一體式“l(fā)”型結(jié)構(gòu)配件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于一種農(nóng)業(yè)機(jī)械配件領(lǐng)域，具體的說是一體式“L”型結(jié)構(gòu)配件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著工業(yè)的迅速發(fā)展，通用類的絕緣配件的市場需求也越來越大，質(zhì)量好、成本低的產(chǎn)品將成為市場發(fā)展的主流方向，具有較強(qiáng)的市場競爭力。研究一種結(jié)構(gòu)簡單，方便實(shí)用的電器絕緣配件是當(dāng)前研究的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單，方便實(shí)用的一體式“L”型結(jié)構(gòu)配件。
[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一體式“L”型結(jié)構(gòu)配件，其特征是:該絕緣配件為一體式“L”型結(jié)構(gòu)，絕緣配件包括本體上端和本體下端,本體下端邊緣具有均勻分布的圓孔，本體上端的高度是本體下端厚度的2?3倍；所述的圓孔的數(shù)量為Γ5個。
[0005]根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式“L”型結(jié)構(gòu)配件，其特征是:所述本體下端的厚度為4?6mm,長度為50?70mm,寬度為25?40mm。
[0006]根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式“L”型結(jié)構(gòu)配件，其特征是:所述本體下端圓孔的直徑為Γ5πιπι，圓孔內(nèi)具有內(nèi)螺紋。
[0007]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明的電器絕緣配件的結(jié)構(gòu)較為簡單，使用較為安全，成本低廉，適于規(guī)?；茝V。
【附圖說明】
[0008]下面結(jié)合附圖及實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0009]圖1是一體式“L”型結(jié)構(gòu)配件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]現(xiàn)在結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。
[0011]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明；
如圖1和2所示為一種電器絕緣配件，該絕緣配件為一體式“L”型結(jié)構(gòu)，絕緣配件包括本體上端I和本體下端2，本體下端2邊緣具有均勻分布的圓孔3，本體上端I的高度是本體下端2厚度的2倍；所述的圓孔3的數(shù)量為5個。
[0012]所述本體下端2的厚度為6mm,長度為50mm,寬度為25mm;本體下端2圓孔的直徑為4mm，圓孔3內(nèi)具有內(nèi)螺紋。
[0013]當(dāng)然，上述說明并非是對本發(fā)明的限制，本發(fā)明也并不僅限于上述舉例。
[0014]本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換，也應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一體式“L”型結(jié)構(gòu)配件，其特征是:該絕緣配件為一體式“L”型結(jié)構(gòu)， 絕緣配件包括本體上端和本體下端，本體下端邊緣具有均勻分布的圓孔，本體上端的高度是本體下端厚度的2?3倍；所述的圓孔的數(shù)量為Γ5個。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式“L”型結(jié)構(gòu)配件，其特征是:所述本體下端的厚度為4?6mm,長度為50?70mm,寬度為25?40mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式“L”型結(jié)構(gòu)配件，其特征是:所述本體下端圓孔的直徑為Γ5πιπι，圓孔內(nèi)具有內(nèi)螺紋。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一體式“L”型結(jié)構(gòu)配件，其特征在于：絕緣配件包括本體上端和本體下端，本體下端邊緣具有均勻分布的圓孔，本體上端的高度是本體下端厚度的2-3倍;所述的圓孔的數(shù)量為4-5個。本發(fā)明的電器絕緣配件的結(jié)構(gòu)較為簡單，使用較為安全，成本低廉，適于規(guī)?；茝V。
【IPC分類】F16S3-00
【公開號】CN104728591
【申請?zhí)枴緾N201310696454
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】王建平
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2013年12月18日