電路圖輔助分析系統(tǒng)及其方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電路圖輔助分析系統(tǒng)。所述電路圖輔助分析系統(tǒng)包括交底材料導(dǎo)入模塊、電路圖掃描模塊、相關(guān)專利庫生成模塊、電路圖對比模塊及對比專利導(dǎo)出模塊，所述交底材料導(dǎo)入模塊用于導(dǎo)入交底材料；所述電路圖掃描模塊用于掃描所述交底材料中的電路圖以形成待分析電路圖；所述相關(guān)專利庫生成模塊用于根據(jù)所述檢索信息從專利數(shù)據(jù)庫中檢索相關(guān)專利形成相關(guān)專利庫；所述電路圖對比模塊用于計算各所述相關(guān)專利的相關(guān)度，并篩選所述相關(guān)度大于或等于預(yù)設(shè)的相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為對比專利；所述對比專利導(dǎo)出模塊用于導(dǎo)出所述對比專利。與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明的電路圖輔助分析系統(tǒng)自動對電路圖進行對比分析，效率高且不會出錯。
【專利說明】
電路圖輔助分析系統(tǒng)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及專利管理技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電路圖輔助分析系統(tǒng)及其方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著經(jīng)濟全球化的深入發(fā)展和知識經(jīng)濟的蓬勃興起，專利不僅是一種重要的法權(quán)和無形資產(chǎn)，而且是企業(yè)的一種重要的競爭資源，是企業(yè)參與市場競爭、求得生存和發(fā)展的開路先鋒和堅強后盾。專利發(fā)展水平更是成為衡量一個地區(qū)綜合實力、發(fā)展能力和核心競爭力的戰(zhàn)略性標志。隨著專利申請數(shù)量持續(xù)增長和越來越多的企業(yè)需要委托代理機構(gòu)代理專利撰寫及其他專利事務(wù)，代理機構(gòu)受理的撰寫業(yè)務(wù)越來越多，如何提高工作效率是目前代理機構(gòu)面臨的一個重要問題。
[0003]目前，伴隨電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子類專利的申請量也越來越大，因此，撰寫電子類專利申請文件是專利代理人的日常工作。專利代理人在撰寫專利申請文件時，通常會根據(jù)企業(yè)提供的交底材料進行檢索分析并撰寫專利申請文件。電子類的交底材料通常包含電路圖，專利代理人需要通過分析交底材料和對比文件中的電路圖確定該交底材料所包含的技術(shù)方案是否為新的技術(shù)方案。然而，當(dāng)電路圖較復(fù)雜時，存在工作量大、工作效率降低且容易出錯的問題，影響企業(yè)專利申請的進度。
[0004]因此，有必要提供一種新的電路圖輔助分析系統(tǒng)及其使用方法以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種自動對電路圖進行對比分析的電路圖輔助分析系統(tǒng)。
[0006]本發(fā)明提供一種電路圖輔助分析系統(tǒng)，包括交底材料導(dǎo)入模塊、電路圖掃描模塊、相關(guān)專利庫生成模塊、電路圖對比模塊及對比專利導(dǎo)出模塊，所述交底材料導(dǎo)入模塊用于導(dǎo)入交底材料，所述交底材料包括技術(shù)方案以及與所述技術(shù)方案相關(guān)的檢索信息和電路圖；所述電路圖掃描模塊用于掃描所述電路圖以形成待分析電路圖；所述相關(guān)專利庫生成模塊用于提取所述檢索信息，并根據(jù)所述檢索信息從專利數(shù)據(jù)庫中檢索相關(guān)專利形成相關(guān)專利庫;所述電路圖對比模塊用于從所述相關(guān)專利庫中調(diào)取所述相關(guān)專利，通過所述電路圖掃描模塊掃描所述相關(guān)專利中的電路圖形成對比電路圖，對比分析所述待分析電路圖與所述對比電路圖以獲取所述交底材料與所述相關(guān)專利之間的相關(guān)度，并篩選所述相關(guān)度大于或等于預(yù)設(shè)的相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為對比專利;所述對比專利導(dǎo)出模塊用于導(dǎo)出所述對比專利進行查看。
[0007]優(yōu)選的，所述相關(guān)專利庫生成模塊包括檢索信息提取單元及相關(guān)專利檢索單元，所述檢索信息提取單元用于調(diào)取所述交底材料中的檢索信息;所述相關(guān)專利檢索單元用于根據(jù)所述檢索信息從所述專利數(shù)據(jù)庫中檢索所述相關(guān)專利并形成所述相關(guān)專利庫。
[0008]優(yōu)選的，所述電路圖輔助分析系統(tǒng)還包括存儲模塊，用于存儲預(yù)設(shè)的所述相關(guān)度閾值和包含電路中各元件圖的標準元件庫，其中，所述待分析電路圖和所述對比電路圖中的元件圖均為所述標準元件庫中的所述元件圖。
[0009]優(yōu)選的，所述電路圖輔助分析系統(tǒng)還包括電路圖標識模塊，用于標識所述對比電路圖中與所述檢索電路圖中相同的元件圖和各所述元件之間的連接線路。
[0010]優(yōu)選的，所述電路圖對比模塊包括對比電路圖生成單元、分析計算單元及對比專利篩選單元，所述對比電路圖生成單元用于調(diào)取所述相關(guān)專利庫中的所述相關(guān)專利，并將掃描的所述相關(guān)專利中的所述電路圖生成所述對比電路圖；所述分析計算單元用于通過對比分析所述待分析電路圖與所述對比電路圖，并計算所述交底材料與所述相關(guān)專利之間的相關(guān)度;所述對比專利篩選單元用于篩選所述相關(guān)度大于或等于所述相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為所述對比專利。
[0011]基于所述電路圖輔助分析系統(tǒng)，本發(fā)明還提供一種電路圖輔助分析方法，包括如下步驟:導(dǎo)入交底材料:通過所述交底材料導(dǎo)入模塊導(dǎo)入所述交底材料;形成待分析電路:通過所述電路圖掃描模塊掃描所述交底材料中的所述電路圖以形成所述待分析電路圖；生成相關(guān)專利庫:通過所述相關(guān)專利庫生成模塊提取所述檢索信息檢索所述相關(guān)專利以生成所述相關(guān)專利庫;獲取對比專利:所述電路圖對比模塊從所述相關(guān)專利庫中調(diào)取所述相關(guān)專利，并將掃描的所述相關(guān)專利中的電路圖以生成所述對比電路圖，對比分析所述對比電路圖和所述待分析電路圖以獲取所述相關(guān)度，并篩選所述相關(guān)度大于或等于預(yù)設(shè)的相關(guān)度閾值的所述相關(guān)專利作為所述對比專利；導(dǎo)出對比專利:通過所述對比專利導(dǎo)出模塊導(dǎo)出所述對比專利以進行查看。
[0012]優(yōu)選的，所述生成相關(guān)專利庫步驟中包括如下步驟:調(diào)取所述交底材料中的所述檢索信息，所述檢索信息包括所述交底材料的所屬技術(shù)領(lǐng)域及描述所述交底材料中所述技術(shù)方案的關(guān)鍵詞；根據(jù)所述檢索信息從專利數(shù)據(jù)庫中檢索相關(guān)專利并形成所述相關(guān)專利庫。
[0013]優(yōu)選的，所述獲取對比專利步驟中包括如下步驟:調(diào)取所述相關(guān)專利并掃描所述相關(guān)專利的電路圖以生成對比電路圖；對比分析所述待分析電路圖和所述對比電路圖以計算所述交底材料與所述相關(guān)專利之間的相關(guān)度;篩選所述相關(guān)度大于或等于所述相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為對比專利。
[0014]優(yōu)選的，通過對比分析所述待分析電路圖和所述對比電路圖中具有相同的元件圖和各所述元件圖之間的連接線路計算所述相關(guān)度。
[0015]優(yōu)選的，所述導(dǎo)出對比專利步驟前還包括步驟:標識對比專利:標識所述對比電路圖中與所述檢索電路圖中相同的元件圖和各所述元件圖之間的連接線路。
[0016]與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明提供的電路圖輔助分析系統(tǒng)中，所述交底材料導(dǎo)入模塊導(dǎo)入交底材料，所述電路圖掃描模塊掃描所述交底材料中的電路圖形成待分析電路圖，所述相關(guān)專利庫生成模塊根據(jù)檢索信息生成相關(guān)專利庫，所述電路圖對比模塊根據(jù)所述相關(guān)專利庫中各專利的對比電路圖計算相關(guān)度并根據(jù)所述相關(guān)度形成對比電路圖，所述對比專利導(dǎo)出模塊導(dǎo)出所述對比專利以進行查看。所述電路圖輔助分析系統(tǒng)自動對電路圖進行對比分析，效率高且不會出錯。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明提供的電路圖輔助分析系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖；
[0018]圖2是本發(fā)明提供的電路圖輔助分析方法的流程圖；
[0019]圖3是圖2中電路圖輔助分析方法的生成相關(guān)專利庫步驟的流程圖；
[0020]圖4是圖2中電路圖輔助分析方法的獲取對比專利步驟的流程圖。
【具體實施方式】
[0021]下面將結(jié)合附圖和實施方式對本發(fā)明作進一步說明。
[0022]請參閱圖1，圖1是本發(fā)明提供的電路圖輔助分析系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。所述電路圖輔助分析系統(tǒng)I包括存儲模塊U、交底材料導(dǎo)入模塊12、電路圖掃描模塊13、相關(guān)專利庫生成模塊14、電路圖對比模塊15、電路圖標識模塊16及對比專利導(dǎo)出模塊17。
[0023]所述存儲模塊11用于存儲預(yù)設(shè)的相關(guān)度閾值和包含電路中各元件的元件圖的標準元件庫。所述交底材料導(dǎo)入模塊12用于導(dǎo)入交底材料，所述交底材料包括技術(shù)方案以及與所述技術(shù)方案相關(guān)的檢索信息和電路圖。所述電路圖掃描模塊13用于掃描所述交底材料中的電路圖以形成待分析電路圖。所述相關(guān)專利庫生成模塊14用于提取所述交底材料中的檢索信息，并根據(jù)所述檢索信息從專利數(shù)據(jù)庫中檢索相關(guān)專利，形成相關(guān)專利庫。所述電路圖對比模塊15用于從所述相關(guān)專利庫中調(diào)取所述相關(guān)專利，將掃描的所述相關(guān)專利中的電路圖形成對比電路圖，對比分析所述待分析電路圖與所述對比電路圖以獲取所述交底材料與所述相關(guān)專利之間的相關(guān)度，并篩選所述相關(guān)度大于或等于所述相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為對比專利，其中，所述相關(guān)度閾值存儲于所述存儲模塊11中。所述電路圖標識模塊16用于標識所述對比電路圖中與所述檢索電路圖中相同的元件圖和各所述元件之間的連接線路。所述對比專利導(dǎo)出模塊17用于導(dǎo)出所述對比專利進行查看。
[0024]在本實施方式中，所述交底材料和所述相關(guān)專利中的電路圖的元件圖均為所述標準元件庫中的元件圖，從而加快所述電路圖輔助分析系統(tǒng)的處理速度，并提高分析精確度。
[0025]所述相關(guān)專利庫生成模塊14包括檢索信息提取單元141及相關(guān)專利檢索單元142。所述檢索信息提取單元141用于調(diào)取所述交底材料中的檢索信息，其中，所述檢索信息包括所述交底材料的所屬技術(shù)領(lǐng)域以及與所述交底材料的技術(shù)方案相關(guān)的關(guān)鍵詞和與所述關(guān)鍵詞相近的擴展詞。所述相關(guān)專利檢索單元142用于根據(jù)所述檢索信息從專利數(shù)據(jù)庫中檢索相關(guān)專利并形成相關(guān)專利庫。
[0026]所述電路圖對比模塊15包括對比電路圖生成單元151、分析計算單元152及對比專利篩選單元153。所述對比電路圖生成單元151用于調(diào)取所述相關(guān)專利庫中的相關(guān)專利，并將掃描的所述相關(guān)專利中的電路圖以生成對比電路圖。所述分析計算單元152用于對比分析所述待分析電路圖與所述對比電路圖，計算所述交底材料與所述相關(guān)專利之間的相關(guān)度。所述對比專利篩選單元153用于篩選所述相關(guān)度大于或等于所述相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為對比專利。
[0027]請參閱圖2，圖2為本發(fā)明提供的基于電路圖輔助分析系統(tǒng)的使用方法的流程示意圖?；谒鲭娐穲D輔助分析系統(tǒng)I，本發(fā)明還提供一種電路圖輔助分析方法，包括如下步驟:
[0028]步驟S1、導(dǎo)入交底材料:通過所述交底材料導(dǎo)入模塊12導(dǎo)入所述交底材料；
[0029]具體的，專利代理人通過所述交底材料導(dǎo)入模塊12導(dǎo)入客戶提供的所述交底材料，所述交底材料包括技術(shù)方案以及與所述技術(shù)方案相關(guān)的檢索信息和電路圖。
[0030]步驟S2、形成待分析電路:通過所述電路圖掃描模塊13掃描所述交底材料中的所述電路圖以形成所述待分析電路圖；
[0031]具體的，所述電路圖掃描模塊13掃描所述交底材料中的電路圖并形成待分析電路圖。
[0032]步驟S3、生成相關(guān)專利庫:通過所述相關(guān)專利庫生成模塊14提取所述檢索信息檢索所述相關(guān)專利以生成所述相關(guān)專利庫；
[0033]請參閱圖3，圖3是圖2中電路圖輔助分析方法的生成相關(guān)專利庫步驟的流程圖。所述步驟S3包括如下步驟:
[0034]步驟S31、調(diào)取所述交底材料中的所述檢索信息；
[0035]具體的，所述檢索信息提取單元141調(diào)取所述交底材料中的檢索信息，所述檢索信息包括所述交底材料的所屬技術(shù)領(lǐng)域及描述所述交底材料中技術(shù)方案的關(guān)鍵詞；
[0036]步驟S32、根據(jù)所述檢索信息從所述專利數(shù)據(jù)庫中檢索所述相關(guān)專利并形成所述相關(guān)專利庫。
[0037]具體的，所述相關(guān)專利檢索單元142接收所述檢索信息，并根據(jù)所述檢索信息從專利數(shù)據(jù)庫中檢索相關(guān)專利并形成相關(guān)專利庫。
[0038]步驟S4、獲取對比專利:所述電路圖對比模塊15從所述相關(guān)專利庫中調(diào)取所述相關(guān)專利，并將掃描的所述相關(guān)專利中的電路圖以生成所述對比電路圖，對比分析所述對比電路圖和所述待分析電路圖以獲取所述相關(guān)度，并篩選所述相關(guān)度大于或等于預(yù)設(shè)的相關(guān)度閾值的所述相關(guān)專利作為所述對比專利；
[0039]請參閱圖4，圖4是圖2中電路圖輔助分析方法的獲取對比專利步驟的流程圖。所述步驟S4中包括如下步驟:
[0040]步驟S41、調(diào)取所述相關(guān)專利，并將掃描的所述相關(guān)專利的電路圖生成對比電路圖；
[0041]具體的，所述對比電路圖生成單元151調(diào)取所述相關(guān)專利庫中的相關(guān)專利，并將所述電路圖掃描模塊13掃描的所述相關(guān)專利中的電路圖生成對比電路圖。
[0042]步驟S42、對比分析所述待分析電路圖和所述對比電路圖以計算所述交底材料與所述相關(guān)專利之間的相關(guān)度；
[0043]具體的，所述分析計算單元152對比分析所述待分析電路圖和所述對比電路圖以計算所述交底材料與所述相關(guān)專利之間的相關(guān)度，其中，通過對比分析所述待分析電路圖和所述對比電路圖中具有相同的元件圖和各所述元件圖之間的連接線路計算所述相關(guān)度，所述相關(guān)度值越高，表示所述交底材料中的電路圖與所述相關(guān)專利中的電路圖越相近。
[0044]步驟S43、篩選所述相關(guān)度大于或等于預(yù)設(shè)的所述相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為對比專利。
[0045]所述對比專利篩選單元153從所述存儲單元11中調(diào)取所述相關(guān)度閾值與各所述相關(guān)專利的相關(guān)度進行對比，篩選所述相關(guān)度大于或等于所述相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為對比專利。
[0046]步驟S5、標識對比電路圖:通過所述電路圖標識模塊16標識所述對比電路圖中相同的元件圖和連接線路；
[0047]具體的，所述電路圖標識模塊16標識所述對比電路圖中與所述檢索電路圖中相同的元件圖和各所述元件圖之間的連接線路，從而直觀顯示。
[0048]步驟S6、導(dǎo)出對比專利:通過所述對比專利導(dǎo)出模塊17導(dǎo)出所述對比專利以進行查看。
[0049]具體的，所述對比專利導(dǎo)出模塊17導(dǎo)出所述對比專利至所述專利代理人以進行查看。
[0050]與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明提供的電路圖輔助分析系統(tǒng)中，交底材料導(dǎo)入模塊導(dǎo)入交底材料，電路圖掃描模塊掃描交底材料中的電路圖形成待分析電路圖，相關(guān)專利庫生成模塊根據(jù)檢索信息生成相關(guān)專利庫，電路圖對比模塊根據(jù)相關(guān)專利庫中各專利的對比電路圖計算相關(guān)度并根據(jù)相關(guān)度形成對比電路圖，對比專利導(dǎo)出模塊導(dǎo)出對比專利以進行查看。電路圖輔助分析系統(tǒng)自動對電路圖進行對比分析，效率高且不會出錯。
[0051]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種電路圖輔助分析系統(tǒng)，其特征在于，包括: 交底材料導(dǎo)入模塊，用于導(dǎo)入交底材料，所述交底材料包括技術(shù)方案以及與所述技術(shù)方案相關(guān)的檢索信息和電路圖； 電路圖掃描模塊，用于掃描所述電路圖以形成待分析電路圖； 相關(guān)專利庫生成模塊，用于提取所述檢索信息，并根據(jù)所述檢索信息從專利數(shù)據(jù)庫中檢索相關(guān)專利，形成相關(guān)專利庫； 電路圖對比模塊，用于從所述相關(guān)專利庫中調(diào)取所述相關(guān)專利，通過掃描所述相關(guān)專利中的電路圖形成對比電路圖，對比分析所述待分析電路圖與所述對比電路圖以獲取所述交底材料與所述相關(guān)專利之間的相關(guān)度，并篩選所述相關(guān)度大于或等于預(yù)設(shè)的相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為對比專利;及 對比專利導(dǎo)出模塊，用于導(dǎo)出所述對比專利進行查看。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路圖輔助分析系統(tǒng)，其特征在于，所述相關(guān)專利庫生成模塊包括: 檢索信息提取單元，用于調(diào)取所述檢索信息;及 相關(guān)專利檢索單元，用于根據(jù)所述檢索信息從所述專利數(shù)據(jù)庫中檢索所述相關(guān)專利并形成所述相關(guān)專利庫。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路圖輔助分析系統(tǒng)，其特征在于，所述電路圖輔助分析系統(tǒng)還包括存儲模塊，用于存儲所述預(yù)設(shè)的相關(guān)度閾值和包含電路中各元件圖的標準元件庫，其中，所述待分析電路圖和所述對比電路圖中的元件圖均為所述標準元件庫中的所述元件圖。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路圖輔助分析系統(tǒng)，其特征在于，所述電路圖輔助分析系統(tǒng)還包括電路圖標識模塊，用于標識所述對比電路圖中與所述檢索電路圖中相同的元件圖和各所述元件之間的連接線路。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路圖輔助分析系統(tǒng)，其特征在于，所述電路圖對比模塊包括: 對比電路圖生成單元，用于調(diào)取所述相關(guān)專利庫中的所述相關(guān)專利，并將掃描的所述相關(guān)專利中的所述電路圖生成所述對比電路圖； 分析計算單元，用于對比分析所述待分析電路圖與所述對比電路圖，并計算所述交底材料與所述相關(guān)專利之間的相關(guān)度;及 對比專利篩選單元，用于篩選所述相關(guān)度大于或等于預(yù)設(shè)的相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為所述對比專利。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路圖輔助分析系統(tǒng)的電路圖輔助分析方法，其特征在于，包括如下步驟: 導(dǎo)入交底材料:通過所述交底材料導(dǎo)入模塊導(dǎo)入所述交底材料； 形成待分析電路:通過所述電路圖掃描模塊掃描所述交底材料中的所述電路圖以形成所述待分析電路圖； 生成相關(guān)專利庫:通過所述相關(guān)專利庫生成模塊提取所述檢索信息檢索所述相關(guān)專利以生成所述相關(guān)專利庫； 獲取對比專利:所述電路圖對比模塊從所述相關(guān)專利庫中調(diào)取所述相關(guān)專利，并將掃描的所述相關(guān)專利中的電路圖以生成所述對比電路圖，對比分析所述對比電路圖和所述待分析電路圖以獲取所述相關(guān)度，并篩選所述相關(guān)度大于或等于預(yù)設(shè)的相關(guān)度閾值的所述相關(guān)專利作為所述對比專利； 導(dǎo)出對比專利:通過所述對比專利導(dǎo)出模塊導(dǎo)出所述對比專利以進行查看。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路圖輔助分析方法，其特征在于，所述生成相關(guān)專利庫步驟中包括如下步驟: 調(diào)取所述交底材料中的所述檢索信息； 根據(jù)所述檢索信息從所述專利數(shù)據(jù)庫中檢索所述相關(guān)專利并形成所述相關(guān)專利庫。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路圖輔助分析方法，其特征在于，所述獲取對比專利步驟中包括如下步驟: 調(diào)取所述相關(guān)專利，并將掃描的所述相關(guān)專利的電路圖生成對比電路圖； 對比分析所述待分析電路圖和所述對比電路圖以計算所述交底材料與所述相關(guān)專利之間的相關(guān)度； 篩選所述相關(guān)度大于或等于預(yù)設(shè)的所述相關(guān)度閾值的相關(guān)專利作為對比專利。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路圖輔助分析系統(tǒng)，其特征在于，通過對比分析所述待分析電路圖和所述對比電路圖中具有相同的元件圖和各所述元件圖之間的連接線路計算所述相關(guān)度。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路圖輔助分析方法，其特征在于，所述導(dǎo)出對比專利步驟前還包括步驟:標識對比專利:標識所述對比電路圖中與所述檢索電路圖中相同的元件圖和各所述元件圖之間的連接線路。
【文檔編號】G06F17/30GK106021318SQ201610294717
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月6日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】長沙市麓智信息科技有限公司