專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法，特別是涉及用去引線縮小封裝外形減少安裝面積，能夠大幅度降低成本的半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造中，進(jìn)行以下的工藝，判斷形成在晶片上的一個個半導(dǎo)體芯片是否良好，把從晶片切割分離了的半導(dǎo)體芯片固定在引線框上，通過由模具和樹脂注入進(jìn)行的傳遞模塑把固定在引線框上的半導(dǎo)體芯片密封，把被密封了的半導(dǎo)體芯片分離為一個個半導(dǎo)體器件。該引線框使用矩形或者環(huán)形的框，在每一種情況下都是在一次密封工藝中同時密封多個半導(dǎo)體器件。
圖13示出形成在晶片上的半導(dǎo)體芯片的檢查工藝。在該工藝中，判斷形成在晶片上的一個個半導(dǎo)體芯片1的優(yōu)良與不良。首先，進(jìn)行晶片的位置確認(rèn)，探針的針14被送出芯片尺寸的距離，接觸各個半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤。而且，在該狀態(tài)下，預(yù)先從輸入電極焊盤輸入被程序化了的輸入信號波形，從輸出端子輸出一定的信號波形，測試器讀取該信號進(jìn)行優(yōu)良、不良的判斷。這里，被判斷為不良的半導(dǎo)體芯片1被打印標(biāo)記，在把半導(dǎo)體芯片1固定在引線框上的時候，確認(rèn)用照相機(jī)識別該打印標(biāo)記去除不良的半導(dǎo)體芯片1。
圖14示出傳遞模塑工藝。在傳遞模塑工藝中，把通過芯片粘合，線粘合固定了半導(dǎo)體芯片1的引線框2設(shè)置在由上下模具3A、3B形成的空腔4的內(nèi)部，通過在空腔4內(nèi)注入環(huán)氧樹脂，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片1的密封。在這樣的傳遞模塑工藝以后，把引線框2按照各個半導(dǎo)體芯片1切斷，制造單獨的半導(dǎo)體器件(例如特開平05-129473號)。
這時，如圖15所示，在模具3B的表面設(shè)置多個空腔4a～4f，用于輸入樹脂的樹脂源5，橫澆口6以及用于從橫澆口6向各個空腔4a～4f流入樹脂的澆口7。這些全部是設(shè)置在模具3B表面上的槽。如果是矩形的引線框，則在一個引線框上搭載10個半導(dǎo)體芯片1，對應(yīng)于一個引線框，設(shè)置10個空腔4和10個澆口7以及1個橫澆口6。而且，在模具3表面上例如設(shè)置與20個引線框相當(dāng)?shù)目涨?。
在傳遞模塑以后從引線框切斷各個半導(dǎo)體芯片1，分離為一個個半導(dǎo)體器件。該一個個半導(dǎo)體器件進(jìn)而在測定工藝中按特性差(hfe級別差)分類，捆扎后出廠。
圖16示出通過上述的傳遞模塑制造的半導(dǎo)體器件。形成了晶體管等元件的半導(dǎo)體芯片1在引線框的島8上由焊錫等焊料9固定安裝，用線11連接半導(dǎo)體芯片1的電極焊盤與引線10。半導(dǎo)體芯片1的周邊部分由與上述空腔形狀一致的樹脂12覆蓋，在樹脂12的外部導(dǎo)出引線端子10的前端部分。
在以往的通過傳遞模塑制造單獨的半導(dǎo)體器件的方法中，由于在傳遞模塑后分離為各個半導(dǎo)體器件而比較凌亂，因此需要使各個半導(dǎo)體器件沿一定的方向聚齊個別地進(jìn)行特性的測定，具有要求過多的工藝并且浪費時間的缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的問題而產(chǎn)生的，其目的在于提供一各可克服上述缺點的半導(dǎo)體器件的制造方法，本發(fā)明的特征在于在把搭載了多個半導(dǎo)體芯片的陶瓷或者玻璃環(huán)氧等構(gòu)成的絕緣基板粘貼在粘合片上的狀態(tài)下，切割以后不分離為單個的半導(dǎo)體器件，用識別用照相機(jī)把一個半導(dǎo)體器件的基板電極進(jìn)行位置識別，對其位置識別了的半導(dǎo)體器件進(jìn)行特性(hfe級別差)的判斷，同時對位于其周圍的的多個半導(dǎo)體器件不進(jìn)行位置識別而進(jìn)行特性(hfe級別差)的判斷。
另外本發(fā)明中的特征在于，由于使用由陶瓷或玻璃環(huán)氧等構(gòu)成的絕緣基板，因此伸縮率比以往的硅基板增大，極板間的間隔將產(chǎn)生微小的偏移，因此通過遮擋把識別用照相機(jī)的視野取為一個半導(dǎo)體器件的大小，能夠更進(jìn)一步提高位置識別的精度。另外，不僅如此，通過減小位置識別的面積能夠?qū)崿F(xiàn)縮短位置識別時間。
進(jìn)而本發(fā)明的特征在于，固定進(jìn)行半導(dǎo)體器件測定時使用的識別用照相機(jī)和探針的針的位置，使形成了半導(dǎo)體器件的基板移動。由此，由于提高位置識別的精度，還將提高作業(yè)速度，因此能夠極其容易而且大量地進(jìn)行半導(dǎo)體器件的特性測定。而且，通過識別一個半導(dǎo)體芯片的電極焊盤，從圖形處理裝置取入來自目標(biāo)位置的偏移，加入其偏移部分，使下一個半導(dǎo)體芯片移動，由此能夠經(jīng)常邊修正位置偏移邊進(jìn)行位置識別。


圖1是用于說明本發(fā)明的制造方法的透視圖。
圖2是用于說明本發(fā)明的制造方法的(A)平面圖(B)剖面圖。
圖3是用于說明本發(fā)明的制造方法的平面圖。
圖4是用于說明本發(fā)明的制造方法的剖面圖。
圖5是用于說明本發(fā)明的制造方法的(A)剖面圖(B)剖面圖。
圖6是用于說明本發(fā)明的制造方法的(A)剖面圖(B)平面圖。
圖7是用于說明本發(fā)明的制造方法的(A)剖面圖(B)平面圖。
圖8是用于說明本發(fā)明的制造方法的(A)剖面圖(B)平面圖。
圖9是用于說明本發(fā)明的制造方法的(A)平面圖(B)剖面圖。
圖10是用于說明本發(fā)明的制造方法的(A)剖面圖(B)平面圖。
圖11是用于說明本發(fā)明的制造方法的(A)平面圖(B)剖面圖(C)剖面圖。
圖12是用于說明本發(fā)明的制造方法的(A)透視圖(B)透視13是用于說明以往例的平面圖。
圖14是用于說明以往例的剖面圖。
圖15是用于說明以往例的平面圖。
圖16是用于說明以往例的剖面圖。
發(fā)明的
具體實施例方式
以下詳細(xì)地說明本發(fā)明的實施形態(tài)。
本發(fā)明的第1工藝如從圖1至圖3所示，準(zhǔn)備具有多個搭載部分的基板。
首先，如圖1所示，準(zhǔn)備排列了多個對應(yīng)于1個半導(dǎo)體器件的搭載部分20的，例如，以10行10列縱橫排列了100個的大塊基板21。基板21是由陶瓷或玻璃環(huán)氧等制成的絕緣基板，把它們的一片或者多片重疊起來，具有總計板厚200～350μm可以維持制造工藝中的機(jī)械強(qiáng)度的板厚。
在基板21的各個搭載部分20的表面上，形成鎢等金屬膠的印刷和通過金的電鍍形成的導(dǎo)電圖形。另外，在基板21的背面一側(cè)，形成作為外部連接電極的電極圖形。
圖2(A)是示出形成在基板21表面的導(dǎo)電圖形的平面圖，圖2(B)是基板21的剖面圖。
用虛線包圍的各個搭載部分20例如具有長邊×短邊1.0mm×0.8mm的矩形形狀，它們相互隔開20～50μm的間隔縱橫地排列。上述間隔成為后述工藝中的切割線24。導(dǎo)電圖形在各個搭載部分20內(nèi)形成島形部分25和引線部分26，這些圖形在各個搭載部分20內(nèi)是相同形狀。島形部分25是搭載半導(dǎo)體芯片的位置，引線部分26是與半導(dǎo)體芯片的電極焊盤線連接的位置。從島形部分25以2條第1連接部分27連接了的圖形延長。它們的線寬比島形部分25窄，例如以0.1mm線寬延長。第1連接部分27跨過切割線24與相鄰的搭載部分20的引線部分26連接。進(jìn)而，從引線部分26各個第2連接部分28沿著與第1連接部分27垂直的方向延伸，跨過切割線24與相鄰的搭載部分20的引線部分26連接。第2連接部分28進(jìn)而連接包圍搭載部分20群的周圍的共同連接部分29。這樣通過第1和第2連接部分27，28延伸，把各個搭載部分20的島形部分25與引線部分26電氣地共同連接起來。這是為了在進(jìn)行金等電鍍時作為共同電極。
參照圖2(B)，在絕緣基板21上，在每個搭載部分20中設(shè)置通孔30。通孔30的內(nèi)部埋設(shè)鎢等導(dǎo)電材料。而且，對應(yīng)于各個通孔30，在背面一側(cè)形成外部電極31。
圖3是示出了從背面一側(cè)觀測基板21時外部電極31a～31d的圖形的平面圖。這些外部電極31a、31b、31c、31d從搭載部分20的邊緣后退0.05～0.1mm左右，而且以各自獨立的圖形形成。盡管如此，在電氣上經(jīng)過各個通孔30連接到共同連接部分29。由此，在把導(dǎo)電圖形作為一個電極的電鍍法中，能夠在所有的導(dǎo)電圖形上形成鍍金層。另外，橫斷切割線24能夠只作成線寬窄的第1和第2連接部分27，28。
本發(fā)明的第2工藝如圖4所示，是在搭載部分的每一個上固定半導(dǎo)體芯片，進(jìn)行線連接。
形成了鍍金層的基板21的各個搭載部分20，把半導(dǎo)體芯片33進(jìn)行芯片粘合或者線粘合。半導(dǎo)體芯片33在島形部分25的表面上由Ag膠等粘接劑固定，用各條線34連接半導(dǎo)體芯片33的電極焊盤與引線部分32a，32b。作為半導(dǎo)體芯片33，形成雙極型晶體管，功率MOSFET等3端子的有源元件。搭載了雙極型元件的情況下，連接在島形部分25的外部電極31a，31b是集電極端子，連接在引線部分26的外部電極31c，31d成為基極·發(fā)射極電極。
其次，本發(fā)明的第3工藝如圖5所示，用樹脂層覆蓋基板表面，用共同的樹脂層覆蓋固定在各個搭載部分的半導(dǎo)體芯片的每一個。
如圖5(A)所示，從移動到基板21上方的調(diào)合器(未圖示)滴下一定量的環(huán)氧系列液體樹脂(澆注封裝)，用共同的樹脂層35覆蓋所有的半導(dǎo)體芯片33。例如，在一片基板21上搭載了100個半導(dǎo)體芯片33的情況下，把所有的100個半導(dǎo)體芯片33一起覆蓋。作為上述液體樹脂，使用例如CV576AN(松下電工制)。滴下的液體樹脂由于粘度比較高，具有表面張力，因此其表面彎曲。
接著，如圖5(B)所示，把滴下的樹脂層35通過100～200度，數(shù)小時的熱處理(熱化)使其硬化以后，通過磨削彎曲面把樹脂層35的表面加工為平坦面。磨削使用切割裝置，由切割刀片36切削樹脂層35的表面使樹脂層35的表面取齊并且從基板21高出一定的高度。在該工藝中，把樹脂層35的膜厚形成為0.3～1.0mm。平坦面擴(kuò)張到其端部，使得在至少把位于最外側(cè)的半導(dǎo)體芯片33分離為單獨的半導(dǎo)體器件時，可以構(gòu)成為標(biāo)準(zhǔn)化的封裝尺寸的樹脂外形。上述刀片中準(zhǔn)備多種板厚的刀片，使用比較厚的刀片，通過反復(fù)進(jìn)行切削，把總體形成平坦面。
另外，也可以考慮在把滴下的樹脂層35硬化之前，在樹脂層35的表面按壓平坦的成形材料形成平坦而且水平的面，然后進(jìn)行硬化的方法。
其次，本發(fā)明的第4工藝如圖6所示，使樹脂層35搭接到基板21上，粘貼粘合片50。
如圖6(A)所示，把基板21反轉(zhuǎn)，在樹脂層35的表面上粘貼粘合片50(例如，商品名稱UV片，リンテツク株式會社制)。通過在前面的工藝中把樹脂層35表面加工成平坦而且對于基板21的表面為水平的面，因此即使粘貼在樹脂層35一側(cè)也能夠使基板21不傾斜，維持其水平垂直的精度。
如圖6(B)所示，在不銹鋼制環(huán)形金屬框51上粘貼粘合片50的周邊，在粘合片50的中央部分設(shè)置間隔粘貼6個基板21。
其次，本發(fā)明的第5工藝如圖7所示，從基板的背面一側(cè)，在每個搭載部分，切割基板和樹脂層，分離為一個個半導(dǎo)體器件。
如圖7(A)所示，在每個搭接部分20切斷基板以及樹脂層35分離為各個半導(dǎo)體器件。切割使用切割裝置的切割刀片36，沿著切割線24同時切割樹脂層35和基板21，由此形成在每個搭載部分20分割了的半導(dǎo)體器件。在切割工藝中上述切割刀片36以達(dá)到粘合片50的表面的切削深度進(jìn)行切割。這時，在切割裝置一側(cè)能夠從基板21的背面一側(cè)自動識別能夠觀測的標(biāo)志(例如，形成在基板21的周邊部分的貫通孔或者鍍金層的一部分)，以其作為基準(zhǔn)進(jìn)行切割。另外，電極圖形31a，31b，31c，31d或者島形部分25采用不接觸切割刀片36的圖形設(shè)計。其目的是因為鍍金層的切斷性比較差，因而盡量防止產(chǎn)生鍍金層毛邊。從而，切割刀片36與鍍金層接觸的部分僅是以導(dǎo)電為目的的第1和第2連接部分27，28。
如圖7(B)所示，四邊粘貼在金屬框51上的粘合片50上所粘貼的多片基板21按照每一片識別切割線24，用切割裝置沿著縱方向的各條切割線24進(jìn)行分離，接著把金屬框51旋轉(zhuǎn)90度沿著行方向的各條切割線24進(jìn)行分離。通過切割被分離了的各個半導(dǎo)體器件用粘接劑以其原來的狀態(tài)粘貼到粘合片50上，而不是被單個散亂地分離。
其次，本發(fā)明第6工藝是作為本發(fā)明特征的工藝，如圖8(A)，(B)所示，進(jìn)行被一體地支撐在粘合片50上的切割后的各個半導(dǎo)體器件特性的測定。
如圖8(A)所示，在從被一體地支撐在粘合片50上的各個半導(dǎo)體器件的基板21露出到背面一側(cè)的外部電極31a～31d上接觸探針的針52，單個測定各個半導(dǎo)體器件的特性參數(shù)進(jìn)行優(yōu)良與不良以及不同特性(hfe等級差)的判斷。由于基板21使用陶瓷或者玻璃環(huán)氧等構(gòu)成的絕緣基板，因此考慮到在制造工藝中由于伸縮引起的基板大小的分散性或者為了用粘合片50支撐產(chǎn)生的微小位置偏移，檢測外部電極31a～31d的位置偏移，在進(jìn)行位置修正的同時使探針的針52接觸外部電極31a～31d進(jìn)行測定。
如圖8(B)所示，由于在金屬框51上粘貼著多片基板21，在切割工藝的狀態(tài)下支撐著單個的半導(dǎo)體器件，因此可以不需要半導(dǎo)體器件正反面的判斷以及外部電極的發(fā)射極、基極、集電極等的類別或者方向的判斷。該測定按各個基板21沿著箭頭方向一行行地順序進(jìn)行，如果到達(dá)邊緣部分則返回到起始端后移動到下一行。金屬框51邊進(jìn)行一個半導(dǎo)體器件的尺寸部分的位置修正邊向行方向生成給進(jìn)間距，如果到達(dá)邊緣部分則沿著列方向移動，再次向行方向生成給進(jìn)間距，由此能夠極其容易地大量地進(jìn)行。
具體地講，如圖9(A)以及(B)所示，識別用照相機(jī)54把半導(dǎo)體器件40a捕捉到照相機(jī)視野53的中心進(jìn)行位置識別，這時，照相機(jī)視野53除去多個半導(dǎo)體器件40a以外同時捕捉其周圍的半導(dǎo)體器件40b，40e等。然而，在該識別用照相機(jī)54的透鏡中，進(jìn)行遮擋使得照相機(jī)視野53的中心中成為一個半導(dǎo)體器件部分的視野。因此，照相機(jī)視野53能夠可靠地捕捉半導(dǎo)體器件40a，能夠進(jìn)一步提高位置識別的精度。特別是，由于很小地密集形成半導(dǎo)體器件40的尺寸，因此位置識別多少有偏移，由于在與周圍的半導(dǎo)體器件的同時測定時將產(chǎn)生干擾，所以位置識別的精度很重要。
而且，在首先進(jìn)行半導(dǎo)體器件40c的位置識別，進(jìn)行了位置修正以后，探針的針52接觸相鄰的半導(dǎo)體器件40b，40c，40d，40e的電極焊盤，測定這些半導(dǎo)體器件的特性。這時，承認(rèn)周圍的半導(dǎo)體器件40b，40c，40d，40e的位置識別具有允許范圍內(nèi)的位置偏移而省略，由于僅進(jìn)行特性的測定因此帶來生產(chǎn)性的提高。
其次，在半導(dǎo)體器件40b，40c，40d，40e的測定中位置識別下一個進(jìn)行測定的半導(dǎo)體器件40a檢測微小的位置偏移。修正該位置偏移使探針的針52接觸包括下一個半導(dǎo)體器件40a在內(nèi)的與其周圍相鄰的多個半導(dǎo)體器件的電極焊盤，測定這些半導(dǎo)體器件的特性。把該作業(yè)反復(fù)了一列以后，跳過一列在下一列進(jìn)行相同的作業(yè)。通過該作業(yè)的反復(fù)進(jìn)行測定1個基板21的所有半導(dǎo)體器件40的特性。半導(dǎo)體器件40的測定結(jié)果存儲在測試器的存儲器中，把該測定結(jié)果移送到軟盤中，在以后的工藝作業(yè)中使用。
在測定的半導(dǎo)體器件40的特性的作業(yè)中，固定識別用照相機(jī)54以及探針的針52的位置。而且，通過移動固定半導(dǎo)體器件40的金屬框51，進(jìn)行該作業(yè)。而且，在位置識別作業(yè)中，識別1個半導(dǎo)體器件40的電極焊盤，從圖像處理裝置取入來自目標(biāo)位置的偏移量加入其偏移量部分，使下一個半導(dǎo)體器件40移動。
這里，敘述了位置識別1個半導(dǎo)體器件，進(jìn)行與該半導(dǎo)體器件相鄰的4個半導(dǎo)體器件的特性測定的情況，當(dāng)然并不特別必須是4個裝置，能夠不進(jìn)行位置識別而進(jìn)行最多10個半導(dǎo)體器件的特性測定。
進(jìn)而，本發(fā)明的第7工藝如圖9所示，直接把一體地支撐在粘合片50上的各個半導(dǎo)體器件40收容在承載帶41上。
如圖10(A)所示，一體地支撐在粘合片50上的測試完畢的各個半導(dǎo)體器件識別測定數(shù)據(jù)，通過吸附筒夾53從粘合片50脫離而收容到承載帶41的收容孔內(nèi)。
如圖10(B)所示，由于在金屬框51上粘貼著多片基板21，在切割的狀態(tài)下支撐單個半導(dǎo)體器件40，因此在向承載帶41收容時可以使金屬框51僅移動到所需要的半導(dǎo)體器件40的位置，能夠以所需要的最小限度的動作進(jìn)行，因此能夠極其容易地而且大量地進(jìn)行。
圖11示出在本工藝中使用的承載帶的(A)平面圖(B)AA線剖面圖(C)BB線剖面圖。帶本體41是膜厚0.5～1.0mm，寬度6～15mm，長度數(shù)十m的帶形的部件，材料是瓦楞紙板那樣的紙。在帶本體41上以一定的間隔穿設(shè)貫通孔42。另外，形成用于以一定的間隔送出帶本體41的送進(jìn)孔43。該貫通孔42和送進(jìn)孔43通過模具沖壓加工形成。帶本體41的膜厚與貫通孔42的尺寸設(shè)計成能夠收容要捆扎的電子部件40的大小。
在帶本體41的背面一側(cè)，粘貼透明薄膜形的第1條帶44并且填塞貫通孔42的底部。在帶本體41的表面一側(cè)，同樣粘貼透明薄膜形的第2條帶45并且填塞貫通孔43的上部。第2條帶45以側(cè)面部分附近的粘貼部分46與帶本體41粘貼。另外，第1條帶44也在與第2條帶45相同的位置與帶本體41粘貼。它們的粘貼從薄膜上部通過用具有對應(yīng)于粘貼部分46的加熱部分的部件熱壓進(jìn)行，這是通過兩者都拉引薄膜而能夠剝離的狀態(tài)下的粘貼。
最后，圖12是示出根據(jù)上述的工藝完成的各半導(dǎo)體器件的透視圖。在封裝周圍4側(cè)面由樹脂層35和基板21的剖面形成，封裝的上面由平坦化的樹脂層35的表面形成，封裝的下面由絕緣基板21的背面一側(cè)形成。
該半導(dǎo)體器件的長×寬×高具有例如1.0mm×0.6mm×0.5mm這樣的大小。在基板21上面覆蓋0.5mm左右的樹脂層35，密封半導(dǎo)體芯片33。半導(dǎo)體芯片33具有大約150μm左右的厚度。島形部分25與引線部分26從封裝的端面后退，僅第1與第2連接部分27、28的切斷部分露出到封裝側(cè)面。
外部電極31a～31d在基板21的4個角，以0.2×0.3mm左右的大小排列，對于封裝外形的中心線以成為左右(上下)相對的圖形排列。這種對稱排列由于難以進(jìn)行電極的極性判斷，因此最好是在樹脂層35的表面一側(cè)形成或者印刷凹部等，刻印表示極性的標(biāo)記。
由上述制造方法形成的半導(dǎo)體器件由于匯集多個元件用樹脂封裝，因此與一個個封裝的情況相比較，能夠減少無用的樹脂材料，降低材料費。另外，由于不使用引線框，因此與以往的傳遞模塑方法相比較，能夠大幅度減小封裝外形。進(jìn)而，由于外部連接用的端子形成在基板21的背面，并且不從封裝外形突出，因此能夠大幅度減小裝置的安裝面積。
進(jìn)而，上述制造方法不是在基板21一側(cè)而是在樹脂層35一側(cè)粘貼粘合片50進(jìn)行切割。例如粘貼在基板21一側(cè)的情況下，在剝離元件時粘合片50的粘接劑附著在電極圖形31a～31d的表面。如果在這種粘接劑殘留的狀態(tài)下把元件投入到自動安裝裝置中，則具有使安裝時的電極圖形31a～31d的焊接特性惡化的危險。另外，還有在電極圖形31a～31d表面粘附灰塵的危險。而如果依據(jù)本發(fā)明，通過粘貼在樹脂層35一側(cè)能夠消除這些弊端。
進(jìn)而，在樹脂層35一側(cè)粘貼粘合片50時，通過把樹脂層35的表面加工成水平而且平坦的面，能夠維持與在基板21一側(cè)粘貼粘合片50時相同的垂直水平精度。
另外，在上述實施例中說明了密封3端子元件形成4個外部電極的例子，而例如在密封2個半導(dǎo)體芯片或者密封集成電路的情況下也同樣能夠加以實施。
發(fā)明效果如果依據(jù)本發(fā)明，則第1，在半導(dǎo)體器件的特性測定作業(yè)中，特征在于首先用識別用照相機(jī)識別一個半導(dǎo)體器件，并且不識別與該半導(dǎo)體器件相鄰接的多個半導(dǎo)體器件而測定半導(dǎo)體器件的特性。由此，能夠縮短半導(dǎo)體器件的位置識別中的作業(yè)時間，能夠?qū)崿F(xiàn)極其富有批量生產(chǎn)性的半導(dǎo)體器件的制造方法。
第2，雖然識別用照相機(jī)在半導(dǎo)體器件的電極焊盤進(jìn)行位置識別，然而由于通過遮擋使得識別用照相機(jī)的視野在狹窄到一個半導(dǎo)體器件大小的狀態(tài)下進(jìn)行位置識別，因此能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體器件的位置識別精度的半導(dǎo)體器件的制造方法。
第3，在測定半導(dǎo)體器件的特性的作業(yè)中，固定識別用照相機(jī)以及探針的針的位置，通過固定著半導(dǎo)體器件的金屬框移動，進(jìn)行該作業(yè)。因此，在位置識別作業(yè)中，識別一個半導(dǎo)體器件的電極焊盤，從圖像處理裝置取入來自目標(biāo)位置的偏移量，加入其偏移部分使下一個半導(dǎo)體器件移動，因此能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體器件的識別位置精度的半導(dǎo)體器件的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件在具有多個搭載部分的基板的該搭載部分的每一個上固定半導(dǎo)體芯片，用共同的樹脂層把固定在上述各搭載部分的上述半導(dǎo)體芯片的每一個覆蓋以后，使上述基板與上述樹脂層搭接，粘貼在粘合片上，在粘貼在上述粘合片上的狀態(tài)下進(jìn)行切割以及測定，其特征在于對上述半導(dǎo)體芯片之一的上述基板的外部電極進(jìn)行位置識別，并且測定進(jìn)行了位置識別的上述半導(dǎo)體芯片，同時對位于其周圍的多個半導(dǎo)體芯片不進(jìn)行位置識別而進(jìn)行測定。
2.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述半導(dǎo)體芯片中，測定進(jìn)行了位置識別的半導(dǎo)體芯片，同時對位于其周圍的4個上述半導(dǎo)體芯片不進(jìn)行位置識別而進(jìn)行測定。
3.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于測定上述半導(dǎo)體芯片時，固定識別用照相機(jī)以及探針的位置，移動上述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行測定。
4.如權(quán)利要求3中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于上述識別用照相機(jī)在上述半導(dǎo)體芯片的上述基板的電極進(jìn)行位置識別時，上述識別用照相機(jī)的視野在通過遮擋狹窄到一個半導(dǎo)體芯片大小的狀態(tài)下進(jìn)行位置識別。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的制造方法,可以克服在通過以往的傳遞模塑制造單獨的半導(dǎo)體器件的方法中,由于在傳遞模塑以后凌亂地分離為一個個半導(dǎo)體器件,因此需要使各個半導(dǎo)體器件對準(zhǔn)一定的方向單獨地進(jìn)行特性的測定,增加多余的工藝并且浪費時間的缺點。本發(fā)明在粘貼在粘合片的狀態(tài)下測定一個個半導(dǎo)體器件40的特性。這時,一個個半導(dǎo)體器件40沿一定方向?qū)?zhǔn)并排列,進(jìn)而,用照相機(jī)視野53捕捉半導(dǎo)體器件40a進(jìn)行位置識別,省略與半導(dǎo)體器件40a相鄰接的半導(dǎo)體器件40b、40c、40d、40e的位置識別工藝。具有大幅度地縮短作業(yè)時間而且提高生產(chǎn)性的特征。
文檔編號H01L21/301GK1337739SQ01124759
公開日2002年2月27日 申請日期2001年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月3日
發(fā)明者池谷浩司 申請人:三洋電機(jī)株式會社