專利名稱：檢測磁存儲器的熱不平度的方法及其電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測用于由磁阻元件從磁存儲介質(zhì)讀出數(shù)據(jù)的磁存儲器的熱不平度的方法及其電路。
在磁盤裝置中，磁頭從旋轉(zhuǎn)磁盤讀出數(shù)據(jù)和將數(shù)據(jù)寫到旋轉(zhuǎn)磁盤。該磁盤隨著磁盤的旋轉(zhuǎn)而浮動。為了增加磁盤裝置的存儲密度，磁阻元件被用作磁頭的讀出元件。
磁阻元件(MR元件)是一個其阻值對應(yīng)于磁場大小而改變的元件。使磁頭本身浮動在磁盤上方，該磁頭從磁盤讀出數(shù)據(jù)。存儲密度的增加需要減小來自磁盤的磁場泄漏。因此，要求磁頭的浮動量變小，并且該浮動量減少到幾十微米。
另一方面，磁盤的表面大約有幾微米到幾十微米的不平度，并不是完全平的。磁頭可能與磁盤上不平部分接觸。磁阻元件由于這種接觸而產(chǎn)生熱。該接觸熱可使磁阻元件的阻值變化，導(dǎo)致讀數(shù)輸出的基線改變。這被稱為熱不平度(thermal asperity，TA)。因此，信號就不能正常讀出。
情況既然是這樣，磁阻元件檢測與磁盤的接觸，并且必須對讀出信號采取包含檢測熱不平度的技術(shù)在內(nèi)的一些措施。


圖12表示現(xiàn)有技術(shù)讀出電路的構(gòu)形圖。圖13表示現(xiàn)有技術(shù)的熱不平度(TA)檢測電路的構(gòu)形圖。圖14表示現(xiàn)有技術(shù)的波形圖。
如圖12所示，磁頭91-1，91-2可從旋轉(zhuǎn)磁盤90讀出數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)寫到旋轉(zhuǎn)磁盤90。兩個磁頭91-1，91-2都提供到一個磁盤90。磁頭91-1，91-2具有磁阻元件，用作讀出元件。
一個讀出電路98提供給磁盤裝置的整個磁頭(磁阻元件)。開關(guān)97將所選擇的磁頭連接到一個讀出電路98。讀出放大器92放大磁頭(磁阻元件)91-1，91-2的讀出信號。
熱不平度檢測電路93從磁頭91-1，91-2的讀數(shù)輸出中檢測熱不平度。高通濾波器94截止由讀出放大器92放大的讀出信號的低頻分量。模/數(shù)變換器95將讀出信號變換成數(shù)字值。讀出信道電路96由微處理器構(gòu)成。讀出信道電路96調(diào)制具有數(shù)字值的讀出信號，并輸出讀出數(shù)據(jù)。
如圖13所示，該傳統(tǒng)的熱不平度檢測電路93是由用于產(chǎn)生限幅電平SL的電源100和用于將磁頭(磁阻元件)91-1，91-2的讀出信號的電平與限幅電平相比較的比較電路99構(gòu)成的。
如圖14所示，磁阻元件不與磁盤90接觸時，其讀出輸出RS-1相對于基線是固定的。然而如圖14中RS-2所示，當(dāng)磁阻元件與磁盤90接觸時，該讀數(shù)輸出是變化的。即，當(dāng)磁阻元件與磁盤90接觸時，由于磁阻元件產(chǎn)生的熱使磁阻元件的讀數(shù)輸出RS-2的基線急劇上升。然后，該基線隨著磁阻元件的熱量下降而逐漸回到先前值。
為了檢測指示上述輸出變化的熱不平度，至今，該讀出信號與各個磁頭共用的固定限幅電平SL進(jìn)行比較。然后，如果讀出電平超過限幅電平SL，則會產(chǎn)生熱不平度檢測信號TAF。
讀出信道電路96收到熱不平度檢測信號TAF，并執(zhí)行校正讀出信號的基線的處理。例如，讀出信道電路96在接收熱不平度檢測信號TAF時，再次試圖讀出相關(guān)磁跡上的數(shù)據(jù)。
然后，在讀出一再試處理時，讀出信道電路96操作高通濾波器94，截止讀出信號RS-2的低頻分量。基線變化的頻率是低于讀出信號的數(shù)據(jù)部分的頻率的。因此，讀出信號RS-2被處理成使具有改變基線的該段的低頻分量截止，如圖14中由波形RS-3所示。由此，具有改變基線的該段的延時(長度)被減少了。
具有改變基線的該段是小的，因此，即使該段的數(shù)據(jù)被判斷為不正常，這還能用將在后面執(zhí)行的糾錯來補救。然而，僅在檢測熱不平度時操作高通濾波器的原因在于，如果始終操作高通濾波器的話，則讀出信號的低頻分量總是被截去，該信號電平會降低，從而導(dǎo)致更多的讀數(shù)誤差。該高通濾波器僅在檢測熱不平度時操作，由此使它可做到在最小范圍內(nèi)抑制信號電平的下降。
于是，該限幅電平至今已根據(jù)對各個磁頭公共的絕對值進(jìn)行設(shè)置。
然而，這在現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)生了下列固有的問題。
第一，信號讀出電路98(熱不平度檢測電路93)提供給磁盤裝置的所有磁頭。每個磁頭(磁阻元件)的輸出電平由于磁阻元件的阻值差異和檢測電流的差異而不同?，F(xiàn)有技術(shù)有這樣一個問題，每個磁阻元件的熱不平度不能精確地檢測出，這是因為公共限幅電平是對應(yīng)于根據(jù)每個磁阻元件而不同的輸出電平進(jìn)行設(shè)置的。
第二，避免這種問題必須使用測量每個磁阻元件的輸出電平和設(shè)置用于檢測每個單磁阻元件的熱不平度的限幅電平的方法。該方法出現(xiàn)的一個麻煩是，要測量磁盤裝置內(nèi)的每個磁阻元件的特性，并且必須確定限幅電平。該方法的另一個麻煩是，存儲器存貯各個磁阻元件的限幅電平，并當(dāng)選擇磁頭(磁阻元件)時，在熱不平度檢測電路中需要設(shè)置所選擇的磁頭(磁阻元件)的限幅電平。這導(dǎo)致了這樣的問題使測量過程由于熱不平度的檢測而變得費時，并且在選擇磁頭時需要控制。
本發(fā)明的主要目的是提供一種檢測磁存儲器熱不平度的方法和電路，該方法和電路用于根據(jù)與每個磁阻元件的特性相對應(yīng)的限幅電平檢測熱不平度。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種檢測磁存儲器熱不平度的方法和電路，該方法利用與每個磁阻元件的特性相對應(yīng)的限幅電平檢測熱不平度。
本發(fā)明又一個目的是提供一種檢測磁存儲器熱不平度的方法和電路，該方法利用與每個磁阻元件的特性相對應(yīng)的限幅電平檢測熱不平度而不必設(shè)置每個磁阻元件的限幅電平。
為了實現(xiàn)上述的目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，一種檢測磁存儲器熱不平度的方法包括第一步驟，檢測磁阻元件的輸出幅值和建立m倍(m＞1)于輸出電平的限幅電平，和第二步驟，比較磁阻元件的輸出信號和限幅電平，并產(chǎn)生熱不平度檢測信號。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，一種檢測磁存儲器熱不平度的電路包括一個限幅電平產(chǎn)生電路，用于檢測磁阻元件的輸出幅值，并產(chǎn)生m倍(m＞1)于輸出電平的限幅電平，和一個比較電路，用于比較磁阻元件的輸出信號和限幅電平，并產(chǎn)生熱不平度檢測信號。
根據(jù)本發(fā)明，該限幅電平由磁阻元件的輸出產(chǎn)生。更具體地說，磁阻元件的輸出幅度被檢測出，并產(chǎn)生m倍(m＞1)于輸出電平的限幅電平。于是，由于輸出相對值的限幅電平是由磁阻元件的輸出產(chǎn)生的，所以具有與每個磁阻元件的輸出電平相對應(yīng)的幅值的限幅電平能自動地產(chǎn)生。
因此，對應(yīng)于每個磁阻元件的特性的限幅電平能自動地產(chǎn)生，以使每個磁阻元件的熱不平度能精確地檢測。此外，每個磁阻元件的特性不用測量它就能獲得，因此省略了測量工作。此外，在選擇磁頭時不需要對限幅電平的設(shè)置進(jìn)行控制，因此，可減輕制造固件的費用。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，第一步驟包括把所述的磁阻元件的輸出電平乘以“m”(m＞1)的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，第一步驟包括截止磁阻元件輸出中的預(yù)定頻率分量的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的第五方面，截止步驟包括截止磁阻元件輸出中的低頻分量的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的第六方面，截止步驟包括截止磁阻元件輸出中的高頻分量的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的第七方面，第一步驟包括根據(jù)熱不平度檢測信號保持磁阻元件的輸出電平的步驟。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點通過結(jié)合附圖的下列描述將變得顯而易見。
包含在說明書中并構(gòu)成其一部分的附圖示例了本發(fā)明的最佳實施例，并與上面的一般描述和下面的最佳實施例的詳細(xì)描述一起用于解釋本發(fā)明的主題，其中圖1表示本發(fā)明的第一實施例的電路圖；圖2表示本發(fā)明的第一實施例的波形圖；圖3表示本發(fā)明的第二實施例的電路圖；圖4表示本發(fā)明的第二實施例的波形圖；圖5表示本發(fā)明的第三實施例的電路圖；圖6表示本發(fā)明的第三實施例的波形圖；圖7表示本發(fā)明的第四實施例的電路圖；圖8表示本發(fā)明的第五實施例的電路圖；圖9表示本發(fā)明的第六實施例的電路圖；圖10表示本發(fā)明的第七實施例的電路圖；圖11表示本發(fā)明的第八實施例的電路圖；圖12表示現(xiàn)有技術(shù)的讀出電路的結(jié)構(gòu)圖；圖13表示現(xiàn)有技術(shù)的TA檢測電路的結(jié)構(gòu)圖14表示現(xiàn)有技術(shù)的波形圖。
圖1表示本發(fā)明的第一實施例的電路圖。圖2表示根據(jù)圖1結(jié)構(gòu)得到的波形圖。
如圖1所示，磁盤1由未圖示出的主軸電機(jī)旋轉(zhuǎn)。一對磁頭2-1，2-2提供到磁盤1的上表面和下表面。磁頭2-1，2-2具有用作讀出元件的磁阻元件。
開關(guān)3在磁頭2-1，2-2之間轉(zhuǎn)換。讀出放大器4放大磁頭(磁阻元件)2-1，2-2的讀數(shù)輸出，并將該輸出送到高通濾波器94(見圖12)。
熱不平度檢測電路9由幅度檢測電路5、低通濾波器6、放大電路7和比較電路8構(gòu)成。幅度檢測電路5檢測讀出信號RS的幅度，并由一個整流器構(gòu)成。如圖2所示，幅度檢測輸出AS表示讀出信號(輸入信號)RS的包絡(luò)。
低通濾波器6截止整流輸出的高頻分量。低通濾波器6產(chǎn)生一個濾波輸出BS(見圖2)，其中緊接在與磁頭接觸后產(chǎn)生的高頻分量被截止。放大電路7將濾波器輸出BS的電平乘以“m”(m＞1)，由此產(chǎn)生限幅電平SL。
比較電路8比較輸入信號RS與限幅電平SL，在輸入信號RS超過限幅電平SL時，產(chǎn)生熱不平度檢測信號TAF。
下面說明比較電路8的工作。讀出信號RS的幅度由幅度檢測電路5檢測，由此產(chǎn)生一個幅度檢測信號AS。低通濾波器6截止幅度檢測信號AS的高頻分量。其原因是，由于熱不平度使DC電平急劇波動，并且幅度檢測電路5跟隨波動，在那種情況下，就存在不能檢測到熱不平度產(chǎn)生的可能性。
克服上述問題的發(fā)明在于，如圖2的低通濾波器輸出BS所示，低通濾波器6截止幅度檢測電路5的輸出AS的高頻分量，并且限幅電平不能跟隨讀出信號RS的DC電平劇烈波動。利用本發(fā)明，限制限幅電平跟隨讀出信號波動和使故障的出現(xiàn)降到最小是可能的。
該低通濾波器輸出BS由放大電路7放大成m倍輸出(m＞1)，由此產(chǎn)生限幅電平SL。比較電路8將輸入信號RS與限幅電平SL相比較，和當(dāng)輸入信號RS超過限幅電平SL時，產(chǎn)生熱不平度檢測信號TAF。
該熱不平度檢測信號TAF輸入到讀出信道96(見圖12)。讀出信道電路96，如上所述，執(zhí)行校正讀出信號基線的處理。例如，讀出信道電路96，在接收熱不平度檢測信號TAF時，執(zhí)行讀出-再試處理，即重讀在相關(guān)磁跡上的數(shù)據(jù)。
然后，當(dāng)進(jìn)行讀出-再試處理時，讀出信道電路96操作高通濾波器94截止讀出信號RS的低頻分量。具有改變基線的時間(長度)段由此可被減少。具有改變基線的段是小的，因此，即使判斷出該段上的數(shù)據(jù)異常，仍能在后面用糾錯來補救。
而且，在本實施例中，檢測信號TAF可在讀出信號因熱不平度而上升時產(chǎn)生，以致于高通濾波器可立刻操作，而不影響讀出-再試處理。
于是，檢測磁阻元件的讀出信號的幅度，并產(chǎn)生m倍限幅電平，由此，作為每個磁阻元件的讀出信號電平的相對值產(chǎn)生限幅電平。因此，能夠自動地產(chǎn)生與磁阻元件的輸出電平相應(yīng)的最佳限幅電平。因此，即使在磁阻元件的輸出電平變得不相同時，熱不平度還是可以精確地檢測出。
此外，由于低通濾波器6截止高頻分量，因此能防止限幅電平隨著讀出信號的DC電平急劇地波動。這使它可以限制限幅電平隨著讀出信號進(jìn)行的波動且故障的出現(xiàn)可降到最小。
圖3表示本發(fā)明的第二實施例的電路圖。圖4表示根據(jù)圖3結(jié)構(gòu)得到的波形圖。
參照圖3，與圖1相同的部件用相同的標(biāo)號標(biāo)記。高通濾波器10在前級提供到幅度檢測電路5，并截止讀出信號RS的低頻分量。
下面說明該電路的工作。高通濾波器10截止讀出信號RS的低頻分量。其原因是因熱不平度使DC電平急劇波動，幅度檢測電路5跟隨該波動，在那種情況下，存在不能檢測到因熱不平度而引發(fā)的讀出信號波動的可能性。
克服上述問題的發(fā)明在于，如圖4由高通濾波器輸出CS所示，高通濾波器10截止對信號幅度電平?jīng)]有影響的低頻分量。利用本發(fā)明，可以限制限幅電平跟隨讀出信號波動且故障的出現(xiàn)降到最小。
高通濾波器10的這個輸出CS的幅度由幅度檢測電路5檢測，并產(chǎn)生幅度檢測信號DS。該幅度檢測信號DS由放大電路7放大成m倍輸出(m＞1)，由此，產(chǎn)生限幅電平SL。比較電路8將輸入信號RS與限幅電平SL相比較，當(dāng)輸入信號RS超過限幅電平SL時，產(chǎn)生熱不平度檢測信號TAF。
該熱不平度檢測信號TAF，如圖1所示的例子，輸入到讀出信道96(見圖12)。讀出信道電路96，如上所述，執(zhí)行校正讀出信號基線的處理。例如，讀出信道電路96，在接收熱不平度檢測信號TAF時，執(zhí)行讀出再試處理，即重讀在相關(guān)磁跡上的數(shù)據(jù)。
然后，當(dāng)進(jìn)行在讀出再試處理時，讀出信道電路96操作高通濾波器94去截止讀出信號RS的低頻分量。具有改變基線的時間(長度)段由此可被減少。
于是，檢測磁阻元件的讀出信號幅度，和產(chǎn)生m倍限幅電平，由此，作為每個磁阻元件的讀出信號電平的相對值產(chǎn)生限幅電平。因此，可以自動產(chǎn)生與磁阻元件的輸出電平相對應(yīng)的最佳限幅電平。因此，即使當(dāng)磁阻元件的輸出電平變得不相同時，熱不平度還是可以精確地檢測出。
此外，由于高通濾波器10截止低頻分量，因此可防止限幅電平跟隨著讀出信號RS的DC電平波動。這使它可以限制限幅電平跟隨著讀出信號波動且故障的出現(xiàn)降到最小。
圖5表示本發(fā)明的第三實施例的電路圖。圖6表示根據(jù)圖5結(jié)構(gòu)得到的波形圖。
參照圖5，與圖1和3相同的部件用相同標(biāo)號來標(biāo)記。保持電路11根據(jù)熱不平度檢測信號TAF保持幅度檢測電路5的幅度檢測電平。
下面描述對該電路的工作。幅度檢測電路5檢測讀出信號RS的幅度，和產(chǎn)生幅度檢測信號AS。當(dāng)產(chǎn)生熱不平度檢測信號TAF時，該幅度檢測信號AS的電平由用于保持其電平的保持電路11保持。
其原因在于，DC電平因熱不平度而急劇波動，和幅度檢測電路5跟隨該波動，在那種情況下，存在不能檢測出熱不平度出現(xiàn)的可能性。
克服上述問題的發(fā)明在于，如圖6的保持輸出ES所示，保持電路11保持幅度檢測電路5的輸出AS(見圖2)的電平，并且，即使當(dāng)讀出信號RS的DC電平的波動時間常數(shù)是大的，限幅電平也不跟隨其波動。利用本發(fā)明，可以限制限幅電平跟隨讀出信號波動且故障的出現(xiàn)降到最小。
該保持輸出ES經(jīng)放大電路7放大成m倍輸出(m＞1)，由此產(chǎn)生限幅電平SL。比較電路8將輸入信號RS與限幅電平SL相比較，并當(dāng)輸入信號RS超過限幅電平時，產(chǎn)生熱不平度檢測信號TAF。
該熱不平度檢測信號TAF輸入到讀出信道96(見圖12)。如上所述，讀出信道電路96執(zhí)行校正讀出信號基線的處理。例如，讀出信道電路96，在接收熱不平度檢測信號TAF時，執(zhí)行讀出再試處理，即重讀相關(guān)磁跡上的數(shù)據(jù)。
然后，當(dāng)進(jìn)行讀出再試處理時，讀出信道電路96操作高通濾波器94截止讀出信號RS的低頻分量。具有改變基線的時間(長度)段由此被減小。具有改變基線的段是小的，因此，即使該段上的數(shù)據(jù)被判斷為異常時，也可以在后面用糾錯來補救。
而且，在本實施例中，該檢測信號TAF可在讀出信號因熱不平度而產(chǎn)生時產(chǎn)生，以致于可立即操作高通濾波器，而不影響讀出再試處理。
于是，磁阻元件的讀出信號幅度被檢測，并產(chǎn)生m倍限幅電平，由此，可作為每個磁阻元件的讀出電平的相對值產(chǎn)生限幅電平。因此，可自動地產(chǎn)生與磁阻元件的輸出電平對應(yīng)的最佳限幅電平。因此，即使當(dāng)磁阻元件的輸出電平變得不相同時，熱不平度仍可精確地檢測出。
而且，保持電路11保持被檢測時的電平，由此，可以防止限幅電平隨著讀出信號RS的DC電平急劇波動。這可以限制限幅電平跟隨輸出信號的波動，且故障的出現(xiàn)下降到最小。
圖7表示本發(fā)明的第四實施例的電路圖。
參照圖7，與圖1、3和5相同的部件用相同的標(biāo)號來標(biāo)記。在第四實施例中，讀出信號RS由放大器12乘以“n”(n＜m)，然后輸入到比較電路8。然后，放大電路7在前級提供到幅度檢測電路5，讀出信號RS乘以m(m＞1)。而且，在第一實施例中描述的低通濾波器6在后級提供到幅度檢測電路5，在第三實施例中描述的保持電路11在后級提供到低通濾波器6。
在第四實施例中，如在第一實施例中所說明的，低通濾波器6截止幅度檢測電路5的幅度檢測輸出中的高頻分量，并且，如第三實施例中所描述的，保持電路保持被檢測時的電平。
因此，如第一實施例中所說明的，可防止限幅電平跟隨讀出信號的波動，而且除此之外，如在第三實施例中討論的，即使波動的時間常數(shù)是大的，仍可以防止限幅電平跟隨讀出信號的波動。
圖8表示在本發(fā)明的第五實施例中的電路圖。
參照圖8，與圖1、3和5相同的部件用相同標(biāo)號來標(biāo)記。在第五實施例中，讀出信號RS由放大電路7乘以“m”(m＞1)，之后，比較電路8的輸入電平被衰減器13衰減。此外，在第二實施例中說明的高通濾波器10在前級提供到幅度檢測電路5，在第三實施例中描述的保持電路11在后級提供到幅度檢測電路5。
在第五實施例中，如在第二實施例中所討論的，高通濾波器10截止讀出信號RS的低頻分量，并且，如在第三實施例中所述的，保持電路保持被檢測時的電平。
而且，如在第二實施例中所說明的，可防止限幅電平跟隨讀出信號的波動，此外，如在第三實施例中描述的，即使波動的時間常數(shù)是大的，仍可以防止限幅電平讀出信號的波動。
圖9表示在本發(fā)明的第六實施例中的電路圖。
參照圖9，與圖1、3和5相同的部件用相同標(biāo)號來標(biāo)記。在第六實施例中，圖1中的幅度檢測電路是由數(shù)字處理電路構(gòu)成。更明確地說，幅度檢測電路是由用于把模擬讀出信號變換成數(shù)字值的模/數(shù)變換器14，和用于估算波形包絡(luò)的包絡(luò)運算單元15構(gòu)成。此外，低通濾波器6由數(shù)字低通濾波器構(gòu)成。而且，數(shù)字/模擬變換器16將數(shù)字低通濾波器輸出變換成模擬限幅電平SL。
第六實施例，其中熱不平度檢測電路由數(shù)字電路構(gòu)成，顯示與第一實施例相同的操作和作用。然而，模擬/數(shù)字變換器14受熱不平度檢測信號TAF控制，并因此，執(zhí)行在第三實施例中所示的保持電路的功能。
圖10表示本發(fā)明的第七實施例的電路圖。
參照圖10，與圖1、3和5相同的部件用相同標(biāo)號來標(biāo)記。在第七實施例中，在圖3中的幅度檢測電路由數(shù)字處理電路構(gòu)成。更明確地說，幅度檢測電路是由用于將模擬高通濾波器輸出變換成數(shù)字值的模擬/數(shù)字變換器14、和用于估算波形包絡(luò)的包絡(luò)運算單元15構(gòu)成。數(shù)字/模擬變換器6把數(shù)字包絡(luò)運算輸出變換成模擬限幅電平SL。
第七實施例，其中熱不平度檢測電路是由數(shù)字電路構(gòu)成的，顯現(xiàn)與第二實施例相同的操作和作用。然而，模擬/數(shù)字變換器14受熱不平度檢測信號TAF控制，因此，執(zhí)行第三實施例所示的保持電路的功能。
圖11表示本發(fā)明的第八實施例的電路圖。
參照圖11，與圖1、7和9相同的部件用相同符號來標(biāo)記。在第八實施例中，圖1的幅度檢測電路是由數(shù)字處理電路構(gòu)成的。更明確地說，幅度檢測電路是由將模擬讀出信號變換成數(shù)字值的模擬/數(shù)字變換器14，和用于估算波形包絡(luò)的包絡(luò)運算單元15構(gòu)成的。此外，低通濾波器6由數(shù)字低通濾波器構(gòu)成。此外，數(shù)字/模擬變換器16把數(shù)字低通濾波器輸出變換成模擬限幅電平SL。
而且，讀出信號RS由放大電路7放大“m”(m＞1)倍。然后放大電路7的輸出電平被衰減器13衰減，然后，輸入到比較電路8。此外，放大電路7的輸出輸入到模擬/數(shù)字變換器14。
第八實施例，其中熱不平度檢測電路由數(shù)字電路構(gòu)成，呈現(xiàn)與第一和第六實施例相同的操作和作用。此外，模擬/數(shù)字變換器14由熱不平度檢測信號TAF控制，并因此，執(zhí)行第三實施例中所示的保持電路的功能。
除了上面所討論的一些實施例以外，本發(fā)明可改進(jìn)如下(1)磁盤裝置已經(jīng)作為磁存儲裝置例證了，然而，本發(fā)明可以應(yīng)用到其它磁存儲裝置，例如磁卡裝置和磁數(shù)據(jù)裝置等。
(2)可以構(gòu)造適當(dāng)?shù)嘏c低通濾波器、高通濾波器和保持電路組合在一起的熱不平度檢測電路。
通過各個實施例已經(jīng)對本發(fā)明進(jìn)行了討論，但是在本發(fā)明的要點之內(nèi)可以進(jìn)行各種形式的改進(jìn)，并這些改型都包括在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
如上所述，本發(fā)明顯示下述的作用(1)根據(jù)磁阻元件的輸出產(chǎn)生作為輸出相對值的限幅電平，因此，能夠自動地產(chǎn)生具有與每個磁阻元件的輸出電平相對應(yīng)的幅度的限幅電平。因此，能自動地產(chǎn)生與每個磁阻元件的特性相對應(yīng)的限幅電平，這樣可以精確地檢測出每個磁阻元件的熱不平度。
(2) 每個磁阻元件的特性不用測量它就能獲得，因此，測量工作就可省略了。
(3)在選擇磁頭時不需要對限幅電平的設(shè)置進(jìn)行控制，因此，對固件的制造費用可減輕了。
權(quán)利要求
1.一種檢測利用磁阻元件從磁存儲介質(zhì)讀出數(shù)據(jù)的磁存儲器的熱不平度的方法，所述的方法包括第一步驟，檢測所述的磁阻元件的輸出的幅度，和產(chǎn)生m倍(m＞1)于輸出電平的限幅電平；和第二步驟，把所述的磁阻元件的輸出信號與限幅電平相比較，產(chǎn)生熱不平度檢測信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的一種檢測磁存儲器的熱不平度方法，其中所述的第一步驟包括將所述的磁阻元件的輸出電平乘以“m”(m＞1)的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的一種檢測磁存儲器的熱不平度的方法，其中所述的第一步驟包括截止所述磁阻元件輸出中的預(yù)定頻率分量的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的一種檢測磁存儲器的熱不平度的方法，其中所述的截止步驟包括截止所述磁阻元件輸出中的低頻分量的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的一種檢測磁存儲器的熱不平度的方法，其中所述的截止步驟包括截止所述磁阻元件輸出中的高頻分量的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的一種檢測磁存儲器的熱不平度的方法，其中所述的第一步驟包括根據(jù)熱不平度檢測信號保持所述磁阻元件的輸出電平的步驟。
7.一種用于檢測使用磁阻元件從磁存儲介質(zhì)中讀出數(shù)據(jù)的磁存儲器的熱不平度的電路，所述的電路包括限幅電平產(chǎn)生電路，用于檢測所述的磁阻元件的輸出幅度，并產(chǎn)生m倍(m＞1)于輸出電平的限幅電平；和比較電路，用于將所述的磁阻元件的輸出信號與限幅電平相比較，并產(chǎn)生熱不平度檢測信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的一種用于檢測磁存儲器的熱不平度的電路，其中所述的限幅電平產(chǎn)生電路包括用于檢測所述磁阻元件的輸出幅度的幅度檢測電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的一種用于檢測磁存儲器的熱不平度的電路，其中所述的限幅電平產(chǎn)生電路包括用于將所述的磁阻元件的輸出電平乘以“m”倍(m＞1)的放大電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的一種用于檢測磁存儲器的熱不平度的電路，其中所述的限幅電平產(chǎn)生電路包括用于截止所述的磁阻元件輸出中的預(yù)定頻率分量的濾波器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的一種用于檢測磁存儲器的熱不平度的電路，其中所述的濾波器包括用于截止所述的磁阻元件輸出中的低頻分量的高通濾波器。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的一種用于檢測磁存儲器的熱不平度的電路，其中所述的濾波器包括用于截止所述的磁阻元件輸出中的高頻分量的低通濾波器。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的一種用于檢測磁存儲器的熱不平度的電路，其中所述的限幅電平檢測電路包括用于保持所述磁阻元件的輸出電平的保持電路。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種通過檢測磁阻元件與磁存儲介質(zhì)的接觸來檢測磁存儲器的熱不平度的方法及其電路。該方法包括檢測磁阻元件的輸出幅度和產(chǎn)生m倍(m>1)于輸出電平的限幅電平。作為輸出相對值的限幅電平由磁阻元件的輸出產(chǎn)生,因此具有與每個磁阻元件的輸出電平相對應(yīng)的幅度的限幅電平可自動地產(chǎn)生。因此,可精確地檢測每個磁阻元件的熱不平度。
文檔編號G11B5/00GK1240286SQ9910172
公開日2000年1月5日 申請日期1999年2月1日 優(yōu)先權(quán)日1998年6月18日
發(fā)明者高橋泰彥 申請人:富士通株式會社