本發(fā)明實施例涉及油氣勘探中的測井?dāng)?shù)據(jù)處理領(lǐng)域，尤其涉及一種三探頭密度測井的圍巖校正方法及裝置。

背景技術(shù)：

對三個探頭都在正源距范圍內(nèi)的密度測井儀器，可以利用類似于傳統(tǒng)的雙探頭密度測井的“脊-肋圖”方法來獲取地層的密度值，式(1)是雙探頭密度測井的補償公式。

式中，N₁、N₂分別為長、中、短三個探頭中任意兩個探頭的計數(shù)率，且N₁對應(yīng)的探頭源距比N₂對應(yīng)的探頭源距大；A₁、A₂、B₁、K和B₂為刻度系數(shù)。

式(1)可以簡單表示為

ρ_b＝ρ₁+Δρ (2)

其中，Δρ＝a(ρ₁-ρ₂)，a是與儀器有關(guān)的常數(shù)。

這種泥餅影響及泥餅補償方法前提條件是地層的目的層均勻、厚度無限大，沒有鄰近地層對測量結(jié)果的影響。當(dāng)泥餅為輕泥餅時，泥餅密度小于地層密度，長源距探頭探測深度深，受泥餅的影響比短源距小，長源距探頭測量得到的地層密度值大于短源距得到的地層密度值，于是式(2)中Δρ>0，此時，長、中、短探頭分別得到的密度值為ρ_L、ρ_M、ρ_S，關(guān)系是ρ_L>ρ_M>ρ_S。反之，當(dāng)泥餅為重泥餅時，式(2)中Δρ<0，三個探頭密度值關(guān)系為ρ_L<ρ_M<ρ_S。

但是，當(dāng)目的層厚度較小時，圍巖地層將對測量結(jié)果產(chǎn)生影響，在一定厚度范圍內(nèi)，三個探頭計數(shù)率將出現(xiàn)較大變化，求取的地層密度相應(yīng)也會發(fā)生變化。當(dāng)泥餅為輕泥餅時，ρ_L>ρ_M>ρ_S的條件以及當(dāng)泥餅為重泥餅時，ρ_L<ρ_M<ρ_S的條件都有可能不復(fù)存在，如果繼續(xù)利用式(1)進行補償求取地層密度，就會出現(xiàn)“過度”補償，使得測量值偏離地層真值更遠。這就需要對圍巖的影響進行校正。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提出一種三探頭密度測井的圍巖校正方法及裝置。該方法包括：分析無泥餅和有泥餅條件下圍巖對長、中、短三探測器密度的影響規(guī)律；根據(jù)密度測井儀器三探頭測量的密度值大小，選擇相對應(yīng)情況下的圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正；由三個校正后的密度值得到儀器對地層測量密度值；本發(fā)明可以在不同的圍巖厚度和有無泥餅的條件下校正圍巖對地層密度測井的影響，從而得到更準確的地層密度測井值。

為達到此目的，本發(fā)明實施例采用以下技術(shù)方案：

第一方面，一種三探頭密度測井的圍巖校正方法，所述方法包括：

分析無泥餅和有泥餅條件下圍巖對長、中、短三探測器密度的影響規(guī)律；

根據(jù)密度測井儀器三探頭測量的密度值大小，選擇相對應(yīng)情況下的圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正；

由三個校正后的密度值得到儀器對地層測量密度值。

優(yōu)選的，所述分析無泥餅和有泥餅條件下圍巖對長、中、短三探測器密度的影響規(guī)律，包括：

無泥餅、圍巖密度小于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度小于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度小于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

無泥餅、圍巖密度大于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度大于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度大于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響。

優(yōu)選的，根據(jù)密度測井儀器三探頭測量的密度值大小，選擇相對應(yīng)情況下的圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正，包括：

獲取無泥餅情況下的圍巖校正公式；

獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式；

利用獲取圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正。

優(yōu)選的，獲取無泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L＝ρ_M＝ρ_S時：

三探頭密度值均不需要圍巖校正，地層密度值可以是三個探頭任意一個探頭密度值，也可以是三個探頭兩兩補償密度值或三個探頭密度平均值；其中ρ_L、ρ_M、ρ_S分別為長、中、短探頭按一般密度測井公式求取的密度值；

當(dāng)ρ_L<ρ_M<ρ_S時：

中、長探測器的圍巖校正公式為：

ρ_b1＝ρ_ML+a₁Δρ_ML

其中，ρ_b1是中、長探測器經(jīng)過圍巖校正后的密度值；ρ_ML為利用中探測器和長探測器進行補償密度測量得到的密度值；Δρ_ML為利用中、長源距測量的密度值之差，即Δρ_ML＝ρ_M-ρ_L；系數(shù)a₁可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、中探測器的圍巖校正公式為：

ρ_b2＝ρ_SM+a₂Δρ_SM

其中，ρ_b1是段、中探測器經(jīng)過圍巖校正后的密度值；ρ_SM為利用短探測器和中探測器進行補償密度測量得到的密度值；Δρ_SM為利用短、中源距測量的密度值之差，即Δρ_SM＝ρ_S-ρ_M；系數(shù)a₂可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、長探測器的圍巖校正公式為：

ρ_b3＝ρ_SL+a₃Δρ_SL

其中，ρ_b3是段、中探測器經(jīng)過圍巖校正后的密度值；ρ_SL為利用短探測器和中探測器進行補償密度測量得到的密度值；Δρ_SL為利用短、中源距測量的密度值之差，即Δρ_SL＝ρ_S-ρ_L；系數(shù)a₃可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

最終地層密度值可以是ρ_b1、ρ_b2、ρ_b3中的一個，也可以是三者中的平均值。

優(yōu)選的，獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時,目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域I內(nèi)，只用傳統(tǒng)的密度補償方法就可以得到地層密度，無需做圍巖校正；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時,目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域II內(nèi)，采用中、長探測器的圍巖校正公式；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時，目的層厚度大于短探頭源距而小于中探頭源距的區(qū)域III內(nèi)，采用短、中探測器的圍巖校正公式或者短長探測器的圍巖校正公式；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時，地層厚度在小于短探頭源距的區(qū)域IV區(qū)域，可采用中、長探測器的圍巖校正公式，短、長探測器的圍巖校正公式以及短、中探測器的圍巖校正公式的任意一種。

第二方面，一種三探頭密度測井的圍巖校正裝置，其特征在于，所述裝置包括：

圍巖影響規(guī)律分析模塊，用于分析無泥餅和有泥餅條件下圍巖對長、中、短三探測器密度的影響規(guī)律；

圍巖校正模塊，用于根據(jù)密度測井儀器三探頭測量的密度值大小，選擇相對應(yīng)情況下的圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正；

地層密度獲取模塊，用于由三個校正后的密度值得到儀器對地層測量密度值；

優(yōu)選的，所述圍巖影響因素分析模塊具體用于：

無泥餅、圍巖密度小于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度小于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度小于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

無泥餅、圍巖密度大于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度大于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度大于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響。

優(yōu)選的，所述圍巖校正模塊具體用于：

獲取無泥餅情況下的圍巖校正公式；

獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式；

利用獲取圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正。

優(yōu)選的，獲取無泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L＝ρ_M＝ρ_S時：

三探頭密度值均不需要圍巖校正，地層密度值可以是三個探頭任意一個探頭密度值，也可以是三個探頭兩兩補償密度值或三個探頭密度平均值；其中ρ_L、ρ_M、ρ_S分別為長、中、短探頭按一般密度測井公式求取的密度值；

當(dāng)ρ_L<ρ_M<ρ_S時：

中、長探測器的圍巖校正公式為：

ρ_b1＝ρ_ML+a₁Δρ_ML

其中，ρ_b1是中、長探測器經(jīng)過圍巖校正后的密度值；ρ_ML為利用中探測器和長探測器進行補償密度測量得到的密度值；Δρ_ML為利用中、長源距測量的密度值之差，即Δρ_ML＝ρ_M-ρ_L；系數(shù)a₁可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、中探測器的圍巖校正公式為：

ρ_b2＝ρ_SM+a₂Δρ_SM

其中，ρ_b1是段、中探測器經(jīng)過圍巖校正后的密度值；ρ_SM為利用短探測器和中探測器進行補償密度測量得到的密度值；Δρ_SM為利用短、中源距測量的密度值之差，即Δρ_SM＝ρ_S-ρ_M；系數(shù)a₂可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、長探測器的圍巖校正公式為：

ρ_b3＝ρ_SL+a₃Δρ_SL

其中，ρ_b3是段、中探測器經(jīng)過圍巖校正后的密度值；ρ_SL為利用短探測器和中探測器進行補償密度測量得到的密度值；Δρ_SL為利用短、中源距測量的密度值之差，即Δρ_SL＝ρ_S-ρ_L；系數(shù)a₃可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

最終地層密度值可以是ρ_b1、ρ_b2、ρ_b3中的一個，也可以是三者中的平均值。

優(yōu)選的，獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時,目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域I內(nèi)，只用傳統(tǒng)的密度補償方法就可以得到地層密度，無需做圍巖校正；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時,目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域II內(nèi)，采用中、長探測器的圍巖校正公式；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時，目的層厚度大于短探頭源距而小于中探頭源距的區(qū)域III內(nèi)，采用短、中探測器的圍巖校正公式或者短長探測器的圍巖校正公式；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時，地層厚度在小于短探頭源距的區(qū)域IV區(qū)域，可采用中、長探測器的圍巖校正公式，短、長探測器的圍巖校正公式以及短、中探測器的圍巖校正公式的任意一種。

本發(fā)明實施例提供的三探頭密度測井的圍巖校正方法及裝置，通過分析無泥餅和有泥餅條件下圍巖對長、中、短三探測器密度的影響規(guī)律，根據(jù)密度測井儀器三探頭測量的密度值大小，選擇相對應(yīng)情況下的圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正，以及由三個校正后的密度值得到儀器對地層測量密度值，在不同的圍巖厚度和有無泥餅的條件下校正圍巖對地層密度測井的影響，從而得到更準確的地層密度測井值。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：

圖1是本發(fā)明實施例一種三探頭密度測井的圍巖校正方法的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種三探頭密度測井圍巖影響的模型示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的無泥餅時圍巖對長、中、短三個探頭密度值的影響；

圖4是是本發(fā)明實施例提供的重泥餅對長、中、短三個探頭密度值的影響；

圖5A是本發(fā)明實施例提供的實際互層井A的圍巖校正成果圖；

圖5B是本發(fā)明實施例提供的實際互層井B的圍巖矯正成果圖；

圖6是本發(fā)明實施例提供的一種三探頭密度測井的圍巖校正方法的裝置的功能模塊示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明實施例作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明實施例，而非對本發(fā)明實施例的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

參考圖1，圖1是本發(fā)明實施例一種三探頭密度測井的圍巖校正方法的流程示意圖；。

如圖1所示，所述三探頭密度測井的圍巖校正方法包括：

步驟101，分析圍巖對長、中、短三探測器密度的影響規(guī)律。

三探頭密度測井圍巖影響的裝置示意圖如圖2所示。圖2中，三探頭密度測井儀器緊貼井壁；目的層的密度高于圍巖密度，上、下圍巖密度可相同也可不同；井壁在目的層處可能有泥餅也可能無泥餅，如果有輕泥餅，設(shè)泥餅的密度低于目的層和圍巖的密度；如果有重泥餅，設(shè)泥餅的密度大于地層和圍巖的密度。

在本例中，長、中、短三個探測器的源距分別為11cm、21cm和39cm。得到的無泥餅和輕泥餅時圍巖對三個探測器密度的影響分別如圖3和圖4所示。由于圖3和圖4的縱坐標(biāo)是歸一化密度值，因此，獲取圖3和圖4可以用實際儀器在模型井中測量得到，也可以根據(jù)實際儀器，由數(shù)值模擬計算得到。

步驟102，根據(jù)密度測井儀器三探頭測量的密度值大小，選擇相對應(yīng)情況下的圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正，包括：

獲取無泥餅情況下的圍巖校正公式；

獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式；

利用獲取圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正；

優(yōu)選地，獲取無泥餅情況下的圍巖校正公式為：

圖3顯示了沒有泥餅時，三種圍巖情況下，長、中、短源距密度變化值均隨著地層厚度的增加而增加；當(dāng)目的層厚度大于相應(yīng)探頭源距時，其密度不再變化，處于一恒定值，該恒定值就是真實地層密度值。

從圖3看，當(dāng)目的層厚度較大，大于長探頭源距大小以后，也就地層厚度大于儀器的縱向分辨率，三個探頭密度值都不受圍巖影響，于是出現(xiàn)

ρ_b＝ρ_L＝ρ_M＝ρ_S (3)

這種情況下，不需要做圍巖校正，地層密度值很容易求得，可以是三個探頭任意一個探頭求取的密度值，也可以是兩兩補償密度值或三個探頭密度的平均值。

當(dāng)目的層厚度小于長探頭源距時，由于長探頭縱向分辨率差，受圍巖影響最大，短源距探頭縱向分辨率高，受圍巖影響最小，于是出現(xiàn)

ρ_L<ρ_M<ρ_S (4)

這種情況下，若按傳統(tǒng)的密度補償公式(1)，就會出現(xiàn)Δρ<0，補償?shù)慕Y(jié)果只能使薄層的視密度值離地層真實密度值相差更遠，單純的泥餅補償不能準確求取地層密度，這時就需要進行圍巖影響校正，可以按下式進行圍巖影響校正，校正值為

Δρ_ML＝ρ_M-ρ_L (5)

Δρ_SM＝ρ_S-ρ_M (6)

Δρ_SL＝ρ_S-ρ_L (7)

地層密度值分別為

ρ_b1＝ρ_ML+a₁Δρ_ML (8)

ρ_b2＝ρ_SM+a₂Δρ_SM (9)

ρ_b3＝ρ_SL+a₃Δρ_SL (10)

式中系數(shù)a₁、a₂、a₃可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到，ρ_ML、ρ_SM、ρ_SL分別為長和中、中和短、長和短探頭兩兩采用式(1)得到的密度值。最終的地層密度值可以是ρ_b1、ρ_b2、ρ_b3的三個密度值中的任意一個，也可以是這三個密度值的平均值。

優(yōu)選地，所述獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式為：

圖4顯示了有輕泥餅時，三種圍巖情況下，ρ_L，ρ_M，ρ_S隨目的層厚度的變化情況?？梢?，在一定的目的層厚度范圍內(nèi)，ρ_L，ρ_M，ρ_S均隨著地層厚度的增加而逐漸增加；當(dāng)目的層厚度超過一定的數(shù)值后，三個密度值均不在隨地層厚度而變化。由于受圍巖和泥餅的影響程度不同，三個探頭得到的地層密度值隨著地層厚度的曲線將出現(xiàn)三個交點，由此可將它們之間的相互關(guān)系分為I、II、III和IV四個區(qū)域。

(1)當(dāng)目的層厚度較大，在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在I區(qū)域內(nèi)，中、短探頭均只受泥餅的影響，不受圍巖影響，短探頭受泥餅影響最大；長探頭既受泥餅影響又受圍巖影響，但此時，長探頭受泥餅影響最小，同時受圍巖影響很小，所以出現(xiàn)ρ_L>ρ_M>ρ_S，這滿足泥餅補償公式(1)的條件，只用傳統(tǒng)的密度補償方法就可以得到地層密度，無需做圍巖校正。

(2)在地層厚度大于中探頭源距一定范圍內(nèi)即在II區(qū)域，長探頭受泥餅和圍巖的雙重影響，雖然在三個探頭中，長探頭受泥餅影響最小，但同時受一定程度圍巖影響；而中探頭和短探頭只受泥餅影響，其中中探頭受泥餅影響較短探頭小。于是出現(xiàn)ρ_L<ρ_M>ρ_S或ρ_M>ρ_L＞ρ_S。此時，中探頭對長探頭進行補償時，Δρ<0，這就需要做圍巖校正，可按式(5)和式(8)進行校正。

(3)在地層厚度大于短探頭源距而小于中探頭源距區(qū)域即在III區(qū)域，長、中探頭均受泥餅和圍巖的雙重影響，而短探頭只受泥餅的影響，于是出現(xiàn)ρ_L<ρ_S<ρ_M，此時，短探頭對長探頭或中探頭對長探頭進行密度補償時，Δρ<0，需要做圍巖校正?？砂词?6)、式(7)、式(9)和式(10)進行校正。

(4)在地層厚度小于短探頭源距的區(qū)域也即IV區(qū)域，長、中、短探頭均受圍巖和泥餅雙重影響，但長探頭受泥餅影響最小，而短探頭受泥餅影響最大。這時有ρ_L<ρ_M<ρ_S，這時可以按上面方法進行校正。但由于地層太薄，測量結(jié)果已嚴重失真，做圍巖校正已沒有意義。

步驟103，由三個校正后的密度值得到儀器對地層測量密度值；

利用上述圍巖校正方法對兩口砂泥巖互層井A和B的三探頭密度測井曲線進行了處理，結(jié)果如圖5A及圖5B所示。圖中DEN和DENC分別是圍巖校正前和校正后的密度值。處理結(jié)果表明，圍巖校正前后的密度值在多個層段出現(xiàn)差別，甚至較大差別，實驗的結(jié)果表明，圍巖校正后的密度值更接近真實地層密度值，因此上述圍巖校正方法是有效的。

參考圖6，圖6是本發(fā)明實施例提供的一種三探頭密度測井的圍巖校正裝置的功能模塊示意圖。

如圖6所示，所述裝置包括：

圍巖影響規(guī)律分析模塊601，用于分析無泥餅和有泥餅條件下圍巖對長、中、短三探測器密度的影響規(guī)律；

圍巖校正模塊602，用于根據(jù)密度測井儀器三探頭測量的密度值大小，選擇相對應(yīng)情況下的圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正；

地層密度獲取模塊603，用于由三個校正后的密度值得到儀器對地層測量密度值；

優(yōu)選地，所述圍巖影響規(guī)律分析模塊601，其具體用于：

無泥餅、圍巖密度小于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度小于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度小于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

無泥餅、圍巖密度大于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度大于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度大于目的層密度時，圍巖對長、中、短三探測器密度的影響；

優(yōu)選地，所述圍巖校正模塊602，其具體用于：

獲取無泥餅情況下的圍巖校正公式；

獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式；

利用獲取圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正；

優(yōu)選地，所述獲取無泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L＝ρ_M＝ρ_S時(其中ρ_L、ρ_M、ρ_S分別為長、中、短探頭按一般密度測井公式求取的密度值)：

三探頭密度值均不需要圍巖校正，地層密度值可以是三個探頭任意一個探頭密度值，也可以是三個探頭兩兩補償密度值或三個探頭密度平均值。

當(dāng)ρ_L<ρ_M<ρ_S時：

中、長探測器的圍巖校正公式為：

ρ_b1＝ρ_ML+a₁Δρ_ML

其中，ρ_b1是中、長探測器經(jīng)過圍巖校正后的密度值；ρ_ML為利用中探測器和長探測器進行補償密度測量公式(1)得到的密度值；Δρ_ML為利用中、長源距測量的密度值之差，即Δρ_ML＝ρ_M-ρ_L；系數(shù)a₁可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、中探測器的圍巖校正公式為：

ρ_b2＝ρ_SM+a₂Δρ_SM

其中，ρ_b1是段、中探測器經(jīng)過圍巖校正后的密度值；ρ_SM為利用短探測器和中探測器進行補償密度測量公式(1)得到的密度值；Δρ_SM為利用短、中源距測量的密度值之差，即Δρ_SM＝ρ_S-ρ_M；系數(shù)a₂可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、長探測器的圍巖校正公式為：

ρ_b3＝ρ_SL+a₃Δρ_SL

其中，ρ_b3是段、中探測器經(jīng)過圍巖校正后的密度值；ρ_SL為利用短探測器和中探測器進行補償密度測量公式(1)得到的密度值；Δρ_SL為利用短、中源距測量的密度值之差，即Δρ_SL＝ρ_S-ρ_L；系數(shù)a₃可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

最終地層密度值可以是ρ_b1、ρ_b2、ρ_b3中的一個，也可以是三者中的平均值。

優(yōu)選地，所述獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時,目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域I內(nèi)，只用傳統(tǒng)的密度補償方法就可以得到地層密度，無需做圍巖校正。

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時,目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域II內(nèi)，采用中、長探測器的圍巖校正公式。

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時，目的層厚度大于短探頭源距而小于中探頭源距的區(qū)域III內(nèi)，采用短、中探測器的圍巖校正公式或者短長探測器的圍巖校正公式。

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時，地層厚度在小于短探頭源距的區(qū)域IV區(qū)域，可采用中、長探測器的圍巖校正公式，短、長探測器的圍巖校正公式以及短、中探測器的圍巖校正公式的任意一種。但由于地層太薄，測量結(jié)果已嚴重失真，做圍巖校正已沒有意義。

本發(fā)明提供了一種三探頭密度測井的圍巖校正方法及裝置。該方法包括：分析無泥餅和有泥餅條件下圍巖對長、中、短三探測器密度的影響規(guī)律；根據(jù)密度測井儀器三探頭測量的密度值大小，選擇相對應(yīng)情況下的圍巖校正公式對測量的三個密度值分別進行圍巖校正；由三個校正后的密度值得到儀器對地層測量密度值；本發(fā)明可以在不同的圍巖厚度和有無泥餅的條件下校正圍巖對地層密度測井的影響，從而得到更準確的地層密度測井值。

以上結(jié)合具體實施例描述了本發(fā)明實施例的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本發(fā)明實施例的原理，而不能以任何方式解釋為對本發(fā)明實施例保護范圍的限制。基于此處的解釋，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本發(fā)明實施例的其它具體實施方式，這些方式都將落入本發(fā)明實施例的保護范圍之內(nèi)。