本申請涉及射頻通信領(lǐng)域，特別涉及一種載波抵消電路及RFID讀寫器。

背景技術(shù)：

目前，RFID系統(tǒng)主要由讀寫器和標簽組成，讀寫器通過發(fā)射射頻信號將能量和數(shù)據(jù)發(fā)送給標簽；并對標簽返回的數(shù)據(jù)進行處理，完成對標簽的識別和讀寫操作。標簽接收讀寫器發(fā)射的射頻信號，響應(yīng)閱讀器的命令，并返回相應(yīng)的射頻信號給讀寫器。

其中，讀寫器中采用環(huán)形器或定向耦合器，將讀寫器發(fā)射的強載波信號和接收到的標簽反射弱信號分開。但是，環(huán)形器或定向耦合器會泄露讀寫器發(fā)射的強載波信號中的部分強載波信號到讀寫器接收通道，而由于RFID系統(tǒng)中發(fā)射的強載波信號與接收到的標簽反射弱信號完全同頻，因此濾波器無法濾除讀寫器接收通道中的強載波信號，導(dǎo)致讀寫器接收通道中存在干擾信號，使讀寫器無法清晰的識別出標簽反射弱信號，降低了讀寫器的讀寫靈敏度差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本申請實施例提供一種載波抵消電路，以達到實現(xiàn)泄露的載波信號的抵消，保證讀寫器接收通道中僅保留接收到的標簽反射弱信號，改善讀寫器的讀寫靈敏度的目的，技術(shù)方案如下：

一種載波抵消電路，包括：第一移相衰減模塊M1、耦合器U2、收發(fā)隔離電路U3、第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器U4、第一合成器U5、微控制單元和第一功率檢測器U6；

所述耦合器U2用于從所述收發(fā)隔離電路U3的第一端耦合出一路載波信號并引入所述第一移相衰減模塊M1的第一輸入端；

所述收發(fā)隔離電路U3的第三端與所述第一合成器U5的第一輸入端相連，所述第一合成器U5的第二輸入端與所述第一移相衰減模塊M1的輸出端相連，所述第一移相衰減模塊M1的第二輸入端與所述微控制單元相連；

所述第一合成器U5的輸出端與所述第一功率檢測器U6的輸入端相連，所述第一功率檢測器U6的輸出端與所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器U4的輸入端相連，所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器U4的輸出端與所述微控制單元相連；

所述第一移相衰減模塊M1，用于按照所述微控制單元生成的調(diào)整指令，對所述耦合器U2耦合出的載波信號進行移相和幅值衰減生成抵消信號；

所述第一合成器U5，用于對所述收發(fā)隔離電路U3的第二端接收的載波信號和所述第一移相衰減模塊M1輸出的信號進行合成，得到合成信號，其中所述第一移相衰減模塊M1輸出的所述抵消信號用于抵消所述收發(fā)隔離電路U3第一端泄露至所述收發(fā)隔離電路U3第三端的載波信號；

所述第一功率檢測器U6，用于監(jiān)控所述第一合成器U5輸出的合成信號的功率，并通過所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器U4將所述第一合成器U5輸出的合成信號的功率發(fā)送至所述微控制單元，以由所述微控制單元根據(jù)所述第一合成器U5輸出的合成信號的功率，生成所述調(diào)整指令。

優(yōu)選的，還包括：功分器U7、第二移相衰減模塊M2、第一限幅器U8、低噪放大器U9、第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器U10、第二功率檢測器U11、第二合成器U12和第二限幅器U13；

所述功分器U7的輸入端SUM與所述耦合器U2的耦合端口CP相連，所述功分器U7的第一輸出端P1與所述第一移相衰減模塊M1的第一輸入端相連，所述功分器U7的第二輸出端P2與所述第二移相衰減模塊M2的第一輸入端相連；

所述第二移相衰減模塊M2的第二輸入端與所述微控制單元相連，所述第二移相衰減模塊M2的輸出端與所述第二合成器U12的第一輸入端P1相連；

所述第一限幅器U8的輸入端與所述第一合成器U5的輸出端SUM相連，所述第一限幅器U8的輸出端與所述低噪放大器U9的輸入端相連，所述低噪放大器U9的輸出端與所述第二合成器U12的第二輸入端P2相連， 所述第二合成器U12的輸出端SUM分別與所述第二限幅器U13的輸入端和第二功率檢測器U11的輸入端相連，所述第二功率檢測器U11的輸出端與所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器U10的輸入端相連，所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器U10的輸出端與所述微控制單元相連。

優(yōu)選的，所述收發(fā)隔離電路U3為環(huán)形器。

優(yōu)選的，所述第一移相衰減模塊M1包括：第三數(shù)模轉(zhuǎn)換器m1、第四數(shù)模轉(zhuǎn)換器m2和第一IQ矢量調(diào)制器m3；

所述第三數(shù)模轉(zhuǎn)換器m1的輸入端與所述微控制單元相連，所述第三數(shù)模轉(zhuǎn)換器m1的輸出端與所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的第一控制端口相連，所述第四數(shù)模轉(zhuǎn)換器m2的輸入端與所述微控制單元相連，所述第四數(shù)模轉(zhuǎn)換器m2的輸出端與所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的第二控制端口相連；

所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的輸入端作為所述第一移相衰減模塊M1的第一輸入端，所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的輸出端作為所述第一移相衰減模塊M1的輸出端，與所述第一合成器U5的第二輸入端P2相連。

優(yōu)選的，所述第一IQ矢量調(diào)制器m3包括：第一電橋m31、第一巴倫m32、第二巴倫m33、第三巴倫m34、第四巴倫m35、第一雙刀雙擲開關(guān)m36、第二雙刀雙擲開關(guān)m37、第一數(shù)控衰減器m38、第二數(shù)控衰減器m39和第三合成器m310；

所述第一電橋m31的輸入端作為所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的輸入端，所述第一電橋m31的第一輸出端與所述第一巴倫m32的輸入端相連，所述第一電橋m31的第二輸出端與所述第三巴倫m34的輸入端相連；

所述第一巴倫m32的第一輸出端與所述第一雙刀雙擲開關(guān)m36的第一開關(guān)端相連，所述第一巴倫m32的第二輸出端與所述第一雙刀雙擲開關(guān)m36的第二開關(guān)端相連，所述第一雙刀雙擲開關(guān)m36的第三開關(guān)端與所述第二巴倫m33的第一輸入端相連，所述第一雙刀雙擲開關(guān)m36的第四開關(guān)端與所述第二巴倫m33的第二輸入端相連，所述第一雙刀雙擲開關(guān)m36的控制端與所述微控制單元相連；

所述第二巴倫m33的輸出端與所述第一數(shù)控衰減器m38的第一輸入端相連，所述第一數(shù)控衰減器m38的第二輸入端與所述微控制單元相連，所述 第一數(shù)控衰減器m38的輸出端與所述第三合成器m310的第一輸入端P1相連；

所述第三巴倫m34的第一輸出端與所述第二雙刀雙擲開關(guān)m37的第一開關(guān)端相連，所述第三巴倫m34的第二輸出端與所述第二雙刀雙擲開關(guān)m37的第二開關(guān)端相連，所述第二雙刀雙擲開關(guān)m37的第三開關(guān)端與所述第四巴倫m35的第一輸入端相連，所述第二雙刀雙擲開關(guān)m37的第四開關(guān)端與所述第四巴倫m35的第二輸入端相連，所述第二雙刀雙擲開關(guān)m37的控制端與所述微控制單元相連；

所述第四巴倫m35的輸出端與所述第二數(shù)控衰減器m39的第一輸入端相連，所述第二數(shù)控衰減器m39的第二輸入端與所述微控制單元相連，所述第二數(shù)控衰減器m39的輸出端與所述第三合成器m310的第二輸入端P2相連，所述第三合成器m310的輸出端作為所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的輸出端。

優(yōu)選的，所述第二移相衰減模塊M2包括：第五數(shù)模轉(zhuǎn)換器m4、第六數(shù)模轉(zhuǎn)換器m5和第二IQ矢量調(diào)制器m6；

所述第五數(shù)模轉(zhuǎn)換器m4的輸入端與所述微控制單元相連，所述第五數(shù)模轉(zhuǎn)換器m4的輸出端與所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的第一控制端口相連，所述第六數(shù)模轉(zhuǎn)換器m5的輸入端與所述微控制單元相連，所述第六數(shù)模轉(zhuǎn)換器m5的輸出端與所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的第二控制端口相連；

所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的輸入端作為所述第二移相衰減模塊M2的第一輸入端，所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的輸出端作為所述第二移相衰減模塊M2的輸出端，與所述第二合成器U12的第二輸入端P2相連。

優(yōu)選的，所述第二IQ矢量調(diào)制器m6包括：第二電橋m61、第五巴倫m62、第六巴倫m63、第七巴倫m64、第八巴倫m65、第三雙刀雙擲開關(guān)m66、第四雙刀雙擲開關(guān)m67、第三數(shù)控衰減器m68、第四數(shù)控衰減器m69和第四合成器m610；

所述第二電橋m61的輸入端作為所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的輸入端，所述第二電橋m61的第一輸出端與所述第五巴倫m62的輸入端相連，所述第二電橋m61的第二輸出端與所述第七巴倫m64的輸入端相連；

所述第五巴倫m62的第一輸出端與所述第三雙刀雙擲開關(guān)m66的第一開關(guān)端相連，所述第五巴倫m62的第二輸出端與所述第三雙刀雙擲開關(guān)m66的第二開關(guān)端相連，所述第三雙刀雙擲開關(guān)m66的第三開關(guān)端與所述第六巴倫m63的第一輸入端相連，所述第三雙刀雙擲開關(guān)m66的第四開關(guān)端與所述第六巴倫m63的第二輸入端相連，所述第三雙刀雙擲開關(guān)m66的控制端與所述微控制單元相連；

所述第六巴倫m63的輸出端與所述第三數(shù)控衰減器m68的第一輸入端相連，所述第三數(shù)控衰減器m68的第二輸入端與所述微控制單元相連，所述第三數(shù)控衰減器m68的輸出端與所述第四合成器m610的第一輸入端P1相連；

所述第七巴倫m64的第一輸出端與所述第四雙刀雙擲開關(guān)m67的第一開關(guān)端相連，所述第七巴倫m64的第二輸出端與所述第四雙刀雙擲開關(guān)m67的第二開關(guān)端相連，所述第四雙刀雙擲開關(guān)m67的第三開關(guān)端與所述第八巴倫m65的第一輸入端相連，所述第四雙刀雙擲開關(guān)m67的第四開關(guān)端與所述第八巴倫m65的第二輸入端相連，所述第四雙刀雙擲開關(guān)m67的控制端與所述微控制單元相連；

所述第八巴倫m65的輸出端與所述第四數(shù)控衰減器m69的第一輸入端相連，所述第四數(shù)控衰減器m69的第二輸入端與所述微控制單元相連，所述第四數(shù)控衰減器m69的輸出端與所述第四合成器m610的第二輸入端P2相連，所述第四合成器m610的輸出端作為所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的輸出端。

一種RFID讀寫器，包括如上述任意一項所述的載波抵消電路。

優(yōu)選的，所述RFID讀寫器工作在900M頻段。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請的有益效果為：

在本申請中，通過耦合器U2從收發(fā)隔離電路U3的第一端耦合出一路載波信號并引入第一移相衰減模塊M1的第一輸入端，第一移相衰減模塊M1則按照所述微控制單元生成的調(diào)整指令，對所述耦合器U2耦合出的載波信號進行移相和幅值衰減生成抵消信號，由第一合成器U5對收發(fā)隔離電路U3的第二端接收的載波信號和第一移相衰減模塊M1輸出的信號進行合 成，得到合成信號，其中第一移相衰減模塊M1輸出的抵消信號用于抵消收發(fā)隔離電路U3第一端泄露至收發(fā)隔離電路U3第三端的載波信號，實現(xiàn)泄露的載波信號的抵消，完成干擾信號的濾除，保證讀寫器接收通道中僅保留接收到的標簽反射弱信號，改善了讀寫器的讀寫靈敏度。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請?zhí)峁┑妮d波抵消電路的一種電氣原理示意圖；

圖2是本申請?zhí)峁┑妮d波抵消電路的另一種電氣原理示意圖；

圖3是本申請?zhí)峁┑牡谝灰葡嗨p模塊M1的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本申請?zhí)峁┑牡谝籌Q矢量調(diào)制器m3的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本申請?zhí)峁┑牡诙葡嗨p模塊M2的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本申請?zhí)峁┑牡诙蘒Q矢量調(diào)制器m6的一種結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。

實施例一

在本實施例中，提供了一種載波抵消電路，請參見圖1，載波抵消電路包括：第一移相衰減模塊M1、耦合器U2、收發(fā)隔離電路U3、第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器U4、第一合成器U5、微控制單元和第一功率檢測器U6。

所述耦合器U2用于從所述收發(fā)隔離電路U3的第一端耦合出一路載波 信號并引入所述第一移相衰減模塊M1的第一輸入端。

其中，從所述收發(fā)隔離電路U3的第一端耦合出一路載波信號指的是從RFID讀寫器的發(fā)射端至收發(fā)隔離電路U3的第一端的信號流中耦合出一路載波信號。

其中耦合器U2可以為定向耦合器，耦合器U2的輸入端口IN用于接收需發(fā)射的載波信號，耦合器U2的第一輸出端口OUT與隔離收發(fā)電路U3的第一端相連，耦合器U2的耦合端口CP與第一移相衰減模塊M1的第一輸入端相連，耦合器U2的第二輸出端口ISO與電阻R的第一端相連，電阻R的第二端接地。

其中，電阻R的電阻值具體為50Ω。

收發(fā)隔離電路U3的第三端與第一合成器U5的第一輸入端P1相連，第一合成器U5的第二輸入端P2與第一移相衰減模塊M1的輸出端相連，第一移相衰減模塊M1的第二輸入端與微控制單元相連。

第一功率檢測器U6的輸入端與第一合成器U5的輸出端SUM相連，第一功率檢測器U6的輸出端與第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器U4的輸入端相連，第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器U4的輸出端與微控制單元相連。

在本實施例中，現(xiàn)對圖1示出的載波抵消電路的原理進行說明，具體如下：

第一移相衰減模塊M1，用于按照所述微控制單元生成的調(diào)整指令，對耦合器U2耦合出的載波信號進行移相和幅值衰減生成抵消信號。

所述第一合成器U5，對所述收發(fā)隔離電路U3的第二端接收的載波信號和第一移相衰減模塊M1輸出的信號進行合成，得到合成信號，其中所述第一移相衰減模塊M1輸出的所述抵消信號用于抵消所述收發(fā)隔離電路U3第一端泄露至所述收發(fā)隔離電路U3第三端的載波信號。

第一功率檢測器U6，用于監(jiān)控所述第一合成器U5輸出的合成信號的功率，并通過所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器U4將所述第一合成器U5輸出的合成信號的功率發(fā)送至所述微控制單元，以由所述微控制單元根據(jù)所述第一合成器U5輸出的合成信號的功率，生成所述調(diào)整指令。

其中，第一功率檢測器U6具體可以實時監(jiān)控所述第一合成器U5輸出的合成信號的功率。

在本實施例中，收發(fā)隔離電路U3具體可以為環(huán)形器。

在本實施例中，現(xiàn)對圖1示出的載波抵消電路的原理進行說明，具體如下：

收發(fā)隔離電路U3的第一端輸入需發(fā)射的載波信號，耦合器U2從所述收發(fā)隔離電路U3的第一端耦合出一路載波信號并引入所述第一移相衰減模塊M1的第一輸入端。以及，收發(fā)隔離電路U3將第一端輸入的載波信號通過第二端的天線ANT發(fā)射出去，并通過第二端的天線ANT接收載波信號(即與上述讀寫器匹配的標簽發(fā)射的標簽反射弱信號)，收發(fā)隔離電路U3的第三端會輸出接收到的載波信號，且收發(fā)隔離電路U3的第一端會泄露一部分載波信號至所述收發(fā)隔離電路U3第三端。第一功率檢測器U6實時監(jiān)控第一合成器U5輸出的合成信號的功率，并通過所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器U4將所述第一合成器U5輸出的合成信號的功率發(fā)送至所述微控制單元，以由所述微控制單元根據(jù)所述第一合成器U5輸出的合成信號的功率，生成調(diào)整指令，發(fā)送相應(yīng)的調(diào)整命令至第一移相衰減模塊M1，直到第一移相衰減模塊M1生成一個與隔離收發(fā)電路U3的第二端泄露的載波信號等幅反相的抵消信號為止。

在本申請中，通過耦合器U2從收發(fā)隔離電路U3的第一端耦合出一路載波信號并引入第一移相衰減模塊M1的第一輸入端，第一移相衰減模塊M1則按照所述微控制單元生成的調(diào)整指令，對所述耦合器U2耦合出的載波信號進行移相和幅值衰減生成抵消信號，由第一合成器U5對收發(fā)隔離電路U3的第二端接收的載波信號和第一移相衰減模塊M1輸出的信號進行合成，得到合成信號，其中第一移相衰減模塊M1輸出的所述抵消信號用于抵消收發(fā)隔離電路U3第一端泄露至收發(fā)隔離電路U3第三端的載波信號，其中收發(fā)隔離電路U3的第二端接收的載波信號中混雜有收發(fā)隔離電路U3第一端泄露至收發(fā)隔離電路U3第三端的載波信號，因而實現(xiàn)了泄露的載波信號的抵消，完成干擾信號的濾除，保證讀寫器接收通道中僅保留接收到的標 簽反射弱信號，改善了讀寫器的讀寫靈敏度。

但是，在本實施例中，在最大程度的抑制接收通道的載波信號即保證RFID讀寫器接收通道中僅保留接收到的標簽反射弱信號的同時，RFID讀寫器接收通道中底噪也有一定的抬高，因此RFID讀寫器接收通道的信噪比還有改善的空間。

實施例二

在本實施例中，在圖1示出的載波抵消電路的基礎(chǔ)上擴展出另外一種載波抵消電路，請參見圖2，在圖1示出的載波抵消電路的基礎(chǔ)上還包括：功分器U7、第二移相衰減模塊M2、第一限幅器U8、低噪放大器U9、第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器U10、第二功率檢測器U11、第二合成器U12和第二限幅器U13。

所述功分器U7的輸入端SUM與所述耦合器U2的耦合端口CP相連，所述功分器U7的第一輸出端P1與所述第一移相衰減模塊M1的第一輸入端相連，所述功分器U7的第二輸出端P2與所述第二移相衰減模塊M2的第一輸入端相連。

所述第二移相衰減模塊M2的第二輸入端與所述微控制單元相連，所述第二移相衰減模塊M2的輸出端與所述第二合成器U12的第一輸入端P1相連。

所述第一限幅器U8的輸入端與所述第一合成器U5的輸出端SUM相連，所述第一限幅器U8的輸出端與所述低噪放大器U9的輸入端相連，所述低噪放大器U9的輸出端與所述第二合成器U12的第二輸入端P2相連，所述第二合成器U12的輸出端SUM分別與所述第二限幅器U13的輸入端和第二功率檢測器U11的輸入端相連，所述第二功率檢測器U11的輸出端與所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器U10的輸入端相連，所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器U10的輸出端與所述微控制單元相連。

現(xiàn)對本實施例示出的載波抵消電路的工作原理進行說明，具體如下：

收發(fā)隔離電路U3的第一端接收需發(fā)射的載波信號，耦合器U2從所述收發(fā)隔離電路U3的第一端耦合出一路載波信號并引入功分器U7，耦合器 U2耦合出的載波信號通過個功分器U7生產(chǎn)兩路信號，分別輸入到第一移相衰減模塊M1和第二移相衰減模塊M2中，第一移相衰減模塊M1和第二移相衰減模塊M2產(chǎn)生的抵消信號分別用于第一次載波抵消和第二次載波抵消。由于第一移相衰減模塊M1調(diào)整過程中，第一合成器U5的輸出功率有可能很高，因此第一次載波抵消后添加了一個限幅器U8，以防止低噪放大器U9燒壞。低噪放大器U9對標簽反射弱信號進行放大的同時，對第一次載波抵消后的載波也進行了放大。為了提高信噪比，在低噪放大器U9后面進行第二次載波抵消。其工作原理與第一次載波抵消類似，通過第二功率檢測器U11監(jiān)控第二合成器U12輸出端的功率大小，不斷調(diào)整第二移相衰減模塊M2的狀態(tài)，直至第二合成器U12的輸出功率最小。在第二次載波抵消后，同樣添加了一個第二限幅器U13，對后續(xù)射頻芯片其保護作用。

與實施例一示出的載波抵消電路相比，本實施例示出的載波抵消電路的低噪放對標簽反射弱信號進行了放大的同時，通過第二移相衰減模塊M2、第二合成器U12、第二功率檢測器U11、第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器U10進行第二次載波抵消，使泄漏的載波信號仍能夠保持較低功率，進一步改善了讀寫器的讀寫靈敏度。在RFID讀寫器的穩(wěn)定性方面，在第一次載波抵消效果由于環(huán)境變化而有所惡化的情況下，第二次載波抵消支路仍能夠進行自動調(diào)整，使泄漏的載波功率穩(wěn)定在某個較低的水平上，使產(chǎn)品的性能基本保持不變。

在上述實施例中，第一移相衰減模塊M1的具體結(jié)構(gòu)請參見圖3，第一移相衰減模塊M1包括：第三數(shù)模轉(zhuǎn)換器m1、第四數(shù)模轉(zhuǎn)換器m2和第一IQ矢量調(diào)制器m3。

所述第三數(shù)模轉(zhuǎn)換器m1的輸入端與所述微控制單元相連，所述第三數(shù)模轉(zhuǎn)換器m1的輸出端與所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的第一控制端口相連，所述第四數(shù)模轉(zhuǎn)換器m2的輸入端與所述微控制單元相連，所述第四數(shù)模轉(zhuǎn)換器m2的輸出端與所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的第二控制端口相連。

所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的輸入端作為所述第一移相衰減模塊M1的第一輸入端，所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的輸出端作為所述第一移相衰減模塊M1的輸出端，與所述第一合成器U5的第二輸入端P2相連。

現(xiàn)對圖3示出的第一移相衰減模塊M1的工作原理進行說明，具體如下：

微控制單元通過第三數(shù)模轉(zhuǎn)換器m1輸出模擬控制量I，通過第四數(shù)模轉(zhuǎn)換器m2輸出模擬控制量Q，控制第一IQ矢量調(diào)制器m3對耦合器U2的耦合端口CP耦合出的載波信號進行0°～360°移相和30dB范圍內(nèi)的幅值衰減。其中，微控制單元通過合適的調(diào)整，輸出相應(yīng)的模擬控制量I和模擬控制量Q，可以使第一IQ矢量調(diào)制器m3生成與收發(fā)隔離電路U3的第二端泄露的載波信號等幅反相的抵消信號。

在本實施例中，圖3示出的第一IQ矢量調(diào)制器m3的具體結(jié)構(gòu)可以參見圖4，第一IQ矢量調(diào)制器m3包括：第一電橋m31、第一巴倫m32、第二巴倫m33、第三巴倫m34、第四巴倫m35、第一雙刀雙擲開關(guān)m36、第二雙刀雙擲開關(guān)m37、第一數(shù)控衰減器m38、第二數(shù)控衰減器m39和第三合成器m310。

所述第一電橋m31的輸入端作為所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的輸入端，所述第一電橋m31的第一輸出端與所述第一巴倫m32的輸入端相連，所述第一電橋m31的第二輸出端與所述第三巴倫m34的輸入端相連。

所述第一巴倫m32的第一輸出端與所述第一雙刀雙擲開關(guān)m36的第一開關(guān)端相連，所述第一巴倫m32的第二輸出端與所述第一雙刀雙擲開關(guān)m36的第二開關(guān)端相連，所述第一雙刀雙擲開關(guān)m36的第三開關(guān)端與所述第二巴倫m33的第一輸入端相連，所述第一雙刀雙擲開關(guān)m36的第四開關(guān)端與所述第二巴倫m33的第二輸入端相連，所述第一雙刀雙擲開關(guān)m36的控制端與所述微控制單元相連。

所述第二巴倫m33的輸出端與所述第一數(shù)控衰減器m38的第一輸入端相連，所述第一數(shù)控衰減器m38的第二輸入端與所述微控制單元相連，所述第一數(shù)控衰減器m38的輸出端與所述第三合成器m310的第一輸入端P1相連。

所述第三巴倫m34的第一輸出端與所述第二雙刀雙擲開關(guān)m37的第一開關(guān)端相連，所述第三巴倫m34的第二輸出端與所述第二雙刀雙擲開關(guān)m37的第二開關(guān)端相連，所述第二雙刀雙擲開關(guān)m37的第三開關(guān)端與所述第四巴 倫m35的第一輸入端相連，所述第二雙刀雙擲開關(guān)m37的第四開關(guān)端與所述第四巴倫m35的第二輸入端相連，所述第二雙刀雙擲開關(guān)m37的控制端與所述微控制單元相連。

所述第四巴倫m35的輸出端與所述第二數(shù)控衰減器m39的第一輸入端相連，所述第二數(shù)控衰減器m39的第二輸入端與所述微控制單元相連，所述第二數(shù)控衰減器m39的輸出端與所述第三合成器m310的第二輸入端P2相連，所述第三合成器m310的輸出端作為所述第一IQ矢量調(diào)制器m3的輸出端。

其中，第一電橋m31具體可以為第一3dB電橋。

現(xiàn)對圖4示出的第一IQ矢量調(diào)制器m3的工作原理進行說明，具體如下：第一電橋m31的第一輸出端輸出I路信號，第一電橋m31的第二輸出端輸出Q路信號，且I路信號和Q路信號相差90°。當(dāng)圖4中虛線方框中的器件不存在時，第一電橋m31輸出的兩路相差90°的I路信號和Q路信號，分別經(jīng)兩個數(shù)控衰減器后進行功率合成。根據(jù)矢量疊加的原理，當(dāng)兩路正交信號的幅值在0～30dB范圍變化時，其合成信號相位可實現(xiàn)0°～90°的移相，幅度可實現(xiàn)0～30dB的變化。

第一巴倫m32、第二巴倫m33和第一雙刀雙擲開關(guān)m36可以實現(xiàn)輸入信號是否反向的功能(移相0°或者180°)，并且第三巴倫m34、第四巴倫m35和第二雙刀雙擲開關(guān)m37可以實現(xiàn)輸入信號是否反向的功能(移相0°或者180°)。若I路信號移相180°后再與Q路信號合成，可實現(xiàn)90°～180°的移相，幅度也可實現(xiàn)0～30dB的變化。同理，若I、Q兩路同時移相180°，可實現(xiàn)180°～270°的移相；若I路信號不移相，Q路信號移相180°，可實現(xiàn)270°～360°的移相。綜上，通過微控制單元切換I、Q兩路信號是否移相180°，并且調(diào)整第一數(shù)控衰減器m38和第二數(shù)控衰減器m39，可實現(xiàn)輸出信號0°～360°的移相和幅度30dB范圍內(nèi)的變化。

在上述載波抵消電路中，第二移相衰減模塊M2的具體結(jié)構(gòu)請參見圖5，第二移相衰減模塊M2包括：第五數(shù)模轉(zhuǎn)換器m4、第六數(shù)模轉(zhuǎn)換器m5和第二IQ矢量調(diào)制器m6。

所述第五數(shù)模轉(zhuǎn)換器m4的輸入端與所述微控制單元相連，所述第五數(shù)模轉(zhuǎn)換器m4的輸出端與所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的第一控制端口相連，所述第六數(shù)模轉(zhuǎn)換器m5的輸入端與所述微控制單元相連，所述第六數(shù)模轉(zhuǎn)換器m5的輸出端與所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的第二控制端口相連。

所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的輸入端作為所述第二移相衰減模塊M2的第一輸入端，所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的輸出端作為所述第二移相衰減模塊M2的輸出端，與所述第二合成器U12的第二輸入端P2相連。

圖5示出的第二移相衰減模塊M2的工作原理與圖3示出的第一移相衰減模塊M1的工作原理相同，在此不再贅述。

其中，第二IQ矢量調(diào)制器m6的具體結(jié)構(gòu)請參見圖6，第二IQ矢量調(diào)制器m6包括：第二電橋m61、第五巴倫m62、第六巴倫m63、第七巴倫m64、第八巴倫m65、第三雙刀雙擲開關(guān)m66、第四雙刀雙擲開關(guān)m67、第三數(shù)控衰減器m68、第四數(shù)控衰減器m69和第四合成器m610。

所述第二電橋m61的輸入端作為所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的輸入端，所述第二電橋m61的第一輸出端與所述第五巴倫m62的輸入端相連，所述第二電橋m61的第二輸出端與所述第七巴倫m64的輸入端相連。

所述第五巴倫m62的第一輸出端與所述第三雙刀雙擲開關(guān)m66的第一開關(guān)端相連，所述第五巴倫m62的第二輸出端與所述第三雙刀雙擲開關(guān)m66的第二開關(guān)端相連，所述第三雙刀雙擲開關(guān)m66的第三開關(guān)端與所述第六巴倫m63的第一輸入端相連，所述第三雙刀雙擲開關(guān)m66的第四開關(guān)端與所述第六巴倫m63的第二輸入端相連，所述第三雙刀雙擲開關(guān)m66的控制端與所述微控制單元相連。

所述第六巴倫m63的輸出端與所述第三數(shù)控衰減器m68的第一輸入端相連，所述第三數(shù)控衰減器m68的第二輸入端與所述微控制單元相連，所述第三數(shù)控衰減器m68的輸出端與所述第四合成器m610的第一輸入端P1相連。

所述第七巴倫m64的第一輸出端與所述第四雙刀雙擲開關(guān)m67的第一開關(guān)端相連，所述第七巴倫m64的第二輸出端與所述第四雙刀雙擲開關(guān)m67 的第二開關(guān)端相連，所述第四雙刀雙擲開關(guān)m67的第三開關(guān)端與所述第八巴倫m65的第一輸入端相連，所述第四雙刀雙擲開關(guān)m67的第四開關(guān)端與所述第八巴倫m65的第二輸入端相連，所述第四雙刀雙擲開關(guān)m67的控制端與所述微控制單元相連。

所述第八巴倫m65的輸出端與所述第四數(shù)控衰減器m69的第一輸入端相連，所述第四數(shù)控衰減器m69的第二輸入端與所述微控制單元相連，所述第四數(shù)控衰減器m69的輸出端與所述第四合成器m610的第二輸入端P2相連，所述第四合成器m610的輸出端作為所述第二IQ矢量調(diào)制器m6的輸出端。

其中，第二電橋m61具體可以為第二3dB電橋。

圖6示出的第二IQ矢量調(diào)制器m6的工作原理與圖4示出的第一IQ矢量調(diào)制器m3的工作原理相同，在此不再贅述。

實施例三

本實用新型還提供了一種RFID讀寫器，該RFID讀寫器包括以上所述的載波抵消電路。

其中，RFID讀寫器工作在900M頻段，用于和900M電子標簽進行交互。

需要說明的是，在本文中，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬范 圍。