專利名稱：削減板級(jí)物理測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種削減板級(jí)物理測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試方法，屬于集成電路板級(jí)生產(chǎn)測(cè)試領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在線測(cè)試(Ιη-Circuit Test, ICT)被廣泛應(yīng)用于電子制造企業(yè)，它的作用主要是通過夾具，以PCB上的測(cè)試點(diǎn)為接口，對(duì)PCB上的電子元器件進(jìn)行電氣測(cè)試，以診斷電子元器件是否完好。邊界掃描測(cè)試(Boundary Scan Test)是另一種測(cè)試方法，其定義了 TAP (Test Access Port,測(cè)試訪問端口)的5個(gè)管腳TDI (Test Data Input,測(cè)試數(shù)據(jù)輸入)、 TDO(Test Data Output，測(cè)試數(shù)據(jù)輸出)、TCK(測(cè)試時(shí)鐘)、TMS (測(cè)試模式選擇)及TRST (測(cè)試復(fù)位，可選)，其中，TMS用來加載控制信息；另外，邊界掃描測(cè)試還定義了 TAP控制器所支持的幾種測(cè)試模式，主要有外測(cè)試(EXTEST)、運(yùn)行測(cè)試(RUNTEST)及內(nèi)測(cè)試(INTEST)。使用時(shí)，將多個(gè)掃描器件的掃描鏈通過它們的TAP連在一起，就能夠形成一個(gè)連續(xù)的邊界寄存器鏈，在TDI加載測(cè)試信號(hào)就可以控制和測(cè)試所有相連的管腳。邊界掃描測(cè)試的虛擬引腳能夠代替ICT夾具對(duì)器件每個(gè)管腳的物理接觸。由于傳統(tǒng)的在線測(cè)試要求每一個(gè)電路節(jié)點(diǎn)至少有一個(gè)測(cè)試點(diǎn)，隨著電路規(guī)模越來越大，所需的測(cè)試點(diǎn)越來越多，所以對(duì)應(yīng)夾具制作復(fù)雜度也越來越高，測(cè)試時(shí)間越來越長(zhǎng)， 測(cè)試成本越來越高。因此，有必要對(duì)現(xiàn)有的測(cè)試方法進(jìn)行改良，提供一種兼具效率與成本的測(cè)試方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種測(cè)試成本低、測(cè)試時(shí)間短的削減板級(jí)物理測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種削減板級(jí)物理測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試方法，其特征在于，該方法包括如下步驟
Si,提供待測(cè)電路板，所述待測(cè)電路板上安裝有若干電子元器件及對(duì)應(yīng)的若干物理測(cè)試點(diǎn)；
S2，對(duì)待測(cè)電路板上的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行篩選，以挑出若干可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)； S3，運(yùn)用在線測(cè)試對(duì)未被消減的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試，另外，輔助利用邊界掃描測(cè)試對(duì)可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件， 其中，這兩個(gè)邊界掃描器件引腳直連的網(wǎng)線上的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括相互連接的一個(gè)邊界掃描器件與一個(gè)存儲(chǔ)器器件，其中，邊界掃描器件與存儲(chǔ)器器件之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括相互連接的邊界掃描器件、存儲(chǔ)器器件、及位于邊界掃描器件與存儲(chǔ)器器件之間的一個(gè)或者多個(gè)電阻，其中，邊界掃描器件與電阻之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減，電阻與存儲(chǔ)器器件之間的物理測(cè)試點(diǎn)也可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件及位于這兩個(gè)邊界掃描器件之間的緩沖器，其中，每一個(gè)邊界掃描器件與緩沖器之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括分別通過兩個(gè)電容而相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件，其中，以差分線相連的電容與邊界掃描器件之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件， 其中，這兩個(gè)邊界掃描器件之間以差分線相連的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件及并聯(lián)電阻，其中，這兩個(gè)邊界掃描器件之間以并聯(lián)電阻相連的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件、 及位于兩個(gè)邊界掃描器件之間的中間隔上拉電阻或者中間隔下拉電阻，其中，邊界掃描器件與中間隔上拉電阻或者中間隔下拉電阻之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括相互連接的邊界掃描器件、存儲(chǔ)器器件及中間隔上拉電阻，其中，邊界掃描器件與中間隔上拉電阻之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括相互連接的邊界掃描器件與中間隔上拉電阻或者中間隔下拉電阻，其中，邊界掃描器件與中間隔上拉電阻或者中間隔下拉電阻之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括連接在一起的兩個(gè)邊界掃描器件、兩個(gè)下拉電阻及兩個(gè)電容，其中，邊界掃描器件與下拉電阻之間以差分線相連的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減，連接下拉電阻與電容之間的物理測(cè)試點(diǎn)也可以被消減。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，若干電子元器件包括連接在一起的兩個(gè)邊界掃描器件、下拉電阻及電容，其中，連接下拉電阻與電容的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過對(duì)待測(cè)電路板上部分物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化和消減， 把這部分消減的物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成，從而降低整個(gè)測(cè)試成本和時(shí)間。


圖1是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，兩個(gè)邊界掃描器件引腳直連的網(wǎng)線上的測(cè)試點(diǎn)可以被消減。圖2是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-存儲(chǔ)器器件間的測(cè)試點(diǎn)可以被消減。圖3是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-單個(gè)或多個(gè)電阻-存儲(chǔ)器器件間的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖4是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-緩沖器-邊界掃描器件間的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖5是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-電容-邊界掃描器件間(以差分線相連)的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖6是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-邊界掃描器件間(以差分線相連)的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖7是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-邊界掃描器件間(以并聯(lián)電阻相連)的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖8是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-邊界掃描器件間(中間隔上拉電阻)的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖9是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-存儲(chǔ)器器件間(中間隔上拉電阻)的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖10是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-上拉電阻的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖11是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-邊界掃描器件間(中間隔下拉電阻)的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖12是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-下拉電阻的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖13是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-邊界掃描器件間(連接下拉電阻及電容，以差分線相連)的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。圖14是本發(fā)明測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)，其中，邊界掃描器件-邊界掃描器件間(連接下拉電阻及電容)的測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。
具體實(shí)施例方式利用本發(fā)明測(cè)試方法檢測(cè)的待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有若干電子元器件，例如邊界掃描器件、存儲(chǔ)器器件、電阻及電容等，并在待測(cè)電路板上形成若干對(duì)應(yīng)該等電子元器件的物理測(cè)試點(diǎn)。這些電子元器件通過待測(cè)電路板上的導(dǎo)電路徑(參圖1至圖14中的連接線)對(duì)應(yīng)連接在一起，使電路板具有特定的功能。本發(fā)明削減板級(jí)物理測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試方法，包括如下步驟
Si,提供待測(cè)電路板，所述待測(cè)電路板上安裝有若干電子元器件及物理測(cè)試點(diǎn)； S2，對(duì)待測(cè)電路板上的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行篩選，以挑出若干可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)； S3，運(yùn)用在線測(cè)試對(duì)未被消減的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試，另外，輔助利用邊界掃描測(cè)試對(duì)可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試。請(qǐng)參圖1至圖14所示，本發(fā)明削減板級(jí)物理測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試方法中可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)用IPR表示，具體說明如下。請(qǐng)參圖1所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl 及BSD2)，其中，這兩個(gè)邊界掃描器件(BSD1、BSD》引腳直連的網(wǎng)線上的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。請(qǐng)參圖2所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有一個(gè)邊界掃描器件(BSD)及一個(gè)存儲(chǔ)器器件(MEM)，其中，邊界掃描器件(BSD)與存儲(chǔ)器器件(MEM)之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減，即，邊界掃描器件(BSD)-存儲(chǔ)器器件(MEM)間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。請(qǐng)參圖3所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有一個(gè)邊界掃描器件(BSD)、一個(gè)存儲(chǔ)器器件(MEM)、及位于邊界掃描器件(BSD)與存儲(chǔ)器器件(MEM)之間的一個(gè)或者多個(gè)電阻 (R)，其中，邊界掃描器件(BSD)與電阻(R)之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減，并且，電阻(R) 與存儲(chǔ)器器件(MEM)之間的物理測(cè)試點(diǎn)也可以被消減，即，邊界掃描器件(BSD)-單個(gè)或多個(gè)電阻(R)-存儲(chǔ)器器件(MEM)間的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。請(qǐng)參圖4所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl 及BS^)及位于這兩個(gè)邊界掃描器件(BSD1、BSD》之間的緩沖器(BUF)，其中，每一個(gè)邊界掃描器件(BSD1、BSD2)與緩沖器(BUF)之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減，即，邊界掃描器件 (BSDl)-緩沖器(BUF)-邊界掃描器件(BSD》間的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。請(qǐng)參圖5所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl 及BS^)及位于這兩個(gè)邊界掃描器件(BSD1、BSD》之間的兩個(gè)電容(分別為Cl及C2)，其中，以差分線相連的電容(C1、C2)與邊界掃描器件(BSD1、BSD2)之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減，即，以差分線相連的邊界掃描器件(BSDl)-電容(C1、C2)_邊界掃描器件(BSD2)間的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。請(qǐng)參圖6所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl 及BSD2)，其中，這兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl及BS^)之間以差分線相連的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減，即，以差分線相連的邊界掃描器件(BSDl)-邊界掃描器件(BSD2)間的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)
試來完成。請(qǐng)參圖7所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl 及BSD2)，其中，這兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl及BSD2)之間以并聯(lián)電阻(R)相連的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減，即，以并聯(lián)電阻(R)相連的邊界掃描器件(BSDl)-邊界掃描器件 (BSD2)間的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。請(qǐng)參圖8所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl 及BSD2)，其中，邊界掃描器件(BSDl)與中間隔上拉電阻(R)之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減，即，帶有中間隔上拉電阻(R)的邊界掃描器件(BSDl)-邊界掃描器件(BSD2)間的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試
來完成。請(qǐng)參圖9所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有一個(gè)邊界掃描器件(BSDl)及一個(gè)存儲(chǔ)器器件(MEM)，其中，邊界掃描器件(BSDl)與中間隔上拉電阻(R)之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減，即，帶有中間隔上拉電阻(R)的邊界掃描器件(BSDl)-存儲(chǔ)器器件(MEM)間的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。
請(qǐng)參圖10所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有一個(gè)邊界掃描器件(BSD)，其中， 邊界掃描器件(BSD)與中間隔上拉電阻(R)之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減，即，邊界掃描器件(BSD)-上拉電阻(R)間的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。請(qǐng)參圖11所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl 及BSD2)，其中，邊界掃描器件(BSDl)與中間隔下拉電阻(R)之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減，即，帶有中間隔下拉電阻(R)的邊界掃描器件(BSDl)-邊界掃描器件(BSD2)間的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試
來完成。請(qǐng)參圖12所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有一個(gè)邊界掃描器件(BSD)，其中， 邊界掃描器件(BSD)與中間隔下拉電阻(R)之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減，即，邊界掃描器件(BSD)-下拉電阻(R)間的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。請(qǐng)參圖13所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl 及BSD2)、兩個(gè)下拉電阻(R1、R2)及電容(C1、C2)，其中，邊界掃描器件(BSD1、BSD2)與下拉電阻(R1、R2)之間以差分線相連的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減，另外，連接下拉電阻(R1、R2) 及電容(C1、C2)之間的物理測(cè)試點(diǎn)也可以被消減，即，邊界掃描器件(BSDl)-邊界掃描器件 (BSD2)間，連接下拉電阻(R1、R2)與電容(C1、C2)、以及以差分線相連的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。請(qǐng)參圖14所示，待測(cè)電路板(未圖示)上安裝有兩個(gè)邊界掃描器件(分別為BSDl 及BSD2)、下拉電阻(R)及電容(C)，其中，連接下拉電阻(R)及電容(C)的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減，即，邊界掃描器件(BSDl)-邊界掃描器件(BSD2)間，連接下拉電阻(R)與電容 (C)的物理測(cè)試點(diǎn)都可以被消減。把這部分物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過在線測(cè)試對(duì)待測(cè)電路板上電子元器件進(jìn)行測(cè)試，另夕卜，對(duì)待測(cè)電路板上部分物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化和消減，把這部分消減的物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成，從而降低整個(gè)測(cè)試成本和時(shí)間。綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，不應(yīng)以此限制本發(fā)明的范圍，即凡是依本發(fā)明權(quán)利要求書及發(fā)明說明書內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種削減板級(jí)物理測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試方法，其特征在于，該方法包括如下步驟Si,提供待測(cè)電路板，所述待測(cè)電路板上安裝有若干電子元器件及對(duì)應(yīng)的若干物理測(cè)試點(diǎn)；S2，對(duì)待測(cè)電路板上的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行篩選，以挑出若干可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)；S3，運(yùn)用在線測(cè)試對(duì)未被消減的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試，另外，輔助利用邊界掃描測(cè)試對(duì)可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試。
2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件，其中，這兩個(gè)邊界掃描器件引腳直連的網(wǎng)線上的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。
3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括相互連接的一個(gè)邊界掃描器件與一個(gè)存儲(chǔ)器器件，其中，邊界掃描器件與存儲(chǔ)器器件之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。
4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括相互連接的邊界掃描器件、存儲(chǔ)器器件、及位于邊界掃描器件與存儲(chǔ)器器件之間的一個(gè)或者多個(gè)電阻，其中，邊界掃描器件與電阻之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減，電阻與存儲(chǔ)器器件之間的物理測(cè)試點(diǎn)也可以被消減。
5.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件及位于這兩個(gè)邊界掃描器件之間的緩沖器，其中，每一個(gè)邊界掃描器件與緩沖器之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減。
6.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括分別通過兩個(gè)電容而相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件，其中，以差分線相連的電容與邊界掃描器件之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。
7.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件，其中，這兩個(gè)邊界掃描器件之間以差分線相連的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。
8.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件及并聯(lián)電阻，其中，這兩個(gè)邊界掃描器件之間以并聯(lián)電阻相連的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減。
9.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括相互連接的兩個(gè)邊界掃描器件、及位于兩個(gè)邊界掃描器件之間的中間隔上拉電阻或者中間隔下拉電阻， 其中，邊界掃描器件與中間隔上拉電阻或者中間隔下拉電阻之間的物理測(cè)試點(diǎn)均可以被消減。
10.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括相互連接的邊界掃描器件、存儲(chǔ)器器件及中間隔上拉電阻，其中，邊界掃描器件與中間隔上拉電阻之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。
11.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括相互連接的邊界掃描器件與中間隔上拉電阻或者中間隔下拉電阻，其中，邊界掃描器件與中間隔上拉電阻或者中間隔下拉電阻之間的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。
12.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括連接在一起的兩個(gè)邊界掃描器件、兩個(gè)下拉電阻及兩個(gè)電容，其中，邊界掃描器件與下拉電阻之間以差分線相連的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減，連接下拉電阻與電容之間的物理測(cè)試點(diǎn)也可以被消減。
13.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于若干電子元器件包括連接在一起的兩個(gè)邊界掃描器件、下拉電阻及電容，其中，連接下拉電阻與電容的物理測(cè)試點(diǎn)可以被消減。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種削減板級(jí)物理測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試方法，包括如下步驟提供待測(cè)電路板，所述待測(cè)電路板上安裝有若干電子元器件及對(duì)應(yīng)的若干物理測(cè)試點(diǎn)；對(duì)待測(cè)電路板上的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行篩選，以挑出若干可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)；運(yùn)用在線測(cè)試機(jī)對(duì)未被消減的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試，另外，輔助利用邊界掃描測(cè)試對(duì)可以被消減的物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試。通過對(duì)待測(cè)電路板上部分物理測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化和消減，把這部分消減的物理測(cè)試點(diǎn)所能測(cè)到的電路通過成本較低的邊界掃描測(cè)試來完成，從而降低整個(gè)測(cè)試成本和時(shí)間。
文檔編號(hào)G01R31/28GK102540046SQ20101058716
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月14日
發(fā)明者趙 怡 申請(qǐng)人:蘇州工業(yè)園區(qū)譜芯科技有限公司