一種led芯片測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明一種LED芯片測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)方法，屬于LED芯片測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002] LED被稱為第四代光源，具有節(jié)能、環(huán)保、安全、壽命長(zhǎng)、低功耗、低熱、高亮度、防 水、微型、防震、易調(diào)光、光束集中、維護(hù)簡(jiǎn)便等特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于各種指示、顯示、裝飾、 背光源、普通照明等領(lǐng)域。
[0003] 目前LED因?yàn)槠鋬?yōu)良的性能得到廣泛使用，LED測(cè)量作為L(zhǎng)ED生產(chǎn)制造的關(guān)鍵環(huán) 節(jié)有著舉足輕重的作用，如何的到準(zhǔn)確、精確地量測(cè)數(shù)據(jù)成了各生產(chǎn)企業(yè)的重要工作。由于 測(cè)量環(huán)境變換、測(cè)量設(shè)備自身測(cè)試條件變化，為了提高測(cè)量設(shè)備精確度，同時(shí)保證測(cè)量設(shè)備 的不確定度符合相關(guān)規(guī)范的技術(shù)要求就需要定期對(duì)測(cè)量設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種能夠確 保LED芯片測(cè)量設(shè)備得到精確測(cè)量數(shù)據(jù)，同時(shí)維護(hù)LED測(cè)量設(shè)備處于測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范內(nèi)的LED 芯片測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)方法。
[0005] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：一種LED芯片測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn) 方法，首先對(duì)車間測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)按照以下步驟進(jìn)行校準(zhǔn)：
[0006] 1)篩選校準(zhǔn)所需晶粒作為標(biāo)準(zhǔn)晶粒，以目標(biāo)校準(zhǔn)波段每納米5顆以上；
[0007] 2)將標(biāo)準(zhǔn)晶粒整齊排列于藍(lán)膜上并依順序?yàn)槊款w晶粒編號(hào)；
[0008] 3)將待校正之測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)的校準(zhǔn)值回歸到初始狀態(tài)；
[0009] 4)使用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)晶粒取得初始值A(chǔ);
[0010] 5)將標(biāo)準(zhǔn)晶粒送至IS標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備取得標(biāo)準(zhǔn)值B;
[0011] 6)使用標(biāo)準(zhǔn)值B的亮度欄位對(duì)初始值A(chǔ)的亮度欄位做散點(diǎn)圖，并取得擬合函數(shù)即 可得到亮度的校準(zhǔn)值，擬合曲線依據(jù)需求可以使用一次擬合或者二次擬合，一次擬合得到 擬合函數(shù)y=ax+b其中a、b為亮度的校準(zhǔn)值；二次擬合得到擬合函數(shù)y=ax2+bx+c其中 a、b、c為亮度的校準(zhǔn)值；
[0012] 7)使用標(biāo)準(zhǔn)值B的波長(zhǎng)欄位對(duì)初始值的波長(zhǎng)欄位做差，取得每個(gè)波段波長(zhǎng)的差 值，各個(gè)波段取各自平均值作為波長(zhǎng)的校準(zhǔn)值；
[0013] 8)對(duì)取得之校準(zhǔn)值進(jìn)行驗(yàn)證，驗(yàn)證完畢后此機(jī)臺(tái)為測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)；
[0014] 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)校準(zhǔn)完成后，按照以下步驟利用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)對(duì)非標(biāo)準(zhǔn)機(jī)進(jìn)行校準(zhǔn)：
[0015] 9)取2-3片晶片在測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)上取值后，再到非標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)上取值；
[0016] 10)根據(jù)步驟9)中的數(shù)值，按照步驟6)的方式對(duì)亮度進(jìn)行一次擬合或二次擬合， 按照步驟7)的方式取得各個(gè)波長(zhǎng)的校準(zhǔn)值；
[0017] 11)重復(fù)步驟9)和10)，將所有非標(biāo)準(zhǔn)機(jī)校準(zhǔn)完成。
[0018] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果：采用本發(fā)明校準(zhǔn)方法校準(zhǔn)后的測(cè)量設(shè) 備狀態(tài)穩(wěn)定，測(cè)量值隨晶粒尺寸、晶粒間距及環(huán)境變化的誤差小。采用校準(zhǔn)后的測(cè)量設(shè)備對(duì)LED芯片進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量數(shù)據(jù)精確，可靠，同時(shí)排除了chip與wafer測(cè)量數(shù)據(jù)與IS機(jī)臺(tái)測(cè)量 數(shù)據(jù)不符的疑慮。
[0019] 本發(fā)明不局限于測(cè)試機(jī)此設(shè)備的型號(hào)廠家，適用于各種波段的各種尺寸的LED晶 粒，不局限產(chǎn)品的形式，C0W(ChipOnWafer)和C0T(ChipOnTape)等多種形式的晶粒均 可。
【附圖說明】
[0020] 圖1為一次擬合曲線圖。
[0021] 圖2為二次擬合曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 一種LED芯片測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)方法，首先對(duì)車間測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)按照以下步驟進(jìn)行校 準(zhǔn)：
[0023] 1)篩選校準(zhǔn)所需晶粒作為標(biāo)準(zhǔn)晶粒，以目標(biāo)校準(zhǔn)波段每納米3顆以上，在每個(gè)波 段（444-482nm)挑選3-5顆裸晶，選中共118顆晶粒按照一定的間距放置在藍(lán)膜上制作成 一張方片，按順序使用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)進(jìn)行亮度和波長(zhǎng)測(cè)試，再請(qǐng)請(qǐng)品保實(shí)驗(yàn)室將此118顆按 照標(biāo)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)測(cè)試的順序封裝成118顆T〇-Can，利用IS標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備量測(cè)每顆To-Can 在5mA和20mA電流下的標(biāo)準(zhǔn)波長(zhǎng)和亮度的IS值（封裝T〇-Can的原因是光電測(cè)試結(jié)果需 要有一個(gè)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)需要由品保部門通過國際標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備IS機(jī)制定。而IS機(jī) 只適用于測(cè)量獨(dú)立的單顆T〇-Can或已封裝好的已具有引腳的晶粒。所以測(cè)試機(jī)臺(tái)的標(biāo)準(zhǔn) 只能來源于T〇-Can)。
[0024] 備注：因藍(lán)光所需校準(zhǔn)晶粒的波長(zhǎng)必須寬泛，因此再挑選這些晶粒的時(shí)候需要從 多個(gè)Wafer上的挑選，因此在平時(shí)生產(chǎn)中注意挑選并積攢不同波段的晶粒，另外在制作此 118顆晶粒的方片時(shí)，請(qǐng)按照同樣的方法再制作兩張備用。
[0025] 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)測(cè)試的118顆晶粒裸值如下：
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種LED芯片測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)方法，其特征在于，首先對(duì)車間測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)按照以下步 驟進(jìn)行校準(zhǔn)： 1) 篩選校準(zhǔn)所需晶粒作為標(biāo)準(zhǔn)晶粒，以目標(biāo)校準(zhǔn)波段每納米5顆以上； 2) 將標(biāo)準(zhǔn)晶粒整齊排列于藍(lán)膜上并依順序?yàn)槊款w晶粒編號(hào)； 3) 將待校正之測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)的校準(zhǔn)值回歸到初始狀態(tài)； 4) 使用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)晶粒取得初始值A(chǔ) ; 5) 將標(biāo)準(zhǔn)晶粒送至IS標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備取得標(biāo)準(zhǔn)值B ; 6) 使用標(biāo)準(zhǔn)值B的亮度欄位對(duì)初始值A(chǔ)的亮度欄位做散點(diǎn)圖，并取得擬合函數(shù)即可得 到亮度的校準(zhǔn)值，擬合曲線依據(jù)需求可以使用一次擬合或者二次擬合，一次擬合得到擬合 函數(shù)y = ax+b其中a、b為亮度的校準(zhǔn)值；二次擬合得到擬合函數(shù)y = ax2+bx+c其中a、b、 c為亮度的校準(zhǔn)值； 7) 使用標(biāo)準(zhǔn)值B的波長(zhǎng)欄位對(duì)初始值的波長(zhǎng)欄位做差，取得每個(gè)波段波長(zhǎng)的差值，各 個(gè)波段取各自平均值作為波長(zhǎng)的校準(zhǔn)值； 8) 對(duì)取得之校準(zhǔn)值進(jìn)行驗(yàn)證，驗(yàn)證完畢后此機(jī)臺(tái)為測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)； 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)校準(zhǔn)完成后，按照以下步驟利用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)對(duì)非標(biāo)準(zhǔn)機(jī)進(jìn)行校準(zhǔn)： 9) 取2-3片晶片在測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)上取值后，再到非標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)上取值； 10) 根據(jù)步驟9)中的數(shù)值，按照步驟6)的方式對(duì)亮度進(jìn)行一次擬合或二次擬合，按照 步驟7)的方式取得各個(gè)波長(zhǎng)的校準(zhǔn)值； 11) 重復(fù)步驟9)和10)，將所有非標(biāo)準(zhǔn)機(jī)校準(zhǔn)完成。
【專利摘要】本發(fā)明一種LED芯片測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)方法，屬于LED芯片測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)領(lǐng)域；提供一種能夠得到精確測(cè)量數(shù)據(jù)的LED芯片測(cè)量設(shè)備校準(zhǔn)方法；首先篩選校準(zhǔn)所需晶粒作為標(biāo)準(zhǔn)晶粒；測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)晶粒取得初始值A(chǔ)；IS標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備取得標(biāo)準(zhǔn)值B；使用標(biāo)準(zhǔn)值B的亮度欄位對(duì)初始值A(chǔ)的亮度欄位做散點(diǎn)圖，取得擬合函數(shù)即可得到亮度的校準(zhǔn)值，擬合曲線依據(jù)需求可以使用一次擬合或者二次擬合，一次擬合得到擬合函數(shù)y＝ax+b其中a、b為亮度的校準(zhǔn)值；二次擬合得到擬合函數(shù)y＝ax2+bx+c其中a、b、c為亮度的校準(zhǔn)值；標(biāo)準(zhǔn)值B的波長(zhǎng)欄位對(duì)初始值的波長(zhǎng)欄位做差，得波段波長(zhǎng)的差值，各個(gè)波段取各自平均值作為波長(zhǎng)的校準(zhǔn)值。
【IPC分類】G01R35-00
【公開號(hào)】CN104849683
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510175668
【發(fā)明人】胡苗苗
【申請(qǐng)人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請(qǐng)日】2015年4月14日