一種結(jié)合mit與spr技術(shù)檢測二氧化硫的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，屬于二氧化硫檢測領(lǐng)域。用真空蒸鍍法在基片上鍍一層金屬膜后自組裝；將自組裝后基片覆蓋在SPR檢測系統(tǒng)的反應(yīng)池上，注滿反應(yīng)液，引發(fā)聚合，在基片的金屬膜上形成分子印跡膜；通入洗脫液，洗脫處理后得到SO2分子印跡傳感芯片；通入N2，測量共振角1；通入SO2，測量共振角2；根據(jù)共振角1和共振角2的大小，判斷分子印跡傳感芯片對SO2是否有響應(yīng)。所述方法操作簡單，可以直接測定樣品中的二氧化硫含量，且靈敏度高，檢測成本低，耗能少，反應(yīng)時間短，干凈無污染，易于推廣。
【專利說明】-種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，屬于二氧化硫檢測領(lǐng) 域。

【背景技術(shù)】
[0002] 二氧化硫（SO2)是一種無色氣體，有強(qiáng)烈刺激性氣味，是大氣主要污染物之一，經(jīng) 常用于生產(chǎn)硫以及作為殺蟲劑、殺菌劑、漂白劑和還原劑。當(dāng)SO2溶于水中，會形成亞硫酸， 亞硫酸為構(gòu)成酸雨的主要成分；在大氣中，SO2會被氧化成硫酸霧或硫酸鹽氣溶膠，是環(huán)境 酸化的重要前驅(qū)物；大氣中SO2濃度在0. 5ppm以上對人體已有潛在影響，在1?3ppm時多 數(shù)人開始感到刺激，在400?500ppm時人會出現(xiàn)潰瘍和肺水腫直至窒息死亡；SO2還與大氣 中的煙塵有協(xié)同作用，當(dāng)大氣中二氧化硫濃度為〇. 21ppm，煙塵濃度大于0. 3mg/L，可使呼 吸道疾病發(fā)病率增高，慢性病患者的病情迅速惡化，如倫敦?zé)熿F事件、馬斯河谷事件和多諾 拉等煙霧事件，都是這種協(xié)同作用造成的危害。SO2和某些含硫化合物的漂白作用也被一些 不法廠商非法用來加工食品，以使食品增白，而食用這類食品，很有可能引起人體致癌；此 外SO2用作食物和干果的防腐劑時，也必須嚴(yán)格按照國家有關(guān)范圍和標(biāo)準(zhǔn)使用。因此，制備 便捷的SO2傳感器對其進(jìn)行快速精確的檢測變得極其重要。
[0003] 目前用于檢測二氧化硫的膜大多為金屬氧化物薄膜，它的制備有磁控濺射法、溶 膠凝膠法、化學(xué)氣相沉積法、噴霧熱解法等，但是這些方法造價成本高、易損壞基片、處理過 程時間較長、易對環(huán)境造成污染，需要嚴(yán)格的操作條件，樣品制備過程太過繁瑣且需要專門 技術(shù)人員和大規(guī)模昂貴儀器，不適合現(xiàn)場快速檢測的需要，而且有些方法制備的薄膜還存 在不均勻和容易開裂等低質(zhì)量問題，這些長久存在的局限性促使我們尋找新的方法。
[0004] 分子印跡技術(shù)（Molecular Imprinting Technology, MIT)是制備對所要檢測的 目標(biāo)分子具有選擇性結(jié)合位點(diǎn)的聚合物的過程。它的具體實(shí)施是通過以下方法來完成的： 模板分子在致孔劑的存在下與功能單體通過弱的相互作用力連接在一起形成主客體配合 物，加入交聯(lián)劑、引發(fā)劑后，通過光或熱等引發(fā)單體聚合，使主客體配合物與交聯(lián)劑通過自 由基共聚合在模板分子周圍形成高交聯(lián)的剛性聚合物；之后，采用一定的方法將模板分子 從聚合物中洗脫或解離出來，留下對模板分子具有特定的"記憶"功能的三維孔穴，此孔穴 可以與模板分子特異性結(jié)合，即對模板具有專一性識別作用。分子印跡技術(shù)因具有構(gòu)效預(yù) 定性、特異識別性和廣泛實(shí)用性三大特性，且原料廉價易得、制備條件溫和、反應(yīng)時間短、干 凈無污染，同時又具有操作簡便、耐惡劣環(huán)境、耗能少、易于處理和應(yīng)用、制備均勻、穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn)，從而在制備檢測二氧化硫的薄膜領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
[0005] 目前，測定二氧化硫的方法主要有火焰光度氣相色譜法、脈沖熒光、離子色譜分 析、表面聲波、石英晶體微天平等。但這些技術(shù)操作繁瑣而且費(fèi)用高，不易用于樣品篩選的 快速檢測。這就要求有更新穎的快速檢測技術(shù)出現(xiàn)。
[0006] 表面等離子體共振（Surface Plasmon Resonance，SPR)是一種物理光學(xué)現(xiàn)象。SPR 傳感器對結(jié)合于金屬表面的被分析物進(jìn)行檢測的原理為：當(dāng)光以入射角大于臨界角從光密 介質(zhì)射入光疏介質(zhì)，在界面處會發(fā)生全內(nèi)反射現(xiàn)象。此時，全反射的光并不會立即消失，而 是透射進(jìn)入光疏介質(zhì)一定深度，其振幅隨深度呈現(xiàn)指數(shù)衰減，這種電磁波被稱為消失波。當(dāng) 入射角或波長為某一適當(dāng)值時，表面等離子體子與消失波的頻率和波數(shù)相等，二者在金屬 薄層和溶液界面處發(fā)生共振，入射光被吸收，使反射光能量急劇下降，在反射光譜上出現(xiàn)反 射強(qiáng)度最小值。當(dāng)緊靠在金屬薄膜表面的介質(zhì)折射率發(fā)生變化時，共振峰位置將不同。
[0007] 近十幾年來基于SPR原理的傳感器及其應(yīng)用研究獲得了長足的發(fā)展。與常規(guī)檢測 技術(shù)相比，SPR傳感器檢測過程簡便快捷、靈敏度高；無需標(biāo)記，保持了分子活性；樣品需求 量??；不需要對樣品進(jìn)行預(yù)處理，能在渾濁的甚至不透明的溶液中進(jìn)行檢測；具有響應(yīng)快、 體積小、機(jī)械強(qiáng)度大、能夠獲得實(shí)時數(shù)據(jù)、操作方便、抗電磁干擾能力強(qiáng)和光纖相連可實(shí)現(xiàn) 數(shù)據(jù)的遠(yuǎn)程采集和連續(xù)在線監(jiān)控等突出優(yōu)點(diǎn)。因此，SPR傳感器在二氧化硫的檢測方面具 有廣闊的應(yīng)用前景。
[0008] 目前，國內(nèi)外對二氧化硫分子印跡方面的報道較少，且未有將MIT與SPR聯(lián)用檢測 二氧化硫的報道。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 針對現(xiàn)有技術(shù)在檢測二氧化硫時存在對檢測環(huán)境要求苛刻、造價昂貴、選擇性較 差的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，所述方法 操作簡單，可以直接測定樣品中的二氧化硫含量，且靈敏度高，檢測成本低，耗能少，反應(yīng)時 間短，干凈無污染，易于推廣。
[0010] 本發(fā)明的目的由以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
[0011] 一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，所述方法具體步驟如下：
[0012] (1)用真空蒸鍍的方法在基片上鍍一層厚度為40?50nm的金屬膜；
[0013] (2)將鍍好金屬膜的基片置于烷基硫醇溶液中進(jìn)行自組裝，得到自組裝后基片；
[0014] (3)在避光條件下，將SO2和功能單體溶解于致孔劑中，混合均勻，靜置1?5h，得 至IJ溶液1 ;向溶液1中加入交聯(lián)劑和引發(fā)劑，混合均勻，得到反應(yīng)液；
[0015] (4)將步驟⑵所述自組裝后基片覆蓋在SPR檢測系統(tǒng)的反應(yīng)池上，通入N2，待檢 測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng)按角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖1，得到 成膜前基片在N2中的共振角a i ;停止通入N2，通入乙醇，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不 變時，對反射光強(qiáng)按角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖2,得到基片成膜前在乙醇中的共振 角;向反應(yīng)池中注滿步驟（3)所述反應(yīng)液，引發(fā)聚合，在基片的金屬膜上形成分子印跡 膜；待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng)按角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖 3,得到基片成膜后在乙醇中的共振角;
[0016] 若e 2> ( @ i+5° )，執(zhí)行步驟（5);若@ 2彡（@ i+5° )，重復(fù)執(zhí)行步驟（3)和步驟 (4) ；
[0017] (5)停止通入乙醇，通入N2，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng)按 角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖4,得到基片成膜后N2中的共振角a 2 ;
[0018] 若a 2> ( a片5 ° )，執(zhí)行步驟（6)，若a 2彡（a汴5 ° )，重復(fù)執(zhí)行步驟（3)至步驟 (5) ；
[0019] (6)停止通AN2，通入乙醇，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，停止通入乙醇， 通入洗脫液，對所述分子印跡膜進(jìn)行洗脫處理，除去分子印跡膜中的SO2分子，得到SO2分 子印跡傳感芯片；停止通入洗脫液，通入乙醇，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反 射光強(qiáng)按角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖5,得到分子印跡傳感芯片在乙醇中的共振角 3 3 ;
[0020] 若（@3+0. 5° )彡P(guān)2，執(zhí)行步驟（7);若（@3+0. 5° )> P2，重復(fù)執(zhí)行步驟（6);
[0021] (7)停止通入乙醇，通入N2，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng)按 角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖6,得到分子印跡傳感芯片的共振角a 3 ;
[0022] 若（a 3+〇. 5° )彡a 2，執(zhí)行步驟（8);若（a 3+〇. 5° )> a 2，重復(fù)執(zhí)行步驟（6)和 步驟（7);
[0023] (8)停止通入N2，通入SO2，待儀器顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，停止通入SO 2，通入 N2，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng)按角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖 7,得到分子印跡傳感芯片的共振角Ci4 ;
[0024] (9)根據(jù)a 3和a 4的大小，判斷分子印跡傳感芯片對SO2是否有響應(yīng)：
[0025] 若a 3〈 a 4，說明分子印跡傳感芯片對SO2具有響應(yīng)；若a 3彡a 4，說明分子印跡傳 感芯片對SO2沒有響應(yīng)；
[0026] 其中，所述基片優(yōu)選鑭玻璃基片；SPR為表面等離子體共振（Surface Plasmon Resonance)的簡稱；
[0027] 所述SO2和N2的流速優(yōu)選0. 25mL/min ;乙醇和洗脫液的流速優(yōu)選0. 5mL/min ;
[0028] 步驟⑴所述真空蒸鍍的參數(shù)優(yōu)選真空度為I. OX KT4Pa以下，鍍膜速率為I A/S ;所述金屬優(yōu)選金、銀和鋁中的一種；
[0029] 步驟（2)所述烷基硫醇溶液為十二烷基硫醇的乙醇溶液，十二烷基硫醇的濃度優(yōu) 選 lmmol/L ；
[0030] 所述自組裝時間優(yōu)選3?72h ;
[0031] 步驟（3)所述功能單體優(yōu)選丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、聚異丙基丙烯酰胺和鹽酸 副玫瑰苯胺中的一種；
[0032] 所述致孔劑優(yōu)選苯、丙酮、甲醇、乙醇和乙腈中的一種；
[0033] 所述交聯(lián)劑優(yōu)選乙二醇二甲基丙烯酸酯、N，N-亞甲基二丙烯酰胺、季戊四醇三丙 烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸醋和二乙烯基苯中的一種；
[0034] 所述引發(fā)劑優(yōu)選二苯甲酮、2, 4-二羥基二苯甲酮、米蚩酮、a，a-二乙氧基苯乙 酮、a-羥烷基苯酮、a-胺烷基苯酮、二苯基乙酮、a，a-二甲氧基-a-苯基苯乙酮中的 一種；
[0035] 所述SO2在致孔劑中的濃度為0. 01?0. lmol/L ;S02、功能單體與交聯(lián)劑的摩爾 比為1:4:3?35 ;引發(fā)劑在致孔劑中的濃度為1?lOmg/mL ;所述混合優(yōu)選超聲混合5? 40min ；
[0036] 步驟（4)所述引發(fā)聚合優(yōu)選采用紫外光引發(fā)，紫外光源參數(shù)波長A = 365nm，頻率 為2w/cm2 ;紫外光源距反應(yīng)池25mm ;聚合時間優(yōu)選30?70min ;
[0037] 步驟（6)所述的洗脫液為氫氧化鈉的致孔劑溶液，氫氧化鈉的濃度優(yōu)選0. 1? 0.3mol/L，致孔劑與步驟（3)所述致孔劑相同。
[0038] 有益效果
[0039] (1)本發(fā)明所述方法操作簡便，可以直接測定樣品中的二氧化硫含量，避免了間接 檢測的繁瑣步驟，節(jié)約時間；
[0040] (2)本發(fā)明所述方法采用的分子印跡膜制備方法簡單、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，對檢測環(huán)境無苛 刻要求，在常溫常壓下即可實(shí)現(xiàn)二氧化硫的快速檢測和分析，是一種十分方便快捷的檢測 方法；
[0041] (3)本發(fā)明所述方法采用的分子印跡傳感芯片對二氧化硫具有較高的選擇性，且 靈敏度高；所述方法檢測成本低，耗能少，干凈無污染，易于推廣。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0042] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1得到的成膜前后及洗脫后分子印跡傳感芯片在N2中的SPR 光譜圖；
[0043] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1中成膜前后及洗脫后分子印跡傳感芯片在乙醇中的SPR光 譜圖；
[0044] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例1中吸附50ppm二氧化硫氣體前后分子印跡傳感芯片在N2中 的SPR光譜圖；
[0045] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例2中成膜前后及洗脫后分子印跡傳感芯片在N2中的SPR光 譜圖；
[0046] 圖5是本發(fā)明實(shí)施例2中成膜前后及洗脫后分子印跡傳感芯片在乙醇中的SPR光 譜圖；
[0047] 圖6是本發(fā)明實(shí)施例2中吸附50ppm二氧化硫氣體前后分子印跡傳感芯片在N2中 的SPR光譜圖；
[0048] 圖7是本發(fā)明實(shí)施例3中成膜前后及洗脫后分子印跡傳感芯片在N2中的SPR光 譜圖；
[0049] 圖8是本發(fā)明實(shí)施例3中成膜前后及洗脫后分子印跡傳感芯片在乙醇中的SPR光 譜圖；
[0050] 圖9是本發(fā)明實(shí)施例3中吸附50ppm二氧化硫氣體前后分子印跡傳感芯片在N2中 的SPR光譜圖；
[0051] 圖10是本發(fā)明實(shí)施例3中吸附50ppm二氧化硫氣體前后分子印跡傳感芯片在N2中的SPR光譜圖中共振角的放大圖。

【具體實(shí)施方式】
[0052] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例來詳述本發(fā)明，但不限于此。
[0053] 以下實(shí)施例中提到的主要試劑信息見表1 ;主要儀器與設(shè)備信息見表2。
[0054] 表 1
[0055]

【權(quán)利要求】
1. 一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，其特征在于：所述方法具體步驟如 下： (1) 用真空蒸鍍法在基片上鍍一層厚度為40?50nm的金屬膜； (2) 將鍍好金屬膜的基片置于烷基硫醇溶液中進(jìn)行自組裝，得到自組裝后基片； (3) 在避光條件下，將SO2和功能單體溶解于致孔劑中，混合均勻，靜置1?5h，得到溶 液1 ;向溶液1中加入交聯(lián)劑和引發(fā)劑，混合均勻，得到反應(yīng)液； (4) 將步驟（2)所述自組裝后基片覆蓋在SPR檢測系統(tǒng)的反應(yīng)池上，通入N2，待檢測系 統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng)按角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖1，得到成膜 前基片在隊中的共振角Ci1 ;停止通AN2，通入乙醇，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時， 對反射光強(qiáng)按角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖2,得到基片成膜前在乙醇中的共振角3 :; 向反應(yīng)池中注滿步驟（3)所述反應(yīng)液，引發(fā)聚合，在基片的金屬膜上形成分子印跡膜；待檢 測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng)按角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖3,得到 基片成膜后在乙醇中的共振角; 若￠6(^+5° )，執(zhí)行步驟（5);若@2彡（^+5° )，重復(fù)執(zhí)行步驟（3)和步驟⑷； (5) 停止通入乙醇，通入N2，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng)按角度 進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖4,得到基片成膜后N2中的共振角a 2 ; 若a 2> ( a 1+5° )，執(zhí)行步驟（6)，若a 2彡（a 1+5° )，重復(fù)執(zhí)行步驟（3)至步驟（5); (6) 停止通入N2，通入乙醇，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，停止通入乙醇，通入 洗脫液，對所述分子印跡膜進(jìn)行洗脫處理，除去分子印跡膜中的SO2分子，得到SO2分子印跡 傳感芯片；停止通入洗脫液，通入乙醇，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng) 按角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖5,得到分子印跡傳感芯片在乙醇中的共振角3 3 ; 若（03+〇.5° )彡，執(zhí)行步驟（7);若（03+〇.5° )> P2，重復(fù)執(zhí)行步驟（6); (7) 停止通入乙醇，通入N2，待檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng)按角度 進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖6,得到分子印跡傳感芯片的共振角a 3 ; 若（a3+〇. 5° )彡a2，執(zhí)行步驟（8);若（a3+〇. 5° )>a2，重復(fù)執(zhí)行步驟（6)和步驟 (7)； (8) 停止通入N2，通入SO2，待儀器顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，停止通入SO2，通入N 2，待 檢測系統(tǒng)顯示反射光強(qiáng)穩(wěn)定不變時，對反射光強(qiáng)按角度進(jìn)行掃描，記錄下SPR光譜圖7,得 到分子印跡傳感芯片的共振角a4; (9) 根據(jù)a 3和a 4的大小，判斷分子印跡傳感芯片對SO2是否有響應(yīng)： 若a 3〈 a 4，說明分子印跡傳感芯片對SO2具有響應(yīng)；若a 3彡a 4，說明分子印跡傳感芯 片對SO2沒有響應(yīng)； 其中，所述SPR為表面等離子體共振的簡稱。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，其特征在 于：所述基片為鑭玻璃基片；通入SO2和N2的流速為0. 25mL/min ;乙醇和洗脫液的流速為 0. 5mT ,/mi n 〇
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，其特征在于： 步驟⑴所述真空蒸鍍法的參數(shù)為：真空度LOXKT4Pa以下，鍍膜速率1人/s;所述金屬為 金、銀和錯中的一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，其特征在于： 步驟（2)所述燒基硫醇溶液為十_燒基硫醇的乙醇溶液，十_燒基硫醇的濃度為lmm〇l/L。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，其特征在于： 步驟⑵所述自組裝時間為3?72h。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，其特征在于： 步驟（3)所述功能單體為丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、聚異丙基丙烯酰胺和鹽酸副玫瑰苯胺 中的一種； 所述致孔劑為苯、丙酮、甲醇、乙醇和乙腈中的一種； 所述交聯(lián)劑為乙二醇二甲基丙烯酸酯、N，N-亞甲基二丙烯酰胺、季戊四醇三丙烯酸酯、 季戊四醇四丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸醋和二乙烯基苯中的一種； 所述引發(fā)劑為二苯甲酮、2, 4-二羥基二苯甲酮、米蚩酮、a，a-二乙氧基苯乙酮、 a-羥烷基苯酮、a-胺烷基苯酮、二苯基乙酮和a，a-二甲氧基-a-苯基苯乙酮中的一 種。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，其特征在于： 步驟（3)所述SO2在致孔劑中的濃度為0. 01?0. lmol/L ;S02、功能單體與交聯(lián)劑的摩爾比 為1:4:3?35 ;引發(fā)劑在致孔劑中的濃度為1?10mg/mL。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，其特征在于： 步驟（3)所述混合為超聲混合，超聲時間為5?40min。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，其特征在于： 步驟（4)所述引發(fā)聚合采用紫外光引發(fā)，紫外光源參數(shù)波長A = 365nm，頻率為2w/cm2 ;紫 外光源距反應(yīng)池25mm ;聚合時間為30?70min。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合MIT與SPR技術(shù)檢測二氧化硫的方法，其特征在 于：步驟（6)所述的洗脫液為氫氧化鈉的致孔劑溶液，氫氧化鈉的濃度為0. 1?0. 3mol/L， 致孔劑與步驟（3)所述致孔劑相同。
【文檔編號】G01N33/00GK104360019SQ201410608326
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月3日
【發(fā)明者】韋天新, 丁永紅 申請人:北京理工大學(xué)