專利名稱：半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜用于保護芯片形工件(例如半導(dǎo)體芯片)的背面和增強強度。此外，本發(fā)明涉及使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體器件和生產(chǎn)所述器件的方法。
背景技術(shù)：
近年來，日益要求半導(dǎo)體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器件及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中將半導(dǎo)體芯片(芯片形工件)以該半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定至基板的那些(即，通過倒裝芯片接合生產(chǎn)的半導(dǎo)體芯片，或倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件)。在此類半導(dǎo)體器件等中，在一些情況下半導(dǎo)體芯片 (芯片形工件)的背面用保護膜保護以抑制半導(dǎo)體芯片損壞(參見，例如，專利文獻1至
10)。
專利文獻1 JP--A--2008--166451
專利文獻2 JP--A--2008- 06386
專利文獻3 JP--A--2007--261035
專利文獻4 JP--A--2007--250970
專利文獻5 JP--A--2007--158026
專利文獻6 JP--A--2004--221169
專利文獻7 JP--A--2004--214288
專利文獻8 JP--A--2004--142430
專利文獻9 JP--A--2004- 72108
專利文獻10JP-A-2004[-06355
發(fā)明內(nèi)容
然而，將用于保護半導(dǎo)體芯片背面的背面保護膜粘貼至通過在切割步驟中切割半導(dǎo)體晶片獲得的半導(dǎo)體芯片的背面導(dǎo)致增加粘貼步驟，以致步驟的數(shù)量增加和成本等增加。此外，由于近年來的薄型化，在切割步驟后的半導(dǎo)體芯片的拾取步驟中，在一些情況下可能損壞半導(dǎo)體芯片。因此，期望增強半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片直至拾取步驟。考慮到前述問題發(fā)明本發(fā)明，其目的在于提供從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。此外，本發(fā)明的另一目的在于提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其能夠在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中顯示優(yōu)良的保持力，能夠在切割步驟后的拾取步驟中將通過切割形成的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起以優(yōu)良的拾取性從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，并且在半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟后能夠進一步顯示優(yōu)良的外觀性。作為為解決上述常規(guī)問題進行深入研究的結(jié)果，本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，當(dāng)將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜層壓在具有基材和壓敏粘合劑層的切割帶的壓敏粘合劑層上從而以集成形式形成切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜并且進一步將所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層之間的剝離力(或粘合力)設(shè)定為特定值時，從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用其中以集成形式形成切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的層壓體(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)，以及在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中能夠顯示優(yōu)良的保持力，在切割步驟后的拾取步驟中將通過切割形成的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起以優(yōu)良的拾取性從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，并且在半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟后能夠顯示優(yōu)良的外觀性，由此完成本發(fā)明。S卩，本發(fā)明提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括基材和形成于所述基材上的壓敏粘合劑層；和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜形成于所述切割帶的壓敏粘合劑層上，其中所述切割帶的壓敏粘合劑層與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離力(溫度23°C，剝離角:180°，拉伸速率:300mm/min)為 0. 05N/20mm 至 1. 5N/20mm。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜以倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜與具有基材和壓敏粘合劑層的切割帶集成的形式形成，并且切割帶的壓敏粘合劑層與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離力(溫度23°C，剝離角180°，拉伸速率300mm/ min)為0. 05N/20mm至1. 5N/20mm。因此，在切割晶片(半導(dǎo)體晶片)時通過將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至工件(半導(dǎo)體晶片)上，能夠在保持工件的同時有效地切割工件。此外，在切割工件以形成芯片形工件(半導(dǎo)體芯片)后，所述芯片形工件能夠與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起以優(yōu)良的拾取性從切割帶的壓敏粘合劑層容易地剝離，以及能夠容易地獲得背面受到保護的芯片形工件。此外，芯片形工件具有優(yōu)良的外觀性，這是因為倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以優(yōu)良的緊密粘合性粘貼至芯片形工件背面。自然，由于芯片形工件具有形成于該背面上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，因此背面標識性是良好的。此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，由于切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以如上所述的集成方式形成，因此在切割步驟前當(dāng)將切割帶粘貼至半導(dǎo)體晶片背面時也能夠粘貼倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，因而單獨粘貼倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的步驟(倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼步驟)不是必需的。此外，在隨后的切割步驟和拾取步驟中，由于將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼在半導(dǎo)體晶片背面或通過切割形成的半導(dǎo)體芯片背面上，因此能夠有效地保護半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片，因而在切割步驟或隨后的步驟(拾取步驟等)中能夠抑制或防止半導(dǎo)體芯片的損壞。在本發(fā)明中，優(yōu)選將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜著色。當(dāng)將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜著色時，不僅改進激光標識性而且能夠容易地將切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜相互區(qū)別，從而能夠提高加工性等。此外，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選具有激光標識性。本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可適合用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明還提供生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括將工件粘貼至上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜上，切割所述工件以形成芯片形工件，將芯片形工件與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和將所述芯片形工件通過倒裝芯片接合固定至被粘物。此外，本發(fā)明進一步提供倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件，其使用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜制造，所述半導(dǎo)體器件包括芯片形工件和粘貼至所述芯片形工件背面的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。由于切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以集成方式形成以及將切割帶的壓敏粘合劑層與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離力設(shè)定為特定值，因此從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。具體地，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中能夠顯示優(yōu)良的保持力，在切割步驟后的拾取步驟中能夠?qū)⑼ㄟ^切割形成的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起以優(yōu)良的拾取性從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，并且在半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟期間及之后還能夠顯示優(yōu)良的外觀性。此外，在倒裝芯片接合步驟等中，由于半導(dǎo)體芯片的背面用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜保護，因此能夠有效抑制或防止半導(dǎo)體芯片的破壞(breakage)、碎裂(chipping)和翹曲(warp)等。自然，在除了從半導(dǎo)體芯片的切割步驟至倒裝芯片接合步驟的步驟之外的步驟中，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜能夠有效地顯示其功能。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的橫截面示意圖。圖2A-2D為示出使用根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一個實施方案的橫截面示意圖。附圖標記說明1 半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜2 倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜3 切割帶31 基材32 壓敏粘合劑層4:半導(dǎo)體晶片(工件)5 半導(dǎo)體芯片(芯片形工件)51 在半導(dǎo)體芯片5的電路面形成的凸塊(bump)6 被粘物61 粘合至被粘物6的連接墊(connecting pad)的連結(jié)用導(dǎo)電性材料
具體實施例方式參考圖1描述本發(fā)明的實施方案，但本發(fā)明不限于該實施方案。圖1為示出根據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的橫截面示意圖。在圖1中，1為半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜(下文中有時也稱作“切割帶集成的半導(dǎo)體背面保護膜”、“具有切割帶的半導(dǎo)體背面用膜”或“具有切割帶的半導(dǎo)體背面保護膜”)，2為倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜(下文中有時稱作“半導(dǎo)體背面用膜”或“半導(dǎo)體背面保護膜”)，3為切割帶，31為基材， 32為壓敏粘合劑層。此外，在本說明書的附圖中，沒有給出不需要描述的部分，為了容易描述，存在通過放大、縮小等示出的部分。如圖1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1具有以下構(gòu)造在包括基材31和在基材31上形成的壓敏粘合劑層32的切割帶3的壓敏粘合劑層32上形成半導(dǎo)體背面用膜2。 半導(dǎo)體背面用膜2具有以下特性在溫度為23°C、剝離角為180°和拉伸速率為300mm/min 的測量條件下，切割帶3的壓敏粘合劑層32與半導(dǎo)體背面用膜2之間的剝離力(粘合力或壓敏粘合力)為0. 05N/20mm至1. 5N/20mm。在這點上，在直至將半導(dǎo)體背面用膜2的表面 (要粘貼至晶片背面的表面)粘貼至晶片背面的期間內(nèi)其可用隔離體等保護。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可以具有在切割帶的壓敏粘合劑層的整個表面上形成半導(dǎo)體背面用膜的構(gòu)造，或者可以具有部分形成半導(dǎo)體背面用膜的構(gòu)造。例如，如圖 1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可以具有如下構(gòu)造在切割帶的壓敏粘合劑層上，僅在預(yù)將半導(dǎo)體晶片粘貼至其的部分上形成半導(dǎo)體背面用膜。(倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜)半導(dǎo)體背面用膜具有膜形狀。由于半導(dǎo)體背面用膜具有相對于切割帶的壓敏粘合劑層的剝離力(溫度23°C，剝離角180°，拉伸速率300mm/min)為0. 05N/20mm至 1. 5N/20mm的特性，在將粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上的工件(半導(dǎo)體晶片)切斷為芯片形的切斷-加工步驟(切割步驟)中，半導(dǎo)體背面用膜具有支承緊密粘合至該半導(dǎo)體背面用膜的工件的功能，因而能夠顯示緊密粘合性從而使切斷件不會飛散。此外，在切割步驟后的拾取步驟中，切割的芯片形工件能夠與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶容易地剝離。此外，在拾取步驟后(切割的芯片形工件與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶剝離后)，由于半導(dǎo)體背面用膜以優(yōu)良的緊密粘合性粘貼至芯片形工件(半導(dǎo)體芯片)背面，因此半導(dǎo)體背面用膜可具有保護芯片形工件背面并且還顯示優(yōu)良的外觀性的功能。自然，芯片形工件背面的標識性也是良好的。如上所述，由于半導(dǎo)體背面用膜具有優(yōu)良的標識性，所以能夠通過半導(dǎo)體背面用膜，通過利用各種標識法如印刷法和激光標識法進行標識，以將各種信息如文字信息和圖形信息賦予至芯片形工件或使用芯片形工件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)上的面。當(dāng)將半導(dǎo)體背面用膜著色時，通過控制著色的顏色，可以觀察具有優(yōu)良可見度的通過標識賦予的信息 (例如文字信息和圖形信息)。特別地，由于半導(dǎo)體背面用膜相對于半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片具有優(yōu)良的緊密粘合性，因此沒有觀察到浮起等。此外，由于半導(dǎo)體背面用膜能夠顯示出優(yōu)良的外觀性，因此能夠獲得具有優(yōu)良的增值外觀性的半導(dǎo)體器件。例如，作為半導(dǎo)體器件，可以通過使用不同的顏色將其產(chǎn)品分類。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜，重要的是具有緊密粘合性從而在工件的切斷加工時切斷件不飛散。如上所述，半導(dǎo)體背面用膜不用于將半導(dǎo)體芯片模片接合至被粘物如基板，而用于保護將要倒裝芯片安裝(或已經(jīng)倒裝芯片安裝)的半導(dǎo)體芯片的背面(非電路面)，并且該半導(dǎo)體背面用膜具有最合適的功能和組成。在這點上，用于將半導(dǎo)體芯片強烈地粘合至被粘物如基板上的用途的模片接合膜為粘合劑層并用封裝樹脂封裝。因此該膜不具有激光標識層也不具有激光標識性。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜具有不同于模片接合膜的功能或構(gòu)成，因而不適合將該膜用作模片接合膜。如上所述，在本發(fā)明中，對于半導(dǎo)體背面用膜重要的是其具有相對于切割帶的壓敏粘合劑層的剝離力(溫度23°C，剝離角:180°，拉伸速率:300mm/min)為0. 05N/20mm至 1.5N/20mm。盡管半導(dǎo)體背面用膜相對于切割帶的壓敏粘合劑層的剝離力(溫度23°C，剝離角180°，拉伸速率300mm/min)的上限可以為1. 5N/20mm以下，但其優(yōu)選為1. 2N/20mm 以下，更優(yōu)選lN/20mm以下。另一方面，盡管半導(dǎo)體背面用膜相對于切割帶的壓敏粘合劑層的剝離力(溫度23°C，剝離角:180°，拉伸速率:300mm/min)的下限可以為0. 05N/20mm以上，但其優(yōu)選為0. 08N/20mm以上，更優(yōu)選0. lN/20mm以上。因此，半導(dǎo)體背面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層之間的剝離力(溫度23°C，剝離角:180°，拉伸速率:300mm/min)可以為 0. 08N/20mm 至 1. 2N/20mm,也可以為 0. lN/20mm 至 lN/20mm。此外，在當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜由包含如下所述的熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，熱固性樹脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，從而半導(dǎo)體背面用膜相對于切割帶的壓敏粘合劑層的剝離力通常為當(dāng)熱固性樹脂處于未固化或部分固化的狀態(tài)的剝離力。半導(dǎo)體背面用膜相對于切割帶的壓敏粘合劑層的剝離力(半導(dǎo)體背面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層之間的剝離力)(溫度23°C，剝離角180°，拉伸速率:300mm/min) 為通過以下測量的值形成具有在切割帶的壓敏粘合劑層上形成的半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體背面用膜切割帶集成膜，并且在溫度為23°C、剝離角為180°和拉伸速率為300mm/min的條件下通過使用剝離試驗機(商品名AUT0GRAPH AGS-J，由Shimadzu Corporation制造) 在半導(dǎo)體背面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層之間的界面處將半導(dǎo)體背面用膜剝離。可通過構(gòu)成樹脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的種類和含量以及填料的種類和含量等來控制半導(dǎo)體背面用膜相對于切割帶的壓敏粘合劑層的剝離力。在本發(fā)明中，半導(dǎo)體背面用膜可由樹脂組合物形成，優(yōu)選由含有熱塑性樹脂和熱固性樹脂的樹脂組合物構(gòu)成。在這點上，半導(dǎo)體背面用膜可由不使用熱固性樹脂的熱塑性樹脂組合物構(gòu)成或可由不使用熱塑性樹脂的熱固性樹脂組合物構(gòu)成。熱塑性樹脂的實例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂如6-尼龍和6，6-尼龍、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、 飽和聚酯樹脂如PET (聚對苯二甲酸乙二酯)和PBT (聚對苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺酰亞胺樹脂或氟碳樹脂。熱塑性樹脂可以單獨使用或以其兩種以上組合使用。在這些熱塑性樹脂中，優(yōu)選僅包含少量離子性雜質(zhì)、具有高耐熱性和能夠確保半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸類樹脂。丙烯酸類樹脂不特別限定，其實例包括包含一種或兩種以上具有30個以下碳原子，優(yōu)選4至18個碳原子的具有直鏈或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為組分的聚合物。即，在本發(fā)明中，丙烯酸類樹脂具有還包括甲基丙烯酸類樹脂的寬的含義。所述烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、 十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。
此外，形成丙烯酸類樹脂的其它單體(除具有30個以下碳原子的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)沒有特別限制，其實例包括含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸(crotonic acid)； 酸酐單體如馬來酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸 2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、 (甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基單體如2-羥乙基丙烯酰基磷酸酯Q-hydroethy lacry Ioyl phosphate)。這些樹脂可根據(jù)已知方法合成或可使用商購可得的產(chǎn)品。此外，熱固性樹脂的實例包括環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂以及氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂和熱固性聚酰亞胺樹脂。熱固性樹脂可以單獨使用或以其兩種以上組合使用。作為熱固性樹脂，僅包含少量腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)的環(huán)氧樹脂是合適的。此外，優(yōu)選將酚醛樹脂用作環(huán)氧樹脂的固化劑。環(huán)氧樹脂沒有特別限定，例如，可使用雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂如雙酚A 型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚AF型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂、可溶可熔酚醛(phenolNovolak)型環(huán)氧樹脂、鄰甲酚可溶酚醛(o-cresolNovolak)型環(huán)氧樹脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹脂或四羥苯基乙烷(tetraphenylolethane)型環(huán)氧樹脂，或環(huán)氧樹脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹脂。作為環(huán)氧樹脂，在以上示例的那些中，可溶可熔酚醛型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹脂和四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹脂是優(yōu)選的。這是因為這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應(yīng)性高，且耐熱性等優(yōu)異。所述環(huán)氧樹脂可根據(jù)已知方法合成或可使用商購可得的產(chǎn)品。此外，酚醛樹脂起到環(huán)氧樹脂的固化劑的作用，其實例包括可溶可熔型酚醛樹脂如可溶可熔酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚可溶酚醛樹脂、叔丁基可溶可熔酚醛樹脂和壬基可溶可熔酚醛樹脂；甲階型酚醛樹脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚對氧苯乙烯。酚醛樹脂可單獨或以其兩種以上組合使用。在這些酚醛樹脂中，可溶可熔酚醛樹脂和苯酚芳烷基樹脂是優(yōu)選的。這是因為可提高半導(dǎo)體器件的連接可靠性。所述酚醛樹脂可根據(jù)已知方法合成或可使用商購可得產(chǎn)品。環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合比優(yōu)選使得例如酚醛樹脂中的羥基變?yōu)?. 5至2. 0當(dāng)量，基于每當(dāng)量環(huán)氧樹脂組分中的環(huán)氧基團。其更優(yōu)選0.8至1.2當(dāng)量。S卩，當(dāng)混合比變?yōu)樵谠摲秶鈺r，固化反應(yīng)不能充分進行，環(huán)氧樹脂固化產(chǎn)物的特性趨于劣化。環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的熱固化促進催化劑沒有特別限定，可適當(dāng)選自已知的熱固化促進催化劑并使用。熱固化促進催化劑可單獨或兩種以上的組合使用。作為熱固化促進催化劑，例如，可使用胺類固化促進催化劑、磷類固化促進催化劑、咪唑類固化促進催化劑、 硼類固化促進催化劑或磷-硼類固化促進催化劑。在本發(fā)明中，半導(dǎo)體背面用膜特別優(yōu)選由包含環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂的樹脂組合物形成。由于這些樹脂僅包含少量離子性雜質(zhì)并具有高的耐熱性，因此能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性。在該情況下的混合比不特別限定，但例如，環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合量可適當(dāng)選自10至300重量份的范圍，基于100重量份丙烯酸類樹脂。重要的是半導(dǎo)體背面用膜具有對半導(dǎo)體晶片背面(非電路形成面)的緊密粘合性。此類具有緊密粘合性的半導(dǎo)體背面用膜例如可由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成。為了交聯(lián)，可將能夠與在聚合物分子鏈末端的官能團等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑添加至半導(dǎo)體背面用膜。由于此構(gòu)成，能夠提高在高溫下的緊密粘合性并能夠?qū)崿F(xiàn)耐熱性的改進。交聯(lián)劑沒有特別限定，可以適當(dāng)使用已知的交聯(lián)劑。具體地，交聯(lián)劑的實例不僅包括異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，而且還包括脲類交聯(lián)劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑是合適的。交聯(lián)劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實例包括低級脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；和芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、 4,4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。此外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]和三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實例包括 N,N,N' ,N'-四縮水甘油基-間-苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及在分子中具有兩個以上環(huán)氧基團的環(huán)氧類樹脂。交聯(lián)劑的用量不特別限定，可依賴于交聯(lián)程度適當(dāng)選擇。具體地，優(yōu)選交聯(lián)劑的用量為例如0. 05至7重量份，基于100重量份樹脂組分(聚合物組分)(特別地，在分子鏈末端具有官能團的聚合物)。當(dāng)交聯(lián)劑的量基于100重量份樹脂組分為0. 05至7重量份時， 能夠高水平地顯示緊密粘合性和內(nèi)聚特性。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與使用交聯(lián)劑一起，也可以通過用電子束或紫外線等照射進行交聯(lián)處理。(著色劑)在本發(fā)明中，優(yōu)選將半導(dǎo)體背面用膜著色。如上所述，在將半導(dǎo)體背面用膜著色的情況(在該膜既不是無色的也不是透明的情況)下，通過著色顯示的顏色不特別限制，但例如優(yōu)選為暗色如黑色、藍色或紅色，更優(yōu)選黑色。在本發(fā)明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，優(yōu)選50以下(0至50)，更優(yōu)選40 以下(ο至40)的在LW顏色空間中定義的L*的暗色。
此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，優(yōu)選30以下(0至30)，更優(yōu)選25以下(0至25)的在LW顏色空間中定義的L*的黑色系顏色。在這點上，在黑色中，在LW 顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*的值適當(dāng)選擇。例如，f和b*兩者均在優(yōu)選-10至 10，更優(yōu)選-5至5，進一步優(yōu)選-3至3 (特別地0或約0)的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中，在LW顏色空間中定義的ΙΛ f和b*可通過用色差計(商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差計)測量來確定。LW顏色空間為在1976 年由 Commission Internationale de 1，Eclairage (CIE)建議的顏色空間，是指稱為 CIE1976(L*aV)顏色空間的顏色空間。此外，在日本工業(yè)標準(Japanese Industrial Standards) JIS Z8729 中定義了 L*a*b* 顏色空間。在半導(dǎo)體背面用膜著色時，根據(jù)目標顏色，可使用著色劑(著色試劑)。作為此類著色劑，可適合使用各種暗色系著色劑如黑色著色劑、藍色著色劑和紅色著色劑，黑色著色劑是更合適的。著色劑可為顏料和染料的任一種。著色劑可單獨使用或兩種以上組合使用。 在這點上，作為染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反應(yīng)性染料、直接染料、分散染料和陽離子染料。此外，同樣關(guān)于顏料，其形式不特別限制，可在已知顏料中適當(dāng)選擇。特別地，當(dāng)將染料用作著色劑時，染料變?yōu)樘幱谕ㄟ^溶解在半導(dǎo)體背面用膜中均勻或幾乎均勻地分散的狀態(tài)，從而可容易地生產(chǎn)具有均勻或幾乎均勻的顏色濃度的半導(dǎo)體背面用膜(結(jié)果，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)。因此，當(dāng)將染料用作著色劑時，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜可具有均勻或幾乎均勻的顏色濃度，并可提高標識性和外觀性。黑色著色劑不特別限制，可例如適合選自無機黑色顏料和黑色染料。此外，黑色著色劑可為其中將青色著色劑(藍-綠著色劑)、品紅色著色劑(紅-紫著色劑)和黃色著色劑(黃著色劑)混合的著色劑混合物。黑色著色劑可單獨使用或以兩種以上的組合使用。 當(dāng)然，可將黑色著色劑與除黑色以外的顏色的著色劑組合使用。黑色著色劑的具體實例包括炭黑(如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑)、石墨 (石墨(black lead))、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(如偶氮甲堿偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、 鈦黑、花青黑、活性炭、鐵素體(如非磁性鐵素體或磁性鐵素體)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、 二硫化鉬、鉻配合物、復(fù)合氧化物型黑色顏料和蒽醌型有機黑色顏料。作為黑色著色劑，可利用黑色染料如C. I.溶劑黑3、7、22、27、29、34、43、70， C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、 154，和C. I.分散黑1、3、10、24 ；黑色顏料如C. I.顏料黑1、7 ；等。作為此類黑色著色劑，例如，商品名〃 Oil Black BY"、商品名〃 Oil Black BS 〃、商品名〃 Oil Black HBB “、商品名“Oil Black803 “、商品名“Oil Black 860〃、商品名〃 Oil Black 5970〃、商品名〃 Oil Black 5906〃、商品名〃 Oil Black 5905"(由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)等是商購可得的。除黑色著色劑以外的著色劑的實例包括青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑。青色著色劑的實例包括青色染料如C. I.溶劑藍25、36、60、70、93、95 ；C. I.酸性藍 6 和 45 ；青色顏料如 C. I.顏料藍 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、 17:1、18、22、25、56、60、63、65、66 ;C. I.甕藍 4、60 ；和 C. I.顏料綠 7。
此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、對、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、
32、34、35、36、37、38、39、40；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品紅色著色劑中，品紅色顏料的實例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、
33、36、38、43、50；C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黃色著色劑的實例包括黃色染料如C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黃色顏料如 C. I.顏料橙 31,43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、
11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.甕黃 1、3 和 20。各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨使用或以兩種以上的組合使用。在這點上，在使用各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑的兩種以上的情況下，這些著色劑的混合比(或共混比)沒有特別限定，可根據(jù)各著色劑的種類和目標顏色等適當(dāng)選擇。此外，在將通過混合青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑形成的著色劑混合物用作黑色著色劑的情況下，這些著色劑可單獨使用或以兩種以上的組合使用。青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑在混合墨組合物中的混合比(或共混比)沒有特別限定，只要能夠顯示黑色系顏色(例如，具有在上述范圍內(nèi)的在LW顏色空間中定義的L*、a*和b* 的黑色系顏色)即可，可根據(jù)各著色劑的類型等適當(dāng)選擇。青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑在混合墨組合物中的含量例如可在以下范圍內(nèi)適當(dāng)選擇相對于著色劑總量，青色著色劑/品紅色著色劑/黃色著色劑=10重量％ -50重量％ /10重量％ -50重量％ /10 重量％ -50重量％ (優(yōu)選20重量％ -40重量％ /20重量％ -40重量％ /20重量％ -40重量％ )。著色劑的含量可適當(dāng)選自在形成半導(dǎo)體背面用膜的樹脂組合物(排除溶劑)中 0. 1至10重量％的范圍，優(yōu)選0.5至8重量％，更優(yōu)選1至5重量％。在這點上，在半導(dǎo)體背面用膜中，根據(jù)需要可適當(dāng)共混其它添加劑。除了填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑之外，其它添加劑的實例還包括增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。填料可為任意無機填料和有機填料，但無機填料是合適的。通過共混填料如無機填料，能夠?qū)崿F(xiàn)賦予半導(dǎo)體背面用膜以導(dǎo)電性、改進半導(dǎo)體背面用膜的導(dǎo)熱性、控制半導(dǎo)體背面用膜的彈性模量等。在這點上，半導(dǎo)體背面用膜可為導(dǎo)電性的或非導(dǎo)電性的。無機填料的實例包括由以下組成的各種無機粉末二氧化硅，粘土，石膏，碳酸鈣，硫酸鋇，氧化鋁， 氧化鈹，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金屬或合金如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀，和焊料及碳等。填料可以單獨使用或兩種以上組合使用。特別地，填料適合為二氧化硅，更適合為熔凝硅石。無機填料的平均粒徑優(yōu)選在0. 1至80 μ m的范圍內(nèi)。無機填料的平均粒徑可通過激光衍射型粒徑分布測量設(shè)備來測量。填料(例如無機填料)的共混量優(yōu)選為80重量份以下(0至80重量份)，更優(yōu)選為0至70重量份，基于100重量份有機樹脂組分的總量。阻燃劑的實例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹脂。阻燃劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實例包括β_(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、 Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。離子捕集劑的實例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕集劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。半導(dǎo)體背面用膜例如可通過利用包括以下步驟的常用方法形成混合熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂和/或熱塑性樹脂如丙烯酸類樹脂和任選的溶劑及其它添加劑從而制備樹脂組合物，接著將其成形為膜狀層。具體地，作為半導(dǎo)體背面用膜的膜狀層能夠例如通過以下方法形成包括將樹脂組合物施涂至切割帶的壓敏粘合劑層上的方法；包括將樹脂組合物施涂至適當(dāng)?shù)母綦x體(如剝離紙)上以形成樹脂層，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至切割帶的壓敏粘合劑層上的方法；等。在這點上，在半導(dǎo)體背面用膜由包含熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的情況下，在將半導(dǎo)體背面用膜施涂至半導(dǎo)體晶片前的階段該膜處于其中熱固性樹脂為未固化或部分固化的狀態(tài)。在這種情況下，將其施涂至半導(dǎo)體晶片后(具體地，通常，當(dāng)在倒裝芯片接合步驟中固化封裝材料時)，在半導(dǎo)體背面用膜中的熱固性樹脂完全或幾乎完全固化。如上所述，由于即使當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜包含熱固性樹脂時，所述膜也處于熱固性樹脂未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分數(shù)沒有特別限定，但例如在 50重量％以下(0-50重量％)的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡x擇，并優(yōu)選30重量％以下(0-30重量％)， 更優(yōu)選10重量％以下(0-10重量％ )。半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分數(shù)可通過以下述測量方法測量?！茨z分數(shù)測量方法〉從半導(dǎo)體背面用膜中取樣約0. Ig樣品，并精確稱重(樣品重量)，將樣品包裹在網(wǎng)型片(mesh-type sheet)中后，將它在室溫下在約50ml甲苯中浸漬1周。此后，從甲苯中取出溶劑不溶性物質(zhì)(網(wǎng)型片中的內(nèi)容物)，并在130°C下干燥約2小時，將干燥后的溶劑不溶性物質(zhì)稱重(浸漬并干燥后的重量)，然后根據(jù)下述方程式(a)計算凝膠分數(shù)(重
量％ )。凝膠分數(shù)(重量％)=[(浸漬并干燥后的重量)/(樣品重量)]X100(a)此外，半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分數(shù)可通過樹脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的種類和含量，加熱溫度和加熱時間等來控制。在半導(dǎo)體背面用膜為膜狀制品并著色的情況下，著色狀態(tài)不特別限制。半導(dǎo)體背面用膜例如可以為由包含熱塑性和/或熱固性樹脂和著色劑等的樹脂組合物形成的膜狀制品，或者可以為具有將由包含熱塑性和/或熱固性樹脂等的樹脂組合物形成的樹脂層和著色劑層層壓的構(gòu)造的膜狀制品。著色劑層優(yōu)選由著色劑和包含熱塑性和/或熱固性樹脂等的樹脂組合物形成。在這點上，在半導(dǎo)體背面用膜為樹脂層和著色劑層的層壓體的情況下，層壓形式的半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選具有其中依次層壓一層樹脂層、著色劑層和另一樹脂層的形式。在這種情況下，在著色劑層兩側(cè)的兩層樹脂層可為具有相同組成的樹脂層，或者可為具有不同組成的樹脂層。在本發(fā)明中，在半導(dǎo)體背面用膜為由包含熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的膜狀制品的情況下，能夠有效地顯示對半導(dǎo)體晶片的緊密粘合性。此外，由于在工件(半導(dǎo)體晶片)的切割步驟中使用切割水(cutting water)，半導(dǎo)體背面用膜吸收水分，從而在一些情況下具有常規(guī)狀態(tài)以上的水分含量。當(dāng)在維持該高水分含量的情況下進行倒裝芯片接合時，水蒸氣殘留在半導(dǎo)體背面用膜和工件或其加工體 (芯片形工件)之間的緊密粘合界面處，并且在一些情況下產(chǎn)生浮起。因此，作為半導(dǎo)體背面用膜，由具有高透濕性的芯材料組成的層的存在擴散水蒸氣，由此變得可以避免該問題。 從該觀點，半導(dǎo)體背面用膜可為在其一面或兩面層壓由芯材料組成的層的膜。芯材料的實例包括膜(例如，聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、用玻璃纖維或塑料無紡纖維增強的樹脂基板，硅基板和玻璃基板。半導(dǎo)體背面用膜的厚度沒有特別限定，但可例如在約2-200μπι的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。在本發(fā)明中，半導(dǎo)體背面用膜的厚度優(yōu)選為約4-160 μ m,更優(yōu)選約6-100 μ m,進一步更優(yōu)選約10-80 μ m。半導(dǎo)體背面用膜可具有單層或?qū)訅簩拥男问?。在半?dǎo)體背面用膜具有層壓層的形式的情況下，作為層壓層形式，例如，可示例由晶片粘合層和激光標識層組成的層壓形式。此外，在晶片粘合層和激光標識層之間，可設(shè)置其它層(中間層、遮光層、補強層、 著色層、基材層、電磁波屏蔽層、導(dǎo)熱層、壓敏粘合劑層等)。在這點上，晶片粘合層為顯示優(yōu)良的對晶片的緊密粘合性(粘合性)的層和與晶片背面接觸的層。另一方面，激光標識層為顯示優(yōu)良激光標識性的層和在激光標識半導(dǎo)體芯片背面時利用的層。作為本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜，在23°C下的彈性模量(拉伸貯能彈性模量E') 優(yōu)選為IGPa以上，更優(yōu)選2GPa以上，進一步優(yōu)選3GPa以上。當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜的彈性模量為IGPa以上時，在當(dāng)將芯片形工件與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離， 然后將半導(dǎo)體背面用膜放置在支承體(例如載帶)上以進行輸送等時，能夠抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體(例如，載體帶中的頂帶(top tape)或底帶(bottom tape))。 在這點上，如上所述，在半導(dǎo)體背面用膜由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，熱固性樹脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜在23°C下的彈性模量為在熱固性樹脂未固化或部分固化的狀態(tài)下在23°C下的彈性模量。半導(dǎo)體背面用膜在23°C下的彈性模量(拉伸貯能彈性模量E')通過以下方式測定制備半導(dǎo)體背面用膜而不層壓至切割帶上，并使用動態(tài)粘彈性測量設(shè)備"Solid Analyzer RS A2〃 (由Rheometrics Co. ,Ltd.制造)，在預(yù)定溫度(23°C )下，在氮氣氣氛下，在樣品寬度10mm、樣品長度22. 5mm、樣品厚度0. 2mm、頻率IHz和升溫速率10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測量彈性模量，并將該彈性模量作為拉伸貯能彈性模量E'的值。半導(dǎo)體背面用膜的彈性模量能夠通過樹脂組分(熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂) 的種類和含量、填料例如二氧化硅填料的種類和含量等來控制。半導(dǎo)體背面用膜在可見光區(qū)域(波長400nm-800nm)的透光率(可見光透過率)沒有特別限定，但例如，優(yōu)選在不大于20% (0%-20%)的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在不大于10% (0%-10%)的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選在不大于5% (0%-5%)的范圍內(nèi)。當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜在可見光區(qū)域中的透光率為不大于20%時，可見光透過半導(dǎo)體背面用膜并到達半導(dǎo)體芯片， 從而能夠減少對半導(dǎo)體芯片的不利影響。半導(dǎo)體背面用膜的可見光透過率(％ )可通過構(gòu)成半導(dǎo)體背面用膜的樹脂組分的種類和含量、著色劑(例如，顏料和染料)的種類和含量、填料的種類和含量等來控制。可見光透過率(％)可例如以以下方式計算。即，制備具有厚度(平均厚度) 為20μπι的半導(dǎo)體背面用膜而不將其層壓至切割帶上。接著，將半導(dǎo)體背面用膜使用〃 ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER"(商品名為 Shimadzu Corporation)利用可見光照射?？梢姽饩哂?00nm-800nm的波長。通過該照射透過半導(dǎo)體背面用膜的可見光的光強度可根據(jù)以下表達式計算?？梢姽馔高^率(％)=[(透過半導(dǎo)體背面用膜后的可見光的光強度)/(可見光的初始光強度)]X 100透光率(％ )的前述計算方法還可應(yīng)用于厚度不是20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜的透光率(％ )的計算。具體地，根據(jù)朗伯-比爾定律(Lambert-Beer law)，在厚度為20 μ m的情況下的吸光度A2tl可如下計算。A20 = α XL20XC (1)(在該式中，L2tl為光程長度，α為吸收系數(shù)(absorbanceindex)，C為樣品濃度。)此外，在厚度為Χ(μπι)的情況下的吸光度Ax可如下計算。Ax = α XLxXC (2)此外，在厚度為20 μ m的情況下的吸光度A^1可如下計算。A20 = -Iog10T20 (3)(在該式中，T^1為在厚度為20μ m的情況下的透光率。)從上述式(1)_(3)，吸光度Ax可以由下式表示。Ax = A20X (Lx/L20) = -[Iog10 (T20) ] X (Lx/L20)因此，在厚度為Xym的情況下的透光率Tx(% )可如下計算。Tx = 1(ΓΑχ其中Ax = -[Iog10(T20)IX (Lx/L20)。此外，在將透光率(％)的前述計算方法中半導(dǎo)體背面用膜的厚度調(diào)整為20 μ m的事實并不特別限定本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜的厚度?！?0 μ m"的值是為了在測量時方便起見而采用的厚度。在本發(fā)明中，半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選具有低的吸濕度。具體地，作為半導(dǎo)體背面用膜，當(dāng)使膜在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時時的吸濕度優(yōu)選為1重量％ 以下，更優(yōu)選0.8重量％以下。通過調(diào)節(jié)半導(dǎo)體背面用膜(在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時后)的吸濕度至1重量％以下，能夠增強激光標識性。此外，例如，在再流(reflow)步驟中能夠抑制或防止產(chǎn)生空白。半導(dǎo)體背面用膜的吸濕度例如可通過改變要添加的無機填料的量來調(diào)節(jié)。半導(dǎo)體背面用膜的吸濕度(重量％)為由當(dāng)使膜在溫度 85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時時的重量變化計算的值(參見以下表達式)。在半導(dǎo)體背面用膜由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，半導(dǎo)體背面用膜的吸濕度為由當(dāng)在熱固化后使膜在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時時的的重量變化計算的值。吸濕度(重量％ ) = [{(使半導(dǎo)體背面用有色膜靜置后的重量)_(使半導(dǎo)體背面用有色膜靜置前的重量)} / (使半導(dǎo)體背面用有色膜靜置前的重量)]X100此外，在本發(fā)明中，半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選具有小比例的揮發(fā)性物質(zhì)。具體地，作為半導(dǎo)體背面用膜，在溫度250°C下加熱1小時后的重量減少的比例(重量減少率)優(yōu)選為1 重量％以下，更優(yōu)選0.8重量％以下。通過將半導(dǎo)體背面用膜的重量減少率(在溫度250°C 下加熱1小時后)調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標識性。此外，例如，在再流步驟中能夠抑制或防止封裝時裂紋的產(chǎn)生。半導(dǎo)體背面用膜的重量減少率可例如通過在無鉛焊料再流時添加能夠降低裂紋產(chǎn)生的無機物質(zhì)例如無機填料如二氧化硅或氧化鋁來調(diào)整。半導(dǎo)體背面用膜的重量減少率(重量％ )為由當(dāng)將膜在250°C下加熱1小時時的重量變化計算的值(參見下述表達式)。在半導(dǎo)體背面用膜由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，半導(dǎo)體背面用膜的重量減少率為由當(dāng)將膜在熱固化后在溫度250°C下加熱1小時時的重量變化計算的值。重量減少率(重量％) = [{(使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量)_(使半導(dǎo)體背面用膜靜置后的重量)} / (使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量)]X100半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選通過隔離體(剝離襯墊，在圖中未示出)保護。隔離體具有作為保護半導(dǎo)體背面用膜直至其實際使用的保護材料的功能。此外，隔離體可進一步用作在將半導(dǎo)體背面用膜轉(zhuǎn)移至在切割帶的基材上的壓敏粘合劑層時的支承基材。當(dāng)將工件粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上時，剝離隔離體。作為隔離體，也可使用聚乙烯或聚丙烯的膜，以及其表面用脫模劑例如氟類脫模劑或長鏈烷基丙烯酸酯類脫模劑涂布的塑料膜(例如聚對苯二甲酸乙二酯)或紙等。隔離體可通過常規(guī)已知的方法形成。 此外，隔離體的厚度等沒有特別限定。(切割帶)切割帶包括基材和形成于基材上的壓敏粘合劑層。因而，切割帶充分具有層壓基材和壓敏粘合劑層的構(gòu)造。基材(支承基材)可用作壓敏粘合劑層等的支承材料。作為基材，例如，可使用合適的薄材料，例如紙類基材如紙；纖維類基材如織物、無紡布、氈和網(wǎng)； 金屬類基材如金屬箔和金屬板；塑料類材料如塑料膜和片；橡膠類基材如橡膠片；發(fā)泡體 (foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體[塑料類材料與其它基材的層壓體，塑料膜(或片) 彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中，作為基材，可適合使用塑料類材料如塑料膜和片。此類塑料材料的原料實例包括烯屬樹脂(olefinic resins)如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)，交替)共聚物；聚酯如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)； 丙烯酸類樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺類樹脂如聚酰胺 (尼龍)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)； 聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類樹脂；硅酮樹脂；和氟化樹脂。此外，作為基材的材料，也可以使用聚合物如各上述樹脂的交聯(lián)體。這些原料可以單獨使用或兩種以上組合使用。
在將塑料基材用作基材的情況下，變形性如伸長度(elongation degree)可通過拉伸處理等控制?；牡暮穸炔惶貏e限制，可依賴于強度、屈撓性和預(yù)期的使用用途等適當(dāng)選擇。例如，厚度通常為1000 μ m以下(例如1至1000 μ m)，優(yōu)選10至500 μ m,進一步優(yōu)選20至 300 μ m,進一步優(yōu)選約30至200 μ m,但不限于此。在這點上，基材可具有單層形式和層壓層形式的任何形式。為了提高與相鄰層的緊密粘合性、保持性等，可在基材的表面上實施常規(guī)使用的表面處理，例如化學(xué)氧化處理或物理處理如鉻酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高壓電擊或電離輻射處理，或用底漆劑(imdercoating agent)的涂布處理。此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點等的范圍內(nèi)，基材可包含各種添加劑(著色劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。壓敏粘合劑層由壓敏粘合劑形成并具有壓敏粘合性。該壓敏粘合劑沒有特別限定，可在已知壓敏粘合劑中適當(dāng)選擇。具體地，作為壓敏粘合劑，具有上述特性的壓敏粘合劑可在例如以下的已知壓敏粘合劑中適當(dāng)選擇并使用丙烯酸類壓敏粘合劑、橡膠類壓敏粘合劑、乙烯基烷基醚類壓敏粘合劑、硅酮類壓敏粘合劑、聚酯類壓敏粘合劑、聚酰胺類壓敏粘合劑、聚氨酯類壓敏粘合劑、氟類壓敏粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類壓敏粘合劑，和其中將具有熔點為約200°C以下的熱熔融性樹脂的蠕變特性改進的壓敏粘合劑混入這些壓敏粘合劑中(參見例如，JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、 JP-A-56-13040等，將其每一個在此引入以作參考)。此外，作為壓敏粘合劑，也可使用照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)或熱膨脹性壓敏粘合劑。壓敏粘合劑可單獨或以兩種以上的組合使用。在本發(fā)明中，作為壓敏粘合劑，可適當(dāng)使用丙烯酸類壓敏粘合劑和橡膠類壓敏粘合劑，特別地，丙烯酸類壓敏粘合劑是合適的。作為丙烯酸類壓敏粘合劑，可提及其中將使用一種或兩種以上(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體組分的丙烯酸類聚合物(均聚物或共聚物)用作基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類壓敏粘合劑。丙烯酸類壓敏粘合劑中的(甲基)丙烯酸烷基酯的實例包括(甲基)丙烯酸烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基) 丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、 (甲基)丙烯酸十九烷酯和(甲基)丙烯酸二十烷酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，具有具有4至18個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯是合適的。此外，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可為線性或支化的。出于改善內(nèi)聚力、耐熱性和交聯(lián)性等目的，上述丙烯酸類聚合物可包含與(甲基) 丙烯酸烷基酯可聚合的其它單體組分(可共聚合單體組分)對應(yīng)的單元。此類可共聚合單體組分的實例包括含羧基單體如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸；含酸酐基團單體如馬來酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、 (甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥月桂酯和甲基丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯；含磺酸基團單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基團單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代的)酰胺類單體如(甲基)丙烯酰胺、N，N- 二甲基(甲基)丙烯酰胺、N- 丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺和N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯類單體如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯和(甲基)丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯類單體如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯類單體如丙烯腈和甲基丙烯腈；含環(huán)氧基丙烯酸類單體如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；苯乙烯類單體如苯乙烯和α -甲基苯乙烯； 乙烯基酯類單體例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；烯烴類單體如異戊二烯、丁二烯和異丁烯； 乙烯基醚類單體例如乙烯基醚；含氮單體如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、 乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸酰胺和N-乙烯基己內(nèi)酰胺；馬來酰亞胺類單體如 N-環(huán)己基馬來酰亞胺、N-異丙基馬來酰亞胺、N-月桂基馬來酰亞胺和N-苯基馬來酰亞胺； 衣康酰亞胺類單體如N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N- 丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、Ν-2-乙基己基衣康酰亞胺、N-環(huán)己基衣康酰亞胺和N-月桂基衣康酰亞胺； 琥珀酰亞胺類單體如N-(甲基)丙烯酰氧亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯?；?6-氧六亞甲基琥珀酰亞胺和N-(甲基)丙烯?；?8-氧八亞甲基琥珀酰亞胺；二醇類丙烯酸酯單體如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethylene glycol (meth) acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯 (methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate)；具有雜環(huán)、1 原子或 原子等的丙;1；希酸酯類單體，如(甲基)丙烯酸四氫糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine (meth) acrylate) 和含硅酮(甲基)丙烯酸酯(silicone (meth) acrylate)；多官能單體如己二醇二 (甲基) 丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、 季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯和二(甲基)丙烯酸己酯等。這些可共聚合單體組分可單獨或以兩種以上的組合使用。在將照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)用作壓敏粘合劑的情況下，照射固化型壓敏粘合劑(組合物)的實例包括其中在聚合物側(cè)鏈或主鏈中具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的聚合物用作基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)部型照射固化型壓敏粘合劑，及其中將UV固化型單體組分或低聚物組分共混入壓敏粘合劑中的照射固化型壓敏粘合劑等。此外，在將熱膨脹性壓敏粘合劑用作壓敏粘合劑的情況下，可提及包含壓敏粘合劑和發(fā)泡劑 (特別地，熱膨脹性微球)等的熱膨脹性壓敏粘合劑作為熱膨脹性壓敏粘合劑。在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明優(yōu)點的范圍內(nèi)，壓敏粘合劑層可包含各種添加劑 (例如，增粘劑、著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。交聯(lián)劑沒有特別限定，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲類交聯(lián)劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等，異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑是合適的。 異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑的具體實例包括在關(guān)于半導(dǎo)體背面用膜的段落中具體示例的化合物(具體實例)。交聯(lián)劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。此外，交聯(lián)劑的量沒有特別限定。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與使用交聯(lián)劑一起，也可以通過用電子束或紫外線照射進行交聯(lián)處理。壓敏粘合劑層可例如通過利用包括混合壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑， 然后將該混合物成形為片狀層的通常使用的方法來形成。具體地，壓敏粘合劑層可例如通過以下方法來形成包括將包含壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑的混合物施涂至基材上的方法；包括施涂上述混合物至適當(dāng)隔離體(如剝離紙)上以形成壓敏粘合劑層，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至基材上的方法；或類似方法。壓敏粘合劑層的厚度沒有特別限定，例如，優(yōu)選為約5至300 μ m,更優(yōu)選5至 200 μ m,進一步優(yōu)選5至100 μ m，甚至更優(yōu)選7至50 μ m。當(dāng)壓敏粘合劑層的厚度在上述范圍內(nèi)時，能夠顯示適當(dāng)?shù)膲好粽澈狭?。壓敏粘合劑層可為單層或多層。此外，切割帶的厚?包括基材和壓敏粘合劑層的整個帶的厚度)可例如選自6 至1300 μ m的范圍，優(yōu)選為15至700 μ m,更優(yōu)選25至400 μ m,進一步優(yōu)選37至250 μ m。此外，在本發(fā)明中，可使半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有抗靜電功能。由于該構(gòu)造，能夠防止電路由于以下原因?qū)е碌亩搪酚捎谠谄渚o密粘合時(在粘合時)和在剝離時靜電能的產(chǎn)生或由于工件(半導(dǎo)體晶片等)通過靜電能的帶電。賦予抗靜電功能可通過適當(dāng)?shù)姆绞饺缫韵路椒▉磉M行添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)至基材、壓敏粘合劑層和半導(dǎo)體背面用膜的方法，或在基材上設(shè)置由電荷轉(zhuǎn)移配合物(complex)組成的導(dǎo)電層或金屬膜等的方法。作為這些方法，優(yōu)選難以產(chǎn)生具有改變半導(dǎo)體晶片品質(zhì)風(fēng)險的雜質(zhì)離子的方法。出于賦予導(dǎo)電性和改進導(dǎo)熱性等的目的而共混的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電性填料)的實例包括銀、 鋁、金、銅、鎳或?qū)щ娦院辖鸬鹊那蛐巍⑨樞位虮∑谓饘俜勰?；金屬氧化物如氧化鋁；無定形炭黑和石墨。然而，從不具有漏電性的觀點，半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選為非導(dǎo)電性的。在本發(fā)明中，切割帶可如上所述制備并使用，或可使用商購可得的產(chǎn)品。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可以以卷繞成卷形物(roll)的形式形成或可以以將片材(膜)層壓的形式形成。例如，在膜具有卷繞成卷形物的形式的情況下，根據(jù)需要，以通過隔離體保護半導(dǎo)體背面用膜的狀態(tài)將膜卷繞成卷形物，由此可制備膜作為處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。在這點上，處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可由基材、在基材的一個表面上形成的壓敏粘合劑層、在壓敏粘合劑層上形成的半導(dǎo)體背面用膜，和在基材的另一表面上形成的可剝離處理層(后表面處理層)構(gòu)成。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的厚度(半導(dǎo)體背面用膜的厚度以及由基材和壓敏粘合劑層組成的切割帶的厚度的總厚度)可例如選自8至1500μπι的范圍，其優(yōu)選為20至850 μ m,更優(yōu)選31至500 μ m，進一步優(yōu)選47 μ m至330 μ m。在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，半導(dǎo)體背面用膜的厚度與切割帶的壓敏粘合劑層的厚度的比例沒有特別限定，但例如，可在以(半導(dǎo)體背面用膜的厚度)/ (切割帶的壓敏粘合劑層的厚度)的比例計為150/5至3/100的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。該比例優(yōu)選為100/5至 3/50，更優(yōu)選60/5至3/40。當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜的厚度與切割帶的壓敏粘合劑層的厚度的比例在上述范圍內(nèi)時，能夠顯示適當(dāng)?shù)膲好粽澈狭?，并能夠顯示優(yōu)良的切割性和拾取性。此外，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，半導(dǎo)體背面用膜的厚度與切割帶的厚度 (基材和壓敏粘合劑層的總厚度)的比例沒有特別限定，但例如，可在以(半導(dǎo)體背面用膜的厚度)/(切割帶的厚度)的比例計為150/50至3/500的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇，并優(yōu)選為 100/50至3/300，更優(yōu)選60/50至3/150。當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜的厚度與切割帶的厚度的比例在150/50至3/500的范圍內(nèi)時，拾取性良好并能夠抑制或防止切割時橫向殘余物(lateral residue)的產(chǎn)生。如上所述，通過控制在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中半導(dǎo)體背面用膜的厚度與切割帶的壓敏粘合劑層的厚度的比例或半導(dǎo)體背面用膜的厚度與切割帶的厚度(基材和壓敏粘合劑層的總厚度)的比例，在切割步驟時的切割性和在拾取步驟時的拾取性等能夠得到改進，并且從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠有效地利用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法)在使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1為例的同時，描述本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法。首先，基材31可通過常規(guī)已知的成膜方法形成。成膜方法的實例包括壓延成膜法、在有機溶劑中的流延法、在嚴格密閉體系中的膨脹擠出法、T-膜擠出法、 共擠出法和干法層壓法。接著，壓敏粘合劑層32通過以下形成將壓敏粘合劑組合物施涂至基材31上， 接著干燥(根據(jù)需要，通過在加熱下交聯(lián))。施涂方法的實例包括輥涂、絲網(wǎng)涂布(screen coating)和凹版涂布(gravure coating)。在這點上，壓敏粘合劑組合物可直接施涂至基材31以在基材31上形成壓敏粘合劑層32，或可將壓敏粘合劑組合物施涂至表面已進行剝離處理的剝離紙等上以形成壓敏粘合劑層，然后將其轉(zhuǎn)移至基材31上，從而在基材31上形成壓敏粘合劑層32。因而，切割帶3通過在基材31上形成壓敏粘合劑層32來制備。另一方面，涂布層可通過以下形成將用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料施涂至剝離紙上以在干燥后具有規(guī)定厚度，并在規(guī)定條件下進一步干燥(在需要熱固化的情況下，根據(jù)需要進行加熱處理和干燥)。通過將涂布層轉(zhuǎn)移至壓敏粘合劑層32上將半導(dǎo)體背面用膜2形成于壓敏粘合劑層32上。在這點上，半導(dǎo)體背面用膜2也能夠通過在壓敏粘合劑層32上直接施涂用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料、接著在規(guī)定條件下干燥(在需要熱固化的情況下，根據(jù)需要進行加熱處理和干燥)而形成于壓敏粘合劑層32上。因此，可獲得根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2形成時進行熱固化的情況下，重要的是進行熱固化至實現(xiàn)部分固化的程度，但優(yōu)選不進行熱固化。半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可在包括倒裝芯片接合步驟的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)時適當(dāng)使用。即，在倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)時使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，因此以將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體芯片背面的狀態(tài)或形式生產(chǎn)倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。因此，將本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(處于通過倒裝芯片接合法將半導(dǎo)體芯片固定于被粘物如基板的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件)。(半導(dǎo)體晶片)工件(半導(dǎo)體晶片)不特別限制，只要其為已知或通常使用的半導(dǎo)體晶片即可，可在由各種材料制成的半導(dǎo)體晶片中適當(dāng)?shù)剡x擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶片，可適當(dāng)?shù)厥褂霉杈?半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法)用于生產(chǎn)本發(fā)明半導(dǎo)體器件的方法沒有特別限定，只要其為使用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法即可。例如，可提及包括以下步驟的生產(chǎn)方法和類似方法將工件粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上的步驟(安裝步驟)；切割工件以形成芯片形工件的步驟(切割步驟)；將芯片形工件與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離的步驟(拾取步驟)；和通過倒裝芯片接合將芯片形工件固定至被粘物的步驟(倒裝芯片接合步驟)。更具體地，作為半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，例如，半導(dǎo)體器件可以如下在適當(dāng)剝離任選地設(shè)置于半導(dǎo)體背面用膜上的隔離體后通過使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜來生產(chǎn)。下文中，參考圖2A至2D，使用采用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的情況作為實例的同時，描述該方法。圖2A-2D為示出使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一個實施方案的橫截面示意圖。在圖2A至2D中，如上所述，4為工件(半導(dǎo)體晶片)， 5為芯片形工件(半導(dǎo)體芯片)，51為在半導(dǎo)體芯片5的電路面形成的凸塊，6為被粘物，61 為粘合至被粘物6的連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料，1、2、3、31和32分別為半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜、半導(dǎo)體背面用膜、切割帶、基材和壓敏粘合劑層。(安裝步驟)首先，如圖2A所示，將半導(dǎo)體晶片(工件)4粘貼(壓接)至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中的半導(dǎo)體背面用膜2上，以通過緊密粘合和保持來固定半導(dǎo)體晶片(安裝步驟)。通常在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時進行本步驟。(切割步驟)接著，如圖2B所示，切割半導(dǎo)體晶片4。從而，將半導(dǎo)體晶片4切斷成規(guī)定尺寸并個體化(成形為小片)，以生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片(芯片形工件)5。例如，所述切割根據(jù)常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶片4的電路面?zhèn)冗M行。另外，本步驟可采取例如形成達到半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的切口(slit)的稱作充分切斷的切斷方法。在本發(fā)明中，重要的是在切割步驟中將工件充分切斷(完全切斷)。在此情況下，重要的是在將半導(dǎo)體背面用膜完全切斷的同時將工件與半導(dǎo)體背面用膜一起切割。即，重要的是本步驟為通過將工件與半導(dǎo)體背面用膜一起切割形成芯片形工件的步驟。在這點上，在將工件與半導(dǎo)體背面用膜一起切割時，切割可在其中在切割帶上沒有形成切口的形式下或在其中在切割帶上至少部分地形成切口(優(yōu)選部分地，從而不切斷切割帶)的形式下進行。用于本步驟的切割設(shè)備沒有特別限定， 可使用常規(guī)已知的設(shè)備。此外，由于半導(dǎo)體晶片4通過具有半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘合并固定，能夠抑制芯片破裂和切屑飛散，以及還能夠抑制半導(dǎo)體晶片4破損。在這點上，當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成時，即使當(dāng)將其通過切割切斷時，也能夠抑制或防止在切斷面處發(fā)生粘合劑從半導(dǎo)體背面用膜擠出。結(jié)果，能夠抑制或防止切斷面自身的再粘貼(粘連(blocking))，從而能夠進一步方便地進行以下要描述的拾取。在擴展半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的情況下，擴展(expansion)可使用常規(guī)已知的擴展設(shè)備進行。所述擴展設(shè)備具有能夠推動半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜向下通過切割環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的內(nèi)環(huán)。由于該擴展步驟， 可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過彼此接觸而損壞。(拾取步驟)為了收集粘合并固定至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體芯片5，如圖2C所示進行半導(dǎo)體芯片5的拾取以將半導(dǎo)體芯片5與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶3剝離。 拾取方法沒有特別限定，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用針狀物從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的基材31側(cè)向上推動各半導(dǎo)體芯片5，并用拾取設(shè)備拾取推起的半導(dǎo)體芯片5的方法。在這點上，拾取的半導(dǎo)體芯片5在背面(也稱為無電路面、無電極形成面等)已用半導(dǎo)體背面用膜2保護。(倒裝芯片接合步驟)如圖2D所示，拾取的半導(dǎo)體芯片5通過倒裝芯片接合法(倒裝芯片安裝法)固定于被粘物如基材。具體地，以半導(dǎo)體芯片5的電路面(也稱為正面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被粘物6相對的形式，根據(jù)常規(guī)方式將半導(dǎo)體芯片5固定至被粘物6。例如， 使在半導(dǎo)體芯片5的電路面處形成的凸塊51與粘貼至被粘物6的連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料61 (如焊料)接觸，并在加壓下熔融導(dǎo)電性材料，由此能夠確保半導(dǎo)體芯片5和被粘物 6之間的電連接，并能夠?qū)雽?dǎo)體芯片5固定于被粘物6上。在這點上，在將半導(dǎo)體芯片5 固定至被粘物6時，重要的是將半導(dǎo)體芯片5和被粘物6的相對面以及間隙預(yù)先洗滌，然后將包封材料(如包封樹脂)填充入間隙中。作為被粘物，可使用各種基板如引線框和電路板(如布線電路板)?；宓牟牧蠜]有特別限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實例包括環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺三嗪基板和聚酰亞胺基板。在倒裝芯片接合中，凸塊的材料和導(dǎo)電性材料沒有特別限定，其實例包括焊料 (合金)如錫-鉛類金屬材料、錫-銀類金屬材料、錫-銀-銅類金屬材料、錫-鋅類金屬材料和錫-鋅-鉍類金屬材料，以及金類金屬材料和銅類金屬材料。此外，在本步驟中，將導(dǎo)電性材料熔融以連接半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)忍幍耐箟K和在被粘物6表面上的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料熔融時的溫度通常為約^KTC (例如，250°C 至300°C )。通過形成具有環(huán)氧樹脂等的半導(dǎo)體背面用膜，可使本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有能夠承受在倒裝芯片接合步驟中的高溫的耐熱性。此外，在倒裝芯片接合中在洗滌半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的相對面(電極形成面)以及間隙時使用的洗滌液沒有特別限定，該液體可為有機洗滌液或可為水性洗滌液。在本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜具有對洗滌液的耐溶劑性，并且對這些洗滌液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各種洗滌液作為該洗滌液，并可通過任何常規(guī)方法而無需任何特別的洗滌液來實現(xiàn)該洗滌。在本發(fā)明中，在包封半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙時使用的包封材料沒有特別限定，只要該材料為具有絕緣性的樹脂(絕緣樹脂)即可，可在已知包封材料如包封樹脂中適當(dāng)選擇和使用。包封樹脂優(yōu)選為具有彈性的絕緣樹脂。包封樹脂的實例包括含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物。作為環(huán)氧樹脂，可提及以上示例的環(huán)氧樹脂。此外，由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物組成的包封樹脂除了環(huán)氧樹脂之外還可包含除了環(huán)氧樹脂之外的熱固性樹脂 (如酚醛樹脂)或熱塑性樹脂。此外，可利用酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂用固化劑，作為該酚醛樹脂，可提及以上示例的酚醛樹脂。在用包封樹脂的包封步驟中，包封樹脂通常通過加熱來固化以實現(xiàn)包封。在許多情況下，包封樹脂的固化通常在175°C下進行60至90秒。然而，在本發(fā)明中，不限于此，例如，固化可在165至185°C的溫度下進行幾分鐘。在半導(dǎo)體背面用膜由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，在固化該包封樹脂時構(gòu)成半導(dǎo)體背面用膜的熱固性樹脂可完全或幾乎完全固化。半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間間隙的距離通常為約30至約300 μ m。在使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件(例裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件)中，由于半導(dǎo)體背面用膜粘貼至芯片形工件背面上，可以以優(yōu)良的可見度實施激光標識。特別地，標識能夠以優(yōu)良的對比度實施，因而可以以良好可見度觀察通過激光標識實施的各種信息(文字信息、圖形信息等)。在激光標識時，可利用已知激光標識設(shè)備。此外，作為激光器，可以利用各種激光器如氣體激光器、固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知的氣體激光器而沒有特別限制，但二氧化碳激光器 (CO2激光器)和準分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是合適的。作為固態(tài)激光器，可利用任何已知的固態(tài)激光器而沒有特別限定，但YAG激光器(如 Nd: YAG激光器)和YVO4激光器是合適的。由于使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件為通過倒裝芯片安裝法安裝的半導(dǎo)體器件，所以該器件與通過模片接合安裝法安裝的半導(dǎo)體器件相比具有薄型化和小型化的形狀。因此，可適當(dāng)采用倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件作為各種電子器件和電子部件或其材料和構(gòu)件。具體地，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的電子器件，可提及所謂的“移動電話”和“PHS”，小型計算機[例如，所謂的“PDA” (手持終端)，所謂的“筆記本尺寸的個人計算機”，所謂的“Net Book (商標)，，和所謂的“可穿戴計算機”等]，具有“移動電話”和計算機集成形式的小型電子器件，所謂的 "Digital Camera(商標)”，所謂的“數(shù)碼攝像機”，小型電視機，小尺寸游戲機，小型數(shù)字音頻播放機，所謂的“電子記事本”，所謂的“電子詞典”，用于所謂的“電子書”的電子器件終端，移動電子器件(可攜帶電子器件)如小型數(shù)字型手表等。自然，也可提及除了移動器件之外的電子器件(固定型電子器件等)，例如所謂的“桌面?zhèn)€人計算機”、薄型電視機、用于記錄和復(fù)制的電子器件(硬盤錄像機(hard disk recorders)、DVD播放機等)、投影儀和微型機等。此外，電子部件或用于電子器件和電子部件的材料和構(gòu)件不特別限制，其實例包括用于所謂“CPU”的部件和用于各種記憶器件(所謂的“存儲器”、硬盤等)的構(gòu)件。
實施例以下將詳細地示例性描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，在這些實施例中描述的材料和共混量等不意欲將本發(fā)明的范圍僅限制于此，除非另外說明，它們僅為說明性實例。此外，除非另外說明，在各實施例中的份為重量標準。實施例1<半導(dǎo)體背面用膜的制造>基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名 “PARACRON W-197CM”，由 Negami Chemical Industrial Co. , Ltd.制造)，將 113份環(huán)氧樹脂(商品名"EPIC0AT 1004”，由JER Co.，Ltd.制造),121份酚醛樹脂(商品名“MILEX XLC-4L”，由Mitsui Chemicals, Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名 “S0-25R，，，由 Admatechs Co. Ltd.制造，平均粒徑0. 5 μ m)、5 份染料 1 (商品名"OIL GREEN 502”，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造)和5份染料2 (商品名“0IL BLACK BS”，由Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為23. 6重量％的樹脂組合物溶液。將該樹脂組合物溶液施涂至作為可剝離襯墊(隔離體)已進行硅酮剝離處理的由具有厚度50 μ m的聚對苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制造具有厚度(平均厚度)20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜A。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制造>將上述半導(dǎo)體背面用膜A使用手動輥粘貼至切割帶(商品名“V-8-S”，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，壓敏粘合劑層的平均厚度=IOym)的壓敏粘合劑層上，以制造半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。實施例2<半導(dǎo)體背面用膜的制造>以與實施例1相同的方式制造具有厚度(平均厚度)20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜A。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制造>將上述半導(dǎo)體背面用膜A使用手動輥粘貼至切割帶(商品名“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，壓敏粘合劑層的平均厚度=IOym)的壓敏粘合劑層上，以制造半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。比較例1<半導(dǎo)體背面用膜的制造>以與實施例1相同的方式制造具有厚度(平均厚度)20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜A。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制造>將上述半導(dǎo)體背面用膜A使用手動輥粘貼至切割帶(商品名“V-8-M”，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，壓敏粘合劑層的平均厚度=IOym)的壓敏粘合劑層上，以制造半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。比較例2<半導(dǎo)體背面用膜的制造>以與實施例1相同的方式制造具有厚度(平均厚度)20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜A。〈切割帶的制造〉
在裝配有冷卻管、氮氣輸入管、溫度計和攪拌設(shè)備的反應(yīng)容器中，放入86. 4份丙烯酸2-乙基己酯、13. 6份丙烯酸2-羥乙酯、0. 2份過氧化苯甲酰和65份甲苯，并將其全部在61°C下在氮氣流中進行聚合處理6小時，以獲得丙烯酸聚合物A。向丙烯酸聚合物A中添加14. 6份2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯，并將其全部在 50°C下在空氣流中進行加成反應(yīng)處理48小時，以獲得丙烯酸聚合物A’。接著，將8份多異氰酸酯化合物(商品名“C0L0NATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)和5份光聚合引發(fā)劑(商品名"IRGACURE 651”，由Ciba Specialty Chemicals制造)添加至100份丙烯酸聚合物A’，以獲得壓敏粘合劑組合物溶液A。將壓敏粘合劑組合物溶液A施涂至PET剝離襯墊(具有其中聚對苯二甲酸乙二酯膜的一個表面已進行硅酮處理的形式的剝離襯墊)的硅酮處理表面上，接著在120°C下干燥2分鐘，以形成具有厚度10 μ m的壓敏粘合劑層。接著，將聚烯烴膜粘貼至形成的壓敏粘合劑層上。聚烯烴膜具有厚度100 μ m，并包含預(yù)先在對應(yīng)于框架粘貼區(qū)域的部分上形成的屏蔽放射線用印刷層。然后，將粘貼聚烯烴膜的壓敏粘合劑層在50°C下加熱M小時以進行交聯(lián)處理，并進一步借助于由Nitto Seiki Co.，Ltd.制造的紫外線照射設(shè)備(商品名 “UM-810”)從聚烯烴膜側(cè)用紫外光以照度20mW/cm照射以致累積光量變?yōu)?00mJ/cm2，由此制造切割帶A。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制造>將半導(dǎo)體背面用膜A使用手動輥粘貼至上述切割帶A的壓敏粘合劑層上，以制造半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。此外，在根據(jù)實施例1和2的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，半導(dǎo)體背面用膜的厚度(平均厚度)為20μπι。此外，關(guān)于切割帶(商品名“V-8-S”和“V-8-T”，全部由Nitto Denko Corporation制造)，基材的厚度(平均厚度)為65 μ m，壓敏粘合劑層的厚度(平均厚度)為10 μ m，總厚度為75 μ m。因此，在根據(jù)實施例1和2的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，半導(dǎo)體背面用膜厚度與切割帶的壓敏粘合劑層厚度的比例(半導(dǎo)體背面用膜厚度 /切割帶的壓敏粘合劑層厚度；平均厚度的比)為20/10，半導(dǎo)體背面用膜厚度與切割帶厚度(基材和壓敏粘合劑層的總厚度)的比例(半導(dǎo)體背面用膜厚度/切割帶厚度；平均厚度的比)為20/75。(半導(dǎo)體背面用膜物理性質(zhì)的測量)關(guān)于在實施例和比較例中制備的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的各半導(dǎo)體背面用膜A，分別以以下方式測量可見光透過率(％)、吸濕度(重量％)和重量減少率(重量％)。測量結(jié)果示于下表1中。<可見光透過率的測量方法>將在實施例和比較例中制備的各半導(dǎo)體背面用膜(平均厚度20μπι)使用 "ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER”(商品名，由 Shimadzu Corporation 制造)利用可見光照射。將可見光的波長調(diào)整為400nm-800nm。測量并根據(jù)以下表達式計算通過該照射而透過半導(dǎo)體背面用膜的可見光的光強度?？梢姽馔高^率(％)=[(透過半導(dǎo)體背面用膜后的可見光的光強度)/(可見光的初始光強度)]X100
<吸濕度的測量方法>將在實施例和比較例中制備的各半導(dǎo)體背面用膜在溫度85°C和濕度85% RH的恒溫恒濕室中靜置168小時。測量靜置前后的重量，根據(jù)以下表達式計算吸濕度(重量％ )。吸濕度(重量％ ) = [{(使半導(dǎo)體背面用膜靜置后的重量)_(使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量)} / (使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量)]X100<重量減少率的測量方法>將在實施例和比較例中制備的各半導(dǎo)體背面用膜在溫度250°C的干燥機中靜置1 小時。測量靜置前后的重量，根據(jù)以下表達式計算重量減少率(重量％ )。重量減少率(重量％ ) = [{(使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量)_(使半導(dǎo)體背面用膜靜置后的重量)} / (使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量)]X100表 1

權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括基材和設(shè)置于所述基材上的壓敏粘合劑層；和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜設(shè)置于所述壓敏粘合劑層上，其中所述切割帶的壓敏粘合劑層與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離力 (溫度23°C，剝離角180°，拉伸速率300mm/min)為 0. 05N/20mm 至 1. 5N/20mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中將所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜著色。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜具有激光標識性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。
5.一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括將工件粘貼至根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜上，切割所述工件以形成芯片形工件，將所述芯片形工件與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和將所述芯片形工件通過倒裝芯片接合固定至被粘物。
6.一種倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件，其使用根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜制造，所述半導(dǎo)體器件包括芯片形工件和粘貼至所述芯片形工件背面的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括包括基材和設(shè)置于所述基材上的壓敏粘合劑層的切割帶；和設(shè)置于所述壓敏粘合劑層上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述切割帶的壓敏粘合劑層與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離力(溫度23℃，剝離角180°，拉伸速率300mm/min)為0.05N/20mm至1.5N/20mm。
文檔編號C09J7/02GK102161869SQ20101062181
公開日2011年8月24日 申請日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月24日
發(fā)明者志賀豪士, 松村健, 高本尚英 申請人:日東電工株式會社