一種溫度調(diào)節(jié)放大電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種溫度調(diào)節(jié)放大電路。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，在電源驅(qū)動電路中，需要一個(gè)放大電路，將檢測輸出得到的反饋電壓與控制芯片參考電壓之間的誤差放大，放大后的信號經(jīng)過環(huán)路補(bǔ)償控制，最終維持電源驅(qū)動輸出符合設(shè)計(jì)值。對于傳統(tǒng)的電源驅(qū)動電路，有些應(yīng)用需要在系統(tǒng)溫度升高的情況下，自動降低系統(tǒng)輸出功率，以避免系統(tǒng)溫度進(jìn)一步上升。
[0003]現(xiàn)有的技術(shù)方案是將控制芯片的參考電壓設(shè)計(jì)成具有隨溫度變化的特性，當(dāng)溫度超過一個(gè)閾值點(diǎn)時(shí)，參考電壓隨溫度升高而下降。這種方案會受到幾方面的限制，一是芯片參考電壓變化會對芯片其他電路模塊也會造成影響，二是電路參數(shù)的偏差會引起參考電壓在溫度到達(dá)閾值點(diǎn)附近突變，三是溫度高于閾值點(diǎn)后參考電壓的溫度系數(shù)不容易控制，因此，現(xiàn)有的開關(guān)電源控制電路已越來越不能滿足用戶的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種溫度調(diào)節(jié)放大電路，包括順次連接的溫度基準(zhǔn)模塊、跨導(dǎo)模塊以及放大模塊，其中，
[0005]所述溫度基準(zhǔn)模塊具備第一輸出端和第二輸出端，分別用于輸出基準(zhǔn)電壓和負(fù)溫度系數(shù)電壓，第一晶體管的源極連接外部電源，漏極通過第一電阻接地，柵極連接至第一偏置電壓;第二晶體管的源極連接外部電源，柵極連接至第一偏置電壓，漏極通過正向連接的二極管接地，所述第一晶體管的漏極連接至所述第一輸出端，所述第二晶體管的漏極連接至所述第二輸出端；
[0006]所述跨導(dǎo)模塊的第一輸入端與第二輸入端分別與所述溫度基準(zhǔn)模塊的第一輸出端和第二輸出端相連接，所述跨導(dǎo)模塊用于將所述基準(zhǔn)電壓和所述負(fù)溫度系數(shù)電壓轉(zhuǎn)化為第一調(diào)節(jié)電流并輸出；
[0007]所述放大模塊具備三個(gè)輸入端，其中第一輸入端用于接受一反饋電壓，第二輸入端用于接受一參考電壓，第三輸入端與所述跨導(dǎo)模塊的輸出端相連接，用于接受所述第一調(diào)節(jié)電流，所述放大模塊包括第十二晶體管，所述第十二晶體管的源極與外部電源相連接，柵極連接第三偏置電壓;第十三晶體管的源極與所述第十二晶體管的漏極相連接，柵極作為所述放大模塊的第一輸入端，漏極作為所述放大模塊的第三輸入端，第十四晶體管的源極與所述第十二晶體管的漏極相連接，柵極作為所述放大模塊的第二輸入端，漏極作為所述放大模塊的輸出端;第十五晶體管的漏極與所述第十三晶體管的漏極相連接，柵極連接第四偏置電壓，源極接地;第十六晶體管的漏極與所述第十四晶體管的漏極相連接，柵極連接第四偏置電壓，源極接地。
[0008]優(yōu)選的，所述跨導(dǎo)模塊具備:
[0009]第三晶體管，所述第三晶體管的源極連接外部電源，柵極連接第二偏置電壓；
[0010]第四晶體管，所述第四晶體管的源極連接外部電源，柵極連接第二偏置電壓；
[0011]第五晶體管，所述第五晶體管的源極與所述第三晶體管的漏極相連接，柵極作為所述跨導(dǎo)模塊的第二輸入端；
[0012]第六晶體管，所述第六晶體管的的源極與所述第三晶體管的漏極相連接，柵極作為所述跨導(dǎo)模塊的第一輸入端；
[0013]第七晶體管，所述第七晶體管的漏極與所述第五晶體管的漏極相連接，柵極與漏極短接，源極接地；
[0014]第八晶體管，所述第八晶體管的漏極與所述第六晶體管的漏極相連接，柵極與漏極短接，源極接地；
[0015]第九晶體管，所述第九晶體管的漏極與第四晶體管的漏極相連接，柵極與所述第八晶體管的柵極相連接，源極接地；
[0016]第十晶體管，所述第十晶體管的漏極與所述第九晶體管的漏極相連接，柵極與漏極短接，源極接地；
[0017]第十一晶體管，所述第十一晶體管的柵極與所述第十晶體管的柵極相連接，源極接地，漏極作為所述跨導(dǎo)模塊的輸出端。
[0018]優(yōu)選的，所述第一晶體管、第二晶體管、第十二晶體管、第十三晶體管以及所述第十四晶體管均為NMOS管，所述第十五晶體管、第十六晶體管均為PMOS管。
[0019]優(yōu)選的，所述第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管均為NMOS管，所述第七晶體管、第八晶體管、第九晶體管、第十晶體管均為PMOS管。
[0020]本發(fā)明的種溫度調(diào)節(jié)放大電路，該電路不需要芯片參考電壓隨溫度變化，避免影響到其他電路模塊，通過對放大模塊輸入一路隨溫度變化的調(diào)節(jié)電流，使放大電路的失調(diào)電壓隨溫度連續(xù)可控地變化，從而隨溫度來調(diào)節(jié)系統(tǒng)的反饋電壓與控制芯片參考電壓之間的誤差放大關(guān)系，最終實(shí)現(xiàn)在環(huán)境溫度升高的情況下，自動降低系統(tǒng)輸出功率的目的。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面，結(jié)合附圖，對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)以及工作原理等作進(jìn)一步的說明。
[0023]如圖1所示，本發(fā)明的溫度調(diào)節(jié)放大電路包括順次連接的溫度基準(zhǔn)模塊101、跨導(dǎo)模塊102以及放大模塊103。
[0024]溫度基準(zhǔn)模塊101具體包括:第一晶體管Ml和第二晶體管M2，第一晶體管Ml的源極連接至外接電源，柵極連接至第一偏置電壓Vbl，漏極通過第一電阻Rl接地，第二晶體管M2的源極連接外接電源，漏極通過正向連接的第一二極管Dl接地，柵極連接至第一偏置電壓Vb I。第一晶體管Ml的漏極作為溫度基準(zhǔn)模塊1I的第一輸出端，用于輸出基準(zhǔn)電壓VR，第二晶體管M2的漏極作為溫度基準(zhǔn)模塊101的第二輸出端，用于輸出一負(fù)溫度系數(shù)電壓VD，第一晶體管Ml與第二晶體管M2均為PMOS管。
[0025]跨導(dǎo)模塊102具體包括:第三晶體管M3，源極連接外部電源，柵極連接第二偏置電壓Vb2，第四晶體管M4的源極連接外部電源，柵極連接第二偏置電壓Vb2。
[0026]第五晶體管M5的源極與第三晶體管M3的漏極相連接，柵極作為跨導(dǎo)模塊102的第二輸入端，與溫度基準(zhǔn)模塊的第二輸出端相連接，用于接受負(fù)溫度系數(shù)電壓VD。
[0027]第六晶體管M6的源極與第三晶體管M3的漏極相連接，其柵極作為跨導(dǎo)模塊102的第一輸入端，與溫度基準(zhǔn)模塊的第一輸出端相連接，用于接受基準(zhǔn)電壓VR。
[0028]第七晶體管M7的漏極與第五晶體管M5的漏極相連接，柵極與漏極短接，源極接地；第八晶體管M8的漏極與第六晶體管M6的漏極相連接，柵極與漏極短接，源極接地。
[0029]第九晶體管M9的漏極與第四晶體管M4的漏極相連接，柵極與第八晶體管M8的柵極相連接，源極接地。
[0030]第十晶體管MlO的漏極與第九晶體管M9的漏極相連接，柵極與漏極短接，源極接地。
[0031]第十一晶體管Mll的柵極與第十晶體管MlO的柵極相連接，源極接地，漏極作為跨導(dǎo)模塊102的輸出端，輸出調(diào)節(jié)電流Iadj。
[0032]第三晶體管M3、第四晶體管M4、第五晶體管M5和第六晶體管M6均為PMOS管，第七晶體管M7、第八晶體管M8、第九晶體管M9、第十晶體管MlO和第^^一晶體管Ml I均為NMOS管。
[0033]放大模塊103具體包括以下器件:
[0034]第十二晶體管M12的源極連接外部電源，柵極連接第三偏置電壓Vb3。
[0035]第十三晶體管M13的源極與第十二晶體管M12的漏極相連接，柵極作為放大模塊103的第一輸入端接收反饋電壓Vfb，其漏極作為放大模塊103的第三輸入端接，與跨導(dǎo)模塊1 2的輸出端相連接，收調(diào)節(jié)電流I a d j。
[0036]第十四晶體管M14的源極與第十二晶體管M12的漏極相連接，其柵極作為放大模塊103的第二輸入端接收參考電壓Vref，漏極作為放大模塊103的輸出端，輸出放大后的電壓Vout0
[0037]第十五晶體管M15的漏極與第十三晶體管M13的漏極相連接，柵極連接第四偏置電壓Vb4，源極接地。
[0038]第十六晶體管M16的源極接地，柵極連接連接第四偏置電壓Vb4，