本發(fā)明涉及一種加熱摻雜氣體的噴淋結構，屬于半導體薄膜沉積應用及制造技術領域。

背景技術：

半導體鍍膜設備在進行硬質膜沉積反應時，需要少量摻雜一種氣體或多種氣體同時進入腔室進行薄膜沉積，要求幾種氣體路徑相互獨立，在進入腔體前不能相遇，進入腔室后都能均勻擴散到基底表面。且摻雜的氣體在進入反應腔體前，需要保持加熱到一定的溫度。而現有的噴淋結構大都是針對單獨的氣體設計的路徑，并且大多結構都只是在氣體進口處進行分離，在進入腔室之前的氣體已進行接觸，使沉積反應提前進行。且現有噴淋結構沒有針對摻雜氣體進行加熱的功能。這樣一來，無法保證摻雜反應在腔體內部的基底沉積硬質膜。當需要進行摻雜氣體沉積時，之前的噴淋結構已不能滿足要求。針對要求摻雜氣體同時、獨立、加熱的苛刻要求，需要一種可加熱摻雜氣體的噴淋結構。

技術實現要素：

本發(fā)明以解決上述問題為目的，提供了一種加熱摻雜氣體的噴淋結構，該噴淋結構通過采用配氣環(huán)及加熱環(huán)結構，來實現摻雜氣體獨立、均勻的到達基底表面參加沉積反應。

為實現上述目的，本發(fā)明采用下述技術方案：

一種加熱摻雜氣體的噴淋結構，包括噴淋板本體，該噴淋結構還包括氣體A入口，配氣環(huán)，摻雜氣體B入口及加熱環(huán)；所述噴淋板本體上設有氣體A入口向噴淋板本體中通入氣體A，所述配氣環(huán)上設有摻雜氣體B入口向配氣環(huán)中通入摻雜氣體B，所述加熱環(huán)安裝于所述配氣環(huán)外圍后與配氣環(huán)一同置于噴淋板主體上的凹槽內。

進一步地，所述噴淋板本體與配氣環(huán)的內部為氣體環(huán)形通道。

進一步地，所述加熱環(huán)對所述配氣環(huán)中通入的摻雜氣體B進行加熱。

本發(fā)明的有益效果及特點在于：

本發(fā)明的噴淋結構采用配氣環(huán)及加熱環(huán)結構，保證了摻雜氣體的獨立路徑，對摻雜氣體進行加熱，實現了摻雜氣體同時、獨立、加熱在基底沉積硬質膜。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的加熱摻雜氣體的噴淋結構的立體圖；

圖2為本發(fā)明的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例進一步對本發(fā)明進行詳細說明，但發(fā)明保護內容不局限于所述實施例：

參照圖1-2，一種加熱摻雜氣體的噴淋結構，包括噴淋板本體1，該噴淋結構還包括氣體A入口2，配氣環(huán)3，摻雜氣體B入口4及加熱環(huán)5；所述噴淋板本體1上設有氣體A入口2向噴淋板本體1中通入氣體A，所述配氣環(huán)3上設有摻雜氣體B入口4向配氣環(huán)3中通入 摻雜氣體B，所述加熱環(huán)5安裝于所述配氣環(huán)3外圍后與配氣環(huán)3一同置于噴淋板主體1上的凹槽內。

所述噴淋板本體1與配氣環(huán)3的內部為氣體環(huán)形通道。

所述加熱環(huán)5對所述配氣環(huán)3中通入的摻雜氣體B進行加熱。

氣體A和摻雜氣體B分別從氣體A入口2與摻雜氣體B入口4通入，通過各自獨立的通道，到達各自分區(qū)，氣體A和摻雜氣體B在分區(qū)擴散后從各自分區(qū)中的孔中進入反應腔室。彼此獨立的結構使不同氣體不會提前相遇或反應，在配氣環(huán)3外圍安裝加熱環(huán)5，通過加熱環(huán)5對摻雜氣體B進行加熱，保證了摻雜反應在腔體內部的基底沉積硬質膜。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。