靈敏放大器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種靈敏放大器，包括：第一PMOS管，第一、二和三電流路徑。第一電流路徑在放大過程中提供存儲單元電流，第二電流路徑在放大過程中提供存儲單元比較電流，根據(jù)存儲單元電流和存儲單元比較電流的比較結(jié)構(gòu)控制第一PMOS管的柵極；第一PMOS管的源極通過第一開關(guān)連接到電源電壓，第三電流路徑連接在第一PMOS管的漏極和地之間，放大過程中通過第一PMOS管的電流和第三電流路徑的電流比較實(shí)現(xiàn)信號放大并輸出。本發(fā)明不需要采用比較器，電路結(jié)構(gòu)簡單，版圖面積小。
【專利說明】
靈敏放大器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路，特別是涉及一種靈敏放大器(SenseAmplifier，SA)。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，是現(xiàn)有靈敏放大器的電路圖;現(xiàn)有靈敏放大器包括:
[0003]預(yù)充電單元201，由PMOS管P102組成，柵極連接預(yù)充電信號PRE。
[0004]位線調(diào)整單元202，由NMOS管NlOO和反相器104組成。
[0005]存儲單元203，由SONOS管100和選擇管101組成，SONOS管100的浮柵中存儲了數(shù)據(jù)，SONOS管的柵極連接字線WLS，選擇管101的柵極連接字線WL。
[0006]PMOS管100和101組成鏡像電路，PMOS管100和存儲單元203的路徑串聯(lián)。
[0007]PMOS管101和參考電流源Iref組成電流比較器204，比較結(jié)果通過數(shù)據(jù)線dl連接到反相器103并通過反相器103反相后輸出信號Dout。
[0008]現(xiàn)有靈敏放大器在對選取的存儲單元進(jìn)行讀取(read)的工作過程包括預(yù)充電過程和放大過程。
[0009]預(yù)充電過程(Pre-charge)中:預(yù)充電信號PRE為低電平是PMOS管P102導(dǎo)通，電源電壓VPWR通過PMOS管P102、匪OS管NlOO對列線節(jié)點(diǎn)cl充電，列線節(jié)點(diǎn)cl通過列多路選擇器(CMUX) 102對存儲單元203的位線節(jié)點(diǎn)bl充電。當(dāng)列線節(jié)點(diǎn)Cl為低電平時(shí)，反相器104的輸出端為高電平使NMOS管NlOO導(dǎo)通，列線節(jié)點(diǎn)Cl的電壓會(huì)從低電平一直上升直到箝位在反相器104的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)附近。
[0010]預(yù)充電結(jié)束后進(jìn)入放大過程:由電源電壓vpwr經(jīng)過PMOS管P100，匪OS管NlOO和PMOS管100和存儲單元203到地的路徑形成的存儲單元電流會(huì)鏡像到PMOS管PlOl中，PMOS管PlOl的鏡像電流和參考電流源Iref進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果形成輸出信號Dout。存儲單元電流會(huì)根據(jù)SONOS管100所存儲的信息不同而不同，當(dāng)存儲單元為擦除單元(Erase Cell ,ECell)時(shí)，存儲單元會(huì)流過大電流，這樣PMOS管PlOl的鏡像電流大于參考電流源Iref的電流從而使Dout = O;
[0011]當(dāng)存儲單元為編程單元(Program Cell ,P Cell)時(shí)，存儲單元沒有電流，這樣PMOS管P1I的鏡像電流小于參考電流源Ir ef的電流從而使Dout = I。
[0012]現(xiàn)有電路需要選用合適的Iref電流，即相比于ρcel I時(shí)的存儲單元電流要足夠大，用于讀I的時(shí)候有充足的裕度(margin)，相比于e cel I時(shí)的存儲單元電流要小，使得讀O的時(shí)候也有充足的margiruPMOS管PlOl電流是精確復(fù)制PMOS管PlOO上的電流，鏡像誤差也能導(dǎo)致read margin變小。
[0013]另一種常見的靈敏放大器是電壓比較模式靈敏放大器(VoltageMode SA，VSA)，該結(jié)構(gòu)是利用E/P cell即E cell和P cell電流不一致，BL的放電速度不同，得到不同的數(shù)據(jù)線(dataline)的電壓(Vdl)，Vdl再同參考電壓(VREF)相比較來分辨E/P cell。這就需要用到比較器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本發(fā)明是提供一種不同以上的靈敏放大器，沒有采用比較器，但是電路同樣簡單，而且SA版圖面積小。
[0015]本發(fā)明提供的靈敏放大器包括:第一PMOS管，第一電流路徑，第二電流路徑，第三電流路徑。
[0016]所述第一電流路徑連接在所述第一PMOS管的柵極和地之間，存儲單元位于所述第一電流路徑中，所述第一電流路徑用于在放大過程中提供存儲單元電流，令第一值為所述存儲單元的存儲數(shù)據(jù)為I時(shí)所述存儲單元電流的大小、第二值為所述存儲單元的存儲數(shù)據(jù)為O時(shí)所述存儲單元電流的大小。
[0017]所述第二電流路徑連接在所述第一PMOS管的柵極和電源電壓之間，所述第二電流路徑在放大過程中提供存儲單元比較電流，所述存儲單元比較電流的大小為第三值，所述第三值設(shè)置為大于所述第一值使所述存儲單元的存儲數(shù)據(jù)為I時(shí)所述第一 PMOS管的柵極上拉為高電平從而使所述第一 PMOS管斷開;所述第三值設(shè)置為小于所述第二值使所述存儲單元的存儲數(shù)據(jù)為O時(shí)所述第一 PMOS管的柵極下拉為低電平從而使所述第一 PMOS管導(dǎo)通。
[0018]所述第一PMOS管的源極通過第一開關(guān)連接到電源電壓，第三電流路徑連接在所述第一PMOS管的漏極和地之間，所述第一PMOS管的漏極連接到第一反相器的輸入端，所述第一反相器的輸出端作為靈敏放大器的輸出端并輸出所讀取的數(shù)據(jù)輸出信號。
[0019]所述第一開關(guān)在放大過程中導(dǎo)通從而使所述第一PMOS管的源極連接到電源電壓；
[0020]所述第三電流路徑的電流大小為第四值;第四值的大小滿足:放大過程中，所述第一 PMOS管斷開時(shí)所述第三電流路徑使所述第一 PMOS管的漏極和地連接從而保持低電平，在所述第一 PMOS管導(dǎo)通時(shí)流過所述第一 PMOS管的電流大于所述第三電流路徑的電流從而使第一PMOS管的電壓上拉為高電平。
[0021]進(jìn)一步的改進(jìn)是，靈敏放大器還包括預(yù)充電單元，所述預(yù)充電單元連接在電源電壓和所述第一電流路徑的輸出端之間，所述預(yù)充電單元用于在預(yù)充電過程中對所述第一電流路徑中的位線節(jié)點(diǎn)充電。
[0022]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述預(yù)充電單元由第二PMOS管組成，所述第二 PMOS管的源極連接電源電壓，所述第二 PMOS管的漏極連接所述第一電流路徑的輸出端，所述第二 PMOS管的柵極連接預(yù)充電信號。
[0023]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第一電流路徑包括位線調(diào)整單元，所述位線調(diào)整單元的第一端作為所述第一電流路徑的輸出端，所述位線調(diào)整單元的第二端通過列多路選擇電路連接到所述存儲單元的位線節(jié)點(diǎn)，所述存儲單元連接在所述位線節(jié)點(diǎn)和地之間；所述位線調(diào)整單元在預(yù)充電過程中使所述位線節(jié)點(diǎn)電位箝位以及在放大過程中輸出所述存儲單元電流。
[0024]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述位線調(diào)整單元由第一匪OS管和第二反相器組成，所述第一NMOS管的漏極為所述位線調(diào)整單元的第一端，所述第一 NMOS管的源極為所述位線調(diào)整單元的第二端，所述第二反相器連接在所述第一NMOS管的源極和柵極之間，在預(yù)充電過程中預(yù)充電完成后的所述位線節(jié)電位根據(jù)所述第二反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)大小進(jìn)行箝位。
[0025]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第一開關(guān)由第三PMOS管組成，所述第三PMOS管的源極連接電源電壓，所述第三PMOS管的漏極連接所述第一 PMOS管的源極，所述第三PMOS管的柵極連接第一控制信號，所述第一控制信號為預(yù)充電信號和放大器工作使能信號進(jìn)行與非運(yùn)算后的信號。
[0026]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第二電流路徑由串聯(lián)的第二開關(guān)和第一鏡像電流源組成，所述第二開關(guān)控制所述第二電流路徑的導(dǎo)通和關(guān)斷，所述第一鏡像電流源在所述第二電流路徑導(dǎo)通時(shí)提供所述存儲單元比較電流。
[0027]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第二開關(guān)由第四PMOS管組成，所述第四PMOS管的源極連接所述第一鏡像電流源的輸出端，所述第四PMOS管的漏極作為所述第二電流路徑的輸出端并連接所述第一 PMOS管的柵極，所述第四PMOS管的柵極連接放大器工作使能信號的反相信號。
[0028]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第一鏡像電流源由第五PMOS管組成，所述第五PMOS管的源極連接電源電壓，所述第五PMOS管的漏極作為所述第一鏡像電流源的輸出端并連接所述第二開關(guān)，所述第五PMOS管的柵極連接第一偏置電壓，由所述第一偏置電壓確定所述第三值。
[0029]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第三電流路徑由第二鏡像電流源組成。
[0030]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述第二鏡像電流源由第二匪OS管組成，所述第二匪OS管的源極接地，所述第二 NMOS管的漏極作為所述第二鏡像電流源的輸出端并連接所述第一 PMOS管的漏極，所述第二 NMOS管的柵極連接第二偏置電壓，由所述第二偏置電壓確定所述第四值。
[0031]進(jìn)一步的改進(jìn)是，在所述第一PMOS管的漏極和地之間還連接有下拉電流路徑，所述下拉電流路徑在靈敏放大器非工作期間提供一下拉電流時(shí)所述第一 PMOS管的漏極接地。
[0032]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述下拉電流路徑由第三匪OS管組成，所述第三匪OS管的漏極連接所述第一 PMOS管的漏極，所述第三匪OS管的源極接地，所述第三匪OS管的柵極連接放大器工作使能信號的反相信號。
[0033]本發(fā)明通過第一電流路徑取出存儲單元電流，通過第二電流路徑提供的存儲單元比較電流和存儲單元電流進(jìn)行比較輸出一個(gè)控制第一 PMOS管的信號，第二電流路徑的電流大小只要在讀P Cell的存儲單元即讀I時(shí)保證輸出到第一PMOS管的柵極電壓不往下掉即可，在讀E Cell的存儲單元時(shí)第一PMOS管的柵極電壓能容易被下拉，所以第二電流路徑的電流采用一個(gè)小電流即可實(shí)現(xiàn)。
[0034]同樣，第一PMOS管根據(jù)柵極電壓大小輸出相應(yīng)電流和第三電流路徑的電流進(jìn)行比較，第三電流路徑的電流大小只要在讀P Cell的存儲單元時(shí)第一PMOS管關(guān)閉后能將第一PMOS管的漏極下拉即可，在讀E Cell的存儲單元時(shí)第一PMOS管導(dǎo)通后很容易實(shí)現(xiàn)將第一PMOS管的漏極上拉;所以第三電流路徑的電流采用一個(gè)小電流即可實(shí)現(xiàn)。
[0035]由上可知，本發(fā)明中沒有采用參考電壓進(jìn)行電壓比較，本發(fā)明電路用于電流比較的第二電流路徑只要保證在讀I時(shí)第一 PMOS管的柵極電壓不往下掉即可以及第三電流路徑只要保證在讀I時(shí)第一 PMOS管的漏極電壓能下拉即可，所以本發(fā)明的第二電流路徑和第三電流路徑采用小電流即可實(shí)現(xiàn)，容易實(shí)現(xiàn)，電路結(jié)構(gòu)簡單。
【附圖說明】
[0036]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0037]圖1是現(xiàn)有靈敏放大器的電路圖；
[0038]圖2是本發(fā)明實(shí)施例靈敏放大器的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]如圖2所示，是本發(fā)明實(shí)施例靈敏放大器的電路圖，本發(fā)明實(shí)施例靈敏放大器包括:第一PMOS管Pl，預(yù)充電單元301，第一電流路徑302，第二電流路徑305，第三電流路徑307。
[0040]所述預(yù)充電單元301連接在電源電壓vpwr和所述第一電流路徑302的輸出端之間，所述預(yù)充電單元301用于在預(yù)充電過程中對所述第一電流路徑302中的位線節(jié)點(diǎn)bl充電。較佳為，所述預(yù)充電單元301由第二 PMOS管P2組成，所述第二 PMOS管P2的源極連接電源電壓vpwr，所述第二 PMOS管P2的漏極連接所述第一電流路徑302的輸出端，所述第二 PMOS管P2的柵極連接預(yù)充電信號pr eb。
[0041 ] 所述第一電流路徑302連接在所述第一PMOS管Pl的柵極和地vgnd之間，存儲單元304位于所述第一電流路徑302中，所述第一電流路徑302用于在放大過程中提供存儲單元304電流，令第一值為所述存儲單元304的存儲數(shù)據(jù)為I時(shí)所述存儲單元304電流的大小、第二值為所述存儲單元304的存儲數(shù)據(jù)為O時(shí)所述存儲單元304電流的大小。
[0042]本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一電流路徑302包括位線調(diào)整單元303，所述位線調(diào)整單元303的第一端作為所述第一電流路徑302的輸出端，所述位線調(diào)整單元303的第二端通過列多路選擇電路6連接到所述存儲單元304的位線節(jié)點(diǎn)bl，所述存儲單元304連接在所述位線節(jié)點(diǎn)bl和地vgnd之間；所述位線調(diào)整單元303在預(yù)充電過程中使所述位線節(jié)點(diǎn)bl電位箝位以及在放大過程中輸出所述存儲單元304電流。所述存儲單元304由用于存儲數(shù)據(jù)信息的SONOS管I和選擇管2組成，SONOS管I的柵極連接字線WLS，選擇管2的柵極連接字線WL。
[0043]較佳為，所述位線調(diào)整單元303由第一NMOS管NI和第二反相器4組成，所述第一匪OS管NI的漏極為所述位線調(diào)整單元303的第一端，所述第一 NMOS管NI的源極為所述位線調(diào)整單元303的第二端，所述第二反相器4連接在所述第一NMOS管NI的源極和柵極之間，在預(yù)充電過程中預(yù)充電完成后的所述位線節(jié)電位根據(jù)所述第二反相器4的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)大小進(jìn)行箝位。
[0044]所述第二電流路徑305連接在所述第一PMOS管Pl的柵極和電源電壓vpwr之間，所述第二電流路徑305在放大過程中提供存儲單元304比較電流，所述存儲單元304比較電流的大小為第三值，所述第三值設(shè)置為大于所述第一值使所述存儲單元304的存儲數(shù)據(jù)為I時(shí)所述第一 PMOS管Pl的柵極上拉為高電平從而使所述第一 PMOS管Pl斷開;所述第三值設(shè)置為小于所述第二值使所述存儲單元304的存儲數(shù)據(jù)為O時(shí)所述第一 PMOS管Pl的柵極下拉為低電平從而使所述第一 PMOS管Pl導(dǎo)通。
[0045]本發(fā)明實(shí)施例中，所述第二電流路徑305由串聯(lián)的第二開關(guān)和第一鏡像電流源組成，所述第二開關(guān)控制所述第二電流路徑305的導(dǎo)通和關(guān)斷，所述第一鏡像電流源在所述第二電流路徑305導(dǎo)通時(shí)提供所述存儲單元304比較電流。
[0046]所述第二開關(guān)由第四PMOS管P4組成，所述第四PMOS管P4的源極連接所述第一鏡像電流源的輸出端，所述第四PMOS管P4的漏極作為所述第二電流路徑305的輸出端并連接所述第一 PMOS管Pl的柵極，所述第四PMOS管P4的柵極連接放大器工作使能信號saenl的反相信號 saenlbo
[0047]所述第一鏡像電流源由第五PMOS管P5組成，所述第五PMOS管P5的源極連接電源電壓vpwr，所述第五PMOS管P5的漏極作為所述第一鏡像電流源的輸出端并連接所述第二開關(guān)，所述第五PMOS管P5的柵極連接第一偏置電壓pbias，由所述第一偏置電壓pbias確定所述第三值。
[0048]所述第一 PMOS管Pl的源極通過第一開關(guān)306連接到電源電壓vpwr，第三電流路徑307連接在所述第一PMOS管Pl的漏極和地vgnd之間，所述第一PMOS管Pl的漏極連接到第一反相器3的輸入端，所述第一反相器3的輸出端作為靈敏放大器的輸出端并輸出所讀取的數(shù)據(jù)輸出信號Dout。
[0049]所述第一開關(guān)306在放大過程中導(dǎo)通從而使所述第一 PMOS管Pl的源極連接到電源電Svpwr ο本本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一開關(guān)306由第三PMOS管P3組成，所述第三PMOS管P3的源極連接電源電壓vpwr，所述第三PMOS管P3的漏極連接所述第一 PMOS管Pl的源極，所述第三PMOS管P3的柵極連接第一控制信號senseb，所述第一控制信號senseb為預(yù)充電信號preb和放大器工作使能信號saenl通過與非門5進(jìn)行與非運(yùn)算后的信號。
[0050]所述第三電流路徑307的電流大小為第四值;第四值的大小滿足:放大過程中，所述第一 PMOS管Pl斷開時(shí)所述第三電流路徑307使所述第一 PMOS管Pl的漏極和地vgnd連接從而保持低電平，在所述第一 PMOS管Pl導(dǎo)通時(shí)流過所述第一 PMOS管Pl的電流大于所述第三電流路徑307的電流從而使第一PMOS管Pl的電壓上拉為高電平。本發(fā)明實(shí)施例中，所述第三電流路徑307由第二鏡像電流源組成。較佳選擇為，所述第二鏡像電流源由第二 NMOS管N2組成，所述第二 NMOS管N2的源極接地vgnd，所述第二 NMOS管N2的漏極作為所述第二鏡像電流源的輸出端并連接所述第一 PMOS管Pl的漏極，所述第二 NMOS管N2的柵極連接第二偏置電壓nbias，由所述第二偏置電壓nbias確定所述第四值。
[0051 ] 在所述第一 PMOS管Pl的漏極和地vgnd之間還連接有下拉電流路徑308，所述下拉電流路徑308在靈敏放大器非工作期間提供一下拉電流時(shí)所述第一 PMOS管Pl的漏極接地
Vgnd0
[0052]所述下拉電流路徑308由第三匪OS管N3組成，所述第三匪OS管N3的漏極連接所述第一 PMOS管Pl的漏極，所述第三匪OS管N3的源極接地vgnd，所述第三NMOS管N3的柵極連接放大器工作使能信號saenl的反相信號saenlb。
[0053]本發(fā)明實(shí)施例結(jié)構(gòu)不需要參考電壓即Vref，而是用兩個(gè)電流比較的方法來判斷。[°°54] 當(dāng)選中存儲單元(cell)讀取(read)時(shí):
[0055]先進(jìn)行預(yù)充電(pre-charge)過程:先對位線節(jié)點(diǎn)bl充電。這時(shí)，信號preb為低電平，電源電壓vpwr通過數(shù)據(jù)線dl以及匪OS管NI對列線節(jié)點(diǎn)cl充電，列線節(jié)點(diǎn)cl通過CMUX6對位線節(jié)點(diǎn)bl充電。隨著節(jié)點(diǎn)cl的電壓升高，當(dāng)該電壓升高到反相器4的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)時(shí)，反相器4會(huì)輸出低電平使匪OS管NI截止，所最后節(jié)點(diǎn)c I的電位被鉗位在反相器4的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)附近。在pr e-charge時(shí)，PMOS管Pl，P3都關(guān)閉。
[0056]Pre-charge結(jié)束后，進(jìn)入放大過程:PMOS管P3管打開;如果讀取的是e cell，則dl的電位會(huì)快速下降，PMOS管Pl管打開，使得PMOS管Pl管的漏極電位被上拉到vpwr，使得dout輸出為O;如果讀取的是ρ cell，dl電位不會(huì)被下拉，使得PMOS管Pl管不能打開，PMOS管Pl管的漏極繼續(xù)為O電位，dout輸出保持為I。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例中，PMOS管P5提供的鏡像電流，只要保證在讀pcel I時(shí)，dl點(diǎn)的電位不往下掉，卻又能在讀e cell被下拉就行。NMOS管N2提供的鏡像電流同樣只需一個(gè)小電流，當(dāng)讀I時(shí)，PMOS管Pl管關(guān)閉，能把PMOS管Pl管的漏極下拉到O。
[0058]以上通過具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種靈敏放大器，其特征在于，包括:第一PMOS管，第一電流路徑，第二電流路徑，第二電流路徑； 所述第一電流路徑連接在所述第一PMOS管的柵極和地之間，存儲單元位于所述第一電流路徑中，所述第一電流路徑用于在放大過程中提供存儲單元電流，令第一值為所述存儲單元的存儲數(shù)據(jù)為I時(shí)所述存儲單元電流的大小、第二值為所述存儲單元的存儲數(shù)據(jù)為O時(shí)所述存儲單元電流的大??； 所述第二電流路徑連接在所述第一PMOS管的柵極和電源電壓之間，所述第二電流路徑在放大過程中提供存儲單元比較電流，所述存儲單元比較電流的大小為第三值，所述第三值設(shè)置為大于所述第一值使所述存儲單元的存儲數(shù)據(jù)為I時(shí)所述第一 PMOS管的柵極上拉為高電平從而使所述第一 PMOS管斷開;所述第三值設(shè)置為小于所述第二值使所述存儲單元的存儲數(shù)據(jù)為O時(shí)所述第一 PMOS管的柵極下拉為低電平從而使所述第一 PMOS管導(dǎo)通； 所述第一 PMOS管的源極通過第一開關(guān)連接到電源電壓，第三電流路徑連接在所述第一PMOS管的漏極和地之間，所述第一PMOS管的漏極連接到第一反相器的輸入端，所述第一反相器的輸出端作為靈敏放大器的輸出端并輸出所讀取的數(shù)據(jù)輸出信號； 所述第一開關(guān)在放大過程中導(dǎo)通從而使所述第一 PMOS管的源極連接到電源電壓； 所述第三電流路徑的電流大小為第四值；第四值的大小滿足:放大過程中，所述第一PMOS管斷開時(shí)所述第三電流路徑使所述第一 PMOS管的漏極和地連接從而保持低電平，在所述第一 PMOS管導(dǎo)通時(shí)流過所述第一 PMOS管的電流大于所述第三電流路徑的電流從而使第一PMOS管的電壓上拉為高電平。2.如權(quán)利要求1所述的靈敏放大器，其特征在于:靈敏放大器還包括預(yù)充電單元，所述預(yù)充電單元連接在電源電壓和所述第一電流路徑的輸出端之間，所述預(yù)充電單元用于在預(yù)充電過程中對所述第一電流路徑中的位線節(jié)點(diǎn)充電。3.如權(quán)利要求2所述的靈敏放大器，其特征在于:所述預(yù)充電單元由第二PMOS管組成，所述第二 PMOS管的源極連接電源電壓，所述第二 PMOS管的漏極連接所述第一電流路徑的輸出端，所述第二 PMOS管的柵極連接預(yù)充電信號。4.如權(quán)利要求2所述的靈敏放大器，其特征在于:所述第一電流路徑包括位線調(diào)整單元，所述位線調(diào)整單元的第一端作為所述第一電流路徑的輸出端，所述位線調(diào)整單元的第二端通過列多路選擇電路連接到所述存儲單元的位線節(jié)點(diǎn)，所述存儲單元連接在所述位線節(jié)點(diǎn)和地之間;所述位線調(diào)整單元在預(yù)充電過程中使所述位線節(jié)點(diǎn)電位箝位以及在放大過程中輸出所述存儲單元電流。5.如權(quán)利要求4所述的靈敏放大器，其特征在于:所述位線調(diào)整單元由第一匪OS管和第二反相器組成，所述第一 NMOS管的漏極為所述位線調(diào)整單元的第一端，所述第一 NMOS管的源極為所述位線調(diào)整單元的第二端，所述第二反相器連接在所述第一 NMOS管的源極和柵極之間，在預(yù)充電過程中預(yù)充電完成后的所述位線節(jié)電位根據(jù)所述第二反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)大小進(jìn)行箝位。6.如權(quán)利要求1所述的靈敏放大器，其特征在于:所述第一開關(guān)由第三PMOS管組成，所述第三PMOS管的源極連接電源電壓，所述第三PMOS管的漏極連接所述第一 PMOS管的源極，所述第三PMOS管的柵極連接第一控制信號，所述第一控制信號為預(yù)充電信號和放大器工作使能信號進(jìn)行與非運(yùn)算后的信號。7.如權(quán)利要求1所述的靈敏放大器，其特征在于:所述第二電流路徑由串聯(lián)的第二開關(guān)和第一鏡像電流源組成，所述第二開關(guān)控制所述第二電流路徑的導(dǎo)通和關(guān)斷，所述第一鏡像電流源在所述第二電流路徑導(dǎo)通時(shí)提供所述存儲單元比較電流。8.如權(quán)利要求7所述的靈敏放大器，其特征在于:所述第二開關(guān)由第四PMOS管組成，所述第四PMOS管的源極連接所述第一鏡像電流源的輸出端，所述第四PMOS管的漏極作為所述第二電流路徑的輸出端并連接所述第一 PMOS管的柵極，所述第四PMOS管的柵極連接放大器工作使能信號的反相信號。9.如權(quán)利要求7所述的靈敏放大器，其特征在于:所述第一鏡像電流源由第五PMOS管組成，所述第五PMOS管的源極連接電源電壓，所述第五PMOS管的漏極作為所述第一鏡像電流源的輸出端并連接所述第二開關(guān)，所述第五PMOS管的柵極連接第一偏置電壓，由所述第一偏置電壓確定所述第三值。10.如權(quán)利要求1所述的靈敏放大器，其特征在于:所述第三電流路徑由第二鏡像電流源組成。11.如權(quán)利要求10所述的靈敏放大器，其特征在于:所述第二鏡像電流源由第二NMOS管組成，所述第二 NMOS管的源極接地，所述第二 NMOS管的漏極作為所述第二鏡像電流源的輸出端并連接所述第一 PMOS管的漏極，所述第二匪OS管的柵極連接第二偏置電壓，由所述第二偏置電壓確定所述第四值。12.如權(quán)利要求1所述的靈敏放大器，其特征在于:在所述第一PMOS管的漏極和地之間還連接有下拉電流路徑，所述下拉電流路徑在靈敏放大器非工作期間提供一下拉電流時(shí)所述第一 PMOS管的漏極接地。13.如權(quán)利要求12所述的靈敏放大器，其特征在于:所述下拉電流路徑由第三NMOS管組成，所述第三匪OS管的漏極連接所述第一 PMOS管的漏極，所述第三NMOS管的源極接地，所述第三NMOS管的柵極連接放大器工作使能信號的反相信號。
【文檔編號】G11C7/06GK105895139SQ201610192163
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年3月30日
【發(fā)明人】傅俊亮, 王鑫
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司