雜質(zhì)過濾裝置和裝有該裝置的半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種過濾裝置，特別涉及一種雜質(zhì)過濾裝置和裝有該裝置的半導(dǎo)體設(shè)備，屬于過濾設(shè)備領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體工藝由許多單個工藝組成，其中包括可產(chǎn)生雜質(zhì)的干蝕刻工藝，干蝕刻工藝進(jìn)行時，由于部分氣體不能完全反應(yīng)，通常會將未反應(yīng)的氣體會通過干泵進(jìn)入到工藝氣體處理器內(nèi)，并在工藝氣體處理器內(nèi)完成凈化的過程。
[0003]如圖1所示，干蝕刻工藝中未反應(yīng)的氣體和蝕刻過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)通過排氣管3進(jìn)入到干泵6中，在此過程中未反應(yīng)的氣體受到溫度的影響會形成更多的塊狀雜質(zhì)6A進(jìn)入到干泵6中，當(dāng)大量的雜質(zhì)進(jìn)入到干泵6內(nèi)，使干泵6瞬間的超負(fù)荷運(yùn)行導(dǎo)致干泵6的電流值上升，引起干泵6的驅(qū)動停止運(yùn)行，還會對設(shè)備和工藝中的晶片造成嚴(yán)重?fù)p壞；此外，由于安裝在干泵6內(nèi)部的轉(zhuǎn)子和定子之間夾雜有雜質(zhì)，會使干泵6內(nèi)的轉(zhuǎn)子無法旋轉(zhuǎn)，導(dǎo)致工藝腔體I由真空狀態(tài)轉(zhuǎn)變成大氣壓狀態(tài)，由于受到氣壓回流的影響，不僅腔體內(nèi)部晶片會受到污染，還會對晶片造成損壞，嚴(yán)重影響工藝效率及質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實用新型提供一種雜質(zhì)過濾裝置和裝有該裝置的半導(dǎo)體設(shè)備，可有效阻止雜質(zhì)進(jìn)入到干泵內(nèi)，避免晶片受污染、損壞及設(shè)備運(yùn)行率降低的問題，同時能防止干泵突發(fā)性終止運(yùn)行及設(shè)備損壞。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的一種雜質(zhì)過濾裝置，包括可安裝在排氣管上的存儲箱，存儲箱的兩端分別設(shè)有用于聯(lián)通排氣管的進(jìn)入口、排出口 ；
[0006]所述的存儲箱內(nèi)靠近進(jìn)入口的一端設(shè)有沿側(cè)壁由上而下傾斜延長的隔板I，靠近排出口的一端設(shè)有由下而上傾斜延長的隔板II，隔板I與隔板II配合便于氣流在存儲箱內(nèi)部流通循環(huán)；
[0007]所述的存儲箱外側(cè)靠近排出口的一端設(shè)有若干用于排出雜質(zhì)的清理口，清理口采用可拆卸的方式安裝在存儲箱上；
[0008]排氣管內(nèi)的氣流從進(jìn)入口流入雜質(zhì)過濾裝置內(nèi)，依次流經(jīng)隔板1、隔板II后，從排出口流出，氣流流動過程中，雜質(zhì)沉積在存儲箱底部，經(jīng)清理口排出。
[0009]作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，清理口為兩個，分別設(shè)置在隔板1、隔板II的末端下側(cè)，便于流經(jīng)隔板后沉積的雜質(zhì)從清理口排出。
[0010]作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，清理口采用螺紋連接安裝在存儲箱上。
[0011]本實用新型還提供了一種裝有上述雜質(zhì)過濾裝置的半導(dǎo)體設(shè)備，包括工藝腔體、安裝在工藝腔體上的壓力控制器，壓力控制器的一端通過排氣管依次連接有分子泵、干泵，所述的分子泵兩側(cè)的排氣管上分別裝有用于控制氣流速度的主閥門，分子泵與干泵間的排氣管上裝有控制該段排氣管開閉的貫通閥；
[0012]所述的分子泵與干泵間的排氣管上外接有若干雜質(zhì)過濾裝置，每個過濾裝置的兩端分別裝有控制氣流進(jìn)出過濾裝置的關(guān)閉閥；
[0013]當(dāng)關(guān)閉分子泵與干泵間排氣管上的貫通閥，打開雜質(zhì)過濾裝置上的關(guān)閉閥時，氣流經(jīng)雜質(zhì)過濾裝置的過濾除雜后流入干泵內(nèi)。
[0014]作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，分子泵與干泵間的排氣管上外接有兩個雜質(zhì)過濾
目.ο
[0015]與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體設(shè)備相比，本實用新型的有益效果是:通過在半導(dǎo)體設(shè)備中加裝雜質(zhì)過濾裝置，并通過貫通閥與關(guān)閉閥的配合使用，使從分子泵內(nèi)流出的未反應(yīng)氣體和產(chǎn)物雜質(zhì)從進(jìn)入口流入過濾裝置內(nèi)，在沿裝置內(nèi)的隔板的循環(huán)流動過程中，雜質(zhì)沉積在過濾裝置底部，可經(jīng)清理口排出；除雜后的氣體在隔板間流動后從排出口進(jìn)入干泵內(nèi)，避免了雜質(zhì)進(jìn)入干泵內(nèi)，有效避免了晶片受污染或損壞，避免了設(shè)備運(yùn)行率降低的問題，同時能防止干泵突發(fā)性終止運(yùn)行及設(shè)備損壞，切實保障了工藝效率及質(zhì)量。
【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有半導(dǎo)體設(shè)備與干泵連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為本實用新型中雜質(zhì)過濾裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖中:1、工藝腔體，2、壓力控制器，3、排氣管，4、主閥門，5、分子泵，6、干泵，6A、塊狀雜質(zhì)，7、關(guān)閉閥，8、貫通閥，9、雜質(zhì)過濾裝置，9A、隔板I，9B、隔板II，9C、雜質(zhì)，9D、清理口，10、氣流，11、存儲箱，12、進(jìn)入口，13、排出口。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步說明。
[0021]如圖2和圖3所示，一種雜質(zhì)過濾裝置，包括可安裝在排氣管3上的存儲箱11，存儲箱11的兩端分別設(shè)有用于聯(lián)通排氣管3的進(jìn)入口 12、排出口 13 ；
[0022]所述的存儲箱11內(nèi)靠近進(jìn)入口 12的一端設(shè)有沿側(cè)壁由上而下傾斜延長的隔板I 9A，靠近排出口 13的一端設(shè)有由下而上傾斜延長的隔板II 9B，隔板I 9A與隔板II 9B配合便于氣流10在存儲箱11內(nèi)部流通循環(huán)，隔板的具體結(jié)構(gòu)可以采用能增加氣流10流動循環(huán)距離的形狀，因為在存儲箱11內(nèi)的氣流10流動距離越大，越能使雜質(zhì)9C有效沉積；
[0023]所述的存儲箱11外側(cè)靠近排出口 13的一端設(shè)有若干用于排出雜質(zhì)9C的清理口9D，清理口 9D采用可拆卸的方式安裝在存儲箱11上；
[0024]排氣管3內(nèi)的氣流10從進(jìn)入口 12流入雜質(zhì)過濾裝置9內(nèi)，依次流經(jīng)隔板I 9A、隔板II 9B后，從排出口 13流出，氣流10流動過程中，雜質(zhì)9C沉積在存儲箱11底部，經(jīng)清理P 9D排出。
[0025]清理口 9D為兩個，分別設(shè)置在隔板I 9A、隔板II 9B的末端下側(cè)，便于流經(jīng)隔板后沉積的雜質(zhì)9C從清理口 9D排出，清理口 9D的上方正對隔板的末端，能有效保證氣流10中的雜質(zhì)9C沉積在存儲箱11底部，具體是沉積在清理口 9D內(nèi)，便于通過清理口 9D排出。
[0026]清理口 9D采用螺紋連接安裝在存儲箱11上，拆卸安裝方便，便于及時將沉積的雜質(zhì)9C排出，有效保證本實用新型裝置的正常使用，且能保證工藝的正常進(jìn)行。
[0027]本實用新型還提供了一種裝有上述雜質(zhì)過濾裝置的半導(dǎo)體設(shè)備，包括工藝腔體1、安裝在工藝腔體I上的壓力控制器2，壓力控制器2的一端通過排氣管3依次連接有分子泵5、干泵6，所述的分子泵5兩側(cè)的排氣管3上分別裝有用于控制氣流速度的主閥門4，分子泵5與干泵6間的排氣管3上裝有控制該段排氣管3開閉的貫通閥8 ;
[0028]所述的分子泵5與干泵6間的排氣管3上外接有若干雜質(zhì)過濾裝置9，每個過濾裝置的兩端分別裝有控制氣流10進(jìn)出過濾裝置的關(guān)閉閥7 ;
[0029]當(dāng)關(guān)閉分子泵5與干泵6間排氣管3上的貫通閥8，打開雜質(zhì)過濾裝置9上的關(guān)閉閥7時，氣流10經(jīng)雜質(zhì)過濾裝置9的過濾除雜后流入干泵6內(nèi)。
[0030]分子泵5與干泵6間的排氣管3上外接有兩個雜質(zhì)過濾裝置9，使連接在干泵6上方的排氣管3能夠交替作業(yè)，在設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)下也可以對雜質(zhì)過濾裝置9進(jìn)行清理，具體操作是先在干泵6上方位置的排氣管3的左側(cè)和右側(cè)各安裝一套雜質(zhì)過濾裝置9，當(dāng)需對左側(cè)的雜質(zhì)過濾裝置9進(jìn)行清理時，先將安裝在右側(cè)的雜質(zhì)過濾裝置9的前方和后方的關(guān)閉閥7打開，在變換氣體的流經(jīng)方向后，再將左側(cè)過濾裝置的兩端關(guān)閉閥7關(guān)掉，待氣流10完全通過右側(cè)的雜質(zhì)過濾裝置9進(jìn)行作業(yè)時，將左側(cè)的雜質(zhì)過濾裝置9拆卸下來進(jìn)行清理，如此一來設(shè)備即使在運(yùn)行的狀態(tài)下也可以對雜質(zhì)處理裝置9進(jìn)行清理。
[0031]使用時，先將雜質(zhì)過濾裝置9安裝在半導(dǎo)體設(shè)備上，即安裝在分子泵5和干泵6之間的排氣管3的兩側(cè)，同時該段的排氣管3上需提前安裝能控制氣流10流動的貫通閥8 ;安裝的雜質(zhì)過濾裝置9與排氣管3之間通過安裝關(guān)閉閥7來控制氣流10通過。從分子泵5流出的未反應(yīng)氣體及產(chǎn)物雜質(zhì)9C在存儲箱11內(nèi)流動，氣體中的雜質(zhì)9C會沉積在箱底，除去雜質(zhì)9C的氣體最終經(jīng)存儲箱11的排出口 13進(jìn)入干泵6內(nèi)，用于后續(xù)處理。
【主權(quán)項】
1.一種雜質(zhì)過濾裝置，其特征在于，包括可安裝在排氣管(3)上的存儲箱(11)，存儲箱(11)的兩端分別設(shè)有用于聯(lián)通排氣管⑶的進(jìn)入口(12)、排出口(13); 所述的存儲箱(11)內(nèi)靠近進(jìn)入口(12)的一端設(shè)有沿側(cè)壁由上而下傾斜延長的隔板I (9A)，靠近排出口(13)的一端設(shè)有由下而上傾斜延長的隔板II (9B)，隔板I (9A)與隔板II (9B)配合便于氣流(10)在存儲箱(11)內(nèi)部流通循環(huán)； 所述的存儲箱(11)外側(cè)靠近排出口(13)的一端設(shè)有若干用于排出雜質(zhì)(9C)的清理口(9D)，清理口(9D)采用可拆卸的方式安裝在存儲箱(11)上； 排氣管(3)內(nèi)的氣流(10)從進(jìn)入口(12)流入雜質(zhì)過濾裝置(9)內(nèi)，依次流經(jīng)隔板I (9A)、隔板II (9B)后，從排出口(13)流出，氣流(10)流動過程中，雜質(zhì)(9C)沉積在存儲箱(11)底部，經(jīng)清理口(9D)排出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雜質(zhì)過濾裝置，其特征在于，所述的清理口(9D)為兩個，分別設(shè)置在隔板I (9A)、隔板II (9B)的末端下側(cè)，便于流經(jīng)隔板后沉積的雜質(zhì)(9C)從清理口(9D)排出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雜質(zhì)過濾裝置，其特征在于，所述的清理口(9D)采用螺紋連接安裝在存儲箱(11)上。
4.一種裝有權(quán)利要求1-3任一項所述的雜質(zhì)過濾裝置的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括工藝腔體(I)、安裝在工藝腔體(I)上的壓力控制器(2)，壓力控制器(2)的一端通過排氣管(3)依次連接有分子泵(5)、干泵￠)，所述的分子泵(5)兩側(cè)的排氣管(3)上分別裝有用于控制氣流速度的主閥門(4)，分子泵(5)與干泵(6)間的排氣管(3)上裝有控制該段排氣管⑶開閉的貫通閥⑶； 所述的分子泵(5)與干泵(6)間的排氣管(3)上外接有若干雜質(zhì)過濾裝置(9)，每個過濾裝置的兩端分別裝有控制氣流(10)進(jìn)出過濾裝置的關(guān)閉閥(7); 當(dāng)關(guān)閉分子泵(5)與干泵(6)間排氣管(3)上的貫通閥(8)，打開雜質(zhì)過濾裝置(9)上的關(guān)閉閥(7)時，氣流(10)經(jīng)雜質(zhì)過濾裝置(9)的過濾除雜后流入干泵(6)內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種裝有雜質(zhì)過濾裝置的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述的分子泵(5)與干泵(6)間的排氣管(3)上外接有兩個雜質(zhì)過濾裝置(9)。
【專利摘要】本實用新型公開一種雜質(zhì)過濾裝置和裝有該裝置的半導(dǎo)體設(shè)備，屬于過濾設(shè)備領(lǐng)域，該裝置包括可安裝在排氣管(3)上的存儲箱(11)，存儲箱的兩端設(shè)有進(jìn)入口(12)、排出口(13)；存儲箱內(nèi)設(shè)有隔板Ⅰ、隔板Ⅱ，隔板Ⅰ與隔板Ⅱ配合便于氣流(10)在存儲箱內(nèi)部流通循環(huán)；存儲箱外側(cè)靠近排出口的一端設(shè)有清理口，清理口可拆卸的安裝在存儲箱上；排氣管內(nèi)的氣流在雜質(zhì)過濾裝置內(nèi)經(jīng)隔板Ⅰ、隔板Ⅱ，從排出口流出，雜質(zhì)沉積在存儲箱底部，經(jīng)清理口排出。從分子泵內(nèi)流出的未反應(yīng)氣體和雜質(zhì)流經(jīng)過濾裝置后，雜質(zhì)沉積在裝置底部，可從清理口排出；除雜氣體進(jìn)入干泵內(nèi)，有效避免了晶片受污染或損壞、設(shè)備運(yùn)行率降低，防止干泵突發(fā)性終止運(yùn)行及設(shè)備損壞。
【IPC分類】H01L21-67, B01D45-06
【公開號】CN204428975
【申請?zhí)枴緾N201520035999
【發(fā)明人】崔相玉, 魏明德, 金惠東, 金度亨
【申請人】徐州同鑫光電科技有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2015年1月19日