本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置對(duì)半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行檢查。在檢查時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體裝置施加高電壓。在對(duì)晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行其電氣特性的檢查的情況下，有可能在晶片的表面附近產(chǎn)生放電。該放電對(duì)作為檢查對(duì)象的半導(dǎo)體裝置及與其相鄰的半導(dǎo)體裝置造成破壞。

2、專利文獻(xiàn)1所記載的探針具有以將探針包圍的方式配置的圍繞空間。該探針通過被導(dǎo)入至圍繞空間的氣體防止了在晶片的表面附近產(chǎn)生的放電。

3、專利文獻(xiàn)1：日本特開2018-160591號(hào)公報(bào)

4、伴隨半導(dǎo)體裝置的性能的提高，在該檢查工序中要求高電壓的施加及大電流的通電。為了應(yīng)對(duì)這樣的要求，提出了探針的多針化及使用細(xì)線探針(thin?wire?probes)。但是，細(xì)線探針容易由于來自外部的應(yīng)力而變形。由于為了抑制放電而注入的氣體沖撞到細(xì)線探針，從而細(xì)線探針會(huì)發(fā)生變形。在探針產(chǎn)生了變形的情況下，探針與作為檢查對(duì)象的半導(dǎo)體裝置之間的接觸變得不可靠，電氣特性的試驗(yàn)的可靠性下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種減輕探針的變形及晶片的表面附近的放電的產(chǎn)生、使電氣特性的試驗(yàn)的可靠性提高的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置。

2、本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置具有工作臺(tái)、探針保持部、多個(gè)探針、防風(fēng)壁及氣體供給部。工作臺(tái)能夠?qū)π纬捎邪雽?dǎo)體裝置的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行保持。探針保持部設(shè)置于工作臺(tái)的上方。多個(gè)探針各自包含能夠與半導(dǎo)體裝置接觸的前端部。多個(gè)探針被探針保持部保持。防風(fēng)壁將多個(gè)探針的周圍包圍。氣體供給部設(shè)置于防風(fēng)壁的外側(cè)。氣體供給部沿朝向工作臺(tái)的方向供給氣體。多個(gè)探針各自包含與前端部相比位于尾端側(cè)的內(nèi)包部。內(nèi)包部被包含在由防風(fēng)壁包圍的防風(fēng)空間內(nèi)。

3、發(fā)明的效果

4、根據(jù)本發(fā)明，提供減輕探針的變形及晶片的表面附近的放電的產(chǎn)生、使電氣特性的試驗(yàn)的可靠性提高的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置。

5、本發(fā)明的目的、特征、方案及優(yōu)點(diǎn)通過以下的詳細(xì)說明和附圖變得更清楚。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其具有：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其中，

8.一種半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其具有：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置，其中，

12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有以下工序：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
提供使電氣特性試驗(yàn)的可靠性提高的半導(dǎo)體裝置的試驗(yàn)裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。試驗(yàn)裝置具有工作臺(tái)(1)、探針保持部(2)、多個(gè)探針(3)、防風(fēng)壁(5)及氣體供給部(7)。工作臺(tái)能夠?qū)π纬捎邪雽?dǎo)體裝置(20)的半導(dǎo)體晶片(21)進(jìn)行保持。探針保持部設(shè)置于工作臺(tái)的上方。多個(gè)探針各自包含能夠與半導(dǎo)體裝置接觸的前端部(3A)。多個(gè)探針被探針保持部(2)保持。防風(fēng)壁(5)將多個(gè)探針的周圍包圍。氣體供給部(7)設(shè)置于防風(fēng)壁(5)的外側(cè)。氣體供給部(7)沿朝向工作臺(tái)(1)的方向供給氣體。多個(gè)探針各自包含與前端部(3A)相比位于尾端側(cè)的內(nèi)包部(3B)。內(nèi)包部(3B)被包含在由防風(fēng)壁(5)包圍的防風(fēng)空間(9)內(nèi)。

技術(shù)研發(fā)人員：吉村卓哉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三菱電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21