指紋識(shí)別芯片及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種指紋識(shí)別芯片及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]請參考圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)中指紋識(shí)別芯片的剖面圖，如圖1所示，現(xiàn)有的指紋識(shí)別芯片包括基板10、設(shè)置在基本10上的晶圓11和集成在晶圓11上的傳感單元12，所述基板10與傳感單元12通過綁定線13實(shí)現(xiàn)連接。所述傳感單元12用于提取用戶的指紋信息，其應(yīng)用原理是通過測量指紋脊線谷線與傳感單元的傳感電極陣列單元之間所形成的耦合電容的大小差異來對(duì)指紋進(jìn)行成像的。為了提高指紋識(shí)別芯片的靈敏度，從而使其具有較好的分辨率及有效性，本領(lǐng)域技術(shù)人員通常是增加感應(yīng)單元中用于發(fā)射信號(hào)的發(fā)射電極的高度，從而縮短傳感單元與用戶手指的位置之間的距離，進(jìn)而增強(qiáng)指紋識(shí)別的靈敏度。但是，由于上述方法中發(fā)射電極在發(fā)射信號(hào)時(shí)會(huì)因發(fā)射電極高度的增加，存在發(fā)射信號(hào)的衰減的問題，不能使指紋識(shí)別芯片的靈敏度提升到最佳狀態(tài)。
[0003]針對(duì)上述問題，本領(lǐng)域技術(shù)人員一直在尋找有效的解決方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種指紋識(shí)別芯片及其制造方法，以解決采用現(xiàn)有技術(shù)中的提升指紋識(shí)別芯片的指紋識(shí)別的靈敏度方法還是存在不足，無法使指紋識(shí)別的靈敏度提升到最佳狀態(tài)的問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種指紋識(shí)別芯片及其制造方法，所述指紋識(shí)別芯片包括:
[0006]基板；
[0007]設(shè)置在所述基板上的晶圓，所述晶圓的邊緣開設(shè)有溝槽；所述溝槽的底部位置在垂直方向上低于所述晶圓的第一表面的位置；
[0008]集成在所述晶圓的第一表面上的傳感單元，所述傳感單元通過綁定線與所述基板綁定連接；及
[0009]導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的一端與傳感單元相連，另一端延伸至所述溝槽的底部。
[0010]可選的，在所述的指紋識(shí)別芯片中，所述綁定線的一端與溝槽底部的導(dǎo)電層相連，另一端與所述基板相連。
[0011 ] 可選的，在所述的指紋識(shí)別芯片中，所述導(dǎo)電層為金屬層。
[0012]可選的，在所述的指紋識(shí)別芯片中，所述金屬層為鋁層。
[0013]可選的，在所述的指紋識(shí)別芯片中，所述溝槽的橫截面為梯形或者矩形。
[0014]可選的，在所述的指紋識(shí)別芯片中，所述溝槽的深度大于等于所述綁定線的預(yù)定高度。
[0015]可選的，在所述的指紋識(shí)別芯片中，所述溝槽的深度小于所述綁定線的預(yù)定高度。
[0016]本發(fā)明還提供一種指紋識(shí)別芯片的制造方法，所述指紋識(shí)別芯片的制造方法包括如下步驟:
[0017]在晶圓的第一表面上集成傳感單元；
[0018]利用第一光罩在晶圓的邊緣開設(shè)溝槽，并使所述溝槽的底部位置在垂直方向上低于所述晶圓的第一表面的位置；
[0019]利用第二光罩在所述溝槽的表面及所述傳感單元的表面形成導(dǎo)電層；
[0020]將晶圓的第二表面黏貼于基板上；
[0021]將綁定線的兩端分別綁定至所述溝槽底部的導(dǎo)電層上和所述基板上；
[0022]在基板上形成將晶圓、傳感單元及綁定線包含在內(nèi)的封裝。
[0023]可選的，在所述的指紋識(shí)別芯片的制造方法中，所述溝槽的橫截面為梯形。
[0024]可選的，在所述的指紋識(shí)別芯片的制造方法中，所述溝槽采用光刻工藝形成。
[0025]可選的，在所述的指紋識(shí)別芯片的制造方法中，所述導(dǎo)電層采用物理氣相淀積工藝形成。
[0026]發(fā)明人經(jīng)過多次試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，使用現(xiàn)有技術(shù)中的指紋識(shí)別芯片提升指紋識(shí)別靈敏度的方法，不能使指紋識(shí)別靈敏度達(dá)到最佳狀態(tài)的根本原因是:由于綁定基板與傳感單元的綁定線的垂直高度是固定不變的，從而限制了傳感單元需要的垂直空間?；谏鲜鰞?nèi)容，本發(fā)明提供一種指紋識(shí)別芯片及其制造方法，可以在維持綁定線的垂直高度不變的同時(shí)，通過減小傳感單元的垂直空間來縮短傳感單元與用戶手指的位置之間的距離，來提升指紋識(shí)別芯片的指紋識(shí)別的靈敏度。
[0027]在本發(fā)明所提供的指紋識(shí)別芯片及其制造方法中，通過將晶圓的邊緣開設(shè)有溝槽結(jié)構(gòu)，通過在溝槽的溝槽壁上設(shè)置的導(dǎo)電層拉低綁定線與傳感單元相連一端的位置，降低了傳感單元到指紋識(shí)別芯片頂端的距離，縮短了傳感單元與用戶手指的位置之間的距離，從而提高了指紋識(shí)別芯片的靈敏度。
【附圖說明】
[0028]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中指紋識(shí)別芯片的剖面圖；
[0029]圖2A-2F是本發(fā)明一實(shí)施例中指紋識(shí)別芯片的制造方法中各個(gè)步驟的剖面示意圖；
[0030]圖3是本發(fā)明一實(shí)施例的指紋識(shí)別芯片的制造方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的指紋識(shí)別芯片及其制造方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0032]本實(shí)施例提供了一種指紋識(shí)別芯片的制造方法。下面參考圖2A-2F及圖3。其中，圖2A-2F為本發(fā)明一實(shí)施例中指紋識(shí)別芯片的制造方法中各個(gè)步驟的剖面示意圖；圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的指紋識(shí)別芯片的制造方法的流程圖。所述指紋識(shí)別芯片的制造方法具體步驟如下。
[0033]首先，執(zhí)行步驟SI，在晶圓21的第一表面上集成傳感單元22。
[0034]接著，執(zhí)行步驟S2，利用第一光罩在晶圓21的邊緣開設(shè)溝槽，并使所述溝槽的底部位置在垂直方向上低于所述晶圓21的第一表面的位置。
[0035]具體的，請參照圖2B通過第一光罩，對(duì)晶圓21第一表面進(jìn)行光刻工藝，從而形成橫截面為梯形的溝槽。本實(shí)施例中，出于便于光刻工藝流程的簡便性的考慮，形成的溝槽的橫截面選用梯形，形成橫截面為梯形溝槽是以晶圓21第一表面的切割線為對(duì)稱軸，在晶圓21第一表面距切割線左右兩側(cè)垂直方向距離均為210um處同時(shí)進(jìn)行刻蝕，從而形成溝槽。
[0036]接著，執(zhí)行步驟S3，請參照圖2C，利用第二光罩在所述溝槽的表面及所述傳感單兀的表面形成導(dǎo)電層24。
[0037]優(yōu)選的，所述導(dǎo)電層24采用物理氣相淀積工藝形成，但不局限于此方法。
[0038]接著，執(zhí)行步驟S4，請參照圖2D，將晶圓21的第二表面黏貼于基板20上。
[0039]接著，執(zhí)行步驟S5，請參