專利名稱：磁珠仿真模型建模方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子信息技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種磁珠仿真模型建模方法及裝置。
背景技術(shù)：
隨著信號(hào)速率的不斷提高，單板上各種信號(hào)完整性及電源完整性問題越來越突出。為了保證性能并降低功耗，芯片廠商使用多電壓軌道配置并將模擬電源和數(shù)字電源分開，每個(gè)電壓軌道都需要單獨(dú)供電。同時(shí)，單板上集成的功能模塊越來越多，單板上需要配置非常多的供電模塊，經(jīng)常造成布局空間緊張，單板設(shè)計(jì)中不得不合并電源供電網(wǎng)絡(luò)。當(dāng)模擬電源和相同電壓等級(jí)的數(shù)字電源合并時(shí)，為保證模擬電源供電質(zhì)量，需要加入電源濾波網(wǎng)絡(luò)，磁珠濾波是一種常用的濾波網(wǎng)絡(luò)形式。這種情況下，通過仿真評(píng)估磁珠濾波網(wǎng)絡(luò)性能并準(zhǔn)確預(yù)測(cè)模擬電源的質(zhì)量，對(duì)減小設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)提高設(shè)計(jì)成功率非常重要。磁珠采用在高頻段具有良好阻抗特性的鐵氧體材料燒結(jié)而成，專用于抑制信號(hào)線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾，具有吸收靜電脈沖的能力及很高的電阻率和磁導(dǎo)率， 其等效于電阻和電感串聯(lián)，但電阻值和電感值都隨頻率變化。磁珠比普通的電感有更好的高頻濾波特性，在高頻時(shí)呈現(xiàn)阻性，所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗，從而提高調(diào)頻濾波效果。磁珠種類很多，制造商會(huì)提供磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)，其中包含磁珠的阻抗與頻率關(guān)系的曲線，即磁珠特性曲線?，F(xiàn)有技術(shù)在設(shè)計(jì)磁珠濾波網(wǎng)絡(luò)時(shí)，或者把磁珠等效成電感，或者使用簡(jiǎn)單的RLC 并聯(lián)電路作為磁珠仿真模型，這種處理方式存在以下問題1、等效模型行為特征和磁珠的行為特征差異較大；2、使用這種模型仿真磁珠濾波網(wǎng)絡(luò)的濾波特性誤差較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是，提供一種磁珠仿真模型建模方法及裝置，以優(yōu)化現(xiàn)有技術(shù)存在的模型精度低，仿真誤差大的問題。本發(fā)明提供了一種磁珠仿真模型建模方法，包括以下步驟構(gòu)建磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)；通過搜索獲取上述磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)中，不能根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)確定其值的元件的擬合值； 對(duì)上述擬合值進(jìn)行全局優(yōu)化，得到相應(yīng)元件的仿真值。優(yōu)選地，上述磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)包括直流電阻、第一電阻、第一電感、第二電阻、第二電感以及電容，上述第一電阻與第一電感并聯(lián)，形成第一 RL支路；上述第二電阻與第二電感并聯(lián)，形成第二 RL支路；上述第一 RL支路與上述第二 RL支路串聯(lián)，形成第三RL支路； 上述第三RL支路與上述電容并聯(lián)，形成RLC支路；上述RLC支路與上述直流電阻串聯(lián)連接。優(yōu)選地，上述通過搜索獲取上述磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)中，不能根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)確定其值的元件的擬合值步驟具體包括以下步驟
根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)，確定上述直流電阻的電阻值；根據(jù)上述磁珠特性曲線，確定上述第一電阻與上述第一電感的估計(jì)值；根據(jù)上述直流電阻與上述第一 RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)上述第一電阻與上述第一電感進(jìn)行二維參數(shù)搜索，獲取上述第一電阻及上述第一電感的擬合值；根據(jù)上述直流電阻與上述第三RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)上述第二電阻與上述第二電感進(jìn)行二維參數(shù)搜索，獲取上述第二電阻及上述第二電感的擬合值；根據(jù)上述直流電阻與上述RLC支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)上述電容進(jìn)行一維搜索，獲取上述電容的擬合值。優(yōu)選地，上述直流電阻與第一 RL支路的阻抗頻率關(guān)系式為Z1 = abs (Rd^R1 || j2 π ^1)；上述直流電阻與第三RL支路的阻抗頻率關(guān)系式為Z2 = abs (Rd^R1 || j2 π fL^^ || j2 π fL2)；上述直流電阻與RLC支路的阻抗頻率關(guān)系式為Z3 = abs [Rdc+ (R1 || j2 π fL^^ || j2 π fL2) || (1/j2 π fC)]；其中，Z1為上述直流電阻與上述第一 RL支路串聯(lián)后的阻抗值，Z2為上述直流電阻與上述第三RL支路串聯(lián)后的阻抗值，&為上述直流電阻與上述第RLC支路串聯(lián)后的阻抗值，abs()表示復(fù)數(shù)取模運(yùn)算，f為頻率，Rdc為上述直流電阻的電阻值，R1為上述第一電阻的電阻值，&為上述第二電阻的電阻值，L1為上述第一電感的電感值，L2為上述第二電感的電感值，C為上述電容的電容值。優(yōu)選地，上述根據(jù)磁珠特性曲線，獲取第一電阻與第一電感的估計(jì)值步驟具體為令上述磁珠特性曲線的峰值點(diǎn)對(duì)應(yīng)的阻抗值，為上述第一電阻的最大估計(jì)值；在上述磁珠特性曲線上第一 RL支路的頻帶范圍內(nèi)，提取一低頻特征點(diǎn)，讀取上述特征點(diǎn)的阻抗值；根據(jù)上述特征點(diǎn)的阻抗值，計(jì)算得到上述第一電感的估計(jì)值。優(yōu)選地，上述根據(jù)直流電阻與第一 RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)第一電阻與第一電感進(jìn)行二維參數(shù)搜索，獲取上述第一電阻及上述第一電感的擬合值步驟具體為 在上述磁珠特性曲線上第一 RL支路的頻帶范圍內(nèi)，提取多個(gè)特征點(diǎn)，讀取上述特征點(diǎn)的阻抗值；根據(jù)上述直流電阻的電阻值及上述直流電阻與第一 RL支路的阻抗頻率關(guān)系式， 以上述第一電感的估計(jì)值為上述關(guān)系式中L1的初始值，為上述關(guān)系式中的隊(duì)、L1賦值多組值，計(jì)算對(duì)應(yīng)WZ1，得到Z1集合；從上述\集合中找出與上述特征點(diǎn)的阻抗值最有擬合的Z1 ；找出的\對(duì)應(yīng)的RpL1即為上述第一電阻及上述第一電感的擬合值。優(yōu)選地，上述根據(jù)直流電阻與第三RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)第二電阻與第二電感進(jìn)行二維參數(shù)搜索，獲取第二電阻及第二電感的擬合值步驟具體為在上述磁珠特性曲線上第二 RL支路的頻帶范圍內(nèi)，提取多個(gè)特征點(diǎn)，讀取上述特征點(diǎn)的阻抗值；根據(jù)上述直流電阻的電阻值、第一電阻的擬合值、第一電感的擬合值及上述直流電阻與第三RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，為上述關(guān)系式中的&、L2賦值多組值，計(jì)算對(duì)應(yīng)的 Z2，得到Z2集合；從上述集合中找出與上述特征點(diǎn)的阻抗值最有擬合的；找出的&對(duì)應(yīng)的&、L2即為上述第二電阻及上述第二電感的擬合值。優(yōu)選地，上述根據(jù)直流電阻與RLC支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)電容進(jìn)行一維搜索， 獲取電容的擬合值步驟具體為在上述磁珠特性曲線諧振點(diǎn)右側(cè)的高頻段，提取多個(gè)特征點(diǎn)，讀取上述特征點(diǎn)的阻抗值；根據(jù)上述直流電阻的電阻值、第一電阻的擬合值、第一電感的擬合值、第二電阻的擬合值、第二電感的擬合值及上述直流電阻與RLC支路的阻抗頻率關(guān)系式，為上述關(guān)系式中的C賦值多個(gè)值，計(jì)算對(duì)應(yīng)的得到&集合；從上述A集合中找出與上述特征點(diǎn)的阻抗值最有擬合的A ；上述L。對(duì)應(yīng)的C即為上述電容的擬合值。本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種磁珠仿真模型建模裝置，上述裝置包括模型結(jié)構(gòu)構(gòu)建模塊以及搜索模塊，上述模型結(jié)構(gòu)構(gòu)建模塊，用于構(gòu)建磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)；上述搜索模塊，用于通過搜索獲取上述磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)中，不能根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)確定其值的元件的擬合值，并對(duì)上述擬合值進(jìn)行全局優(yōu)化，得到相應(yīng)元件的仿真值。優(yōu)選地，上述搜索模塊，用于對(duì)元件進(jìn)行一維或二維搜索。本發(fā)明提高了磁珠仿真模型建模精度，使得在電源分配系統(tǒng)中設(shè)計(jì)磁珠濾波網(wǎng)絡(luò)時(shí)，有了前仿真的手段，提高了仿真準(zhǔn)確性。


此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中圖1是本發(fā)明磁珠仿真模型建模方法優(yōu)選實(shí)施例的流程圖；圖2是本發(fā)明磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)優(yōu)選實(shí)施例的電路圖；圖3是本發(fā)明磁珠仿真模型建模裝置優(yōu)選實(shí)施例原理框圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚、明白，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。如圖1所示，是本發(fā)明磁珠仿真模型建模方法優(yōu)選實(shí)施例的流程圖；本實(shí)施包括以下步驟步驟SOOl 構(gòu)建磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)；如圖2所示，是本發(fā)明磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)優(yōu)選實(shí)施例的電路圖，包括直流電阻 Rdc、第一電阻R1、第一電感Li、第二電阻R2、第二電感L2以及電容Cl，上述第一電阻Rl與第一電感Ll并聯(lián)，形成第一 RL支路；上述第二電阻R2與第二電感L2并聯(lián)，形成第二 RL支路；上述第一 RL支路與上述第二 RL支路串聯(lián)，形成第三RL支路；上述第三RL支路與上述電容Cl并聯(lián)，形成RLC支路；上述RLC支路與上述直流電阻Rdc串聯(lián)連接；步驟S002 根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)，確定直流電阻Rdc的電阻值；步驟S003 根據(jù)磁珠特性曲線，確定第一電阻Rl與第一電感Ll的估計(jì)值；本步驟具體包括以下步驟S31 令磁珠特性曲線的峰值點(diǎn)對(duì)應(yīng)的阻抗值，為第一電阻Rl的最大估計(jì)值；S32 在磁珠特性曲線上第一 RL支路的頻帶范圍內(nèi)，提取一低頻特征點(diǎn)，讀取上述特征點(diǎn)的阻抗值；S33 根據(jù)上述特征點(diǎn)的阻抗值，計(jì)算得到第一電感Ll的估計(jì)值。步驟S004 根據(jù)直流電阻Rdc與第一 RL支路的阻抗頻率關(guān)系式Z1 = abs (Rd^R1 || j2 π fL^ (1)對(duì)第一電阻Rl與第一電感Ll進(jìn)行二維參數(shù)搜索，獲取第一電阻Rl及第一電感Ll 的擬合值；本步驟具體包括以下步驟S41 在磁珠特性曲線上第一 RL支路的頻帶范圍內(nèi)，提取多個(gè)特征點(diǎn)，讀取上述特征點(diǎn)的阻抗值；S42 根據(jù)直流電阻Rdc的電阻值&。，以第一電感Ll的估計(jì)值為上述關(guān)系式(1) 中L1的初始值，為上述禮、L1賦值多組值，計(jì)算對(duì)應(yīng)的L1，得到L1集合；S43 從L1集合中找出與步驟S41提取的特征點(diǎn)的阻抗值最有擬合的L1 ；S44 步驟S43找到的L1對(duì)應(yīng)的R^L1即為第一電阻Rl及第一電感Ll的擬合值。步驟S005 根據(jù)第三RL支路的阻抗頻率關(guān)系式Z2 = abs (Rd^R1 || j2 π fL^^ || j2 π fL2) (2)對(duì)第二電阻R2與第二電感L2進(jìn)行二維參數(shù)搜索，獲取第二電阻R2及第二電感L2 的擬合值；本步驟具體包括以下步驟S51 在磁珠特性曲線上第二 RL支路的頻帶范圍內(nèi)，提取多個(gè)特征點(diǎn)，讀取上述特征點(diǎn)的阻抗值；S52 根據(jù)直流電阻Rdc的電阻值、第一電阻Rl的擬合值、第一電感Ll的擬合值， 為上述關(guān)系式⑵中的民、L2賦值多組值，計(jì)算對(duì)應(yīng)的4，得到4集合；S53 從\集合中找出與步驟S51提取的特征點(diǎn)的阻抗值最有擬合的\ ；S54 步驟S53找到的τ2對(duì)應(yīng)的R2、L2即為第二電阻R2及第二電感L2的擬合值。步驟S006 根據(jù)RLC支路的阻抗頻率關(guān)系式Z3 = abs [Rdc+ (R1 || j2 π fL^^ || j2 π fL2) || (l/j2 π fC) ] (3)對(duì)電容Cl進(jìn)行一維搜索，獲取電容Cl的擬合值；本步驟具體包括以下步驟S61 在上述磁珠特性曲線諧振點(diǎn)右側(cè)的高頻段，取多個(gè)特征點(diǎn)，讀取上述特征點(diǎn)的阻抗值；S62 根據(jù)直流電阻Rdc的電阻值、第一電阻Rl的擬合值、第一電感Ll的擬合值、 第二電阻R2的擬合值、第二電感L2的擬合值，為上述關(guān)系式(3)中的C賦值多個(gè)值，計(jì)算
7對(duì)應(yīng)的Z3，得到Z3集合；S63 從τ、集合中找出與步驟S61提取的特征點(diǎn)的阻抗值最有擬合的& ；S64 步驟S63找出的&對(duì)應(yīng)的C即為電容Cl的擬合值。步驟S007 對(duì)第一電阻Rl、第一電感Li、第二電阻R2、第二電感L2及電容Cl的擬合值進(jìn)行全局優(yōu)化，得到第一電阻Rl、第一電感Li、第二電阻R2、第二電感L2及電容Cl的
仿真值。本步驟通過對(duì)第一電阻Rl、第一電感Li、第二電阻R2、第二電感L2及電容Cl的擬合值進(jìn)行全局搜索，以進(jìn)行全局優(yōu)化。如圖3所示，是本發(fā)明磁珠仿真模型建模裝置優(yōu)選實(shí)施例的原理框圖，本實(shí)施例包括模型結(jié)構(gòu)構(gòu)建模塊以及搜索模塊，模型結(jié)構(gòu)構(gòu)建模塊，用于構(gòu)建磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)；搜索模塊，用于根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)，通過一維或二維搜索獲取上述磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)中，不能根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)確定其值的元件的擬合值，并對(duì)元件的擬合值進(jìn)行全局優(yōu)化，得到對(duì)應(yīng)元件的仿真值。上述說明示出并描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對(duì)其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍，則都應(yīng)在本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁珠仿真模型建模方法，其特征在于，包括以下步驟 構(gòu)建磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)；通過搜索獲取所述磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)中，不能根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)確定其值的元件的擬合值；對(duì)所述擬合值進(jìn)行全局優(yōu)化，得到相應(yīng)元件的仿真值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)包括直流電阻、第一電阻、第一電感、第二電阻、第二電感以及電容，所述第一電阻與第一電感并聯(lián)，形成第一 RL支路；所述第二電阻與第二電感并聯(lián)，形成第二 RL支路；所述第一 RL支路與所述第二 RL 支路串聯(lián)，形成第三RL支路；所述第三RL支路與所述電容并聯(lián)，形成RLC支路；所述RLC支路與所述直流電阻串聯(lián)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述通過搜索獲取所述磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)中，不能根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)確定其值的元件的擬合值步驟具體包括以下步驟根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)，確定所述直流電阻的電阻值； 根據(jù)所述磁珠特性曲線，確定所述第一電阻與所述第一電感的估計(jì)值； 根據(jù)所述直流電阻與所述第一 RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)所述第一電阻與所述第一電感進(jìn)行二維參數(shù)搜索，獲取所述第一電阻及所述第一電感的擬合值；根據(jù)所述直流電阻與所述第三RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)所述第二電阻與所述第二電感進(jìn)行二維參數(shù)搜索，獲取所述第二電阻及所述第二電感的擬合值；根據(jù)所述直流電阻與所述RLC支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)所述電容進(jìn)行一維搜索，獲取所述電容的擬合值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于， 所述直流電阻與第一 RL支路的阻抗頻率關(guān)系式為 Z1 = abs (Rd^R1 Il j2 π f^)；所述直流電阻與第三RL支路的阻抗頻率關(guān)系式為 Z2 = abs (RdJR1 Il j2 π fL^^ Il j2 π fL2)； 所述直流電阻與RLC支路的阻抗頻率關(guān)系式為 Z3 = abs [Rdc+(R1 Il j2 π fL^^ Il j2 π fL2) Il (l/j2 JifC)]；其中，&為所述直流電阻與所述第一 RL支路串聯(lián)后的阻抗值，&為所述直流電阻與所述第三RL支路串聯(lián)后的阻抗值，Z3為所述直流電阻與所述第RLC支路串聯(lián)后的阻抗值， abs()表示復(fù)數(shù)取模運(yùn)算，f為頻率，Rdc為所述直流電阻的電阻值，R1為所述第一電阻的電阻值，&為所述第二電阻的電阻值，L1為所述第一電感的電感值，L2S所述第二電感的電感值，C為所述電容的電容值。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)磁珠特性曲線，獲取第一電阻與第一電感的估計(jì)值步驟具體為令所述磁珠特性曲線的峰值點(diǎn)對(duì)應(yīng)的阻抗值，為所述第一電阻的最大估計(jì)值； 在所述磁珠特性曲線上所述第一 RL支路的頻帶范圍內(nèi)，提取一低頻特征點(diǎn)，讀取所述特征點(diǎn)的阻抗值；根據(jù)所述特征點(diǎn)的阻抗值，計(jì)算得到所述第一電感的估計(jì)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)直流電阻與第一RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)第一電阻與第一電感進(jìn)行二維參數(shù)搜索，獲取所述第一電阻及所述第一電感的擬合值步驟具體為在所述磁珠特性曲線上所述第一 RL支路的頻帶范圍內(nèi)，提取多個(gè)特征點(diǎn)，讀取所述特征點(diǎn)的阻抗值；根據(jù)所述直流電阻的電阻值及所述直流電阻與第一 RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，以所述第一電感的估計(jì)值為所述關(guān)系式中L1的初始值，為所述關(guān)系式中的R1I1賦值多組值，計(jì)算對(duì)應(yīng)WZ1，得到Z1集合；從所述\集合中找出與所述特征點(diǎn)的阻抗值最有擬合的Z1 ； 找出的\對(duì)應(yīng)的RpL1即為所述第一電阻及所述第一電感的擬合值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)直流電阻與第三RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)第二電阻與第二電感進(jìn)行二維參數(shù)搜索，獲取第二電阻及第二電感的擬合值步驟具體為在所述磁珠特性曲線上所述第二 RL支路的頻帶范圍內(nèi)，提取多個(gè)特征點(diǎn)，讀取所述特征點(diǎn)的阻抗值；根據(jù)所述直流電阻的電阻值、第一電阻的擬合值、第一電感的擬合值及所述直流電阻與第三RL支路的阻抗頻率關(guān)系式，為所述關(guān)系式中的R2、L2賦值多組值，計(jì)算對(duì)應(yīng)的Z2,得到Z2集合；從所述τ2集合中找出與所述特征點(diǎn)的阻抗值最有擬合的τ2 ； 找出的對(duì)應(yīng)的&、L2即為所述第二電阻及所述第二電感的擬合值。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)直流電阻與RLC支路的阻抗頻率關(guān)系式，對(duì)電容進(jìn)行一維搜索，獲取電容的擬合值步驟具體為在所述磁珠特性曲線諧振點(diǎn)右側(cè)的高頻段，提取多個(gè)特征點(diǎn)，讀取所述特征點(diǎn)的阻抗值；根據(jù)所述直流電阻的電阻值、第一電阻的擬合值、第一電感的擬合值、第二電阻的擬合值、第二電感的擬合值及所述直流電阻與RLC支路的阻抗頻率關(guān)系式，為所述關(guān)系式中的C 賦值多個(gè)值，計(jì)算對(duì)應(yīng)的&，得到集合；從所述集合中找出與所述特征點(diǎn)的阻抗值最有擬合的τ% ； 所述A對(duì)應(yīng)的c即為所述電容的擬合值。
9.一種磁珠仿真模型建模裝置，其特征在于，所述裝置包括模型結(jié)構(gòu)構(gòu)建模塊以及搜索模塊，所述模型結(jié)構(gòu)構(gòu)建模塊，用于構(gòu)建磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)；所述搜索模塊，用于通過搜索獲取所述磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)中，不能根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)確定其值的元件的擬合值，并對(duì)所述擬合值進(jìn)行全局優(yōu)化，得到相應(yīng)元件的仿真值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述搜索模塊，用于對(duì)元件進(jìn)行一維或二維搜索。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種磁珠仿真模型建模方法及裝置，上述方法包括構(gòu)建磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)；通過搜索獲取上述磁珠仿真模型結(jié)構(gòu)中，不能根據(jù)磁珠數(shù)據(jù)手冊(cè)確定其值的元件的擬合值；對(duì)上述擬合值進(jìn)行全局優(yōu)化，得到相應(yīng)元件的仿真值；上述裝置包括模型結(jié)構(gòu)構(gòu)建模塊以及搜索模塊。本發(fā)明提高了磁珠仿真模型建模精度及仿真準(zhǔn)確性。
文檔編號(hào)G06F17/50GK102364481SQ201110329248
公開日2012年2月29日 申請(qǐng)日期2011年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月25日
發(fā)明者于化林 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司