防壓降穩(wěn)壓電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種防壓降穩(wěn)壓電路，具體是一種防壓降穩(wěn)壓電路。
【背景技術(shù)】
[0002]電流源為集成電路中的基本單元，廣泛應(yīng)用于各種模擬及集成數(shù)字電路中。電流源的結(jié)構(gòu)種類繁多，但在大多數(shù)的集成電路中都是采用的電壓除以電阻再鏡像的方式產(chǎn)生集成電路所需要的電流。通過這種方式產(chǎn)生的電流源的電壓、電流不穩(wěn)定。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種不會產(chǎn)生壓降，電壓穩(wěn)定，功率消耗小，具有較高的電壓轉(zhuǎn)換效率，使用無安全隱患的防壓降穩(wěn)壓電路，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]一種防壓降穩(wěn)壓電路，包括晶體管組電路、整流器D1、電位器W和VOUT端口 ；所述晶體管組電路包括晶體管Ml、晶體管M2、晶體管M3和晶體管M4，其中，晶體管Ml的漏極連接到VIN正端口，晶體管Ml的源極連接到晶體管M2的漏極與整流器Dl的接線端4 ;所述晶體管M2的源極連接到VIN負端口，晶體管M3的源極連接到VIN正端口，晶體管M3的漏極連接到晶體管M4的源極、整流器Dl的接線端2 ;所述晶體管M4的漏極連接到VIN負端口，晶體管M3的柵極連接到晶體管Ml的柵極，晶體管M4的柵極連接到晶體管M2的柵極，晶體管Ml,晶體管M3的柵極連接至VIN負端口，晶體管M2，晶體管M4的柵極連接至VIN正端口 ；所述整流器Dl的接線端口 2、接線端口 4分別連接VIN正端口、VIN負端口 ；所述整流器Dl的接線端口 1、接線端口 3分別連接限位器W的負極固定端、正極固定端，接線端口 1、接線端口 3為整流器Dl的輸出端口 ；所述電位器W的滑動端與比較器U的同相輸入端連接，比較器U的反向相輸入端連接電壓源VREF的正端口，電壓源VREF的負端口同時連接整流器Dl的接線端口 3、電容CO的一端；所述比較器U的輸出端驅(qū)動連接開關(guān)管MOS的G極，開關(guān)管MOS為PMOS型號；所述開關(guān)管MOS的S極串接電位器W的正極，電位器W的正極固定端作為電壓可調(diào)整流電路的正極輸出端，電位器W的負極固定端作為電壓可調(diào)整流電路的負極輸出端；所述開關(guān)管MOS的D極同時連接電容CO的另一端；所述電容CO并聯(lián)電阻Rr，電阻Rr的兩端連接VOUT端口。
[0006]進一步的:所述VIN正端口、VIN負端口為工頻交流輸入的正弦交流電。
[0007]進一步的:所述電容CO為濾波電容。
[0008]進一步的:所述電阻Rr為泄放電阻。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是:
[0010]1、本實用新型采用晶體管組電路，當輸入電壓VIN的極性正確時(亦即晶體管組電路連接到電源上時沒有反接，VIN正端口為高電壓、VIN負端口為低電壓)，晶體管M2與晶體管M3會導(dǎo)通，而晶體管Ml及晶體管M4則不會導(dǎo)通，電壓會與VIN正端口相同，而電阻R6左端口的電壓則會與VIN負端口相同，亦即晶體管組輸出電壓很接近輸入電壓VIN，而不會產(chǎn)生壓降問題，當輸入電壓VIN的極性不正確(相反)時(亦即晶體管組電路連接到電源上時極性接反了，VIN正端口為低電壓、VIN負端口為高電壓)，晶體管Ml與晶體管M4會導(dǎo)通，而晶體管M2及晶體管M3則不會導(dǎo)通，電壓會與VIN負端口相同，而電壓則會與VIN正端口相同，亦即晶體管組輸出電壓的極性仍然是正確的，且其電壓會很接近輸入電壓VIN，也不會產(chǎn)生壓降問題；
[0011]2、本實用新型采用共負極連接關(guān)系，即電位器W的負極固定端直接作為電壓可調(diào)整流電路的負極輸出端，通過電位器W滑動端取出整流輸出電壓的分壓值，并送入到比較器U的同相輸入端，將其與電壓源VREF進行比較，當比較器U的同相輸入端電壓低于反相輸入端電壓時，比較器U輸出低電平，此時開關(guān)管MOS導(dǎo)通，反之，開關(guān)管MOS斷開；同時，工頻交流輸入的正弦交流電，經(jīng)過整流器Dl后在電位器W的兩端得脈動直流電壓，如果將電位器W的滑動端設(shè)定到某一位置時，根據(jù)電壓源VREF可以計算出一個電壓值VI，換句話說，當電壓值Vl加載到電位器W的兩端時，經(jīng)過電位器W分壓后可以使得比較器U的同相輸入端電壓等于反相輸入端電壓，這樣，當脈動直流電壓低于Vl時，會使比較器U的同相輸入端電壓低于反相輸入端電壓，比較器U輸出低電平，開關(guān)管MOS導(dǎo)通；當脈動直流電壓高于Vl時，會使比較器U的同相輸入端電壓高于反相輸入端電壓時，比較器U輸出高電平，開關(guān)管MOS斷開；如果輸出端沒有設(shè)置濾波電容CO，當橋式整流輸出高于Vl時，開關(guān)管MOS關(guān)斷，輸出端電壓為0V，如果輸出接有電容CO，電容CO值越大，紋波越小，調(diào)整電位器W可以改變Vl的值，從而調(diào)整輸出電壓，開關(guān)管MOS工作在開關(guān)狀態(tài)，功率消耗非常小，因此電路具有較高的電壓轉(zhuǎn)換效率；
[0012]3、本實用新型中電阻Rr為泄放電阻，斷電后，防止電容上的電釋放出來對人身造成安全隱患，有了泄放電阻，斷電后未泄放掉的電壓就被泄放電阻消耗，從而能確保用戶斷電后觸摸接線插頭的安全。
【附圖說明】
[0013]圖1為防壓降穩(wěn)壓電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0014]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0015]請參閱圖1，本實用新型實施例中，一種防壓降穩(wěn)壓電路，包括晶體管組電路、整流器D1、電位器W和VOUT端口 ；所述晶體管組電路包括晶體管M1、晶體管M2、晶體管M3和晶體管M4，其中，晶體管Ml的漏極連接到VIN正端口，晶體管Ml的源極連接到晶體管M2的漏極與整流器Dl的接線端4 ;所述晶體管M2的源極連接到VIN負端口，晶體管M3的源極連接到VIN正端口，晶體管M3的漏極連接到晶體管M4的源極、整流器Dl的接線端2 ;所述晶體管M4的漏極連接到VIN負端口，晶體管M3的柵極連接到晶體管Ml的柵極，晶體管M4的柵極連接到晶體管M2的柵極，晶體管M1，晶體管M3的柵極連接至VIN負端口，晶體管M2，晶體管M4的柵極連接至VIN正端口 ；工作中，晶體管組電路上，當輸入電壓VIN的極性正確時(亦即晶體管組電路連接到電源上時沒有反接，VIN正端口為高電壓、VIN負端口為低電壓)，晶體管M2與晶體管M3會導(dǎo)通，而晶體管Ml及晶體管M4則不會導(dǎo)通，電壓會與VIN正端口相同，而電阻R6左端口的電壓則會與VIN負端口相同，亦即晶體管組輸出電壓很接近輸入電壓VIN，而不會產(chǎn)