本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種冗余金屬填充的方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體工藝結(jié)點(diǎn)在不斷變小，全局平坦化變得越來越重要?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化(chemicalmechanicalpolishing，cmp)工藝是超大規(guī)模電路制造中保持芯片表面全局平坦化的重要工藝。但是，由于金屬和氧化物等介質(zhì)在cmp過程中材料去除速率并不相同，因此，其工藝本身導(dǎo)致了兩種平坦性缺陷的出現(xiàn)：金屬碟形(dishing)和氧化層侵蝕(erosion)。冗余金屬填充(dummyfill)技術(shù)是目前解決這一問題的主要手段。其原理是通過向網(wǎng)格內(nèi)填充與電路不連通的金屬小塊來改變該網(wǎng)格的金屬圖形密度，從而提高版圖圖形密度的均勻性，改善芯片的平整度和電性能。其核心技術(shù)主要有兩個(gè)：版圖密度和填充數(shù)量分析技術(shù)、余量分析技術(shù)。

但是，在實(shí)際的工藝生產(chǎn)中，由于客戶對芯片性能的特殊要求，某些大塊空白區(qū)域無法進(jìn)行冗余金屬填充，從而導(dǎo)致該區(qū)域的平坦性無法保證，影響產(chǎn)品良率，甚至導(dǎo)致芯片流片失敗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)提供一種冗余金屬填充的方法及系統(tǒng)，解決通過現(xiàn)有余量分析技術(shù)無法在不漏填充的前提下快速完成冗余金屬填充的問題。

本發(fā)明提供了一種冗余金屬填充的方法，包括步驟：

根據(jù)設(shè)計(jì)要求對不可填充區(qū)域進(jìn)行外擴(kuò)，得到外擴(kuò)區(qū)域；

對所述外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析，得到待填充區(qū)域；

對待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到各矩形待填充區(qū)域；

在各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充。

優(yōu)選地，所述根據(jù)設(shè)計(jì)要求對不可填充區(qū)域進(jìn)行外擴(kuò)，得到外擴(kuò)區(qū)域包括：

根據(jù)設(shè)計(jì)要求設(shè)定外擴(kuò)參數(shù)l；

對不可填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo)；

利用不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo)，計(jì)算按照所述外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的各外擴(kuò)區(qū)域的各頂點(diǎn)坐標(biāo)。

優(yōu)選地，所述對所述外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析，得到待填充區(qū)域包括：

獲取最小不可填充距離d；

將與外擴(kuò)區(qū)域有重疊部分的非填充區(qū)域外擴(kuò)d/2，得到各非填充外擴(kuò)區(qū)域；

將去除各非填充外擴(kuò)區(qū)域的所述外擴(kuò)區(qū)域作為待填充區(qū)域。

優(yōu)選地，在所述對待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到各矩形待填充區(qū)域之后，所述方法還包括：

確定各矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級，包括：

計(jì)算各矩形待填充區(qū)域質(zhì)心到所述不可填充區(qū)域質(zhì)心的距離；

設(shè)定所述距離越大的矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級越高；

所述在各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充包括：根據(jù)所述填充優(yōu)先級對各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充。

優(yōu)選地，所述利用不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo)，計(jì)算按照所述外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的各外擴(kuò)區(qū)域的各頂點(diǎn)坐標(biāo)包括：

計(jì)算以坐標(biāo)(xj，yj)為頂點(diǎn)，坐標(biāo)(xi，yi)和坐標(biāo)(xk，yk)為與頂點(diǎn)鄰近邊界點(diǎn)的不可填充區(qū)域的外擴(kuò)區(qū)域的第一常數(shù)c和第二常數(shù)d，其中：

根據(jù)第一常數(shù)c和第二常數(shù)d確定頂點(diǎn)坐標(biāo)(xj，yj)按照外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的外擴(kuò)區(qū)域的頂點(diǎn)坐標(biāo)(xn，yn)，其中：

如果xi＝xj，

如果xk＝xj，

其他，

一種冗余金屬填充的系統(tǒng)，包括：

外擴(kuò)區(qū)域獲取模塊，用于根據(jù)設(shè)計(jì)要求對不可填充區(qū)域進(jìn)行外擴(kuò)，得到外擴(kuò)區(qū)域；

待填充區(qū)域獲取模塊，用于對所述外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析，得到待填充區(qū)域；

矩形化模塊，用于對待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到各矩形待填充區(qū)域；

填充模塊，用于在各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充。

優(yōu)選地，所述外擴(kuò)區(qū)域獲取模塊包括：

設(shè)定單元，用于根據(jù)設(shè)計(jì)要求設(shè)定外擴(kuò)參數(shù)l；

頂點(diǎn)坐標(biāo)獲取單元，用于對不可填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo)；

外擴(kuò)頂點(diǎn)坐標(biāo)獲取單元，用于利用不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo),計(jì)算按照所述外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的各外擴(kuò)區(qū)域的各頂點(diǎn)坐標(biāo)。

優(yōu)選地，所述待填充區(qū)域獲取模塊包括：

最小距離獲取單元，用于獲取最小不可填充距離d；

非填充外擴(kuò)區(qū)域獲取單元，用于將與外擴(kuò)區(qū)域有重疊部分的非填充區(qū)域外擴(kuò)d/2，得到各非填充外擴(kuò)區(qū)域；

待填充區(qū)域獲取單元，用于將去除各非填充外擴(kuò)區(qū)域的所述外擴(kuò)區(qū)域作為待填充區(qū)域。

優(yōu)選地，所述系統(tǒng)還包括：

與矩形化模塊相連接的優(yōu)先級確定模塊，用于確定各矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級，所述優(yōu)先級確定模塊包括：

質(zhì)心距離計(jì)算單元，用于計(jì)算各矩形待填充區(qū)域質(zhì)心到所述不可填充區(qū)域質(zhì)心的距離；

優(yōu)先級設(shè)定單元，用于將所述距離越大的矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級設(shè)定越高；

所述填充模塊具體用于根據(jù)所述填充優(yōu)先級對各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充。

優(yōu)選地，所述外擴(kuò)頂點(diǎn)坐標(biāo)獲取單元包括：

常數(shù)獲取子單元，用于計(jì)算以坐標(biāo)(xj，yj)為頂點(diǎn)，坐標(biāo)(xi，yi)和坐標(biāo)(xk，yk)為與頂點(diǎn)鄰近邊界點(diǎn)的不可填充區(qū)域的外擴(kuò)區(qū)域的第一常數(shù)c和第二常數(shù)d，其中：

外擴(kuò)頂點(diǎn)坐標(biāo)獲取子單元，用于根據(jù)第一常數(shù)c和第二常數(shù)d確定頂點(diǎn)坐標(biāo)(xj，yj)按照外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的外擴(kuò)區(qū)域的頂點(diǎn)坐標(biāo)(xn，yn)，其中：

如果xi＝xj，

如果xk＝xj，

其他，

本發(fā)明提供的一種冗余金屬填充的方法及系統(tǒng)，該方法通過根據(jù)設(shè)計(jì)要求對不可填充區(qū)域進(jìn)行外擴(kuò)，得到外擴(kuò)區(qū)域，然后對所述外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析，得到待填充區(qū)域，接著對待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到各矩形待填充區(qū)域，最終在各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充。由于根據(jù)設(shè)計(jì)要求對不可填充區(qū)域進(jìn)行外擴(kuò)，并對外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析，可以避免現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)大塊空白區(qū)域無法進(jìn)行冗余金屬填充的現(xiàn)象，進(jìn)而解決由于大面積漏填導(dǎo)致的平坦性無法保證，影響產(chǎn)品良率，甚至導(dǎo)致芯片流片失敗的問題；此外，對所述待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，使得所述待填充區(qū)域成為矩形或方形，進(jìn)一步提高了冗余金屬填充速度。

進(jìn)一步地，對待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到各矩形待填充區(qū)域之后，確定各矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級，然后根據(jù)所述填充優(yōu)先級對各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充，由于越遠(yuǎn)離非填充區(qū)域，漏填對區(qū)域平坦性的影響越大，優(yōu)先填充遠(yuǎn)離非填充區(qū)域的地方，可以進(jìn)一步防止漏填導(dǎo)致的平坦性無法保證的現(xiàn)象。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為根據(jù)本發(fā)明提供的一種冗余金屬填充方法的流程圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明提供的不可填充區(qū)域的外擴(kuò)區(qū)域的示意圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明提供的對外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析過程的示意圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明提供的一種填充冗余金屬的邏輯圖；

圖5為根據(jù)本發(fā)明提供的一種冗余金屬填充系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。

現(xiàn)有冗余金屬填充方法通?；陉嚵兴饕惴?。陣列索引算法計(jì)算速度快，但是由于陣列大小嚴(yán)重依賴于冗余金屬填充參數(shù)設(shè)置，當(dāng)設(shè)置的填充參數(shù)不合適時(shí)會導(dǎo)致漏填現(xiàn)象，且可調(diào)性差。

本發(fā)明提供的一種冗余金屬填充的方法及系統(tǒng)，由于首先根據(jù)設(shè)計(jì)要求對初始設(shè)計(jì)的不可填充區(qū)域進(jìn)行外擴(kuò)，然后對外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析，可以避免現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)大塊空白區(qū)域無法進(jìn)行冗余金屬填充的現(xiàn)象，進(jìn)而解決由于大面積漏填導(dǎo)致的平坦性無法保證的問題；后續(xù)還對所述待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，使得所述待填充區(qū)域成為矩形或方形，進(jìn)一步提高了冗余金屬填充速度。

為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)效果，以下將結(jié)合流程圖和具體的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，流程圖如圖1所示。

步驟s01，根據(jù)設(shè)計(jì)要求對不可填充區(qū)域進(jìn)行外擴(kuò)，得到外擴(kuò)區(qū)域，參考圖2所示。

在本實(shí)施中，所述根據(jù)設(shè)計(jì)要求對不可填充區(qū)域進(jìn)行外擴(kuò)，得到外擴(kuò)區(qū)域包括：根據(jù)設(shè)計(jì)要求設(shè)定外擴(kuò)參數(shù)l；對不可填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo)；利用不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo)，計(jì)算按照所述外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的各外擴(kuò)區(qū)域的各頂點(diǎn)坐標(biāo)。

其中，所述利用不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo)，計(jì)算按照所述外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的各外擴(kuò)區(qū)域的各頂點(diǎn)坐標(biāo)包括：計(jì)算以坐標(biāo)(xj，yj)為頂點(diǎn)，坐標(biāo)(xi，yi)和坐標(biāo)(xk，yk)為與頂點(diǎn)鄰近邊界點(diǎn)的不可填充區(qū)域的外擴(kuò)區(qū)域的第一常數(shù)c和第二常數(shù)d；根據(jù)第一常數(shù)c和第二常數(shù)d確定頂點(diǎn)坐標(biāo)(xj，yj)按照外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的外擴(kuò)區(qū)域的頂點(diǎn)坐標(biāo)(xn，yn)。

在一個(gè)具體實(shí)施例中，首先，設(shè)定外擴(kuò)參數(shù)l，該外擴(kuò)參數(shù)可以根據(jù)版圖設(shè)計(jì)要求而定，例如考慮到電學(xué)性能，某些不可填充區(qū)域周邊一定范圍內(nèi)盡量不要進(jìn)行冗余金屬填充，此時(shí)，可以根據(jù)這些特定要求綜合考慮工藝設(shè)計(jì)要求等，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)或大量實(shí)驗(yàn)等設(shè)定外擴(kuò)參數(shù)l。

然后，對不可填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，并得到不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo)，以下以一個(gè)頂點(diǎn)坐標(biāo)(xj，yj)為例進(jìn)行說明。

接著，利用矩形(如不可填充區(qū)域s0)的頂點(diǎn)坐標(biāo)(xj，yj)，計(jì)算按照所述外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的各外擴(kuò)區(qū)域的各頂點(diǎn)坐標(biāo)(xn，yn)。具體的，包括：

計(jì)算以坐標(biāo)(xj，yj)為頂點(diǎn)，坐標(biāo)(xi，yi)和坐標(biāo)(xk，yk)為與頂點(diǎn)鄰近邊界點(diǎn)的不可填充區(qū)域的外擴(kuò)區(qū)域的第一常數(shù)c和第二常數(shù)d，其中，第一常數(shù)c的計(jì)算公式如式(1)所示：

第二常數(shù)d的計(jì)算公式如式(2)所示：

根據(jù)第一常數(shù)c和第二常數(shù)d確定頂點(diǎn)坐標(biāo)(xj，yj)按照外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的外擴(kuò)區(qū)域的頂點(diǎn)坐標(biāo)(xn，yn)，計(jì)算公式如式(3)所示：

如果xi＝xj，

如果xk＝xj，

其他，

其中，第一常數(shù)c的計(jì)算公式獲取過程如式(4)、式(5)所示：

當(dāng)xi＝xj時(shí)，

選取點(diǎn)r,坐標(biāo)為

c為使不等式成立的常數(shù)值；

當(dāng)xi≠xj時(shí)

選取點(diǎn)r,

坐標(biāo)為

c為使不等式成立的常數(shù)值；

第二常數(shù)d的計(jì)算與第一常數(shù)c的計(jì)算過程相似，其中利用(xk，yk)替換以上公式中的(xi，yi)，獲得d值。

需要說明的是，在實(shí)際應(yīng)用中，需要首先對集成電路設(shè)計(jì)版圖進(jìn)行網(wǎng)格劃分，后續(xù)以網(wǎng)格為單位進(jìn)行冗余金屬填充。網(wǎng)格可以為矩形或正方形，典型的，網(wǎng)格的尺寸可以為10μm×10μm、20μm×20μm、40μm×40μm、50μm×50μm等。初始網(wǎng)格劃分會影響后續(xù)待填充區(qū)域的獲取等，并對成品率驅(qū)動的布局布線算法具有重要影響。在本實(shí)施例中，所述網(wǎng)格為正方形，尺寸為20μm×20μm。

步驟s02，對所述外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析，得到待填充區(qū)域，參考圖3所示。

在本實(shí)施例中，所述對所述外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析，得到待填充區(qū)域包括：獲取最小不可填充距離d；將與外擴(kuò)區(qū)域有重疊部分的非填充區(qū)域外擴(kuò)d/2，得到各非填充外擴(kuò)區(qū)域；將去除各非填充外擴(kuò)區(qū)域的外擴(kuò)區(qū)域作為待填充區(qū)域。其中，最小不可填充距離通常根據(jù)工藝窗口而定，例如已知當(dāng)d小于某一值時(shí)，就會出現(xiàn)工藝缺陷或現(xiàn)有工藝精度(如光刻分辨率)無法滿足時(shí)對應(yīng)的值。

在一個(gè)具體實(shí)施例中，首先根據(jù)經(jīng)驗(yàn)或大量實(shí)驗(yàn)設(shè)定最小不可填充距離d，然后將與s1相交的所有多邊形s2外擴(kuò)d/2，其計(jì)算方法與步驟s01中外擴(kuò)區(qū)域頂點(diǎn)坐標(biāo)的計(jì)算方法相同，計(jì)算結(jié)束后將所有s2歸類為多邊形集合s3，最終利用s1布爾運(yùn)算減去s3和s0，即待填充區(qū)域的計(jì)算公式如式(6)所示：

s4＝s1-s3-s0(6)

其中，s0為不可填充區(qū)域。

步驟s03，對待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到各矩形待填充區(qū)域。

在本實(shí)施例中，所述矩形化處理同現(xiàn)有技術(shù)，在此不再詳述。

進(jìn)一步地，對待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到各矩形待填充區(qū)域之后，所述方法還包括：確定各矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級，可以包括：計(jì)算各矩形待填充區(qū)域質(zhì)心到所述不可填充區(qū)域質(zhì)心的距離；所述距離越大的矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級越高。通過對各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行填充優(yōu)先級排序，便于后續(xù)進(jìn)行冗余金屬填充時(shí)，優(yōu)先填充優(yōu)先級高的區(qū)域，這樣，當(dāng)某種類型的待填充區(qū)域?yàn)楸仨毺畛鋮^(qū)域時(shí)，可以優(yōu)先填充這種類型的待填充區(qū)域，避免由于密度達(dá)到設(shè)定值等原因?qū)е履承┲匾獏^(qū)域沒有進(jìn)行冗余金屬填充，進(jìn)而導(dǎo)致cmp工藝后出現(xiàn)缺陷的情況發(fā)生。優(yōu)選地，本發(fā)明按照待填充區(qū)域的質(zhì)心與不可填充區(qū)域的質(zhì)心的距離的大小來確定填充優(yōu)先等級。

在一個(gè)具體實(shí)施例中，首先對待填充區(qū)域s4進(jìn)行矩形化處理，獲取各矩形待填充區(qū)域，然后，計(jì)算各矩形待填充區(qū)域的質(zhì)心(xr，yr)到不可填充區(qū)域s0的質(zhì)心(x0，y0)的距離，其中，計(jì)算公式如式(7)所示：

dr²＝(xr-x0)²+(yr-y0)²(7)

最終，按照dr值的大小確定填充優(yōu)先級，例如，設(shè)定dr越大則相應(yīng)矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級越高。

步驟s04，在各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充，參考圖4所示。

在本實(shí)施中，所述在各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充包括：設(shè)定填充參數(shù)；計(jì)算待填充區(qū)域的原始密度，并根據(jù)填充參數(shù)確定填充面積；根據(jù)當(dāng)前待填充區(qū)域的密度和設(shè)定填充參數(shù)的關(guān)系對填充參數(shù)進(jìn)行調(diào)整使得在上述填充面積中填充冗余金屬/不填充時(shí)，當(dāng)前待填充區(qū)域滿足密度要求；將冗余金屬的實(shí)際填充坐標(biāo)輸出到版圖文件中，完成冗余金屬填充。

在一個(gè)具體實(shí)施例中，首先，步驟s41：設(shè)定密度閥值ρd，ρu，冗余金屬尺寸l1和間隔δl，其中ρu為常數(shù)，等于版圖設(shè)計(jì)的密度最大值，ρd為與不可填充區(qū)域幾何結(jié)構(gòu)相關(guān)的極限密度值，當(dāng)版圖密度超過該值后，該區(qū)域不平坦性將降低到可制造范圍；

步驟s42：計(jì)算s1內(nèi)部的總密度，計(jì)算公式如式(8)所示：

步驟s43：如果滿足條件ρ0＜ρd＜ρu，則有，最小填充面積為s5＝s1×(ρd-ρ0),最大填充面積為s6＝s1×(ρu-ρ0)，并進(jìn)入步驟s46，不滿足則進(jìn)入步驟s44；

步驟s44：如果滿足條件ρd≤ρ0＜ρu，則將其標(biāo)記為無需填充，并結(jié)束填充步驟，不滿足則進(jìn)入步驟s45；

步驟s45：如果滿足條件ρ0≤ρu＜ρd，則對其進(jìn)行最大填充，進(jìn)入步驟s47，并將其標(biāo)記為警告區(qū)域；

步驟s46：如果滿足條件待填充區(qū)域s4內(nèi)部的最大填充面積s7＞s5，加入冗余金屬s8使密度達(dá)到ρd，即s8≥s5＝s1×(ρd-ρ0)成立，不滿足則返回步驟s41，增大冗余金屬尺寸l1或減小間隔δl；

步驟s47：如果滿足條件待填充區(qū)域s4內(nèi)部的最大填充面積s7＞s5，加入冗余金屬s8使此分塊密度盡可能接近ρu，即s8≤s6＝s1×(ρu-ρ0)成立，不滿足則返回步驟s41，增大冗余金屬尺寸l1或減小間隔δl；

步驟s48：將冗余金屬的實(shí)際填充坐標(biāo)輸出到版圖文件中，完成冗余金屬填充。

需要說明的是，上述冗余金屬的填充方法僅為示例性的，也可以采用其他填充方式對待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充，在此不做限定。

進(jìn)一步地，當(dāng)步驟s03在對待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到各矩形待填充區(qū)域之后，還確定了各矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級時(shí)，所述在各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充包括：根據(jù)所述填充優(yōu)先級對各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充。優(yōu)選地，將離不可填充區(qū)域的質(zhì)心遠(yuǎn)的待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級設(shè)定為高優(yōu)先級。

在本發(fā)明實(shí)施例中，該冗余填充的方法由于根據(jù)設(shè)計(jì)要求對不可填充區(qū)域進(jìn)行外擴(kuò)，并對外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析，可以避免現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)大塊空白區(qū)域無法進(jìn)行冗余金屬填充的現(xiàn)象，進(jìn)而解決由于大面積漏填導(dǎo)致的平坦性無法保證，甚至導(dǎo)致芯片流片失敗的問題；另外，對所述待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，使得所述待填充區(qū)域成為矩形或方形，能進(jìn)一步提高了冗余金屬填充速度。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種冗余金屬填充的系統(tǒng)，如圖5所示，包括：

外擴(kuò)區(qū)域獲取模塊501，用于根據(jù)設(shè)計(jì)要求對不可填充區(qū)域進(jìn)行外擴(kuò)，得到外擴(kuò)區(qū)域；

待填充區(qū)域獲取模塊502，用于對所述外擴(kuò)區(qū)域進(jìn)行余量分析，得到待填充區(qū)域；

矩形化模塊503，用于對待填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到各矩形待填充區(qū)域；

填充模塊504，用于在各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充。

在本實(shí)施例中，所述外擴(kuò)區(qū)域獲取模塊501包括：

設(shè)定單元，用于根據(jù)設(shè)計(jì)要求設(shè)定外擴(kuò)參數(shù)l；

頂點(diǎn)坐標(biāo)獲取單元，用于對不可填充區(qū)域進(jìn)行矩形化處理，得到不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo)；

外擴(kuò)頂點(diǎn)坐標(biāo)獲取單元，用于利用不可填充區(qū)域的各矩形的各頂點(diǎn)坐標(biāo)計(jì)算按照所述外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的各外擴(kuò)區(qū)域的各頂點(diǎn)坐標(biāo)。

其中，所述外擴(kuò)頂點(diǎn)坐標(biāo)獲取單元包括：

常數(shù)獲取子單元，用于計(jì)算以坐標(biāo)(xj，yj)為頂點(diǎn)，坐標(biāo)(xi，yi)和坐標(biāo)(xk，yk)為與頂點(diǎn)鄰近邊界點(diǎn)的不可填充區(qū)域的外擴(kuò)區(qū)域的第一常數(shù)c和第二常數(shù)d，其中：

外擴(kuò)頂點(diǎn)坐標(biāo)獲取子單元，用于根據(jù)第一常數(shù)c和第二常數(shù)d確定頂點(diǎn)坐標(biāo)(xj，yj)按照外擴(kuò)參數(shù)l進(jìn)行外擴(kuò)的外擴(kuò)區(qū)域的頂點(diǎn)坐標(biāo)(xn，yn)，其中：

如果xi＝xj，

如果xk＝xj，

其他，

為了獲取待填充區(qū)域，所述待填充區(qū)域獲取模塊502可以包括：

最小距離獲取單元，用于獲取最小不可填充距離d；

非填充外擴(kuò)區(qū)域獲取單元，用于將與外擴(kuò)區(qū)域有重疊部分的非填充區(qū)域外擴(kuò)d/2，得到各非填充外擴(kuò)區(qū)域；

待填充區(qū)域獲取單元，用于將去除各非填充外擴(kuò)區(qū)域的外擴(kuò)區(qū)域作為待填充區(qū)域。

進(jìn)一步地，為了確保某些重要待填充區(qū)域不出現(xiàn)漏填現(xiàn)象，所述系統(tǒng)還包括：

與矩形化模塊503相連接的優(yōu)先級確定模塊605，用于確定各矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級，所述優(yōu)先級確定模塊605包括：

質(zhì)心距離計(jì)算單元，用于計(jì)算各矩形待填充區(qū)域質(zhì)心到所述不可填充區(qū)域質(zhì)心的距離；

優(yōu)先級設(shè)定單元，用于將所述距離越大的矩形待填充區(qū)域的填充優(yōu)先級設(shè)定越高；

所述填充模塊504具體用于根據(jù)所述填充優(yōu)先級對各矩形待填充區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充。

當(dāng)然，該系統(tǒng)還可以進(jìn)一步包括存儲模塊(未圖示)，可以用于保存第一常數(shù)、第二常數(shù)、填充參數(shù)等，當(dāng)然還可以保存中間處理結(jié)果，如外擴(kuò)區(qū)域頂點(diǎn)坐標(biāo)、各矩形待填充區(qū)域頂點(diǎn)坐標(biāo)等。這樣，以方便對待處理版圖進(jìn)行計(jì)算機(jī)自動處理，并存儲冗余金屬填充結(jié)果相關(guān)信息等。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。尤其，對于系統(tǒng)部分而言，由于其是根據(jù)本發(fā)明提供的方法形成的系統(tǒng)，所以描述得比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。以上所描述的實(shí)施例僅僅是示意性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動的情況下，即可以理解并實(shí)施。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。