專利名稱：一種雙柵結(jié)構(gòu)mosfet亞閾值擺幅解析模型的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種計(jì)算圍柵結(jié)構(gòu)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)亞閾值擺幅的模型。
背景技術(shù)：
隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，器件尺寸不斷減小，傳統(tǒng)的MOSFET面臨著短溝道效應(yīng)等一系列許多問題。因此新的器件結(jié)構(gòu)的研究就顯得十分必要。雙柵MOSFET則是一種比較理想的器件結(jié)構(gòu)，柵極控制能力強(qiáng)，能抑制短溝道效應(yīng)，減少亞閾值擺幅，從而有更低的功耗。對于這種結(jié)構(gòu)，進(jìn)行理論研究，創(chuàng)建解析模型，就顯得十分重要。亞閾值擺幅S是MOSFET最為重要的參數(shù)之一，定義為在源漏電壓固定的情況下， 電流每變化十倍所對應(yīng)的柵壓的改變。要了解器件的特性，建立精確地亞閾值擺幅模型是十分必要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種物理概念清晰，易于計(jì)算，且計(jì)算精度高的雙柵結(jié)構(gòu) MOSFET亞閾值擺幅解析模型。本發(fā)明提出的雙柵結(jié)構(gòu)MOSFET閾值電壓解析模型，為雙柵結(jié)構(gòu)器件的模擬提供了一種快速計(jì)算的方法。對于全耗盡雙柵M0SFET，當(dāng)工作在亞閾值區(qū)域時(shí)，器件還沒有達(dá)到強(qiáng)反型，此時(shí)電勢分布由固定電荷決定，載流子的影響可以忽略。對于η型器件，溝道的電勢分布可以由二維泊松方程以及邊界條件得出
權(quán)利要求
1. 一種雙柵結(jié)構(gòu)MOSFET亞閾值擺幅模型，其特征在于該模型的解析表達(dá)式為
全文摘要
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種雙柵結(jié)構(gòu)MOSFET亞閾值擺幅解析模型。本發(fā)明根據(jù)雙柵結(jié)構(gòu)MOSFET的電勢分布，求出在MOSFET表面電勢最低點(diǎn)的電子濃度隨柵壓的變化情況，由此得出亞閾值擺幅的解析模型。該模型物理概念清晰，易于計(jì)算，且計(jì)算精度高，為新型雙柵器件的理論模擬提供了一種有效的方法。
文檔編號G06F17/50GK102332045SQ201110282660
公開日2012年1月25日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月22日
發(fā)明者丁智浩, 胡光喜 申請人:復(fù)旦大學(xué)