專利名稱：一種存儲器控制器及其相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于存儲器裝置的技術(shù)，尤指支持雙倍傳輸速率存儲器的存儲器控制器及其相關(guān)方法。
背景技術(shù)：
在一般的存儲器當(dāng)中，數(shù)據(jù)讀取和寫入的動作只會發(fā)生在時(shí)鐘(clock)信號的上升緣及下降緣兩者的其中之一，但雙倍傳輸速率(double data rate，DDR)存儲器中的數(shù)據(jù)寫入和讀取動作卻可在時(shí)鐘信號的上升緣及下降緣兩者中進(jìn)行。因此，相較于已知的存儲器而言，雙倍傳輸速率存儲器可提供兩倍的數(shù)據(jù)傳輸能力。
請參考圖1，其所示為一已知存儲器系統(tǒng)100簡化后的示意圖。如圖所示，存儲器系統(tǒng)100包含有一存儲器控制器110、一DDR存儲器120、一存儲器總線130、以及一芯片總線(on-chip bus)140。存儲器總線130是用來聯(lián)系存儲器控制器110與DDR存儲器120。芯片總線140則是用來聯(lián)系存儲器控制器110與需要存取DDR存儲器120的其它組件，例如中央處理單元(CPU)、北橋電路等等。在相關(guān)技術(shù)中，由于DDR存儲器120在每一運(yùn)作周期中可傳輸兩個(gè)存儲器字符，故芯片總線140的總線寬度通常設(shè)計(jì)成存儲器總線130的兩倍。換言之，倘若存儲器總線130的總線寬度為N位，則芯片總線140的總線寬度會設(shè)計(jì)成2N位。
在這一架構(gòu)下，存儲器控制器110必須與DDR存儲器120運(yùn)作在相同的操作頻率下。舉例而言，若DDR存儲器120為一DDR-I 400存儲器，則存儲器控制器110與該DDR-I 400存儲器兩者都須運(yùn)作在200MHz。同理，若DDR存儲器120為一DDR-II 800存儲器，則存儲器控制器110必須運(yùn)作在400MHz。工作于如此高操作頻率的存儲器控制器很難用一般的CMOS工藝來實(shí)現(xiàn)。雖然這樣的存儲器控制器有可能在額外付出可觀工程資源的情況下實(shí)現(xiàn)，但就制造成本、芯片尺寸、優(yōu)良率以及所需人力資源的角度而言，這顯然不是理想的解決方案。由前述可知，已知的存儲器系統(tǒng)100的架構(gòu)并能同時(shí)支持DDR-I及DDR-II兩種存儲器。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的之一在于提供支持雙倍傳輸速率存儲器的存儲器控制器及其相關(guān)方法，以解決上述問題。
本說明書提供了一種存儲器控制器的實(shí)施例，其包含有一第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(data converter)，用來將一輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一數(shù)據(jù)，該輸入數(shù)據(jù)的位寬(bit width)與該第一數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第一比例；一第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將該輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二數(shù)據(jù)，該輸入數(shù)據(jù)的位寬與該第二數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第二比例；以及一第一選擇器，耦接于該第一、第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來依據(jù)一存儲器模式設(shè)定該第一數(shù)據(jù)或該第二數(shù)據(jù)輸出至一存儲器裝置。
本說明書提供了另一種存儲器控制器的實(shí)施例，其包含有一第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將一存儲器裝置傳來的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一數(shù)據(jù)，該存儲器裝置傳來的數(shù)據(jù)的位寬與該第一數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第一比例；一第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將該存儲器裝置傳來的該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二數(shù)據(jù)，該存儲器裝置傳來的該數(shù)據(jù)的位寬與該第二數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第二比例；以及一選擇器，耦接于該第一、第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來依據(jù)一存儲器模式設(shè)定輸出該第一數(shù)據(jù)或該第二數(shù)據(jù)。
本說明書提供了一種寫入一目標(biāo)數(shù)據(jù)至一存儲器裝置的方法的實(shí)施例，其包含有將該目標(biāo)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一數(shù)據(jù)，其中該目標(biāo)數(shù)據(jù)的位寬與該第一數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第一比例；將該目標(biāo)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二數(shù)據(jù)，其中該目標(biāo)數(shù)據(jù)的位寬與該第二數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第二比例；以及依據(jù)該存儲器裝置的類型來選擇性地輸出該第一數(shù)據(jù)或該第二數(shù)據(jù)至該存儲器裝置。
本說明書提供了一種讀取一存儲器裝置的方法的實(shí)施例，其包含有將接收自該存儲器裝置的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一數(shù)據(jù)，其中接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)的位寬與該第一數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第一比例；將接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二數(shù)據(jù)，其中接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)的位寬與該第二數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第二比例；以及依據(jù)該存儲器裝置的類型來選擇性地輸出該第一數(shù)據(jù)或是該第二數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的存儲器控制器可以降低存儲控制器與控制系統(tǒng)的制造成本，有效地降低所需芯片尺寸，并且增加優(yōu)良率。


圖1為一已知存儲器系統(tǒng)簡化后的示意圖。
圖2為本發(fā)明的存儲器系統(tǒng)的第一實(shí)施例簡化后的示意圖。
圖3為圖2中的存儲器控制器的一實(shí)施例簡化后的方塊圖。
圖4為本發(fā)明的存儲器系統(tǒng)的第二實(shí)施例簡化后的示意圖。
圖5為圖4中的存儲器控制器的一實(shí)施例簡化后的方塊圖。
主要組件符號說明100、200、400存儲器系統(tǒng)110、210、410存儲器控制器120、220、420DDR存儲器130、230、430存儲器總線140、240、440芯片總線310、320、340、350、510、520、540、550 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器330、360、530、560 選擇器370、570 暫存器具體實(shí)施方式
這里需要說明的是，在說明書及權(quán)利要求范圍當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的組件。所屬領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的組件。本說明書及權(quán)利要求范圍并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”是一開放式的用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。另外，“耦接”一詞在此是包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電氣連接于該第二裝置，或通過其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。
請參考圖2，其為本發(fā)明第一實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)200簡化后的示意圖。存儲器系統(tǒng)200包含有一存儲器控制器210；一DDR存儲器220，通過一存儲器總線230耦接于存儲器控制器210；以及一芯片總線(on-chip bus)240，耦接于存儲器控制器210。芯片總線240是用來聯(lián)系存儲器控制器210與需要存取DDR存儲器220的其它組件，例如中央處理單元(CPU)、北橋電路等等。在本實(shí)施例中，依據(jù)DDR存儲器220類型的不同，存儲器控制器210具有兩種運(yùn)作模式模式1與模式2。為方便后續(xù)的說明，在此假設(shè)當(dāng)DDR存儲器220為一DDR-I存儲器時(shí)，存儲器控制器210會運(yùn)作于模式1，而當(dāng)DDR存儲器220為一DDR-II存儲器時(shí)，存儲器控制器210則會運(yùn)作于模式2。因此，模式1可稱之為DDR-I模式，而模式2則可稱之為DDR-II模式。在不同的運(yùn)作模式下，本實(shí)施例的芯片總線240會有不同的有效總線寬度。就一角度而言，芯片總線240的有效總線寬度取決于DDR存儲器220的類型而定。
在圖2的實(shí)施例中，存儲器總線230的實(shí)體總線寬度為M位，而芯片總線240的實(shí)體總線寬度則為4M位，但芯片總線240的有效總線寬度在模式1中為2M位，在模式2中則為4M位。換言之，存儲器控制器210在模式1(也即DDR-I模式)中僅會用到芯片總線240的一半寬度，而在模式2(也即DDR-II模式)中則會用到芯片總線240的全部寬度。在這樣的設(shè)計(jì)中，當(dāng)DDR存儲器220為一DDR-I存儲器時(shí)，存儲器控制器210是工作于與DDR存儲器220相同的操作頻率，而當(dāng)DDR存儲器220為一DDR-II存儲器時(shí)，存儲器控制器210的操作頻率只需為DDR存儲器220的操作頻率的一半。倘若DDR-I存儲器與DDR-II存儲器的最高操作頻率分別是200MHz與400MHz，則存儲器控制器210最多只需工作在200MHz，而非400MHz。以下，將搭配圖3來進(jìn)一步說明存儲器控制器210的運(yùn)作與實(shí)施方式。
圖3為存儲器控制器210的一實(shí)施例簡化后的方塊圖。在本實(shí)施例中，存儲器控制器210包含有一第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器310、一第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器320、一第一選擇器330、一第三數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器340、一第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器350、一第二選擇器360以及一暫存器(register)370。暫存器370是用來儲存與DDR存儲器220的類型相對應(yīng)的存儲器模式設(shè)定。就一角度而言，存儲器控制器210的運(yùn)作模式取決于暫存器370中所儲存的該存儲器模式設(shè)定。因此，存儲器控制器210的運(yùn)作模式可通過設(shè)定暫存器370的值來加以調(diào)整。
如圖3所示，第一與第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器310及320耦接于芯片總線240與第一選擇器330之間。第三與第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器340及350耦接于存儲器總線230與第二選擇器360之間。在本實(shí)施例中，存儲器控制器210的下半部是用來處理欲寫入DDR存儲器220的數(shù)據(jù)，而存儲器控制器210的上半部則是用來處理從DDR存儲器220所讀出的數(shù)據(jù)。
在進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入運(yùn)作時(shí)，存儲器控制器210會通過芯片總線240接收欲寫入DDR存儲器220的一目標(biāo)數(shù)據(jù)。第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器310會將該目標(biāo)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一數(shù)據(jù)，而第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器320則會將該目標(biāo)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二數(shù)據(jù)，其中該目標(biāo)數(shù)據(jù)的位寬與該第一數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第一比例，而該目標(biāo)數(shù)據(jù)的位寬與該第二數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第二比例。在本實(shí)施例中，該第一比例為2∶1，而該第二比例為4∶1。第一選擇器330是用來依據(jù)暫存器370中所儲存的該存儲器模式設(shè)計(jì)來輸出該第一數(shù)據(jù)或該第二數(shù)據(jù)至DDR存儲器220。進(jìn)一步而言，倘若DDR存儲器220為一DDR-I存儲器，第一選擇器330會輸出第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器310所產(chǎn)生的該第一數(shù)據(jù)至存儲器總線230，以寫入該第一數(shù)據(jù)至DDR存儲器220。另一方面，若DDR存儲器220為一DDR-II存儲器，第一選擇器330會輸出第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器320所產(chǎn)生的該第二數(shù)據(jù)至存儲器總線230，以將該第二數(shù)據(jù)寫入至DDR存儲器220。實(shí)施上，第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器310與第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器320兩者可用解復(fù)用器(de-multiplexer)來實(shí)現(xiàn)，而第一選擇器330則可用一復(fù)用器(multiplexer)來實(shí)現(xiàn)。
在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取運(yùn)作時(shí)，欲讀取的數(shù)據(jù)會從DDR存儲器220中被擷取出來，并通過存儲器總線230傳送至存儲器控制器210。為方便說明起見，以下將擷取自DDR存儲器220的數(shù)據(jù)稱之為讀出數(shù)據(jù)(readout data)。第三數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器340會將接收自DDR存儲器220的讀出數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第三數(shù)據(jù)，而第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器350則會將該讀出數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第四數(shù)據(jù)，其中該讀出數(shù)據(jù)的位寬與該第三數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第三比例，而該讀出數(shù)據(jù)的位寬與該第四數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第四比例。在本實(shí)施例中，該第三比例為1∶2，而該第四比例為1∶4。第二選擇器360是用來依據(jù)暫存器370中所儲存的該存儲器模式設(shè)計(jì)來輸出該第三數(shù)據(jù)或該第四數(shù)據(jù)至芯片總線240。倘若DDR存儲器220為一DDR-I存儲器，第二選擇器360會輸出第三數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器340所產(chǎn)生的該第三數(shù)據(jù)至芯片總線240，以將該讀出數(shù)據(jù)傳送至請求讀取該筆數(shù)據(jù)的組件。另一方面，若DDR存儲器220為一DDR-II存儲器，則第二選擇器360會輸出第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器350所產(chǎn)生的該第四數(shù)據(jù)至芯片總線240。實(shí)施上，第三數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器340、第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器350與第二選擇器360都可用復(fù)用器來實(shí)現(xiàn)。
由前述可知，當(dāng)DDR存儲器220為DDR-I存儲器時(shí)，存儲器控制器210與芯片總線240可工作在與DDR存儲器220相同的操作頻率。例如，當(dāng)DDR存儲器220為一DDR-I 400存儲器時(shí)，芯片總線240可工作在200MHz。當(dāng)DDR存儲器220為DDR-II存儲器時(shí)，由于芯片總線240的有效總線寬度為存儲器總線230的有效總線寬度的四倍，故存儲器控制器210與芯片總線240兩者的操作頻率僅需為DDR存儲器220的操作頻率的一半。舉例來說，當(dāng)DDR存儲器220為一DDR-II 800存儲器時(shí)，芯片總線240只需工作在200MHz，而非400MHz。如此一來，存儲器控制器210便可利用一般的CMOS工藝來實(shí)現(xiàn)，而不會增加太多額外的制造成本。
在前述的存儲器系統(tǒng)200中，存儲器總線230的總線寬度是固定不變，而芯片總線240的總線寬度則是可調(diào)整或是可改變的。此僅為一實(shí)施例，而非限制本發(fā)明的實(shí)際實(shí)施方式。
舉例而言，圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)400簡化后的示意圖。存儲器系統(tǒng)400包含有一存儲器控制器410；一DDR存儲器420，通過一存儲器總線430耦接于存儲器控制器410；以及一芯片總線440，用來聯(lián)系存儲器控制器410與其它組件。與前述的存儲器控制器210類似，依據(jù)DDR存儲器420類型的不同，存儲器控制器410具有兩種運(yùn)作模式模式1與模式2。在本實(shí)施例中，同樣假設(shè)模式1與模式2分別為DDR-I模式與DDR-II模式。請注意，本實(shí)施例的存儲器總線430在不同運(yùn)作模式下會有不同的有效總線寬度，但不論DDR存儲器420是DDR-I存儲器還是DDR-II存儲器，芯片總線440的有效總線寬度都是固定的。就一角度而言，存儲器總線430的有效總線寬度取決于DDR存儲器420的類型而定。
例如，本實(shí)施例的芯片總線440的實(shí)體總線寬度為K位，存儲器總線430的實(shí)體總線寬度為K/2位，但存儲器總線430的有效總線寬度在模式1中為K/2位，在模式2中則為K/4位。換言之，本實(shí)施例的存儲器控制器410可支持寬度為K/2位的DDR-I存儲器總線以及寬度為K/4位的DDR-II存儲器總線。在模式1(也即DDR-I模式)中，由于芯片總線440的有效總線寬度為存儲器總線430的有效總線寬度的兩倍，故存儲器控制器410是工作于與DDR存儲器420相同的操作頻率。在模式2(也即DDR-II模式)中，由于芯片總線440的有效總線寬度為存儲器總線430的有效總線寬度的四倍，故存儲器控制器410的操作頻率只需為DDR存儲器420的操作頻率的一半。與前述的存儲器控制器210類似，存儲器控制器410只需工作于200MHz，而非400MHz，便能支持DDR-I存儲器及DDR-II存儲器。以下將搭配圖5來進(jìn)一步說明存儲器控制器410的運(yùn)作及實(shí)施方式。
圖5為存儲器控制器410的一實(shí)施例簡化后的方塊圖。存儲器控制器410包含有一第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器510、一第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器520、一第一選擇器530、一第三數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器540、一第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器550、一第二選擇器560以及一暫存器570。暫存器570是用來儲存與DDR存儲器420的類型相對應(yīng)的存儲器模式設(shè)定，而存儲器控制器410的運(yùn)作模式取決于該存儲器模式設(shè)定。
在進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入運(yùn)作時(shí)，第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器510、第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器520及第一選擇器530的運(yùn)作方式，是分別與存儲器控制器210中的第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器310、第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器320及第一選擇器330實(shí)質(zhì)上相同。在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取運(yùn)作時(shí)，第三數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器540、第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器550及第二選擇器560的運(yùn)作方式，是分別與存儲器控制器210中的第三數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器340、第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器350與第二選擇器360實(shí)質(zhì)上相同。實(shí)施上，第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器510與第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器520可用解復(fù)用器來實(shí)現(xiàn)，而第一選擇器530、第二選擇器560、第三數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器540及第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器550則可用復(fù)用器來實(shí)現(xiàn)。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的均等變化與修飾，都應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種存儲器控制器，其特征在于包含有一第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將一輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一數(shù)據(jù)，該輸入數(shù)據(jù)的位寬與該第一數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第一比例；一第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將該輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二數(shù)據(jù)，該輸入數(shù)據(jù)的位寬與該第二數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第二比例；以及一第一選擇器，耦接于該第一、第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來依據(jù)一存儲器模式設(shè)定將該第一數(shù)據(jù)或該第二數(shù)據(jù)輸出至一存儲器裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其特征在于，所述第一或該第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器為一解復(fù)用器。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其特征在于，所述第一選擇器為一復(fù)用器。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其特征在于，另包含有一第三數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將接收自該存儲器裝置的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第三數(shù)據(jù)，該存儲器置傳來的數(shù)據(jù)的位寬與該第三數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第三比例；一第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第四數(shù)據(jù)，接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)的位寬與該第四數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第四比例；以及一第二選擇器，耦接于該第三、第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來依據(jù)該存儲器模式設(shè)定輸出該第三數(shù)據(jù)或該第四數(shù)據(jù)。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲器控制器，其特征在于，所述第三或該第四數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器為一復(fù)用器。
6.如權(quán)利要求4所述的存儲器控制器，其特征在于，所述第二選擇器為一復(fù)用器。
7.如權(quán)利要求4所述的存儲器控制器，其特征在于，所述第三比例為1∶2，而所述第四比例為1∶4。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其特征在于，所述存儲器模式設(shè)定是對應(yīng)于該存儲器裝置的類型。
9.如權(quán)利要求8所述的存儲器控制器，其特征在于，所述存儲器裝置為一DDR-I存儲器或是一DDR-II存儲器。
10.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其特征在于，所述第一比例為2∶1，而所述第二比例為4∶1。
11.如權(quán)利要求1所述的存儲器控制器，其特征在于，另包含有一暫存器，耦接于所述第一選擇器，用來儲存該存儲器模式設(shè)定。
12.一種存儲器控制器，其特征在于包含有一第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將接收自一存儲器裝置的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一數(shù)據(jù)，其中接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)的位寬與該第一數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第一比例；一第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二數(shù)據(jù)，其中接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)的位寬與該第二數(shù)據(jù)的位寬是對應(yīng)于一第二比例；以及一選擇器，耦接于該第一、第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來依據(jù)一存儲器模式設(shè)定輸出該第一數(shù)據(jù)或該第二數(shù)據(jù)。
13.如權(quán)利要求12所述的存儲器控制器，其特征在于，所述第一或該第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器為一解復(fù)用器。
14.如權(quán)利要求12所述的存儲器控制器，其特征在于，所述選擇器為一復(fù)用器。
15.如權(quán)利要求12所述的存儲器控制器，其特征在于，所述存儲器模式設(shè)定是對應(yīng)于該存儲器裝置的類型。
16.如權(quán)利要求15所述的存儲器控制器，其特征在于，所述存儲器裝置為一DDR-I存儲器或是一DDR-II存儲器。
17.如權(quán)利要求12所述的存儲器控制器，其特征在于，所述第一比例為1∶2，而所述第二比例為1∶4。
18.如權(quán)利要求12所述的存儲器控制器，其特征在于，另包含有一暫存器，耦接于所述選擇器，用來儲存該存儲器模式設(shè)定。
19.一種寫入一目標(biāo)數(shù)據(jù)至一存儲器裝置的方法，其特征在于包含有將該目標(biāo)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一數(shù)據(jù)，其中該目標(biāo)數(shù)據(jù)的位寬與該第一數(shù)據(jù)的位寬對應(yīng)于一第一比例；將該目標(biāo)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二數(shù)據(jù)，其中該目標(biāo)數(shù)據(jù)的位寬與該第二數(shù)據(jù)的位寬對應(yīng)于一第二比例；以及依據(jù)該存儲器裝置的類型來選擇性地輸出該第一數(shù)據(jù)或該第二數(shù)據(jù)至該存儲器裝置。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述存儲器裝置為一DDR-I存儲器或是一DDR-II存儲器。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一比例為2∶1，而所述第二比例為4∶1。
22.一種讀取一存儲器裝置的方法，其特征在于，包含有將接收自該存儲器裝置的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一數(shù)據(jù)，其中接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)的位寬與該第一數(shù)據(jù)的位寬對應(yīng)于一第一比例；將接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二數(shù)據(jù)，其中接收自該存儲器裝置的該數(shù)據(jù)的位寬與該第二數(shù)據(jù)的位寬對應(yīng)于一第二比例；以及依據(jù)該存儲器裝置的類型來選擇性地輸出該第一數(shù)據(jù)或是該第二數(shù)據(jù)。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述存儲器裝置為一DDR-I存儲器或是一DDR-II存儲器。
24.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述第一比例為1∶2，而所述第二比例為1∶4。
全文摘要
一種存儲器控制器及其相關(guān)方法，所述存儲器控制器包含有一第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將一輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第一數(shù)據(jù)，其中該輸入數(shù)據(jù)的位寬與該第一數(shù)據(jù)的位寬對應(yīng)于一第一比例；一第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來將該輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成一第二數(shù)據(jù)，其中該輸入數(shù)據(jù)的位寬與該第二數(shù)據(jù)的位寬對應(yīng)于一第二比例；以及一第一選擇器，耦接于該第一、第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用來依據(jù)一存儲器模式設(shè)定將該第一數(shù)據(jù)或該第二數(shù)據(jù)輸出至一存儲器裝置。本發(fā)明的存儲器控制器可以降低存儲控制器與控制系統(tǒng)的制造成本，有效地降低所需芯片尺寸，并且增加優(yōu)良率。
文檔編號G11C7/10GK101055756SQ20061016276
公開日2007年10月17日 申請日期2006年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月13日
發(fā)明者黃祥毅, 黃大倫 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司