專利名稱：一種sram噪聲容限測量方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，特別涉及一種SRAM噪聲容限測量方法。
背景技術(shù)：
隨著數(shù)字集成電路的功能越來越復(fù)雜，規(guī)模越來越大，片上集成的存儲器已成為數(shù)字系統(tǒng)中非常重要的組成部分。例如，在高性能的微處理器中，超過一半的晶體管被用來實現(xiàn)高速緩存。隨著工藝水平的進(jìn)步，電路特征尺寸等比例縮小，如何在深亞微米條件下保證存儲器單元工作穩(wěn)定性，變得日益重要。在深亞微米條件下，器件參數(shù)本征波動引起的電路穩(wěn)定性問題日益突出。晶體管溝道耗盡區(qū)摻雜原子在數(shù)量與分布上的微觀漲落，影響著器件的電參數(shù)，產(chǎn)生了微小偏差。這些原子級的本征漲落，目前無法通過制造工藝的控制加以消除，同時與器件在硅片上的位置無關(guān)。這將造成SRAM存儲單元中相鄰MOS管的閾值失配，從而影響存儲單元的靜態(tài)噪聲容限(SNM)。靜態(tài)噪聲容限S匪(Static Noise Margin)是指存儲單元所能承受的最大直流噪聲信號的幅值。若超過這個值，存儲結(jié)點的狀態(tài)會發(fā)生錯誤翻轉(zhuǎn)。它是衡量存儲單元抗干擾能力的一個重要參數(shù)。因此噪聲容限的重要性進(jìn)一步說明了噪聲容限測量的重要性。傳統(tǒng)的6T-SRAM噪聲容限的測試電路如圖I所示。圖I中，通過接入噪聲源Vl來模擬實際的可以使電路發(fā)生翻轉(zhuǎn)的噪聲電壓。假設(shè)QB端為低電平，Q端為高電平，利用電路仿真軟件進(jìn)行直流掃描，使Vl電壓從O向上掃描，使電單元發(fā)生翻轉(zhuǎn)的臨界電壓即為測試得到的噪聲容限。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在分析傳統(tǒng)噪聲容限測量結(jié)果的基礎(chǔ)上，探尋如何準(zhǔn)確直接快速的得到噪聲容限，提出了一種新型噪聲容限測量法。發(fā)明所采用的技術(shù)方案
為了實現(xiàn)上述目的，如圖2所示
I.一種SRAM噪聲容限精確測量方法
一、首先兩種坐標(biāo)系下的SRAM中的反相器轉(zhuǎn)移特性交疊而成的蝶形圖，其中Fl曲線為SRAM中通過仿真反相器而得出的特征曲線，F(xiàn)2’為反相器特征曲線關(guān)于y=x軸的對稱曲線，兩者組成蝶形曲線構(gòu)成蝶形 二、將x-y坐標(biāo)系順時針轉(zhuǎn)到90度，變成u-v坐標(biāo)系，噪聲容限為最大正方形的邊長
值；
三、在u-v坐標(biāo)下,Fl曲線的V值減去F2’曲線對應(yīng)的V值,得到曲線,從而curveA曲線中，I V |max為最大正方形的對角線值；
四、用u-v來表示出x-y坐標(biāo)系，由于將x-y坐標(biāo)系順時針轉(zhuǎn)到90度，從而可以得出
權(quán)利要求
1.一種SRAM噪聲容限測量方法，其特征在于 一、首先兩種坐標(biāo)系下的SRAM中的反相器轉(zhuǎn)移特性交疊而成的蝶形圖，其中Fl曲線為SRAM中通過仿真反相器而得出的特征曲線，F(xiàn)2’為反相器特征曲線關(guān)于y=x軸的對稱曲線，兩者組成蝶形曲線構(gòu)成蝶形圖； 二、將χ-y坐標(biāo)系順時針轉(zhuǎn)到90度，變成u-v坐標(biāo)系，噪聲容限為最大正方形的邊長值； 三、在u-v坐標(biāo)下,Fl曲線的V值減去F2’曲線對應(yīng)的V值,得到曲線,從而curveA曲線中，I V |max為最大正方形的對角線值； 四、用u-v來表示出x-y坐標(biāo)系，由于將x-y坐標(biāo)系順時針轉(zhuǎn)到90度，從而可以得出
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的SRAM噪聲容限測量方法，其特征在于所述的構(gòu)建電路仿真的方法包括 一、電壓控制電壓源來表示電壓源，壓控電壓源El和E2的增益均為O.7071，連接于SRAM中的一個反相器122，加載到增益為1.4142壓控電壓源E3并和增益為I的壓控電壓源E4連接構(gòu)成Vl ;電路的下半部分，壓控電壓源E9和E8的增益分別為O. 7071，-O. 7071，連接于SRAM中的另一個反相器123，以此作為輸入加載到增益為I. 4142的壓控電壓源E5并和增益為-I的壓控電壓源E4連接構(gòu)成V2 ； 二、Vl和V2作為壓控電壓源ElO的輸入分別加載到正負(fù)兩段構(gòu)成V1-V2，便得到如上所述的曲線curveA，乘以O(shè). 7071的增益，從而得到噪聲容限值。
全文摘要
本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，特別涉及SRAM噪聲容限測量領(lǐng)域。公開了一種SRAM噪聲容限測量方法，靜態(tài)噪聲容限SNM(StaticNoiseMargin)是指存儲單元所能承受的最大直流噪聲信號的幅值，若超過這個值，存儲結(jié)點的狀態(tài)會發(fā)生錯誤翻轉(zhuǎn)，它是衡量存儲單元抗干擾能力的一個重要參數(shù)，本發(fā)明在分析傳統(tǒng)噪聲容限測量結(jié)果圖的基礎(chǔ)上，探尋如何準(zhǔn)確直接快速的得到噪聲容限，提出了一種新型噪聲容限測量法，此方法能夠準(zhǔn)確直接得出噪聲容限值并可以在實際測量工作中作為標(biāo)準(zhǔn)來推廣，從而提高工作效率。
文檔編號G11C29/50GK102915771SQ201210429198
公開日2013年2月6日 申請日期2012年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月1日
發(fā)明者張震, 戚湧 申請人:南京理工大學(xué)常熟研究院有限公司