本發(fā)明屬于電子設(shè)備檢測技術(shù)領(lǐng)域，用于對印制電路板上安裝的多個絕緣柵型場效應管的熱阻分別進行檢測，具體來說，涉及一種熱阻檢測設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著電子元器件密度的提高以及大功率電子設(shè)備的小型化，電子產(chǎn)品的熱可靠性越來越被重視，對于采用多管并聯(lián)的電機控制器，對每個功率MOS管的熱阻大小均一性有嚴格的要求，因此需要一種簡潔有效的裝置對熱阻一致檢測。

傳統(tǒng)的檢測方法是將功率MOS管焊接在鋁基板或印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)上，通過檢測絕緣柵型場效應(Mosfet，MOS)管工作時產(chǎn)生的熱量以及MOS管工作時的功率等相關(guān)數(shù)據(jù)，來計算MOS管相應的熱阻值，具體的方法是在每個MOS管上設(shè)置熱敏電阻(Negative Temperature Coefficient，NTC)來采集MOS管的發(fā)熱信息，但是采用布置NTC的方案時，安裝NTC不方便，需要對PCB做更改，不能直接采集到MOS管表面的溫度，采集的數(shù)據(jù)精度不高，同時，用熱成像儀采集溫度信號時，因為熱源分散和散熱效果受MOS管空間分布位置的影響，采集數(shù)據(jù)會出現(xiàn)過分跳動，影響記錄，熱阻檢測效率也比較低，而受PCB銅皮厚度和焊接質(zhì)量的影響，用熱成像儀采集溫度時會出現(xiàn)一定的偏差，采集部位的偏差，會影響到最終熱阻的計算準確度。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有上述現(xiàn)有技術(shù)中存在MOS管熱阻檢測效率和檢測準確率低的問題，現(xiàn)提供一種旨在提高熱阻檢測準確率和檢測效率的熱阻檢測設(shè)備。

具體技術(shù)方案如下：

一種熱阻檢測設(shè)備，用于對絕緣柵型場效應管的熱阻進行檢測，所述絕緣柵型場效應管連接到電路上，所述電路使所述絕緣柵型場效應管工作，所述熱阻檢測設(shè)備包括：

金屬散熱板，所述金屬散熱板接觸并覆蓋在所述絕緣柵型場效應管的封裝體上；

散熱孔，所述散熱孔接觸并覆蓋在所述封裝體上，且所述散熱孔的尺寸小于所述封裝體的尺寸；

熱成像儀，所述熱成像儀設(shè)置在所述金屬散熱板的上方，用于檢測每個所述絕緣柵型場效應管的熱阻值。

優(yōu)選的，所述絕緣柵型場效應管的數(shù)量為復數(shù)個，每個所述絕緣柵型場效應管分別設(shè)置在印刷電路板上。

優(yōu)選的，所述印刷電路板上的所述絕緣柵型場效應管為并聯(lián)設(shè)置。

優(yōu)選的，每個所述絕緣柵型場效應管的上方均設(shè)由一個所述散熱孔。

優(yōu)選的，相鄰所述絕緣柵型場效應管的源極分別相連，且相鄰所述絕緣柵型場效應管的漏極分別相連。

優(yōu)選的，所述金屬散熱板為鋁板。

優(yōu)選的，所述熱成像儀分別采集每個所述絕緣柵型場效應管的溫差值和功率值，并根據(jù)所述溫差值和所述功率值得到所述熱阻值。

上述技術(shù)方案的有益效果：直接采集絕緣柵型場效應管表面溫度，安裝方便，效率更高，能固定溫度采集部位，擋住印刷電路板銅皮和絕緣柵型場效應管引腳的影響，能提高采集準確度和效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所述的熱阻檢測設(shè)備優(yōu)選的一個實施例的安裝示意圖；

圖2為本發(fā)明所述的熱阻檢測設(shè)備優(yōu)選的一個實施例的散熱鋁板結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

如圖1-2所示，用于對絕緣柵型場效應管2的熱阻進行檢測，上述絕緣柵型場效應管2的兩端通入電流，上述熱阻檢測設(shè)備包括：

上述金屬散熱板3，上述金屬散熱板3接觸并覆蓋在上述絕緣柵型場效應管2的封裝體5上；

上述散熱孔4，上述散熱孔4接觸并覆蓋在上述封裝體5上，且上述散熱孔4的直徑小于所述封裝體5的尺寸；

上述熱成像儀(圖中未顯示)，上述熱成像儀設(shè)置在上述金屬散熱板3的上方，用于檢測每個上述絕緣柵型場效應管2的熱阻值。

在本實施例中，在絕緣柵型場效應管2上方設(shè)置一個金屬散熱板3，在金屬散熱板3上設(shè)置若干個散熱孔4，每個散熱孔4都與其下方的絕緣柵型場效應管2位置對應，向所有絕緣柵型場效應管2通入電流使絕緣柵型場效應管2工作，熱成像儀通過上述散熱孔4采集絕緣柵型場效應管2的封裝體5的表面溫度從而得到每個絕緣柵型場效應管2的熱阻，避免了絕緣柵型場效應管2引腳焊接質(zhì)量對熱阻檢測的影響，采集部位精準無偏差，有效提高了檢測精度，而且相比需要在每個絕緣柵型場效應管2上貼片來檢測熱敏電阻的傳統(tǒng)方法，本技術(shù)方案在操作上更加簡便，檢測效率更高，成本更低。

在優(yōu)選的實施例中，上述絕緣柵型場效應管2的數(shù)量為復數(shù)個，每個絕緣柵型場效應管2分別設(shè)置在印刷電路板1上。

在優(yōu)選的實施例中，上述印刷電路板1上的上述絕緣柵型場效應管2為并聯(lián)設(shè)置。

在優(yōu)選的實施例中，相鄰所述絕緣柵型場效應管1的源極分別相連，且相鄰所述絕緣柵型場效應管1的漏極分別相連。

在本實施例中，在印刷電路板1上方設(shè)置一個金屬散熱板3，在金屬散熱板3上設(shè)置若干個散熱孔4，每個散熱孔4都與其下方的絕緣柵型場效應管2位置對應，向所有絕緣柵型場效應管2通入電路，熱成像儀通過上述散熱孔4采集絕緣柵型場效應管2的表面溫度從而得到每個絕緣柵型場效應管2的熱阻，避免了印刷電路板1上銅皮厚度和絕緣柵型場效應管2引腳焊接質(zhì)量對熱阻檢測的影響，采集部位精準無偏差，有效提高了檢測精度，而且相比需要在每個絕緣柵型場效應管2上貼片來檢測熱敏電阻的傳統(tǒng)方法，本技術(shù)方案在操作上更加簡便，檢測效率更高，成本更低。在本實施例中，相鄰絕緣柵型場效應管2的源極和柵極電連接。

在優(yōu)選的實施例中，每個上述絕緣柵型場效應管2的上方均設(shè)由一個上述散熱孔4。

在優(yōu)選的實施例中，上述金屬散熱板3為散熱鋁板。

在優(yōu)選的實施例中，上述熱成像儀分別采集每個上述絕緣柵型場效應管2的溫差值和功率值，并根據(jù)上述溫差值和上述功率值得到上述熱阻值。

在具體使用中，在金屬散熱板3上設(shè)置與上述印刷電路板1上的每個上述絕緣柵型場效應管2的位置相對應的散熱孔4；將上述金屬散熱板3接觸并覆蓋在上述印刷電路板1上方，使每個上述絕緣柵型場效應管2上方都有一個散熱孔4；向每個上述絕緣柵型場效應管2通入電流；將熱成像儀設(shè)置在上述金屬散熱板3上方，通過上述散熱孔4采集每個上述散熱孔4下方的上述絕緣柵型場效應管2的表面溫度，并根據(jù)采集到的上述溫度得到每個上述絕緣柵型場效應管2的的熱阻。向每個上述絕緣柵型場效應管2通入電流后記錄每個上述絕緣柵型場效應管2的功率值，用于提供給上述熱成像儀計算每個上述絕緣柵型場效應管2的熱阻。

進一步的，上述印刷電路板1上的上述絕緣柵型場效應管2為并聯(lián)設(shè)置，上述金屬散熱板3為散熱鋁板。熱成像儀掃描散熱鋁板的上方，采集所有上述絕緣柵型場效應管22的溫度值進行計算并獲得各個上述絕緣柵型場效應管22的絕對溫值差ΔT，記錄所有上述絕緣柵型場效應管22的功率值P，并根據(jù)數(shù)學式R＝ΔT/P獲得各個上述絕緣柵型場效應管22的熱阻值R。

以上僅為本發(fā)明較佳的實施例，并非因此限制本發(fā)明的實施方式及保護范圍，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應當能夠意識到凡運用本發(fā)明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應當包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。