括陣列和通孔的熱交換部分。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，形成位于熱交換部分內(nèi)的室的過程包括利用鉆孔操作來形成位于熱交換部分內(nèi)的室。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，形成包括陣列的熱交換部分的過程包括形成包括陣列的熱交換部分以便使得包括陣列的熱交換部分懸于該柱之上，從而容許部件置于集成電路裝置周圍。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，形成沿徑向向上延伸的陣列的過程包括形成陣列以便使得翼片陣列按照選自直形、圓形、半圓形和其它此類適用于從集成電路裝置散熱的構(gòu)型中的構(gòu)型向上延伸。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，形成散熱裝置的過程包括形成散熱裝置以便使得散熱裝置的外形選自圓形、方形、矩形、橢圓形和適用于散熱器的其它此類形狀。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，散熱裝置由選自銅、鋁和/或其它適用于從集成電路裝置散熱的此類材料中的材料制成。
30.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，集成電路裝置為一微處理器。
31.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，集成電路裝置為一數(shù)字信號處理器。
32.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，空氣運(yùn)動(dòng)裝置為一風(fēng)扇。
33.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，柱為一基座。
全文摘要
一種用于從集成電路裝置上排熱的散熱系統(tǒng)和方法包一導(dǎo)熱柱，導(dǎo)熱柱具有基本上為平面的頂面和底面，其中頂面置于底面的對面，并且其中底面適于與集成電路裝置相接觸。一包括一翼片陣列的熱交換部分從柱的頂面向上延伸，從而可以容許安裝于印刷電路板上的部件置于集成電路裝置的周圍。包括陣列的熱交換部分在其內(nèi)具有一室以便容放一空氣運(yùn)動(dòng)裝置，從而利用通過空氣運(yùn)動(dòng)裝置引入翼片周圍的空氣而增強(qiáng)散熱裝置的散熱作用。
文檔編號H01L23/467GK1630944SQ02814437
公開日2005年6月22日 申請日期2002年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月18日
發(fā)明者C·蘭德勒曼, S·李, L·波拉 申請人:英特爾公司