午夜毛片免费看,老师老少妇黄色网站,久久本道综合久久伊人,伊人黄片子

改進(jìn)的數(shù)字成像電路和方法

文檔序號(hào):6877288閱讀:227來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:改進(jìn)的數(shù)字成像電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及到數(shù)字成像電路,尤其是該電路中測(cè)試和/或一般模式操作的有效處理。
不同類型的數(shù)組成像電路在已有技術(shù)中是已知的,它們包括基于電容耦合器件(CCD)和基于有源像素傳感器(APS)的電路。電容耦合器件與有源像素傳感器之間的一個(gè)區(qū)別是,有源像素傳感器的每一像素單元包括諸如晶體管的有源器件,有源像素傳感器電路也因此而得名。一個(gè)典型的有源像素傳感器單元包括一個(gè)光電二極管和若干晶體管以及具有一個(gè)復(fù)位、行及列節(jié)點(diǎn)(見(jiàn)圖2)。盡管本發(fā)明特別地適用于有源像素傳感器,本發(fā)明的延時(shí)連續(xù)信號(hào)的傳播及其它方面也適用于其它數(shù)字成像電路個(gè)和存儲(chǔ)單元陣列。
有源像素傳感器一般在半導(dǎo)體介質(zhì)中生成。晶片中的每一有源像素傳感器都必須進(jìn)行專門的操作測(cè)試且有一定的舍棄率。很多導(dǎo)致舍棄或失效的問(wèn)題與金屬導(dǎo)電材料的完整性有關(guān)。完整性問(wèn)題通常來(lái)自三個(gè)方面(1)導(dǎo)致開路的導(dǎo)電材料中的空隙;(2)導(dǎo)致短路的外部的導(dǎo)電材料;(3)縱向?qū)拥母g,比如,由于絕緣層內(nèi)的針孔等。
目前各種金屬完整性測(cè)試在有源像素傳感器的導(dǎo)體中進(jìn)行。這些測(cè)試一般包括逐個(gè)并按順序選擇陣列中的每一行,以及對(duì)復(fù)位導(dǎo)體和列導(dǎo)體重復(fù)進(jìn)行相同的步驟。這種測(cè)試方案需要大量的時(shí)間來(lái)處理所有測(cè)試信號(hào)以及需要大量的邏輯去處理信號(hào)??梢岳斫?,在有源像素傳感器電路中大約2/3-3/4的芯片構(gòu)成有源像素傳感器,余下很少的空間給譯碼、測(cè)試和其它處理電路。另外,一些常規(guī)的測(cè)試用模擬信號(hào)來(lái)做,這還要求有模數(shù)轉(zhuǎn)換器和可編程的信號(hào)處理放大器。
對(duì)一般模式操作,特別是對(duì)復(fù)位信號(hào),本發(fā)明提供了比現(xiàn)有技術(shù)有源像素傳感器更快的信號(hào)處理方法。當(dāng)照“像”時(shí),基本上同時(shí)給定所有元件的復(fù)位信號(hào)(為減少整個(gè)圖像的梯度)以及要求這一信號(hào)給定不會(huì)造成不能接受的電流尖峰是必要的。一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)施方案順序使能或禁止元件的每一行。由于每行至少需要三個(gè)時(shí)鐘周期,每行要120ns,(在25mHz時(shí))對(duì)1280行的像素陣列需要154us。這不滿足相機(jī)銷售說(shuō)明書的50us或更少。另一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)實(shí)施方案發(fā)出全局復(fù)位(或使能/禁止)信號(hào)。盡管這樣滿足了時(shí)間要求,但寄生電容造成了5mA的電流尖峰,陣列的每一行就有6.4A的尖峰電流,這是不可接受的。
因此,需要以不帶來(lái)EMI的快速方式給定像素單元陣列的復(fù)位信號(hào)。
因此,本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種提供有效測(cè)試的帶有源像素傳感器的成像電路。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種提供有效測(cè)試行、復(fù)位和列導(dǎo)體帶有源像素傳感器的成像電路。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種提供快速使能/禁止并不產(chǎn)生不期望的EMI電平的方式的帶有源像素傳感器的成像電路。
本發(fā)明的這些目的及相關(guān)的目的將通過(guò)應(yīng)用這里描述的改進(jìn)的數(shù)字成像電路和方法來(lái)達(dá)到。
本發(fā)明可以在很多實(shí)施方案中實(shí)現(xiàn)。在至少一個(gè)實(shí)施方案中,本發(fā)明包括多個(gè)在每個(gè)特殊形式的導(dǎo)體,比如行、列、復(fù)位導(dǎo)體之間提供的選擇使能的耦合導(dǎo)體。耦合導(dǎo)體可以被使能,因此信號(hào)在一導(dǎo)體上的傳播就是在另一類似(或可能不相似)導(dǎo)體上的傳播。比如在測(cè)試模式中,這種結(jié)構(gòu)可以檢測(cè)金屬完整性故障。再比如在操作模式中這種結(jié)構(gòu)可以以不導(dǎo)致不希望的電流尖峰(電磁干擾)的快速方式提供全局信號(hào)。最好在導(dǎo)體的附近或端部提供耦合導(dǎo)體,以有效的生成連續(xù)的暫時(shí)的通過(guò)有源像素傳感器陣列形成蛇形方式的通用串行信號(hào)導(dǎo)體。這種可選的耦合結(jié)構(gòu)可提供給主導(dǎo)體類型的所有、部分或其中之一。
再閱讀隨后的附圖的詳細(xì)描述,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更清楚的獲得本發(fā)明如前所述及相關(guān)的優(yōu)越性和特點(diǎn)。


圖1是按照本發(fā)明的具有有效測(cè)試和操作的有源像素傳感器(APS)的示意圖。
圖2是圖1的有源像素傳感器中使用的典型像素單元示意圖。
圖3是按照本發(fā)明的具有列導(dǎo)體測(cè)試電路的有源像素傳感器的示意圖。
圖4是按照本發(fā)明的另一種行和/或復(fù)位導(dǎo)體的選擇使能的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的示意圖。
參見(jiàn)圖1,示出按照本發(fā)明的具有高效測(cè)試和操作的有源像素傳感器的示意圖。傳感器最好構(gòu)造成矩陣10,包括多個(gè)排列成M行N列的有源像素單元12。每一行與列的交點(diǎn)是一像素單元。盡管符合本發(fā)明的有源像素傳感器可以是任何規(guī)格,但兩種典型的規(guī)格是2M即1280×1600和1.3M即1024×1280。每一像素最好小于5um×5um。
圖1及圖3,圖4圖示了按照本發(fā)明的蛇形或類似信號(hào)的傳播方案。蛇形或類似信號(hào)的連接方案特點(diǎn)可用于測(cè)試模式和正常操作模式。下面首先討論測(cè)試模式操作,緊跟著討論正常模式操作。
測(cè)試模式在一個(gè)實(shí)施方案中,本發(fā)明提供連接行信號(hào)導(dǎo)體與復(fù)位信號(hào)導(dǎo)體的可選擇連續(xù)信號(hào)導(dǎo)體。列信號(hào)導(dǎo)體最好是相同的結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)分別測(cè)試行、復(fù)位及列導(dǎo)體的金屬完整性。測(cè)試最好將測(cè)試信號(hào)的給定傳到行、復(fù)位及列的第一導(dǎo)體上。測(cè)試信號(hào)通過(guò)余下的(那種類型的)導(dǎo)體傳播,并讀出最后一個(gè)導(dǎo)體上的輸出。在輸出端收到正確的測(cè)試信號(hào)表明該類型(行、復(fù)位或列)導(dǎo)體在測(cè)試時(shí)的金屬完整性?,F(xiàn)在進(jìn)一步詳細(xì)討論這些測(cè)試實(shí)施的方式。
對(duì)行導(dǎo)體,初始測(cè)試信號(hào)最好傳送到第0行選擇邏輯20,包括與門21、異或門22和反相器23。與門21接收測(cè)試使能(TE)信號(hào)和測(cè)試數(shù)據(jù)(TD)信號(hào)。測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)與門21到異或門22。異或門22的另一輸入是測(cè)試模式中保持為低電平的第0行地址信號(hào)。測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)繼續(xù)通過(guò)反相器到第1行選擇邏輯30。與門31和異或門32提供象第0行選擇邏輯20一樣同樣的功能。測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)異或門32,反相器33到第1行。
第1行上的測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)反相器第2行選擇邏輯40,包括與門41、異或門42和反相器43。測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)第2行選擇邏輯40到第2行。這種測(cè)試數(shù)據(jù)的蛇形傳播分別在奇行和偶行來(lái)回,最好直到第(M-1)行才停止重復(fù)。第(M-1)行選擇邏輯60最好包括與門61、異或門62和反相器63。與其它行選擇電路一樣,測(cè)試信號(hào)通過(guò)行(M-1)選擇邏輯到行(M-1)。
測(cè)試使能信號(hào)最好由測(cè)試信號(hào)發(fā)生器和比較邏輯(信號(hào)發(fā)生器和測(cè)試邏輯)80產(chǎn)生,并傳送到每一行選擇邏輯電路(和下面要討論的對(duì)應(yīng)的復(fù)位選擇邏輯電路)。測(cè)試使能信號(hào)使能測(cè)試模式操作。測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)最好同時(shí)提供邏輯高電平和邏輯低電平信號(hào)以及包括不同邏輯組態(tài)的串行數(shù)據(jù)。在測(cè)試中,數(shù)據(jù)輸入0行選擇邏輯20并與同過(guò)測(cè)試邏輯80從行(M-1)收到的數(shù)據(jù)比較。
行信號(hào)導(dǎo)體(和每個(gè)端頭的蛇形連接線)的線寬約0.5um,這些線具有與之相關(guān)的寄生電容和電阻。這些寄生參數(shù)導(dǎo)致固有的延時(shí)。邏輯元件也有延時(shí),但比信號(hào)線帶來(lái)的延時(shí)小得多(比如幾百皮秒)。由圖1的有源像素傳感器中的行導(dǎo)體帶來(lái)的延時(shí),假如是1600列,約為5ns。對(duì)一個(gè)1280行的有源像素傳感器,信號(hào)從頂?shù)降椎膫鞑r(shí)間達(dá)6.4us。
圖1也示出了蛇形復(fù)位線91的結(jié)構(gòu)。該排列用虛線畫出使之與行線區(qū)別開并使圖不至太擁擠??梢岳斫獾呐c提供給行導(dǎo)體測(cè)試的同樣的邏輯和信號(hào)導(dǎo)體最好提供給復(fù)位導(dǎo)體測(cè)試(和正常模式復(fù)位操作)。因此,每行之間的復(fù)位選擇邏輯包括與門、異或門和反相器(和測(cè)試啟動(dòng)及單獨(dú)地址信號(hào)等)。測(cè)試邏輯80為復(fù)位導(dǎo)體單獨(dú)提供測(cè)試啟動(dòng)和測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)。這些信號(hào)分別命名為TE’和TD’。
在最佳的測(cè)試模式中,行信號(hào)導(dǎo)體和復(fù)位信號(hào)導(dǎo)體的測(cè)試是同步進(jìn)行的。但TD和TD’信號(hào)最好是互補(bǔ)的,以增加檢測(cè)比如橋接等的短路或開路電路的可能性。
參見(jiàn)圖2,它是本發(fā)明中使用的典型的有源像素單元示意圖。單元12最好包括三個(gè)晶體管13-15(一般是N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和一個(gè)光敏或光電二極管11。晶體管13和14連接到VDD’晶體管15連接到晶體管14的源極。復(fù)位信號(hào)作用于晶體管13的門極,行選擇信號(hào)作用于晶體管15的門極。
在典型模式操作中,復(fù)位線被施加高電位,將反偏光電二極管的寄生電容充電到復(fù)位電平。二極管輸出節(jié)點(diǎn)17的電位穩(wěn)定后,復(fù)位電平被拉低,允許光感應(yīng)電荷載流子以與入射光強(qiáng)度成比例的速度讓光電二極管放電。一定的曝光時(shí)間后,行選擇線被施加高電位,允許節(jié)點(diǎn)17的電壓通過(guò)源極跟隨隔離晶體管14,從單元輸出節(jié)點(diǎn)19(列導(dǎo)體從此處連接)采樣。復(fù)位信號(hào)再次給定為高電位和低電位,第二次復(fù)位節(jié)點(diǎn)17。復(fù)位電平在輸出節(jié)點(diǎn)19采樣。入射光曝光后的輸出19的電位與復(fù)位電位的差值和入射光的強(qiáng)度成比例。
圖2圖示了任一像素單元12的行、復(fù)位及列的耦合。
參見(jiàn)圖3,它是按照本發(fā)明具有連續(xù)列測(cè)試導(dǎo)體的有源像素傳感器110的示意圖。為了圖示清晰,行和復(fù)位導(dǎo)體都沒(méi)有示出,盡管我們知道最好還是提供。
有源像素傳感器110包括多個(gè)最好構(gòu)造和排列成圖1中的有源像素傳感器10的有源像素傳感器單元12那樣的有源像素傳感器單元112。圖3圖示了有源像素傳感器陣列中有代表性的前四列。
在列模式中,測(cè)試信號(hào)即有效測(cè)試使能和測(cè)試數(shù)據(jù),叫做列測(cè)試(CT)信號(hào),在輸入節(jié)點(diǎn)108提供。列測(cè)試信號(hào)提供給多個(gè)N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管135、155等,以及通過(guò)反相器115提供給多個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管125、145、165。晶體管125、135、145、155和165等,在測(cè)試模式中相當(dāng)于短路。晶體管137、147、157、167等,允許一列上的信號(hào)被下一列讀出。
晶體管125連接在VDD與列0(co10)之間。晶體管135、137連接在0列與1列間。晶體管145、147連接在1列與2列間。晶體管155、157連接在列2與3列間。晶體管165、167連接在3列與下一列(未示出)之間。從晶體管165輸出的測(cè)試信號(hào)繼續(xù)傳播通過(guò)其余列。
在優(yōu)選的列測(cè)試模式中,測(cè)試信號(hào)在節(jié)點(diǎn)108以邏輯高電平輸入。通過(guò)反相器115變?yōu)檫壿嫷碗娢?,結(jié)果邏輯高電位在0列上端,由晶體管125認(rèn)定。這一邏輯高電位在列的底端由晶體管137測(cè)試以及1列的底端被施加邏輯低電位。在1列的頂端為邏輯低電位,在2列的頂端為邏輯高電位。以這樣的方式通過(guò)有源像素傳感器的其余列,在輸出節(jié)點(diǎn)107以邏輯高電位結(jié)束。測(cè)試輸出(CTO)信號(hào)最好傳播到接觸衰減器102即列測(cè)試邏輯105的入口。在優(yōu)選的實(shí)施方案中,如本領(lǐng)域所熟悉的多路連接,接觸衰減器102是行、復(fù)位和列測(cè)試隔離及選擇公用的。
圖3也圖示了每一列的頂部和底部的電流源。電流源最好作為電流反射鏡實(shí)現(xiàn),允許列電壓電位變低。
在其它特點(diǎn)中,圖3圖示了數(shù)字列導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)。由于不需要模數(shù)轉(zhuǎn)換電路和可編程增益放大器,數(shù)字測(cè)試比模擬測(cè)試快得多。同時(shí)芯片的固有損耗也小。
參見(jiàn)圖4,按照本發(fā)明的有源像素傳感器的可選擇使能的耦合導(dǎo)體示意圖。圖4圖示了有代表性的有源像素傳感器210的前三行??蛇x的三態(tài)元件連接在每行或復(fù)位導(dǎo)體之間(只示出了行導(dǎo)體)。TE、TD和ADR信號(hào)如前面所描述的那樣給出,比如TE使有源像素傳感器置于測(cè)試模式以及TD是測(cè)試數(shù)據(jù)即通過(guò)連續(xù)導(dǎo)體傳播。
三態(tài)元件230在有源像素傳感器的右邊(只示出了其中一個(gè)),它接收測(cè)試信號(hào),連接到前面的導(dǎo)體(圖示實(shí)施方案中的偶數(shù)號(hào)導(dǎo)體)的端部。右邊的三態(tài)元件230最好是CMOS三態(tài)元件,連接到奇數(shù)行的右端,比如圖1中的1行。奇數(shù)行(1行)的左端連接到左邊的三態(tài)元件240。每一左邊的三態(tài)元件最好接收測(cè)試信號(hào)和與奇數(shù)行相應(yīng)的地址信號(hào)。左邊的元件240也最好是CMOS三態(tài)元件。
如圖示,奇數(shù)行的左邊也連接到下一行(2行)的測(cè)試和地址信號(hào)輸入。這樣的方式最好在有源像素傳感器的行和復(fù)位導(dǎo)體的其余行中連續(xù)。
在測(cè)試模式操作中,左邊的元件240是三態(tài)元件,因此奇數(shù)行左邊的信號(hào)傳播到下一行,比如通過(guò)1行和2行之間的導(dǎo)體245。右邊的元件230使能通過(guò)前一偶數(shù)行的信號(hào)送到下一奇數(shù)行,比如從0行到1行。
在正常操作模式中,配置了相反的結(jié)構(gòu)。右邊的元件230是三態(tài)元件,它們就象開路,允許單獨(dú)的行信號(hào)從有源像素傳感器的左邊傳播到行導(dǎo)體上。
正常操作模式在正常操作模式中,可選擇的連續(xù)復(fù)位信號(hào)導(dǎo)體提供何時(shí)每一單元接收到復(fù)位信號(hào)和完整圖像輸入信號(hào)的時(shí)間的高級(jí)控制。
比如,在有機(jī)械快門的照相機(jī)實(shí)施方案中,使能復(fù)位信號(hào)開始“曝光”,機(jī)械快門關(guān)閉時(shí)結(jié)束曝光過(guò)程。對(duì)每一行順序?qū)ぶ返默F(xiàn)有技術(shù)方法,從首行到末行要太長(zhǎng)的開通過(guò)程,因而,在圖像中造成了梯度?,F(xiàn)有技術(shù)的另一實(shí)施方案給定全局(也就是同時(shí)的)復(fù)位信號(hào)給所有單元,產(chǎn)生不可接受的電磁干擾電流尖峰(如發(fā)明背景一節(jié)中討論過(guò)的)。復(fù)位信號(hào)使能邏輯90達(dá)到復(fù)位信號(hào)的標(biāo)稱值,以開始圖像數(shù)據(jù)集成,如上面描述的通過(guò)復(fù)位導(dǎo)體的傳播,在每一復(fù)位導(dǎo)體(即每行)上約延時(shí)5ns,復(fù)位信號(hào)在整個(gè)陣列的所有像素單元中傳播需要6.4us(5ns×1280行)。
這種結(jié)構(gòu)在足夠短的時(shí)間內(nèi)提供復(fù)位信號(hào),卻不會(huì)產(chǎn)生不利的巨大的電磁干擾(即電流尖峰等)。
盡管本發(fā)明是在關(guān)于特定的實(shí)施方案中描述的,可以理解,本發(fā)明能夠進(jìn)一步改進(jìn),和本申請(qǐng)力圖涵蓋本發(fā)明的任何變更、使用或改變和采用上文陳述的本質(zhì)特點(diǎn)的,及在本發(fā)明的和附后權(quán)利要求的限制范圍內(nèi)的本發(fā)明內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.有源像素傳感器電路,包括基片;該基片上至少排列成多行的多個(gè)像素單元;多個(gè)第一信號(hào)導(dǎo)體,每一導(dǎo)體與特定行相關(guān)并連接到該行的像素單元;和多個(gè)可選擇使能的耦合導(dǎo)體,在每個(gè)所述的多個(gè)第一信號(hào)導(dǎo)體之間提供一個(gè),并提供一行的第一信號(hào)導(dǎo)體至另一行的另一個(gè)的可選擇耦合。
2.如權(quán)利要求1的電路,其中可選擇使能的耦合導(dǎo)體在所述多個(gè)第一信號(hào)導(dǎo)體的另一端提供,因而耦合導(dǎo)體被使能導(dǎo)通時(shí)輸入到第一信號(hào)導(dǎo)體的第一個(gè)的信號(hào)在其余的多個(gè)第一信號(hào)導(dǎo)體中以通常的蛇形方式傳播。
3.如權(quán)利要求1的電路,其中可選擇使能耦合導(dǎo)體在多個(gè)第一信號(hào)導(dǎo)體的另一端提供,因而輸入到第一信號(hào)導(dǎo)體的第一個(gè)的信號(hào)以第一方向傳播,在第一信號(hào)導(dǎo)體的第二個(gè)中以與第一方向相反的第二方向傳播,在第一信號(hào)導(dǎo)體的第三個(gè)又以第一方向傳播。
4.如權(quán)利要求1的電路,其中至少部分可選擇使能的耦合導(dǎo)體的每個(gè)導(dǎo)體包括組合的邏輯和測(cè)試使能輸入,測(cè)試信號(hào)輸入收到正確的極性信號(hào)使得在前述的第一信號(hào)導(dǎo)體上的信號(hào)通過(guò)隨后的第一信號(hào)導(dǎo)體的組合邏輯。
5.如權(quán)利要求1的電路,其中至少部分可選擇使能耦合導(dǎo)體包括三態(tài)邏輯和測(cè)試使能輸入,測(cè)試信號(hào)輸入收到正確的極性信號(hào)使得在前述的第一信號(hào)導(dǎo)體上的信號(hào)通過(guò)隨后的第一信號(hào)導(dǎo)體的三態(tài)邏輯。
6.如權(quán)利要求1的電路,其中所述的第一信號(hào)導(dǎo)體是包括復(fù)位信號(hào)導(dǎo)體和行信號(hào)導(dǎo)體的信號(hào)導(dǎo)體組中的一組。
7.如權(quán)利要求1的電路,包括多個(gè)第二信號(hào)導(dǎo)體,每一導(dǎo)體與特定行相關(guān)并連接到該行的像素單元;和多個(gè)第二可選擇使能耦合導(dǎo)體,在每個(gè)所述的多個(gè)第二信號(hào)導(dǎo)體之間提供,并提供一行的第二信號(hào)導(dǎo)體至另一行的另一個(gè)的可選擇耦合。
8.如權(quán)利要求7的電路,其中所述的第一信號(hào)導(dǎo)體是包括復(fù)位信號(hào)導(dǎo)體和行信號(hào)導(dǎo)體的信號(hào)導(dǎo)體組中的一組,第二信號(hào)導(dǎo)體是另一組。
9.如權(quán)利要求8的電路,還包括連接到所述復(fù)位信號(hào)導(dǎo)體和所述行信號(hào)導(dǎo)體的測(cè)試邏輯,該測(cè)試邏輯生成復(fù)位和行信號(hào)導(dǎo)體其中之一的測(cè)試信號(hào)即其余復(fù)位和行導(dǎo)體另一個(gè)的補(bǔ)充。
10.如權(quán)利要求1的電路,其中的第一信號(hào)導(dǎo)體是復(fù)位信號(hào)導(dǎo)體,該電路還包括連接到該復(fù)位信號(hào)導(dǎo)體的復(fù)位信號(hào)使能邏輯,它使能可選擇使能耦合導(dǎo)體并初始復(fù)位信號(hào)以開始輸入圖像數(shù)據(jù)集成。
11.如權(quán)利要求1的電路,其中的第一信號(hào)導(dǎo)體和可選擇使能耦合導(dǎo)體被排列成這樣,即當(dāng)信號(hào)輸入到第一信號(hào)導(dǎo)體的第一個(gè)及耦合導(dǎo)體被使能時(shí),輸入信號(hào)在第一信號(hào)導(dǎo)體的其余導(dǎo)體上順序傳播,在接收所述第一信號(hào)導(dǎo)體的每個(gè)下一個(gè)的輸入信號(hào)前實(shí)現(xiàn)延時(shí)。
12.如權(quán)利要求11的電路,其中的延時(shí)主要是由第一信號(hào)導(dǎo)體的寄生特性的函數(shù)。
13.如權(quán)利要求11的電路,其中的延時(shí)每行小于大約25ns。
14.如權(quán)利要求11的電路,其中的延時(shí)是類似的。
15.如權(quán)利要求1的電路,其中的多個(gè)像素單元還排列成多列,該電路還包括多個(gè)列導(dǎo)體,每一列導(dǎo)體與像素列之一相關(guān)并連接到該像素列的像素單元;和多個(gè)可選擇使能的耦合電路,至少有一個(gè)在每個(gè)列導(dǎo)體之間,當(dāng)其間的耦合電路被使能時(shí),一個(gè)列導(dǎo)體上的信號(hào)可在隨后的列導(dǎo)體上檢測(cè)。
16.如權(quán)利要求15的電路,其中當(dāng)多個(gè)可選擇使能導(dǎo)體使能時(shí),在所述列導(dǎo)體的第一個(gè)上的信號(hào)按順序地以蛇形方式在其余列導(dǎo)體上傳播。
17.一種有源像素傳感器電路,包括基片;基片上提供的至少排列成多行的多個(gè)像素單元;可選擇使能連續(xù)導(dǎo)體耦合至每一像素單元和排列成這樣,即當(dāng)可選擇使能連續(xù)導(dǎo)體被使能時(shí),輸入信號(hào)在多個(gè)像素單元基本上以蛇形方式傳播。
18.如權(quán)利要求17的電路,其中所述的第一信號(hào)導(dǎo)體是包括復(fù)位信號(hào)導(dǎo)體和行信號(hào)導(dǎo)體的信號(hào)導(dǎo)體組中的一組。
19.有源像素傳感器(有源像素傳感器)電路,包括基片;基片上提供的至少排列成多列的多個(gè)像素單元;多個(gè)列導(dǎo)體,每一列導(dǎo)體與像素列之一相關(guān)并連接到該像素列的像素單元;和多個(gè)可選擇使能耦合電路,至少有一個(gè)在每個(gè)列導(dǎo)體之間,當(dāng)其間的耦合電路被使能時(shí),一個(gè)列導(dǎo)體上的信號(hào)可在隨后的列導(dǎo)體上檢測(cè)。
20.如權(quán)利要求19的有源像素傳感器電路,其中當(dāng)多個(gè)可選擇使能的導(dǎo)體使能時(shí),在列導(dǎo)體的第一個(gè)上的信號(hào)按順序地以蛇形方式在其余列導(dǎo)體上檢測(cè)。
21.如權(quán)利要求19的有源像素傳感器電路,其中每個(gè)可選擇使能耦合電路包括一個(gè)有源器件。
22.如權(quán)利要求19的有源像素傳感器電路,還包括連接到每一列導(dǎo)體的電流源。
23.一種有源像素傳感器電路的處理方法,包括步驟在一個(gè)基片上提供至少排列成多行的多個(gè)像素單元;提供多個(gè)第一信號(hào)導(dǎo)體,每一導(dǎo)體與給定行相關(guān)并連接到該行的像素單元;和選擇使能在每個(gè)所述多個(gè)第一導(dǎo)體之間的導(dǎo)體,因而在一個(gè)第一信號(hào)導(dǎo)體上的信號(hào)傳播到隨后的第一信號(hào)導(dǎo)體。
24.如權(quán)利要求23的方法,還包括步驟在所述多個(gè)第一信號(hào)導(dǎo)體的另一端提供可選擇使能的耦合導(dǎo)體;使能該可選擇使能的偶合導(dǎo)體;和通過(guò)第一信號(hào)導(dǎo)體和所述被使能耦合導(dǎo)體以順序的蛇形方式傳播信號(hào)。
全文摘要
有源像素敏感元件(APS)電路提供了增強(qiáng)的測(cè)試和信號(hào)處理能力。有源像素敏感元件包括排列在行列陣列中的像素單元。陣列中主導(dǎo)體之間提供的可選擇使能耦合導(dǎo)體允許在一個(gè)主導(dǎo)體上的信號(hào)傳播到其它主導(dǎo)體。主導(dǎo)體包括行復(fù)位導(dǎo)體和列導(dǎo)體。公開了測(cè)試目的和正常模式操作的信號(hào)傳播。
文檔編號(hào)H01L27/14GK1297305SQ0012265
公開日2001年5月30日 申請(qǐng)日期2000年8月10日 優(yōu)先權(quán)日1999年8月10日
發(fā)明者R·A·門策爾 申請(qǐng)人:安捷倫科技有限公司
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1