專利名稱：：低壓陽極腐蝕箔Clˉ的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種低壓陽極腐蝕箔cr的清洗方法，特別涉及一種利用電滲析原理清洗高比容腐蝕箔表面的cr的方法。技術(shù)背景低壓電子鋁箔是高純鋁箔經(jīng)過鹽酸(HC1)環(huán)境下電化學腐蝕，帶有腐蝕空洞的表面殘留許多(T。要將表面Cr清洗到小于1.0mg/m2，傳統(tǒng)的工藝方法是用高濃度的硝酸或硫酸來進行。此方法是用Ncv或sof來取代鋁箔表面cr的位置而將其除去；另根據(jù)報道，除去鋁箔表面cr也有用環(huán)氧丙垸進行清洗，反應式為環(huán)氧丙烷+鹽酸=2-氯丙醇(主要產(chǎn)物)以上清洗方法是采用化學方法，對低比容的腐蝕鋁箔清洗能有明顯的效果。隨著技術(shù)進步，低壓腐蝕箔的比容越來越高，隨著腐蝕鋁箔比容的提高，傳統(tǒng)的cr清洗方法難以達到低于1.0mg/m2的要求，傳統(tǒng)的清洗方法出現(xiàn)了清洗效果不佳和比容損失的現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種低壓高比容腐蝕箔表面cr的清洗方法，該方法利用電滲析的方法清洗鋁箔，既能有效地清洗干凈cr，又保證比容不損失。本發(fā)明的技術(shù)方案如下為解決高比容腐蝕鋁箔表面清洗cr的問題采用電滲析原理，利用電場的作用對cr產(chǎn)生牽引力和其它綜合作用而脫離鋁箔表面；另外電場也可以使其它離子進攻箔面以取代箔面cr的位置，使cr更好地脫離箔面，最終達到清洗箔面的清洗效果。利用電滲析工藝選取合適的電極板、電源方式、導電液體來完成。具體要求如下1.電極板在此清洗方式中，電極板一直處于陽極，而腐蝕鋁箔處于陰極，所以要求電極板必須能承受陽極腐蝕的材料。選用石墨電極板或涂布氧化層的鈦電極板比較理想，使用方法如附圖i所示。電極板在液面下部分要均勻分布一些穿孔，便于液體流動，保證鋁箔的整個橫向幅面都得到清洗。電極板與鋁箔之間的距離L值要適當，L550mm時，液體的流動性差，影響清洗效果；L2l50mm時，鋁箔表面的電壓值變小，也會影響效果。2.電源方式按照電滲析的原理，所用電源為直流電源，清洗過程中，連續(xù)施加直流電源很快就會造成濃差極化，最終達不到清洗效果。為了解決濃度差產(chǎn)生極化的問題，清洗用電源為方波直流電流，方波的空置時間選取1~4秒，空置時間小于l秒，不利于去極化效果；空置時間大于4秒，會影響電滲析的作用時間，也影響到清洗效果。3.溶液作為清洗的液體，是選用不對腐蝕箔產(chǎn)生負作用的溶液，用去離子水配制，該液可選用硝酸鋁、硫酸鋁或?qū)挠袡C鹽，這些溶質(zhì)的溶解度大，不產(chǎn)生結(jié)晶物。溶液的電導率在0.2~2.5ms.cm之間。4.工藝參數(shù)此方法電滲析清洗效果溫度在4(TC以下都可以，溫度高于4(TC時，有損失比容的危險；溫度太低，會增加設(shè)備的投入成本，選取104(TC較好。作用時間選取在26分鐘較好，低于2分鐘，會影響清洗的徹底性；高于6分鐘，就有可能對腐蝕鋁箔的比容產(chǎn)生影響。5.施加電壓此方法應用過程中，所加的電壓應該是越高越好，當所加的電壓有效值小于40V時，對Cr的清洗效果不穩(wěn)定，選取在70110V比較合理。當所加電壓有效值大于110V時，會增加設(shè)備的投入，而且使用時安全性難以保證。本發(fā)明具有既能夠有效地清洗干凈，又能有效的保護鋁箔的比容不損失，實施簡單，成本低廉的優(yōu)點。圖1為使用方法圖。具體實施方式以下通過具體實施方式以及與傳統(tǒng)方法的比較對本發(fā)明作進一步地詳述，實施例只用來說明本發(fā)明，并不能限制本發(fā)明的范圍。實施例實施方法對比對低壓鋁箔表面Cr的檢測采用比濁法，配制標準的0.3、0.5、0.8、1.0、2.0、3.0、4.0、5.0、8.0mg/l的標準液作對比來判斷，實施本發(fā)明的方法與傳統(tǒng)的硝酸、硫酸清洗法和環(huán)氧丙垸化學清洗法作對比，低壓腐蝕鋁箔經(jīng)去離子水沖洗后作空白樣品，分別選取比容在5(HxF/cm2和75pF/cn^左右的產(chǎn)品。實踐例方法為溶液是硝酸鋁水溶液，調(diào)整電導率，溫度為32。C，輸出電壓為75V，占空比為2:1，空置時間為2秒，作用時間2分鐘40秒，鋁箔與電極板間距L為65mm。<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>表2腐蝕鋁箔75pF/cmS左右的清洗效果<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>權(quán)利要求1.一種低壓陽極腐蝕箔Cl-的清洗方法，其特征在于該方法采用電滲析方法，利用合適的電極板、電源輸出形式、導電液體的工藝控制達到清洗高比容鋁箔Cl-的效果。2.根據(jù)權(quán)利要求i所述的低壓陽極腐蝕箔cr的清洗方法，其特征在于所述的電滲析方法對腐蝕箔進行清洗，是利用電場的作用對cr產(chǎn)生牽引力和其它綜合作用而使cr脫離鋁箔表面；另外電場也可以使其它離子進攻箔面以取代箔面cr的位置，使cr更好地脫離箔面，最終達到清洗箔面的效果。3.根據(jù)權(quán)利要求i所述的低壓陽極腐蝕箔cr的清洗方法，其特征在于電滲析方法的電極板、電源輸出形式及電導液體等參數(shù)采用多樣參數(shù)多樣電極板，多樣加電的方式，寬的電壓范圍，多樣電流方式，寬的溫度范圍，多樣清洗溶液，寬的電導率范圍，以及其它優(yōu)良工藝在此裝置中裝上離子交換膜，利于Cl—分離；加入攪拌裝置更有利于Cl—脫離箔面；加入超聲波清洗裝置等。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低壓陽極腐蝕箔cr的清洗方法，其特征在于所述的電極板要用石墨板或涂氧化物的鈦板等材料。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低壓陽極腐蝕箔C—的清洗方法，其特征在于所述的電源輸出形式采用直流方波，周期變化可調(diào)，空置時間保證在l秒鐘以上。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低壓陽極腐蝕箔Cl—的清洗方法，其特征在于所述的導電液體使用不影響鋁箔性能及不產(chǎn)生鋁化合結(jié)晶物的硫酸鋁、硝酸鋁或有機硫酸鹽、有機硝酸鹽等溶質(zhì)，其導電率控制在0.2-2.5ms.cm。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低壓陽極腐蝕箔cr的清洗方法，其特征在于所述的導電液體的溫度在10-40。C之間。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低壓陽極腐蝕箔cr的清洗方法，其特征在于所述的電壓有效值為70110V。全文摘要本發(fā)明涉及一種低壓陽極腐蝕箔Cl^-的清洗方法，本方法采用電滲析方法并選擇合適的電極板、電源輸出形式、導電液體及一定的工藝控制對腐蝕箔進行清洗，利用電場的作用對Cl^-產(chǎn)生牽引力和其它綜合作用而使Cl^-脫離鋁箔表面，另外電場也可以使其它離子進攻箔面以取代箔面Cl^-的位置，使Cl^-更好地脫離箔面，最終達到清洗箔面的效果，本方法的優(yōu)點是既能有效地清洗干凈Cl^-，又能保證比容不損失，而且實施簡單，成本低廉。文檔編號C25F7/00GK101403135SQ20081021869公開日2009年4月8日申請日期2008年10月28日優(yōu)先權(quán)日2008年10月28日發(fā)明者嵐孫,洪張,王文寶,程永剛,譚惠忠,錢國慶申請人:肇慶華鋒電子鋁箔股份有限公司