電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包括多條字線、位線、源極線以及一存儲(chǔ)陣列。存儲(chǔ)陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，設(shè)置在所述字線與所述位線的交界處，以形成一矩陣。每一存儲(chǔ)單元包括一電阻式存儲(chǔ)裝置與一開關(guān)。每一條源極線被配置在兩條字線之間，其中每一條源極線耦接到所述開關(guān)的多個(gè)源極端，且單獨(dú)被一源極線驅(qū)動(dòng)器所驅(qū)動(dòng)。源極線驅(qū)動(dòng)器接收命令信號(hào)與地址信號(hào)，將源極線的電壓電平改變?yōu)榈谝浑妷弘娖?。?dāng)重置操作被施加到一存儲(chǔ)單元時(shí)，源極線的電壓電平被設(shè)定為第一電壓電平，且當(dāng)另一個(gè)操作被施加被選擇的該存儲(chǔ)單元時(shí)，該源極線被接地。本發(fā)明可以通過施加不同的操作電壓來切換存儲(chǔ)器的多種邏輯狀態(tài)，從而進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
【專利說明】
電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明關(guān)于電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，特別是一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的陣列結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著便攜式應(yīng)用產(chǎn)品的成長，使得非易失性存儲(chǔ)器的需求有日漸增加的趨勢。在這么多種類的非易失性存儲(chǔ)器中，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器由于具有速度、功率、容量、可靠度、制造工藝整合度、以及成本等具競爭力的特性，已被視為下一世代最具有潛力的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。借由輸入特定的操作電壓，應(yīng)用在電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的材料的特性會(huì)迅速的在兩種狀態(tài)間切換。設(shè)定操作(SET operat1n)與重設(shè)操作(RESET operat1n)是通過輸入兩種不同的操作電壓給電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，以將電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器在高電阻狀態(tài)與低電阻狀態(tài)中切換。根據(jù)上述的操作說明，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的邏輯狀態(tài)可根據(jù)施加不同的操作電壓來切換，以達(dá)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，以根據(jù)施加不同的操作電壓來切換存儲(chǔ)器的邏輯狀態(tài)，以達(dá)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的目的。
[0004]本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器包括多條字線、多條位線、一存儲(chǔ)陣列以及多條源極線。該存儲(chǔ)陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，設(shè)置在所述字線與所述位線的交界處，以形成具有多行與多列的一矩陣，其中每一存儲(chǔ)單元包括一電阻式存儲(chǔ)裝置與一開關(guān)。每一條源極線被配置在兩條字線之間，其中每一條源極線耦接到所述開關(guān)的多個(gè)源極端，每一條源極線都被一源極線驅(qū)動(dòng)器所驅(qū)動(dòng)，該源極線驅(qū)動(dòng)器接收一命令信號(hào)與一地址信號(hào)，并根據(jù)該命令信號(hào)與該地址信號(hào)將該源極線的一電壓電平設(shè)定為一第一電壓電平。當(dāng)一重置操作被施加到被選擇的一存儲(chǔ)單元時(shí)，該源極線的該電壓電平被設(shè)定為該第一電壓電平，且當(dāng)另一個(gè)操作被施加被選擇的該存儲(chǔ)單元時(shí)，該源極線被接地。
[0005]本發(fā)明可以通過施加不同的操作電壓來切換存儲(chǔ)器的多種邏輯狀態(tài)，從而進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
【附圖說明】
[0006]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的一實(shí)施例的示意圖。
[0007]圖2A?2D用以說明電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的電壓設(shè)定示意圖。
[0008]圖3為根據(jù)本發(fā)明的具有一電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例的示意圖。
[0009]圖4為根據(jù)本發(fā)明的具有一共用源極線的多個(gè)存儲(chǔ)單元的一實(shí)施例的示意圖。
[0010]圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一位線群組方法的示意圖。
[0011]圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一位線群組方法的示意圖。
[0012]圖7為根據(jù)本發(fā)明的一電阻式存儲(chǔ)器模組的一實(shí)施例的示意圖。
[0013]符號(hào)說明:
[0014]10?電阻式存儲(chǔ)單元
[0015]21、351、35j ?存儲(chǔ)單元
[0016]31?感測放大器
[0017]32a、32b?字線驅(qū)動(dòng)器
[0018]33?位線驅(qū)動(dòng)器
[0019]34?源極驅(qū)動(dòng)器
[0020]41?第一存儲(chǔ)單元
[0021]42?第二存儲(chǔ)單元
[0022]43、44 ?MIM 裝置
[0023]71?控制器
[0024]72?字線驅(qū)動(dòng)器
[0025]73?源極線驅(qū)動(dòng)器
[0026]74?位線驅(qū)動(dòng)器
[0027]75?存儲(chǔ)器陣列
[0028]AO?An?趕解碼器
[0029]BL、BLO、BLl、BLn ?位線
[0030]CMD?命令信號(hào)
[0031]CSLO?列選擇信號(hào)
[0032]D1、D2 ?方向
[0033]MSLO?源極線匯流排
[0034]MffLO?字線匯流排
[0035]SL、SLO、SL1、SL2、SL3 ?源極線
[0036]Tl、T2、T31、T32、T33、T41、T42 ?晶體管
[0037]WL、WL0、WL1、WL2、WL3 ?字線
[0038]A01、A10B、A01B、A0B1B ?位線群
[0039]X_ADD1、Y_ADD1、X_ADDj、X-add1、X-addj、X-addk、X-addl、Y-add1、Y-addj、Y-addk、Y-addl?地址信號(hào)
【具體實(shí)施方式】
[0040]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的一實(shí)施例的示意圖。電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元包括晶體管Tl與電阻式存儲(chǔ)單元10。電阻式存儲(chǔ)單元10是一電阻式存儲(chǔ)裝置，且電阻式存儲(chǔ)單元(ReRAM cell) 10的電阻值會(huì)根據(jù)不同的操作而作對(duì)應(yīng)的改變。而這種具有多種變化的電阻值的特性，正適合用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。晶體管Tl的柵極連接到一字線WL，其源極連接到一源極線SL，且其漏極連接至電阻式存儲(chǔ)單元10。當(dāng)一第一狀態(tài)的數(shù)據(jù)要被寫入電阻式存儲(chǔ)單元10時(shí)，該設(shè)定操作(SEToperat1n)被執(zhí)行，且該位線BL與該源極線SL的一電壓差被以一第一方向Dl施加在電阻式存儲(chǔ)單元10。在設(shè)定操作之后，電阻式存儲(chǔ)單元10具有一高電阻值。
[0041]當(dāng)一第二狀態(tài)的數(shù)據(jù)要被寫入電阻式存儲(chǔ)單元10時(shí)，一重設(shè)操作(RESEToperat1n)被執(zhí)行，且該位線BL與該源極線SL的一電壓差被以一第二方向D2施加在電阻式存儲(chǔ)單元10。在RESET操作之后，電阻式存儲(chǔ)單元10具有一較低的電阻值，該電阻值是遠(yuǎn)低于在SET操作后，電阻式存儲(chǔ)單元10的電阻值。
[0042]當(dāng)邏輯I要被寫入電阻式存儲(chǔ)單元10時(shí)，SET操作被執(zhí)行。當(dāng)邏輯O要被寫入電阻式存儲(chǔ)單元10時(shí)，RESET操作被執(zhí)行。在本實(shí)施例中，電阻式存儲(chǔ)單元10可以存儲(chǔ)兩個(gè)邏輯電平的數(shù)據(jù)，但本發(fā)明并非僅限于此。電阻式存儲(chǔ)單元10可以根據(jù)在對(duì)應(yīng)SET程序的高電阻值與對(duì)應(yīng)RESET操作的低電阻值之間的電阻值范圍，存儲(chǔ)超過兩種邏輯電平的數(shù)據(jù)。
[0043]存儲(chǔ)在電阻式存儲(chǔ)單元10的數(shù)據(jù)可以通過一感測放大器所讀取，該感測放大器耦接至位線BL。存儲(chǔ)在電阻式存儲(chǔ)單元10的數(shù)據(jù)可以通過流經(jīng)位線BL的感測電流的大小來判斷。感測電流的大小會(huì)隨著電阻式存儲(chǔ)單元10的電阻值而改變。舉例來說，當(dāng)電阻式存儲(chǔ)單元10的是在一 SET狀態(tài)下，電阻式存儲(chǔ)單元10的的電阻值是相對(duì)高，因此對(duì)應(yīng)的感測電流的大小也就相對(duì)低。當(dāng)電阻式存儲(chǔ)單元10的是在一 RESET狀態(tài)下，電阻式存儲(chǔ)單元10的電阻值是相對(duì)低，因此對(duì)應(yīng)的感測電流的大小也就相對(duì)高。根據(jù)這樣的現(xiàn)象，感測放大器可以借由將感測到電流與一參考電流比較，以讀取存儲(chǔ)在電阻式存儲(chǔ)單元10的數(shù)據(jù)。
[0044]圖2A?2D用以表示不同的電阻式存儲(chǔ)器的操作下的電壓設(shè)定。圖2A表示電阻式存儲(chǔ)器在一形成(forming)操作下的電壓設(shè)定。電阻式存儲(chǔ)單元21親接在一位線BL與晶體管T2的一漏極之間。晶體管T2的柵極耦接至一字線，且晶體管T2的源極耦接至一源極線SL。形成操作只有在電阻式存儲(chǔ)單元21剛制造好的時(shí)候會(huì)被執(zhí)行一次，之后就不會(huì)再次被執(zhí)行。形成操作是借由施加一偏壓電壓到耦接電阻式存儲(chǔ)單元21的位線BL，如3.8V，以在電阻式存儲(chǔ)單元21的氧化層(oxide layer)引發(fā)軟性擊穿(soft breakdown)。軟性擊穿會(huì)增加電阻式存儲(chǔ)單元21的漏電流。而當(dāng)形成操作被執(zhí)行時(shí)，晶體管T2的柵極的電壓被上拉到2.3V。
[0045]當(dāng)邏輯O的數(shù)據(jù)要被寫入電阻式存儲(chǔ)單元21時(shí)，RESET操作被執(zhí)行。RESET操作時(shí)的電壓設(shè)定如圖2B所示。耦接至晶體管T2的柵極的字線的電壓被設(shè)定為4V，耦接至晶體管T2的源極的源極線SL的電壓被設(shè)定為2V。當(dāng)邏輯I的數(shù)據(jù)要被寫入電阻式存儲(chǔ)單元21時(shí)，SET操作被執(zhí)行。SET操作時(shí)的電壓設(shè)定如圖2C所示。位線BL的電壓被設(shè)定為1.4V，耦接至晶體管T2的柵極的位線WL的電壓被設(shè)定在2.3V，而耦接至晶體管T2的源極的源極線SL則被接地。
[0046]當(dāng)要讀取電阻式存儲(chǔ)單元21的數(shù)據(jù)時(shí)，讀取操作時(shí)的電壓設(shè)定如圖2D所示。耦接至晶體管T2的源極的源極線SL被接地，耦接至晶體管T2的柵極的字線的電壓被設(shè)定為3V，感測放大器則借由感測在位線BL的電壓以讀取數(shù)據(jù)。
[0047]根據(jù)上述四種不同操作下的電壓設(shè)定，字線的電壓可能會(huì)在3種不同的電壓電平中改變。對(duì)于現(xiàn)有的存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)來說，越多個(gè)不同的電壓電平，其控制方案也就越加困難。
[0048]圖3為根據(jù)本發(fā)明的具一電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例的示意圖。在圖3中，只有一部分的存儲(chǔ)器陣列被揭露，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本說明書的揭露內(nèi)容以及個(gè)人技藝來完成存儲(chǔ)器陣列的其他部分。電阻式存儲(chǔ)單元35i通過晶體管T31耦接至感測放大器31。晶體管T31的柵極接收一列選擇信號(hào)(column selectsignal)CSL0，且當(dāng)晶體管T31導(dǎo)通時(shí)，所有耦接到位線BLO的存儲(chǔ)單元都被連接至感測放大器31。在一實(shí)施例中，該感測放大器31只有在對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行一讀取操作時(shí)才會(huì)被致能(enabled)。
[0049]存儲(chǔ)單元35i耦接在位線BLO與晶體管T32的漏極之間，其中位線BLO由位線驅(qū)動(dòng)器33所驅(qū)動(dòng)。晶體管T32的柵極耦接至一字線WLO，字線WLO由字線驅(qū)動(dòng)器32a所驅(qū)動(dòng)。晶體管T32的源極耦接至一源極線SL0，該源極線SLO由一源極驅(qū)動(dòng)器34所驅(qū)動(dòng)。借由使用字線驅(qū)動(dòng)器32a，位線驅(qū)動(dòng)器33，以及源極驅(qū)動(dòng)器34，可輕易地對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行形成，SET，RESET以及讀取操作。
[0050]字線驅(qū)動(dòng)器32a根據(jù)命令信號(hào)CMD與地址信號(hào)X_ADDi，控制字線WLO上的電壓。命令信號(hào)CMD表示要施加在被選擇的該存儲(chǔ)單元的一操作，該操作可能是一形成操作，一重置操作，一設(shè)定操作或一讀取操作。地址信號(hào)X_ADDi與地址信號(hào)Y_ADDi用以選擇一預(yù)定的存儲(chǔ)單元。地址信號(hào)X_ADDi表示第i列的存儲(chǔ)單元被選擇到，地址信號(hào)Y_ADDi表示第i行的存儲(chǔ)單元被選擇到。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行形成操作時(shí)，字線驅(qū)動(dòng)器32a輸出2.3V的電壓到字線WLO或是將字線WLO的電壓設(shè)定為2.3V。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行RESET操作時(shí)，字線驅(qū)動(dòng)器32a輸出4V的電壓到字線WLO或是將字線WLO的電壓設(shè)定為4V。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行SET操作時(shí)，字線驅(qū)動(dòng)器32a輸出2.3V的電壓到字線WLO或是將字線WLO的電壓設(shè)定為2.3V。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行讀取操作時(shí)，字線驅(qū)動(dòng)器32a輸出3V的電壓到字線WLO或是將字線WLO的電壓設(shè)定為3V。
[0051]位線驅(qū)動(dòng)器33根據(jù)要被施加在存儲(chǔ)單元的操作，控制位線BLO上的電壓。位線驅(qū)動(dòng)器33接收命令信號(hào)CMD與地址信號(hào)Y_ADDi，并輸出對(duì)應(yīng)的電壓到位線BLO上。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行形成操作時(shí)，位線驅(qū)動(dòng)器33輸出3.8V的電壓到位線BLO或是將位線BLO的電壓設(shè)定為3.8V。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行RESET操作時(shí)，位線BLO通過位線驅(qū)動(dòng)器33被接地。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行SET操作時(shí)，位線驅(qū)動(dòng)器33輸出1.4V的電壓到位線BLO或是將位線BLO的電壓改變至1.4V。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行讀取操作時(shí)，感測放大器31讀取位線BLO的電壓以判斷存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元35i的數(shù)據(jù)為何。
[0052]源極線驅(qū)動(dòng)器34根據(jù)接收到的命令信號(hào)CMD與地址信號(hào)Y_ADDi，控制源極線SLO上的電壓。在另一實(shí)施例中，地址信號(hào)Y_ADDi可被替換為地址信號(hào)X_ADDi。
[0053]當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行RESET操作時(shí)，源極線驅(qū)動(dòng)器34輸出2V的電壓到源極線SLO或是將源極線SLO的電壓改變至2V。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元35i進(jìn)行SET操作、形成操作或是讀取操作時(shí)，源極線SLO通過源極線驅(qū)動(dòng)器34被接地。
[0054]根據(jù)圖3所述的操作，對(duì)于電阻式存儲(chǔ)單元進(jìn)行不同的操作所需的電壓設(shè)定，可輕易地通過源極線驅(qū)動(dòng)器、位線驅(qū)動(dòng)器以及字線驅(qū)動(dòng)器所完成。
[0055]在另一實(shí)施例中，多條位線被劃分為多個(gè)位線群(bit line group)，而所述多條源極線也包括了多條主要源極線(main source line)與多條次要源極線(sub sourceline)，且每一條次要源極線都連接到不同的位線群。在一實(shí)施例中，地址信號(hào)X_ADDi對(duì)應(yīng)到一主要源極線與一次要源極線。在另一實(shí)施例中，地址信號(hào)X_ADDi對(duì)應(yīng)到一主要源極線，而地址信號(hào)Y_ADDi對(duì)應(yīng)到一次要源極線。在另一實(shí)施例中，所述多條字線包括了多條主要字線(main word line)與多條次要字線(sub word line)，且每一條次要字線都連接到不同的位線群，其中地址信號(hào)X_ADDi對(duì)應(yīng)到一主要字線與一次要字線。
[0056]在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元的定義并不包括開關(guān)裝置，如圖2A?2D中的晶體管T2。在另一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元的定義是包括開關(guān)裝置。請(qǐng)參考圖4。圖4為根據(jù)本發(fā)明的具有一共用源極線的多個(gè)存儲(chǔ)單元的一實(shí)施例的示意圖。第一存儲(chǔ)單元41與第二存儲(chǔ)單元42都耦接到一位線BLO與一共用的源極線SL0。第一存儲(chǔ)單元41耦接到字線WL0,而第二存儲(chǔ)單元42耦接到字線WL1，其中，舉例來說，共用的源極線SLO是被設(shè)置在字線WLO與字線WLl之間。在一個(gè)例子中，第一存儲(chǔ)單元41包括一金屬-絕緣體-金屬(Metal-1nsulator-Metal，MIM)裝置43，其中M頂裝置43耦接到晶體管T41與位線BL0。晶體管T41根據(jù)通過字線WLO接收到的一控制信號(hào)將M頂裝置43耦接到源極線SLO。在其他的實(shí)施例中，MIM裝置可以被其他的電阻式存儲(chǔ)裝置所代替。
[0057]當(dāng)邏輯I要被寫入第一存儲(chǔ)單元41時(shí)，SET操作被施加在M頂裝置43上，且M頂裝置43的電阻值因此變高。當(dāng)邏輯O要被寫入第一存儲(chǔ)單元41時(shí)，RESET操作被施加在MIM裝置43上，M頂裝置43的電阻值因此變低，且是相對(duì)低于M頂裝置43被施加SET操作后，M頂裝置43的電阻值。
[0058]借由使用共用的源極線，存儲(chǔ)器陣列的大小可以有效的被減少，且源極驅(qū)動(dòng)器的數(shù)量也因此減少。
[0059]在一些實(shí)施例中，所有的位線在一 RESET操作前，都會(huì)被預(yù)先充電到1.4V，而只有被選擇到的位線的電位會(huì)被驅(qū)動(dòng)到0V。這一來就表示其他的位線的電位仍然是維持在
1.4V，而這對(duì)電阻式存儲(chǔ)器造成了很大的電源負(fù)擔(dān)，而且是在高密度的電阻式存儲(chǔ)陣列中，降低效能的最主要因素。
[0060]圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一位線群組方法的示意圖。在圖5中，位線群組方法是根據(jù)對(duì)應(yīng)到字線的地址信號(hào)X_ADDi來實(shí)現(xiàn)。在圖5中，根據(jù)本地字線(local wordline)X地址O與X地址1，將多條位線區(qū)分為4個(gè)位線群A01、A10B、A01B、A0B1B。在圖5上可以看到這4個(gè)位線群分別耦接字線WL3、WL2、WL1、WL0，通過行解碼器A2?An、字線WL3、WL2、WLUWLO可讓被選擇到的位線所屬的位線群內(nèi)的所有位線會(huì)被預(yù)先充電到1.4V，而屬于沒被選擇到的位線群內(nèi)的位線則維持在0V。在一實(shí)施方式中，字線WL0、WL1、WL2、WL3分別耦接位線BLO?BLn的部分位線。在一實(shí)施例中，字線匯流排MffLO耦接字線WLO、WLl、WL2與WL3，行解碼器通過字線匯流排MffLO控制字線WLO、WL1、WL2與WL3的導(dǎo)通。
[0061 ] 圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一位線群組方法的示意圖。在圖6中，位線群組方法是根據(jù)對(duì)應(yīng)到源極線的地址信號(hào)X_ADD或Y_ADD來實(shí)現(xiàn)。在圖6中，地址信號(hào)X_addi或Y_addi對(duì)應(yīng)到的是位線SL0，地址信號(hào)X_addj或Y_addj對(duì)應(yīng)到的是位線SLl，地址信號(hào)X_addk或Y_addk對(duì)應(yīng)到的是位線SL2而地址信號(hào)X_addl或Y_addl對(duì)應(yīng)到的是位線SL3。多條位線根據(jù)源極線SLO、SLU SL2以及SL3被區(qū)分為4個(gè)位線群，通過行解碼器、源極線SL0、SL1、SL2、SL3以及地址信號(hào)X_ADD或Y_ADD可讓被選擇到的位線所屬的位線群內(nèi)的所有位線會(huì)被預(yù)先充電到1.4V，而屬于沒被選擇到的位線群內(nèi)的位線則維持在0V。在一實(shí)施方式中，源極線SLO、SLl、SL2、SL3分別耦接位線BLO?BLn的部分位線。在一實(shí)施例中，源極線匯流排MSLO耦接源極線SLO、SLl、SL2與SL3，行解碼器通過源極線匯流排MSLO控制位線源極線SLO、SLU SL2與SL3的狀態(tài)。
[0062]圖7為根據(jù)本發(fā)明的一電阻式存儲(chǔ)器模組的一實(shí)施例的示意圖。電阻式存儲(chǔ)器模組包括控制器71、字線驅(qū)動(dòng)器72、源極線驅(qū)動(dòng)器73、位線驅(qū)動(dòng)器74以及存儲(chǔ)器陣列75?？刂破?1還包括一地址解碼器以解碼行地址(Y-address)與列地址(X_address)。當(dāng)存儲(chǔ)器陣列75內(nèi)的一存儲(chǔ)單元被選擇，且一操作，如RESET操作或SET操作，要被施加在被選擇的存儲(chǔ)單元時(shí)，控制器71會(huì)傳送一命令信號(hào)與一地址信號(hào)給字線驅(qū)動(dòng)器72、源極線驅(qū)動(dòng)器73以及位線驅(qū)動(dòng)器74。字線驅(qū)動(dòng)器72、源極線驅(qū)動(dòng)器73以及位線驅(qū)動(dòng)器74會(huì)根據(jù)接收到的命令信號(hào)與地址信號(hào)，分別輸出對(duì)應(yīng)的電壓。詳細(xì)的電壓設(shè)定說明可參考圖2A?2D以及圖3。
[0063] 雖然本發(fā)明已以具體實(shí)施例揭露如上，然其僅為了易于說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，而并非將本發(fā)明狹義地限定于該實(shí)施例，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包括: 多條字線； 多條位線； 一存儲(chǔ)陣列，具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，設(shè)置在所述字線與所述位線的交界處，以形成具有多行與多列的一矩陣，其中每一存儲(chǔ)單元包括一電阻式存儲(chǔ)裝置與一開關(guān)；以及 多條源極線，每一條源極線被配置在兩條字線之間，其中每一條源極線耦接到所述開關(guān)的多個(gè)源極端，每一條源極線都被一源極線驅(qū)動(dòng)器所驅(qū)動(dòng)，該源極線驅(qū)動(dòng)器接收一命令信號(hào)與一地址信號(hào)，并根據(jù)該命令信號(hào)與該地址信號(hào)將該源極線的一電壓電平設(shè)定為一第一電壓電平； 其中當(dāng)一重置操作被施加到被選擇的一存儲(chǔ)單元時(shí)，該源極線的該電壓電平被設(shè)定為該第一電壓電平，且當(dāng)另一個(gè)操作被施加被選擇的該存儲(chǔ)單元時(shí)，該源極線被接地。2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，每一字線都被一字線驅(qū)動(dòng)器所驅(qū)動(dòng)，且該字線驅(qū)動(dòng)器接收該命令信號(hào)與該地址信號(hào)，并根據(jù)該命令信號(hào)與該地址信號(hào)控制該字線的一電壓電平。3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該地址信號(hào)包括一X_ADD信號(hào)與一 Y_ADD信號(hào)，該源極線驅(qū)動(dòng)器接收該Y_ADD信號(hào)，且該字線驅(qū)動(dòng)器接收該X_ADD信號(hào)。4.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該命令信號(hào)用以表示要施加在被選擇的該存儲(chǔ)單元的一操作，該操作可能是一形成操作、一重置操作、一設(shè)定操作或一讀取操作。5.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該字線驅(qū)動(dòng)器根據(jù)要施加在被選擇的該存儲(chǔ)單元的一操作以及由該命令信號(hào)表示關(guān)于該操作的信息去控制該字線的該電壓電平。6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，每一位線都被一位線驅(qū)動(dòng)器所驅(qū)動(dòng)，且該位線驅(qū)動(dòng)器接收該命令信號(hào)與該地址信號(hào)，并根據(jù)該命令信號(hào)與該地址信號(hào)控制該位線的一電壓電平。7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該位線驅(qū)動(dòng)器根據(jù)要施加在被選擇的該存儲(chǔ)單元的一操作以及由該命令信號(hào)表示關(guān)于該操作的信息去控制該位線的電壓電平。8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述位線被分為多個(gè)位線群，所述源極線包括多條主源極線以及多條次源極線，且每一次源極線被耦接到不同的位線群。9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該地址信號(hào)包括一X_ADD信號(hào)，該X_ADD信號(hào)對(duì)應(yīng)到一主要源極線以及一次要源極線。10.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該地址信號(hào)包括一X_ADD信號(hào)以及一 Y_ADD信號(hào)，該X_ADD信號(hào)對(duì)應(yīng)到一主要源極線，該Y_ADD信號(hào)對(duì)應(yīng)到一次要源極線。11.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述位線被分為多個(gè)位線群，所述字線包括多條主字線以及多條次字線，且每一次字線被耦接到不同的位線群。12.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，該地址信號(hào)包括一X_ADD信號(hào)，該X_ADD信號(hào)對(duì)應(yīng)到一主字線以及一次字線。13.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，每一條源極線被連續(xù)兩條字線共用。
【文檔編號(hào)】G11C13/00GK105869670SQ201510024293
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年1月19日
【發(fā)明人】崔明燦
【申請(qǐng)人】華邦電子股份有限公司