內(nèi)置多探針模塊及其具有該模塊的探針臺(tái)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種內(nèi)置多探針模塊，包括：底座，所述底座上設(shè)置電氣測(cè)試用印刷電路板和焊接位；探針，所述探針活動(dòng)設(shè)置在所述底座上，并可根據(jù)所述待測(cè)試器件之結(jié)構(gòu)調(diào)整所述探針在所述底座上的位置排布。一種具有內(nèi)置多探針模塊之探針臺(tái)，所述內(nèi)置多探針模塊設(shè)置在用于放置所述待測(cè)試器件的卡盤(pán)上方。本發(fā)明可根據(jù)所述待測(cè)試器件之測(cè)試需求，調(diào)整所述內(nèi)置多探針模塊，以形成不同類(lèi)型之探針卡，避免頻繁手動(dòng)更換探針卡導(dǎo)致測(cè)試效率低下，以及人為操作之風(fēng)險(xiǎn)等缺陷。
【專(zhuān)利說(shuō)明】?jī)?nèi)置多探針模塊及其具有該模塊的探針臺(tái)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種內(nèi)置多探針模塊及其具有該模塊的探針臺(tái)。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知,現(xiàn)有晶圓可接受性測(cè)試(Wafer Acceptance Test, WAT)中的探針卡是根據(jù)測(cè)試程式之需求,手動(dòng)放入不同類(lèi)型的探針卡。
[0003]請(qǐng)參閱圖4 (a)、圖4 (b),圖4 (a)?圖4 (b)所示為現(xiàn)有不同類(lèi)型之探針卡的結(jié)構(gòu)示意圖。所述探針卡3具有獨(dú)特設(shè)計(jì)，不同類(lèi)型的探針卡3的區(qū)別主要在于探針31的數(shù)量、探針31的針間距，以及探針31的排布方式不同。同時(shí)，在所述測(cè)試過(guò)程中，任一測(cè)試程序僅能使用一張?zhí)结樋?。所述繁瑣的人工操作勢(shì)必費(fèi)事費(fèi)力，降低測(cè)試效率，且存在人為操作之風(fēng)險(xiǎn)。
[0004]故針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本案設(shè)計(jì)人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn)，積極研究改良，于是有了本發(fā)明一種內(nèi)置多探針模塊及其具有該模塊的探針臺(tái)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)用于晶圓可接受性測(cè)試的探針臺(tái)在測(cè)試過(guò)程中需要進(jìn)行繁瑣的人工操作，不僅費(fèi)事費(fèi)力，降低測(cè)試效率，而且存在人為操作之風(fēng)險(xiǎn)等缺陷提供一種內(nèi)置多探針模塊。
[0006]本發(fā)明之又一目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)用于晶圓可接受性測(cè)試的探針臺(tái)在測(cè)試過(guò)程中需要進(jìn)行繁瑣的人工操作，不僅費(fèi)事費(fèi)力，降低測(cè)試效率，而且存在人為操作之風(fēng)險(xiǎn)等缺陷提供一種具有內(nèi)置多探針模塊的探針臺(tái)。
[0007]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之目的，本發(fā)明提供一種內(nèi)置多探針模塊，所述內(nèi)置多探針模塊包括:底座，所述底座上設(shè)置電氣測(cè)試用印刷電路板和焊接位；探針，所述探針活動(dòng)設(shè)置在所述底座上，并可根據(jù)所述待測(cè)試器件之結(jié)構(gòu)調(diào)整所述探針在所述底座上的位置排布。
[0008]可選地，所述內(nèi)置多探針模塊之探針橫向排布在所述底座之兩側(cè)，并分別定義為第一探針組和第二探針組，且所述第一探針組和第二探針組的探針的數(shù)量均為24。
[0009]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之又一目的，本發(fā)明提供一種具有內(nèi)置多探針模塊之探針臺(tái)，所述內(nèi)置多探針模塊設(shè)置在用于放置所述待測(cè)試器件的卡盤(pán)上方。
[0010]可選地，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要12根探針單排布置時(shí)，所述第一探針組或者所述第二探針組的12根探針便移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊的中部，凸出以供測(cè)試使用。
[0011]可選地，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要24根探針雙排布置時(shí)，所述第一探針組和所述第二探針組的各12根探針便分別移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊的中部呈雙排布置，凸出以供測(cè)試使用。
[0012]可選地，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要24根探針單排布置時(shí)，所述第一探針組和所述第二探針組的各12根探針便移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊的中部呈單排布置，凸出以供測(cè)試使用。
[0013]可選地，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要12根探針單排布置，且探針之針間距加倍時(shí)，所述第一探針組或者所述第二探針組之12根呈針間距加倍的探針便移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊的中部，凸出以供測(cè)試使用。
[0014]可選地，所述待測(cè)試器件為晶圓。
[0015]綜上所述，本發(fā)明所述探針臺(tái)可根據(jù)所述待測(cè)試器件之測(cè)試需求，調(diào)整所述內(nèi)置多探針模塊，以形成不同類(lèi)型之探針卡，避免頻繁手動(dòng)更換探針卡導(dǎo)致測(cè)試效率低下，以及人為操作之風(fēng)險(xiǎn)等缺陷。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1所示為本發(fā)明內(nèi)置多探針模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2所示為具有內(nèi)置多探針模塊的探針臺(tái)之立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3 (a)?圖3 (d)所示為根據(jù)不同待測(cè)試器件之測(cè)試需求所形成的不同探針卡類(lèi)型；
[0019]圖4 (a)?圖4 (b)所示為現(xiàn)有不同類(lèi)型之探針卡的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)成目的及功效，下面將結(jié)合實(shí)施例并配合附圖予以詳細(xì)說(shuō)明。
[0021]請(qǐng)參閱圖1、圖2,圖1所示為本發(fā)明內(nèi)置多探針模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2所示為具有內(nèi)置多探針模塊的探針臺(tái)之立體結(jié)構(gòu)示意圖。所述內(nèi)置多探針模塊I包括:底座11，所述底座11上設(shè)置電氣測(cè)試用印刷電路板(未圖示)和焊接位(未圖示);探針12，所述探針12活動(dòng)設(shè)置在所述底座11上，并可根據(jù)所述待測(cè)試器件(未圖示)之結(jié)構(gòu)調(diào)整所述探針12在所述底座11上的位置排布。所述探針臺(tái)2為具有所述內(nèi)置多探針模塊I的測(cè)試機(jī)臺(tái)，且所述內(nèi)置多探針模塊I設(shè)置在用于放置所述待測(cè)試器件(未圖示)的卡盤(pán)21上方。
[0022]作為本領(lǐng)域技術(shù)人員，容易理解地，所述底座11之電氣測(cè)試用印刷電路板和焊接位的制作可采用現(xiàn)有工藝完成。所述探針臺(tái)2讀取所述待測(cè)試器件之結(jié)構(gòu)，并確定所需探針卡類(lèi)型，進(jìn)而調(diào)整所述內(nèi)置多探針模塊1，使其內(nèi)置多探針模塊I的探針12之?dāng)?shù)量、探針12之針間距、探針12之排布方式滿足所述待測(cè)試器件的測(cè)試之需。
[0023]為更直觀的闡述本發(fā)明之技術(shù)方案，凸顯本發(fā)明之有益效果，現(xiàn)結(jié)合具體的實(shí)施方式進(jìn)行闡述，在所述【具體實(shí)施方式】中，所述內(nèi)置多探針模塊的探針數(shù)量、探針之針間距、探針之排布方式僅為列舉，不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限制。作為具體的實(shí)施例，所述待測(cè)試器件包括但不限于晶圓。非限制性的列舉，所述內(nèi)置多探針模塊I之探針12橫向排布在所述底座11之兩側(cè)，并分別定義為第一探針組12a和第二探針組12b，且所述第一探針組12a和第二探針組12b的探針12的數(shù)量均為24。
[0024]請(qǐng)參閱圖3 (a)?圖3 (d)，圖3 (a)?圖3 (d)所示為根據(jù)不同待測(cè)試器件之測(cè)試需求所形成的不同探針卡類(lèi)型。如圖3 (a)所示，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要12根探針12單排布置時(shí)，所述第一探針組12a或者所述第二探針組12b的12根探針12便移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊I的中部，凸出以供測(cè)試使用；如圖3 (b)所示，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要24根探針12雙排布置時(shí)，所述第一探針組12a和所述第二探針組12b的各12根探針12便分別移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊I的中部呈雙排布置，凸出以供測(cè)試使用；如圖3 (c)所示，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要24根探針12單排布置時(shí)，所述第一探針組12a和所述第二探針組12b的各12根探針12便移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊I的中部呈單排布置，凸出以供測(cè)試使用；如圖3 (d)所示，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要12根探針12單排布置，且探針12之針間距加倍時(shí)，所述第一探針組12a或者所述第二探針組12b之12根呈針間距加倍的探針12便移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊I的中部，凸出以供測(cè)試使用。
[0025]顯然地，本發(fā)明所述探針臺(tái)可根據(jù)所述待測(cè)試器件之測(cè)試需求，調(diào)整所述內(nèi)置多探針模塊，以形成不同類(lèi)型之探針卡，避免頻繁手動(dòng)更換探針卡導(dǎo)致測(cè)試效率低下，以及人為操作之風(fēng)險(xiǎn)等缺陷。
[0026]綜上所述，本發(fā)明所述探針臺(tái)可根據(jù)所述待測(cè)試器件之測(cè)試需求，調(diào)整所述內(nèi)置多探針模塊，以形成不同類(lèi)型之探針卡，避免頻繁手動(dòng)更換探針卡導(dǎo)致測(cè)試效率低下，以及人為操作之風(fēng)險(xiǎn)等缺陷。
[0027]本領(lǐng)域技術(shù)人員均應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權(quán)利要求書(shū)及等同物的保護(hù)范圍內(nèi)時(shí)，認(rèn)為本發(fā)明涵蓋這些修改和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種內(nèi)置多探針模塊，其特征在于，所述內(nèi)置多探針模塊包括: 底座，所述底座上設(shè)置電氣測(cè)試用印刷電路板和焊接位； 探針，所述探針活動(dòng)設(shè)置在所述底座上，并可根據(jù)所述待測(cè)試器件之結(jié)構(gòu)調(diào)整所述探針在所述底座上的位置排布。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置多探針模塊，其特征在于，所述內(nèi)置多探針模塊之探針橫向排布在所述底座之兩側(cè)，并分別定義為第一探針組和第二探針組，且所述第一探針組和第二探針組的探針的數(shù)量均為24。
3.一種具有如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置多探針模塊之探針臺(tái)，其特征在于，所述內(nèi)置多探針模塊設(shè)置在用于放置所述待測(cè)試器件的卡盤(pán)上方。
4.如權(quán)利要求3所述的探針臺(tái)，其特征在于，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要12根探針單排布置時(shí)，所述第一探針組或者所述第二探針組的12根探針便移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊的中部，凸出以供測(cè)試使用。
5.如權(quán)利要求3所述的探針臺(tái)，其特征在于，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要24根探針雙排布置時(shí)，所述第一探針組和所述第二探針組的各12根探針便分別移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊的中部呈雙排布置，凸出以供測(cè)試使用。
6.如權(quán)利要求3所述的探針臺(tái)，其特征在于，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要24根探針單排布置時(shí)，所述第一探針組和所述第二探針組的各12根探針便移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊的中部呈單排布置，凸出以供測(cè)試使用。
7.如權(quán)利要求3所述的探針臺(tái)，其特征在于，當(dāng)所述待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試需要12根探針單排布置，且探針之針間距加倍時(shí)，所述第一探針組或者所述第二探針組之12根呈針間距加倍的探針便移動(dòng)至所述內(nèi)置多探針模塊的中部，凸出以供測(cè)試使用。
8.如權(quán)利要求3?7任一權(quán)利要求所述的探針臺(tái)，其特征在于，所述待測(cè)試器件為晶圓。
【文檔編號(hào)】G01R1/073GK103760391SQ201410042508
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年1月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月29日
【發(fā)明者】李雨凡, 莫保章 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司