Ic模塊、雙ic卡、以及ic模塊的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種能夠進(jìn)行接觸型通信和非接觸型通信的ic模塊、雙1C卡以及1C模塊的制造方法。
[0002]本申請(qǐng)基于2013年6月25日向日本提出的特愿2013 — 132898號(hào)而要求優(yōu)先權(quán)，在此援引其內(nèi)容。
【背景技術(shù)】
[0003]搭載了具有接觸型通信功能、以及非接觸型通信功能的1C芯片的1C模塊，由于與使用者的用途相應(yīng)地對(duì)通信方式進(jìn)行區(qū)分使用，因此能夠用于各種用途。具體地說(shuō)，該1C模塊安裝于通過(guò)電磁耦合而能夠在1C模塊之間進(jìn)行供電和通信的卡主體上，作為雙1C卡進(jìn)行使用。通過(guò)電磁耦合，使1C模塊和卡主體電連接，從而能夠抑制1C模塊和卡主體之間的電連接變得不穩(wěn)定。其原因在于，在利用焊料等導(dǎo)電性的連接部件對(duì)1C模塊和卡主體直接進(jìn)行連接的情況下，在將雙1C卡彎曲時(shí)，連接部件可能破損。
[0004]如上所述，作為1C模塊和卡主體通過(guò)電磁親合而電連接的雙1C卡，已知例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1至3記載的雙1C卡。
[0005]在雙1C卡用的1C模塊中，在表面形成有與接觸型外部設(shè)備接觸的接觸接口用的端子(接觸端子部)，在背面形成有變壓器耦合(電磁耦合)用的連接線圈。另外，關(guān)于1C模塊的基材，為了對(duì)連接線圈的最外側(cè)的端部進(jìn)行橋接而使該端部向基材的中央進(jìn)行移動(dòng)，對(duì)基材實(shí)施鍍敷通孔加工，在基材的表面形成電橋(過(guò)橋配線)。在這里，所謂鍍敷通孔加工，是指通過(guò)沖壓等而在基材處形成通孔(貫穿孔)，通過(guò)鍍敷處理等而在該通孔中形成配線。
[0006]此外，基材表面的端子和背面的1C芯片通過(guò)使用了插入基材的通孔中的導(dǎo)線的、作為公知的導(dǎo)線鍵合法的沖孔導(dǎo)線鍵合法而連接。
[0007]在信用卡等的、諸如大量的數(shù)據(jù)交換或清算業(yè)務(wù)的通信這樣的要求可靠性和安全性的用途中，使用接觸型通信的雙1C卡。另一方面，在出入門(mén)禁管理等的、驗(yàn)證主要是通信內(nèi)容且通信數(shù)據(jù)量少的用途中，使用非接觸型通信的雙1C卡。
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:國(guó)際公開(kāi)第99/26195號(hào)
[0009]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:國(guó)際公開(kāi)第98/15916號(hào)
[0010]專(zhuān)利文獻(xiàn)3:國(guó)際公開(kāi)第96/35190號(hào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]但是，在利用了鍍敷通孔加工的連接方法中，必須對(duì)基材實(shí)施鍍敷處理。因此，1C模塊的制造工序變得復(fù)雜，1C模塊的制造成本增高。
[0012]本發(fā)明就是鑒于上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種1C模塊、具備該1C模塊的雙1C卡、以及1C模塊的制造方法，該1C模塊能夠容易且廉價(jià)地進(jìn)行制造，而不進(jìn)行鍍敷處理。
[0013]為了解決上述課題，本發(fā)明提出了以下手段。
[0014]本發(fā)明的第一方式所涉及的1C模塊具有:薄板狀的基材，其具有第一面和第二面，具有第一貫穿孔和與所述第一貫穿孔分離的第二貫穿孔；1C芯片，其設(shè)置于所述第一面，具有接觸型通信功能及非接觸型通信功能，形成有第一端子和第二端子；連接線圈，其形成于所述第一面，具有第一端部和第二端部；接觸端子部，其設(shè)置于所述第二面，以與接觸型外部設(shè)備接觸的方式構(gòu)成；過(guò)橋配線，其設(shè)置于所述第二面，在從所述基材的厚度方向觀察時(shí)，設(shè)置于與所述第一貫穿孔及所述第二貫穿孔重疊的位置，與所述接觸端子部電絕緣；第一導(dǎo)電線，其插入所述第一貫穿孔中，對(duì)所述1C芯片的所述第一端子和所述過(guò)橋配線進(jìn)行連接；第二導(dǎo)電線，其插入所述第二貫穿孔中，對(duì)所述過(guò)橋配線和所述連接線圈的所述第一端部進(jìn)行連接；以及第三導(dǎo)電線，其對(duì)所述連接線圈的所述第二端部和所述1C芯片的所述第二端子進(jìn)行連接。
[0015]另外，在上述第一方式中，所述1C芯片和所述接觸端子部也可以通過(guò)輔助導(dǎo)電線而連接，該輔助導(dǎo)電線插入形成于所述基材的輔助貫穿孔中。
[0016]另外，在上述第一方式中，也可以具有樹(shù)脂封裝部，該樹(shù)脂封裝部對(duì)所述1C芯片、所述第一導(dǎo)電線、所述第二導(dǎo)電線、以及所述第三導(dǎo)電線進(jìn)行覆蓋。
[0017]另外，本發(fā)明的第二方式所涉及的雙1C卡具有:上述第一方式所涉及的1C模塊；以及板狀的卡主體，其具有天線，形成有收容所述1C模塊的凹部，該天線具有耦合用線圈及主線圈，該耦合用線圈用于與所述1C模塊的所述連接線圈進(jìn)行電磁耦合，該主線圈為了與非接觸型外部設(shè)備進(jìn)行非接觸型通信而與所述耦合用線圈連接。
[0018]另外，在本發(fā)明的第三方式所涉及的1C模塊的制造方法中，準(zhǔn)備具有第一面和第二面的薄板狀的基材，在所述第一面處形成連接線圈，在所述基材處形成彼此分離的第一貫穿孔和第二貫穿孔，在所述第二面處形成接觸端子部，該接觸端子部以與接觸型外部設(shè)備接觸的方式構(gòu)成，在所述第二面處，以從所述基材的厚度方向觀察時(shí)過(guò)橋配線與所述第一貫穿孔及所述第二貫穿孔重疊的方式，形成與所述接觸端子部電絕緣的所述過(guò)橋配線，在所述基材的所述第一面，安裝具有接觸型通信功能及非接觸型通信功能的1C芯片，通過(guò)插入所述第一貫穿孔中的第一導(dǎo)電線，對(duì)所述1C芯片的所述第一端子和所述過(guò)橋配線進(jìn)行連接，通過(guò)插入所述第二貫穿孔中的第二導(dǎo)電線，對(duì)所述過(guò)橋配線和所述連接線圈的第一端部進(jìn)行連接，通過(guò)第三導(dǎo)電線，對(duì)所述連接線圈的第二端部和所述1C芯片的所述第二端子進(jìn)行連接。
[0019]另外，在上述第三方式中，也可以在所述基材處形成輔助通孔，通過(guò)插入所述輔助通孔中的輔助導(dǎo)電線，對(duì)所述1C芯片和所述接觸端子部進(jìn)行連接。
[0020]另外，在上述第三方式中，也可以利用樹(shù)脂封裝部，對(duì)所述1C芯片、所述第一導(dǎo)電線、所述第二導(dǎo)電線、以及所述第三導(dǎo)電線進(jìn)行覆蓋。
[0021]發(fā)明的效果
[0022]根據(jù)上述方式所涉及的1C模塊、雙1C卡、以及1C模塊的制造方法，能夠不進(jìn)行鍍敷通孔加工而容易且廉價(jià)地制造1C模塊、及雙1C卡。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1是示意性地表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的雙1C卡的側(cè)面剖視圖。
[0024]圖2是使本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的雙1C卡的卡主體的一部分透過(guò)而得到的俯視圖。
[0025]圖3是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的雙1C卡的1C模塊的俯視圖。
[0026]圖4是圖3中的剖斷線Al - A1的剖視圖。
[0027]圖5是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的1C模塊的仰視圖。
[0028]圖6是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的第1變形例所涉及的雙1C卡中的側(cè)面的剖視圖。
[0029]圖7是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的第1變形例所涉及的雙1C卡的仰視圖。
[0030]圖8是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的第2變形例所涉及的雙1C卡中的仰視圖。
[0031]圖9是圖8中的剖斷線A2 - A2的剖視圖。
[0032]圖10是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的第2變形例所涉及的雙1C卡的俯視圖。
[0033]圖11是說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的1C模塊的制造方法的剖視圖。
[0034]圖12是說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的1C模塊的制造方法的剖視圖。
[0035]圖13是說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的1C模塊的制造方法的剖視圖。
[0036]圖14是說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的1C模塊的制造方法的剖視圖。
[0037]圖15是用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的雙1C卡的原理的等價(jià)電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]下面，參照?qǐng)D1至圖15，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的雙1C卡進(jìn)行說(shuō)明。
[0039]如圖1及圖2所示，雙1C卡1具有:板狀的卡主體10，其形成有凹部11 ;以及1C模塊30，其收容在該凹部11中。
[0040]此外，圖1是示意性地表示雙1C卡1的剖視圖，將后述的天線13的匝數(shù)簡(jiǎn)化而示出。在圖2中示出卡主體10中的天線13及電容性元件14，使基板12透過(guò)而僅示出其外形。
[0041]卡主體10具有:基板12 ;天線13，其設(shè)置于基板12的形成有凹部11的開(kāi)口 11a的第一面12a ;電容性元件14，其與天線13連接(電連接)；以及一對(duì)卡基材15，其對(duì)基板12、天線13、及電容性元件14進(jìn)行夾持并層疊而成。
[0042]基板12使用PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等具有絕緣性的材料，在俯視觀察時(shí)形成為矩形狀(參照?qǐng)D2)。此外，各卡基材15在俯視觀察時(shí)也形成為矩形狀。
[0043]在基板12的靠近短邊12c的位置(與中央相比更靠近短邊12c的位置)、即卡基材15的靠近短邊的位置，形成有貫穿基板12的厚度方向D的收容孔12d。收容孔12d在俯視觀察時(shí)形成為具有與基板12的短邊及長(zhǎng)邊平行的邊的矩形狀。基板12的厚度例如為15?50 μm(微米)。
[0044]天線13具有:耦合用線圈18，其用于與1C模塊30的后述的連接線圈31電磁耦合；以及主線圈19，其為了與讀寫(xiě)器等非接觸型外部設(shè)備(未圖示)進(jìn)行非接觸型通信而與耦合用線圈18連接。此外，耦合用線圈18是配置于圖2中的區(qū)域R1內(nèi)的線圈，主線圈19是配置于與區(qū)域R1相鄰的區(qū)域R2內(nèi)的線圈。在基板12相對(duì)于收容孔12d而靠近長(zhǎng)邊12e的位置(與中央相比更靠近長(zhǎng)邊12e的位置)、即卡基材15的長(zhǎng)邊側(cè)，基于1C卡的規(guī)格(X 6302 - 1:2005 (IS0/IEC 7811 一 1:2002))而設(shè)定有能夠形成壓花的壓花區(qū)域R3。
[0045]在本例中，耦合用線圈18形成為螺旋狀，在收容孔12d周?chē)砝@5次。壓花區(qū)域R3處的構(gòu)成耦合用線圈18的裸線18a的寬度，大于除了壓花區(qū)域R3以外處的裸線18b的寬度。在