氫氣傳感器芯體的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種氫氣傳感器芯體，氫氣傳感器芯體依次包括基片、由非晶碳構(gòu)成的介質(zhì)層和氫氣敏感層；非晶碳成分簡單，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，特別適合制備高穩(wěn)定性、長壽命的電子器件。本實用新型的氫氣傳感器芯體所制備的MOS電容薄膜氫氣傳感器能夠檢測到的氫氣濃度下限達10ppm，而且響應(yīng)時間和脫氫時間小于25s。
【專利說明】
氫氣傳感器芯體
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氫氣傳感器芯體?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]氫氣用途廣泛，不僅在航空航天、車輛和船舶等的助推系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用，同時作為一種重要的還原性氣體和載氣，在化工、電子、醫(yī)療等領(lǐng)域也發(fā)揮著極其重要的作用。氫氣無色、無味、無臭、透明，在生產(chǎn)、儲存、運輸和使用的過程中易泄漏且不易察覺，在空氣中的含量位于4-75%之間時，遇明火即爆炸。因此，用于檢測環(huán)境中氫氣濃度的氫氣傳感器越來越受到人們的關(guān)注和重視。
[0003]目前市場上的氫氣傳感器產(chǎn)品種類較少，且以電化學(xué)型居多，但該類型傳感器因檢測下限高、測試精度差、使用壽命短，一直飽受詬病。近年來薄膜型氫氣傳感器發(fā)展迅速， 檢測下限、測試精度、響應(yīng)時間和使用壽命都得到了大幅提升。目前的薄膜氫氣傳感器主要是以金屬鈀或者鈀合金材料為主的電阻型薄膜氫氣傳感器為主。但是，性能優(yōu)異的電阻型薄膜傳感器也只能檢測到1〇〇〇 ppm以上的氫氣濃度，雖能較準(zhǔn)確地檢測環(huán)境中的氫氣濃度，但無法在氫氣泄露的初始階段(即環(huán)境中極低濃度的氫氣時)及時報警，避免事故發(fā)生或減少損失。
[0004]相比于電阻型薄膜氫氣傳感器，M0S電容氫氣傳感器普遍具有檢測氫氣濃度下限低、響應(yīng)速度快等優(yōu)點，是一種理想的氫氣檢漏傳感器。目前，絕大部分關(guān)于M0S電容氫氣傳感器中介質(zhì)層的研究都局限于氧化物材料中，采用普通氧化物作為介質(zhì)層的M0S電容氫氣傳感器檢測氫氣濃度的下限一般只能到幾十ppm，且氫氣檢測靈敏度較低。并且氧化物材料中的氧空位、間隙氧、金屬離子空位以及間隙金屬離子等缺陷會在一定程度上降低材料本身的長期穩(wěn)定性和長期可靠性。增加特殊材料與氧化物一起作為介質(zhì)層的M0S電容氫氣傳感器檢測氫氣濃度雖可達ppb級別，但制備復(fù)雜，成本較高。因此，亟待開發(fā)高性價比的M0S 電容氫氣傳感器介質(zhì)層材料?！緦嵱眯滦蛢?nèi)容】
[0005]本實用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種檢測氫氣濃度的下限低、響應(yīng)時間和脫氫時間短、高穩(wěn)定性、成本低廉、制備工藝簡單的氫氣傳感器芯體。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用以下技術(shù)方案:
[0007]—種氫氣傳感器芯體，依次包括基片、介質(zhì)層和氫氣敏感層，所述介質(zhì)層為非晶碳薄膜層。
[0008]上述的氫氣傳感器芯體，優(yōu)選的，所述非晶碳薄膜層包括本征非晶碳薄膜層或N摻雜非晶碳薄膜層。上述的氫氣傳感器芯體，優(yōu)選的，所述介質(zhì)層的厚度為2nm?300nm〇
[0009]上述的氫氣傳感器芯體，優(yōu)選的，所述基片包括N型硅基片或P型硅基片。
[0010] 上述的氫氣傳感器芯體，優(yōu)選的，所述基片的電阻率為0.001 Q ? cm?30 Q ? cm。
[0011]上述的氫氣傳感器芯體，優(yōu)選的，所述氫氣敏感層包括金屬鈀薄膜或鈀合金薄膜。[0〇12]上述的氫氣傳感器芯體，優(yōu)選的，所述氫氣敏感層的厚度為2nm?300nm〇 [〇〇13]本實用新型的氫氣傳感器芯體所制備的電容氫氣傳感器其工作原理為:氫氣吸附于鈀或鈀合金氫氣敏感層的表面后，在其催化作用下，氫氣分子分解產(chǎn)生氫原子，氫原子擴散通過金屬膜，達到金屬-介質(zhì)層界面處。在界面電荷的吸引下，氫原子被吸附在金屬-介質(zhì)層的界面處，形成以偶極層，該偶極層將改變鈀或鈀合金的功函數(shù)，導(dǎo)致鈀或鈀合金氫氣敏感層和硅片基底間的勢皇發(fā)生變化，最終導(dǎo)致M0S電容的電容值發(fā)生變化，變現(xiàn)出其容-電壓曲線(S卩C-V曲線)發(fā)生漂移。且隨著氫氣濃度的加大，輸出電容-電壓曲線的漂移值也相應(yīng)增加。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的優(yōu)點在于:
[0015]1、本實用新型的氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料，該介質(zhì)材料為非晶碳，非晶碳成分簡單，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，從而避免了氧化物材料中的氧空位、間隙氧、金屬離子空位以及間隙金屬離子等缺陷給材料本身的性能帶來影響。特別適合制備高穩(wěn)定性、長壽命的電子器件， 且非晶碳薄膜制備工藝簡單，原材料及制備成本均很低。
[0016]2、本實用新型的氫氣傳感器芯體，將非晶碳薄膜作為氫氣敏感層與N型硅基片間的介質(zhì)層，經(jīng)過反復(fù)的實驗驗證，
【申請人】發(fā)現(xiàn)，相比傳統(tǒng)的氧化物作為介質(zhì)層而言，本實用新型的氫氣傳感器芯體制備的M0S電容薄膜氫氣傳感器能夠檢測到的氫氣濃度下限更低， 達lOppm，能及早發(fā)現(xiàn)微弱氫氣的泄露，起到提前報警的作用；而且響應(yīng)時間和脫氫時間小于25s，能實時監(jiān)測環(huán)境中氫氣濃度的變化。另外，非晶碳薄膜的穩(wěn)定性也很好，特別適合制備高穩(wěn)定性、長壽命的電子器件。這些均表明非晶碳薄膜作為介質(zhì)層在低濃度的氫氣檢漏領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價值?！靖綀D說明】
[0017]圖1為本實用新型的氫氣傳感器芯體的剖面圖。
[0018]圖2為本實用新型實施例2的氫氣傳感器芯體的制備流程圖。
[0019]圖3為本實用新型實施例2的氫氣傳感器芯體的C-V特性測試結(jié)果。【具體實施方式】
[0020]以下結(jié)合說明書附圖和具體優(yōu)選的實施例對本實用新型作進一步描述，但并不因此而限制本實用新型的保護范圍。
[0021]實施例1:
[0022]—種氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料，該介質(zhì)材料為非晶碳。[〇〇23]本實施例中，非晶碳為N摻雜非晶碳。[〇〇24]本實施例中，N在N摻雜非晶碳中的原子百分含量為3.68 %。[〇〇25] 實施例2
[0026]如圖1所示，本實施例的氫氣傳感器芯體，依次包括基片、介質(zhì)層和氫氣敏感層，介質(zhì)層由實施例1的氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料形成的N摻雜非晶碳薄膜。[〇〇27]本實施例中，N摻雜非晶碳薄膜的厚度為90nm。
[0028] 本實施例中，基片為磷摻雜N型硅片。[〇〇29] 本實施例中，該磷摻雜N型硅基片的電阻率為3 Q ? cm?6 Q ? cm。
[0030]本實施例中，氫氣敏感層為鈀鉻合金薄膜，其中，鉻占18.3 wt%，鈀占81.7 wt%。 [〇〇31]本實施例中，該鉻合金薄膜的厚度為30nm。
[0032]圖2示出了本實施例的氫氣傳感器芯體的制備方法，包括以下步驟:[〇〇33] 步驟一:前處理:[〇〇34](1.1)用分析純度的丙酮、無水乙醇和去離子水依次分別超聲清洗磷摻雜N型硅基片5 min，按上述流程循環(huán)清洗3遍；[〇〇35](1.2)再用質(zhì)量百分比濃度為1 %的HF溶液腐蝕掉經(jīng)步驟(1.1)清洗后的磷摻雜N型硅基片表面的自然氧化層，腐蝕時間為30 s;[〇〇36](1.3)最后用去離子水沖洗經(jīng)步驟(1.2)腐蝕后的磷摻雜N型硅基片表面5 min，然后用氮氣吹干。
[0037]步驟二:制備非晶碳薄膜:利用離子束濺射鍍膜的方法在經(jīng)步驟(1)處理后的磷摻雜N型硅基片上制備90 nm厚度的N摻雜非晶碳薄膜作為介質(zhì)層，離子束濺射的工藝過程為: 采用石墨靶材作為濺射源，使用N2和Ar混合氣體作為起輝和濺射氣體，N2和Ar的分壓比為1: 4,離子能量550 eV，離子束流50 mA，放電電壓45 V，加速電壓80 V。[〇〇38]步驟三:制備氫氣敏感層:利用磁控濺射的方法在N摻雜非晶碳薄膜上制備30 nm 厚度的鈀鉻合金薄膜，并通過光刻技術(shù)得到氫氣敏感層。
[0039]利用半導(dǎo)體參數(shù)分析測試儀測試本實用新型制備的M0S電容氫氣傳感器芯體的電容-電壓特性(即C-V特性)。在電壓掃描模式下，恒定頻率為100 KHz，測試了該M0S電容氫氣傳感器芯體在不同低濃度氫氣混合氣中的電容-電壓特性。電壓偏壓加在氫氣敏感層和基片之間，電容-電壓特性測試結(jié)果如圖3所示。在純N2環(huán)境中，電壓首次從-1.75 V掃描至1 V，測得參比電容-電壓曲線；依次通入10 ppm和30 ppm濃度的氫氣混合氣，電壓再次從-1.75 V掃描至1 V，測試得到不同氣體濃度條件下的電容-電壓曲線。結(jié)果表明該M0S電容氫氣傳感器芯體在10 ppm的低濃度氫氣混合氣就有響應(yīng)，且氫氣濃度越高，電容-電壓特征曲線漂移越多，即在同一電壓下，電容值“漂移”越大。另外，經(jīng)過多次試驗驗證，本實用新型制備的M0S電容氫氣傳感器芯體的響應(yīng)速度非?？欤憫?yīng)時間和脫氫時間均在25 s以下。
[0040]由此可見，相比傳統(tǒng)的氧化物作為介質(zhì)層而言，本實用新型的氫氣傳感器芯體制備的M0S電容薄膜氫氣傳感器能夠檢測到的氫氣濃度下限更低，達10 ppm，能及早發(fā)現(xiàn)微弱氫氣的泄露，起到提前報警的作用;而且響應(yīng)時間和脫氫時間小于25 s，能實時監(jiān)測環(huán)境中氫氣濃度的變化。另外，非晶碳薄膜的穩(wěn)定性也很好，制備工藝簡單，材料及加工成本低廉， 這表明非晶碳薄膜作為介質(zhì)層在低濃度的氫氣檢漏領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價值。[0041 ] 實施例3[〇〇42]如圖1所示，本實施例的氫氣傳感器芯體，依次包括基片、介質(zhì)層和氫氣敏感層，介質(zhì)層由實施例1的氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料形成的N摻雜非晶碳薄膜。[〇〇43]本實施例中，N摻雜非晶碳薄膜的厚度為90nm。
[0044] 本實施例中，基片為磷摻雜N型硅片。[〇〇45] 本實施例中，該磷摻雜N型硅基片的電阻率為3 Q ? cm?6 Q ? cm。[〇〇46]本實施例中，氫氣敏感層為鈀鉻合金薄膜，其中，鉻占18.3 wt%，鈀占81.7 wt%。 [〇〇47]本實施例中，該鉻合金薄膜的厚度為30nm。
[0048]本實施例的氫氣傳感器芯體的制備方法，包括以下步驟:
[0049] 步驟一:前處理:
[0050](1.1)用分析純度的丙酮、無水乙醇和去離子水依次分別超聲清洗磷摻雜N型硅基片5 min，按上述流程循環(huán)清洗3遍；[〇〇51](1.2)再用質(zhì)量百分比濃度為1 %的HF溶液腐蝕掉經(jīng)步驟(1.1)清洗后的磷摻雜N型硅基片表面的自然氧化層，腐蝕時間為30 s;[〇〇52](1.3)最后用去離子水沖洗經(jīng)步驟(1.2)腐蝕后的磷摻雜N型硅基片表面5 min，然后用氮氣吹干。[〇〇53]步驟二:制備非晶碳薄膜:利用直流磁控濺射鍍膜的方法在經(jīng)步驟(1)處理后的磷摻雜N型硅基片上制備90 nm厚度的N摻雜非晶碳薄膜作為介質(zhì)層，直流磁控濺射的工藝過程為:采用石墨靶材作為濺射源，使用N#PAr混合氣體作為起輝和濺射氣體，N#PAr的分壓比為1:4,氣體壓強1 Pa，濺射功率70 W。[〇〇54]步驟三:制備氫氣敏感層:利用磁控濺射的方法在N摻雜非晶碳薄膜上制備30 nm 厚度的鈀鉻合金薄膜，并通過光刻技術(shù)得到氫氣敏感層。[〇〇55] 實施例4:[〇〇56] 一種氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料，該介質(zhì)材料為非晶碳。[〇〇57]本實施例中，非晶碳為N摻雜非晶碳。
[0058]本實施例中，N在N摻雜非晶碳中的原子百分含量為9.51 %。[〇〇59] 實施例5[〇〇6〇]如圖1所示，本實施例的氫氣傳感器芯體，依次包括基片、介質(zhì)層和氫氣敏感層，介質(zhì)層由實施例4的氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料形成的N摻雜非晶碳薄膜。[〇〇611本實施例中，N摻雜非晶碳薄膜的厚度為90nm。
[0062] 本實施例中，基片為磷摻雜N型硅片。[〇〇63] 本實施例中，該磷摻雜N型硅基片的電阻率為3 Q ? cm?6 Q ? cm。[〇〇64]本實施例中，氫氣敏感層為鈀鉻合金薄膜，其中，鉻占18.3 wt%，鈀占81.7 wt%。 [〇〇65]本實施例中，該鉻合金薄膜的厚度為30nm。
[0066]本實施例的氫氣傳感器芯體的制備方法，包括以下步驟:[〇〇67] 步驟一:前處理:[〇〇68](1.1)用分析純度的丙酮、無水乙醇和去離子水依次分別超聲清洗磷摻雜N型硅基片5 min，按上述流程循環(huán)清洗3遍；[〇〇69](1.2)再用質(zhì)量百分比濃度為1 %的HF溶液腐蝕掉經(jīng)步驟(1.1)清洗后的磷摻雜N型硅基片表面的自然氧化層，腐蝕時間為30 s;
[0070](1.3)最后用去離子水沖洗經(jīng)步驟(1.2)腐蝕后的磷摻雜N型硅基片表面5 min，然后用氮氣吹干。
[0071]步驟二:制備非晶碳薄膜:利用離子束濺射鍍膜的方法在經(jīng)步驟(1)處理后的磷摻雜N型硅基片上制備90 nm厚度的N摻雜非晶碳薄膜作為介質(zhì)層，離子束濺射的工藝過程為: 采用石墨靶材作為濺射源，使用N2和Ar混合氣體作為起輝和濺射氣體，N2和Ar的分壓比為2: 5,離子能量500 eV，離子束流55 mA，放電電壓50 V，加速電壓90 V。[〇〇72]步驟三:制備氫氣敏感層:利用磁控濺射的方法在N摻雜非晶碳薄膜上制備30 nm 厚度的鈀鉻合金薄膜，并通過光刻技術(shù)得到氫氣敏感層。
[0073]實施例6
[0074]如圖1所示，本實施例的氫氣傳感器芯體，依次包括基片、介質(zhì)層和氫氣敏感層，介質(zhì)層由實施例4的氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料形成的N摻雜非晶碳薄膜。[〇〇75]本實施例中，N摻雜非晶碳薄膜的厚度為90nm。
[0076]本實施例中，基片為磷摻雜N型硅片。[〇〇77]本實施例中，該磷摻雜N型硅基片的電阻率為3 Q ? cm?6 Q ? cm。[〇〇78]本實施例中，氫氣敏感層為鈀鉻合金薄膜，其中，鉻占18.3 wt%，鈀占81.7 wt%。 [〇〇79]本實施例中，該鉻合金薄膜的厚度為30nm。[〇〇8〇]本實施例的的氫氣傳感器芯體的制備方法，包括以下步驟:[〇〇81 ] 步驟一:前處理:[〇〇82](1.1)用分析純度的丙酮、無水乙醇和去離子水依次分別超聲清洗磷摻雜N型硅基片5 min，按上述流程循環(huán)清洗3遍；[〇〇83](1.2)再用質(zhì)量百分比濃度為1 %的HF溶液腐蝕掉經(jīng)步驟(1.1)清洗后的磷摻雜N型硅基片表面的自然氧化層，腐蝕時間為30 s;[〇〇84](1.3)最后用去離子水沖洗經(jīng)步驟(1.2)腐蝕后的磷摻雜N型硅基片表面5 min，然后用氮氣吹干。[〇〇85]步驟二:制備非晶碳薄膜:利用直流磁控濺射鍍膜的方法在經(jīng)步驟(1)處理后的磷摻雜N型硅基片上制備90 nm厚度的N摻雜非晶碳薄膜作為介質(zhì)層，直流磁控濺射的工藝過程為:采用石墨靶材作為濺射源，使用N#PAr混合氣體作為起輝和濺射氣體，N#PAr的分壓比為2:5,氣體壓強1 Pa，濺射功率90 W。[〇〇86]步驟三:制備氫氣敏感層:利用磁控濺射的方法在N摻雜非晶碳薄膜上制備30 nm 厚度的鈀鉻合金薄膜，并通過光刻技術(shù)得到氫氣敏感層。[〇〇87] 實施例7
[0088]—種氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料，該介質(zhì)材料為非晶碳。[〇〇89]本實施例中，非晶碳為本征非晶碳。
[0090] 實施例8[0091 ]如圖1所示，本實施例的氫氣傳感器芯體，依次包括基片、介質(zhì)層和氫氣敏感層，介質(zhì)層由實施例7的氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料形成的本征非晶碳薄膜。[〇〇92]本實施例中，本征非晶碳薄膜的厚度為90nm。
[0093]本實施例中，基片為磷摻雜N型硅片。[〇〇94]本實施例中，該磷摻雜N型硅基片的電阻率為3 Q ? cm?6 Q ? cm。[〇〇95]本實施例中，氫氣敏感層為鈀鉻合金薄膜，其中，鉻占18.3 wt%，鈀占81.7 wt%。 [〇〇96]本實施例中，該鉻合金薄膜的厚度為30nm。
[0097]本實施例的氫氣傳感器芯體的制備方法，包括以下步驟:[〇〇98] 步驟一:前處理:[〇〇99](1.1)用分析純度的丙酮、無水乙醇和去離子水依次分別超聲清洗磷摻雜N型硅基片5 min，按上述流程循環(huán)清洗3遍；
[0100](1.2)再用質(zhì)量百分比濃度為1 %的HF溶液腐蝕掉經(jīng)步驟(1.1)清洗后的磷摻雜N型硅基片表面的自然氧化層，腐蝕時間為30 s;[0101 ](1.3)最后用去離子水沖洗經(jīng)步驟(1.2)腐蝕后的磷摻雜N型硅基片表面5 min，然后用氮氣吹干。
[0102]步驟二:制備非晶碳薄膜:利用離子束濺射鍍膜的方法在經(jīng)步驟(1)處理后的磷摻雜N型硅基片上制備90 nm厚度的本征非晶碳薄膜作為介質(zhì)層，離子束濺射的工藝過程為: 采用石墨靶材作為濺射源，使用Ar氣體作為起輝和濺射氣體，離子能量550 eV，離子束流50 mA，放電電壓45 V，加速電壓80 V。[〇1〇3]步驟三:制備氫氣敏感層:利用磁控濺射的方法在本征非晶碳薄膜上制備30nm厚度的鈀鉻合金薄膜，并通過光刻技術(shù)得到氫氣敏感層。
[0104]實施例9
[0105]如圖1所示，本實施例的氫氣傳感器芯體，依次包括基片、介質(zhì)層和氫氣敏感層，介質(zhì)層由實施例7的氫氣傳感器芯體用介質(zhì)材料形成的本征非晶碳薄膜。
[0106]本實施例中，本征非晶碳薄膜的厚度為90nm。
[0107]本實施例中，基片為磷摻雜N型硅片。
[0108] 本實施例中，該磷摻雜N型硅基片的電阻率為3 Q ? cm?6 Q ? cm。[〇1〇9]本實施例中，氫氣敏感層為鈀鉻合金薄膜，其中，鉻占18.3 wt%，鈀占81.7 wt%。 [〇11〇]本實施例中，該鉻合金薄膜的厚度為30nm。
[0111]本實施例的氫氣傳感器芯體的制備方法，包括以下步驟:
[0112]步驟一:前處理:
[0113](1.1)用分析純度的丙酮、無水乙醇和去離子水依次分別超聲清洗磷摻雜N型硅基片5 min，按上述流程循環(huán)清洗3遍；
[0114](1.2)再用質(zhì)量百分比濃度為1 %的HF溶液腐蝕掉經(jīng)步驟(1.1)清洗后的磷摻雜N 型硅基片表面的自然氧化層，腐蝕時間為30 s;[〇115](1.3)最后用去離子水沖洗經(jīng)步驟(1.2)腐蝕后的磷摻雜N型硅基片表面5 min，然后用氮氣吹干。
[0116]步驟二:制備非晶碳薄膜:利用直流濺射鍍膜的方法在經(jīng)步驟(1)處理后的磷摻雜 N型硅基片上制備90 nm厚度的本征非晶碳薄膜作為介質(zhì)層，直流濺射的工藝過程為:采用石墨靶材作為濺射源，使用Ar氣體作為起輝和濺射氣體，氣體壓強1 Pa，濺射功率70 W。
[0117]步驟三:制備氫氣敏感層:利用磁控濺射的方法在本征非晶碳薄膜上制備30 nm厚度的鈀鉻合金薄膜，并通過光刻技術(shù)得到氫氣敏感層。
[0118]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，本實用新型的保護范圍并不僅局限于上述實施例。凡屬于本實用新型思路下的技術(shù)方案均屬于本實用新型的保護范圍。應(yīng)該指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下的改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種氫氣傳感器芯體，依次包括基片、介質(zhì)層和氫氣敏感層，其特征在于，所述介質(zhì) 層為由非晶碳材料形成的介質(zhì)層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫氣傳感器芯體，其特征在于，所述非晶碳包括本征非晶碳或 N慘雜非晶碳。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫氣傳感器芯體，其特征在于，所述介質(zhì)層的厚度為2nm? 300nm〇4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的氫氣傳感器芯體，其特征在于，所述基片包括N型硅基片或 P型硅基片。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氫氣傳感器芯體，其特征在于，所述基片的電阻率為0.001 Q ? cm?30 Q ? cm。6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的氫氣傳感器芯體，其特征在于，所述氫氣敏感層包括金屬 鈀薄膜或鈀合金薄膜。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氫氣傳感器芯體，其特征在于，所述氫氣敏感層的厚度為2nm ?300nm。
【文檔編號】G01N27/22GK205656159SQ201520974857
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年11月30日 公開號201520974857.3, CN 201520974857, CN 205656159 U, CN 205656159U, CN-U-205656159, CN201520974857, CN201520974857.3, CN205656159 U, CN205656159U
【發(fā)明人】陳浩, 謝貴久, 陳偉, 白慶星, 龔星
【申請人】中國電子科技集團公司第四十八研究所