本發(fā)明涉及蓋板加工領(lǐng)域，特別是涉及一種低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有技術(shù)中，貼合好光學(xué)膜的蓋板，其之間會(huì)有很多超出規(guī)格的氣泡，通常采用高溫?zé)h氣泡爐對(duì)貼附光學(xué)膜的蓋板進(jìn)行一次性除泡，但除氣泡的效果不佳，仍會(huì)有超出規(guī)格的氣泡殘留，特別是光學(xué)膜貼附蓋板的邊緣位置，并且沒有連線檢測(cè)設(shè)備來對(duì)氣泡大小進(jìn)行判斷是否在規(guī)格范圍內(nèi)，靠人工肉眼判斷氣泡是否超標(biāo)，準(zhǔn)確性較低，降低了產(chǎn)品整體良率。并且工作人員采用膠輥進(jìn)行人工二次排泡，由于受力不均，很容易造成光學(xué)膜底部膠體的局部堆積變形，造成報(bào)廢的損耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝。

2、本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的：

3、一種低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，包括：包括以下步驟：

4、s1：將貼好光學(xué)膜的蓋板放入焗氣爐中進(jìn)行初步除氣泡；

5、s2：檢測(cè)s1步驟處理后的蓋板檢測(cè)是否有超標(biāo)氣泡，若有超標(biāo)氣泡，則將其進(jìn)行s3步驟處理，若無超標(biāo)氣泡，則將其進(jìn)行s4步驟處理；

6、s3：將s2步驟中檢測(cè)有超標(biāo)氣泡的蓋板再次放入焗氣爐中進(jìn)行第二次除氣泡；

7、s4：降溫取出。

8、優(yōu)選的，所述s1步驟中焗氣爐的工作條件為溫度：35-45℃，時(shí)間：18-22分鐘，氣壓：0.3-0.5mpa。

9、優(yōu)選的，所述s1步驟中焗氣爐的工作條件為溫度：40℃，時(shí)間：20分鐘，氣壓：0.4mpa。

10、優(yōu)選的，所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度：45-55℃，時(shí)間：25-30分鐘，氣壓：0-0.3mpa。

11、優(yōu)選的，所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度：50℃，時(shí)間：25分鐘，氣壓：0.3mpa。

12、優(yōu)選的，所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度：50℃，時(shí)間：25分鐘，氣壓：真空。

13、優(yōu)選的，所述s3步驟在所述焗氣爐中內(nèi)置抽真空機(jī)進(jìn)行對(duì)所述焗氣爐進(jìn)行真空處理。

14、優(yōu)選的，所述s1步驟為密封狀態(tài)下。

15、優(yōu)選的，所述s2步驟采用攝像頭進(jìn)行識(shí)別超標(biāo)氣泡。

16、優(yōu)選的，所述攝像頭識(shí)別所述氣泡的規(guī)格，若所述氣泡為圓形，所述氣泡的直徑大于0.4mm為超標(biāo)氣泡；若所述氣泡為非圓形氣泡，所述氣泡的長(zhǎng)度和寬度大于0.4mm*0.4mm為超標(biāo)氣泡。

17、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：

18、本發(fā)明的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝通過設(shè)置二次除氣泡，對(duì)蓋板與光學(xué)膜之間的小氣泡去除的更徹底，使得蓋板與光學(xué)膜之間的貼合性更好，同時(shí)避免了物理方式的膠輥除氣泡對(duì)蓋板上的光學(xué)膜造成的壓傷變形，降低了產(chǎn)品的整體不良率，而且采用攝像頭及設(shè)備程序自動(dòng)檢測(cè)氣泡大小，減少誤判，降低人工成本，準(zhǔn)確性高，提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，其特征在于，包括：包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，其特征在于，所述s1步驟中焗氣爐的工作條件為溫度：35-45℃，時(shí)間：18-22分鐘，氣壓：0.3-0.5mpa。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，其特征在于，所述s1步驟中焗氣爐的工作條件為溫度：40℃，時(shí)間：20分鐘，氣壓：0.4mpa。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，其特征在于，所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度：45-55℃，時(shí)間：25-30分鐘，氣壓：0-0.3mpa。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，其特征在于，所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度：50℃，時(shí)間：25分鐘，氣壓：0.3mpa。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，其特征在于，所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度：50℃，時(shí)間：25分鐘，氣壓：真空。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，其特征在于，所述s3步驟在所述焗氣爐中內(nèi)置抽真空機(jī)進(jìn)行對(duì)所述焗氣爐進(jìn)行真空處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，其特征在于，所述s1步驟為密封狀態(tài)下。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，其特征在于，所述s2步驟采用攝像頭進(jìn)行識(shí)別超標(biāo)氣泡。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝，其特征在于，所述攝像頭識(shí)別所述氣泡的規(guī)格，若所述氣泡為圓形，所述氣泡的直徑大于0.4mm為超標(biāo)氣泡；若所述氣泡為非圓形氣泡，所述氣泡的長(zhǎng)度和寬度大于0.4mm*0.4mm為超標(biāo)氣泡。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種低溫低氣壓除蓋板與光學(xué)膜的氣泡的工藝，包括：包括以下步驟：S1：將貼好光學(xué)膜的蓋板放入焗氣爐中進(jìn)行初步除氣泡；S2：檢測(cè)S1步驟處理后的蓋板檢測(cè)是否有超標(biāo)氣泡，若有超標(biāo)氣泡，則將其進(jìn)行S3步驟處理，若無超標(biāo)氣泡，則將其進(jìn)行S4步驟處理；S3：將S2步驟中檢測(cè)有超標(biāo)氣泡的蓋板再次放入焗氣爐中進(jìn)行第二次除氣泡；S4：降溫取出。本發(fā)明通過二次除氣泡，對(duì)蓋板與光學(xué)膜之間的小氣泡去除的更徹底，使得蓋板與光學(xué)膜之間的貼合性更好，同時(shí)避免了物理方式的膠輥除氣泡對(duì)蓋板上的光學(xué)膜造成的壓傷變形，降低了產(chǎn)品的整體不良率，而且采用攝像頭及設(shè)備程序自動(dòng)檢測(cè)氣泡大小，減少誤判，降低人工成本，準(zhǔn)確性高，提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：黃盛謀,田龍,劉俊帆
受保護(hù)的技術(shù)使用者：信利光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21