用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件。
【背景技術(shù)】
[0002]多晶硅還原爐是多晶硅生產(chǎn)中產(chǎn)出最終產(chǎn)品的核心設(shè)備，也是決定系統(tǒng)產(chǎn)能、能耗的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。小型多晶硅還原爐(如12對(duì)棒、18對(duì)棒還原爐等)生產(chǎn)單位重量產(chǎn)品普遍能耗較高，單爐產(chǎn)量相對(duì)低，已經(jīng)越來(lái)越不適應(yīng)目前的市場(chǎng)要求.隨著多晶硅設(shè)備水平的不斷發(fā)展和提高，大型還原爐得到不斷開(kāi)發(fā)，出現(xiàn)了 36對(duì)棒、48對(duì)棒甚至60對(duì)棒還原爐。
[0003]相關(guān)技術(shù)中的大型多晶硅還原爐，雖然解決了一些產(chǎn)量和能耗的問(wèn)題，但伴隨著設(shè)備的大型化和復(fù)雜化，其底盤(pán)中的冷卻液流動(dòng)阻力增大，導(dǎo)致冷卻效果較差，且由于冷卻液的流程較長(zhǎng)，底盤(pán)徑向溫度分布不均，致使底盤(pán)產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本實(shí)用新型提出一種用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，該用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件具有冷卻液流動(dòng)阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形等優(yōu)點(diǎn)。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本實(shí)用新型提出一種用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件，所述用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件包括:底盤(pán)本體，所述底盤(pán)本體內(nèi)限定有從所述底盤(pán)本體的中心處旋向所述底盤(pán)本體的外周緣處的六個(gè)螺旋流道，所述底盤(pán)本體上設(shè)有與六個(gè)所述螺旋流道連通的冷卻液進(jìn)口和至少六個(gè)冷卻液出口，所述冷卻液進(jìn)口位于所述底盤(pán)本體的中心處；多個(gè)電極座，多個(gè)所述電極座設(shè)置在所述底盤(pán)本體上；多個(gè)進(jìn)氣管和多個(gè)排氣管，多個(gè)所述進(jìn)氣管和多個(gè)所述排氣管設(shè)置在所述底盤(pán)本體上。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件具有冷卻液流動(dòng)阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形等優(yōu)點(diǎn)。
[0007]另外，根據(jù)本實(shí)用新型的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0008]六個(gè)所述螺旋流道的長(zhǎng)度相等。
[0009]六個(gè)所述螺旋流道沿所述底盤(pán)本體的徑向盤(pán)繞成七層。
[0010]所述底盤(pán)本體包括:底盤(pán)法蘭；上底板，所述上底板設(shè)在所述底盤(pán)法蘭內(nèi)；下底板，所述下底板設(shè)在所述底盤(pán)法蘭內(nèi)且位于所述上底板下方；中隔板，所述中隔板設(shè)在底盤(pán)法蘭內(nèi)且位于所述上底板和所述下底板之間，所述中隔板與所述上底板和所述底盤(pán)法蘭限定出冷卻腔；六個(gè)導(dǎo)流板，六個(gè)所述導(dǎo)流板設(shè)在所述冷卻腔內(nèi)且在所述冷卻腔內(nèi)限定出六個(gè)所述螺旋流道。
[0011]六個(gè)所述導(dǎo)流板焊接在所述中隔板上。
[0012]所述導(dǎo)流板的鄰近所述進(jìn)氣管、所述排氣管和所述電極座處分別設(shè)有弧形段。
[0013]每個(gè)所述導(dǎo)流板上設(shè)有若干連通孔。
[0014]所述用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件還包括設(shè)在所述底盤(pán)本體上的冷卻液進(jìn)管和至少六個(gè)冷卻液出管，所述冷卻液進(jìn)管設(shè)置在所述底盤(pán)本體的中心處且與所述冷卻液進(jìn)口連通，所述冷卻液出管設(shè)置在所述底盤(pán)本體的外周緣處且分別與對(duì)應(yīng)的所述冷卻液出口連通。
[0015]任一個(gè)所述冷卻液出管的最高點(diǎn)高于所述冷卻液進(jìn)管的最高點(diǎn)。
[0016]多個(gè)所述進(jìn)氣管中位于所述底盤(pán)本體中心處的所述進(jìn)氣管嵌套在所述冷卻液進(jìn)管內(nèi)，所述排氣管為至少六個(gè)且分別嵌套在對(duì)應(yīng)的所述冷卻液出管內(nèi)。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件的軸向剖視圖。
[0018]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件的徑向剖視圖。
[0019]附圖標(biāo)記:用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件10、底盤(pán)本體100、螺旋流道110、冷卻液進(jìn)口 120、冷卻液出口 130、底盤(pán)法蘭140、上底板150、下底板160、中隔板170、冷卻腔180、導(dǎo)流板190、弧形段191、電極座200、進(jìn)氣管300、排氣管400、冷卻液進(jìn)管500、冷卻液出管600。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0021]下面參考附圖描述根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件10。
[0022]如圖1和圖2所示，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件10包括底盤(pán)本體100、多個(gè)電極座200、多個(gè)進(jìn)氣管300和多個(gè)排氣管400。
[0023]底盤(pán)本體100內(nèi)限定有六個(gè)螺旋流道110，六個(gè)螺旋流道110從底盤(pán)本體100的中心處旋向底盤(pán)本體100的外周緣處，底盤(pán)本體100上設(shè)有與六個(gè)螺旋流道110連通的冷卻液進(jìn)口 120和至少六個(gè)冷卻液出口 130，即冷卻液進(jìn)口 120分別六個(gè)螺旋流道110連通，而每個(gè)螺旋流道110與至少一個(gè)冷卻液出口 130連通，其中，冷卻液進(jìn)口 120位于底盤(pán)本體100的中心處。多個(gè)電極座200設(shè)置在底盤(pán)本體100上。多個(gè)進(jìn)氣管300和多個(gè)排氣管400設(shè)置在底盤(pán)本體100上且沿上下方向貫穿底盤(pán)本體100(上下方向如附圖中的箭頭A所示)O
[0024]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件10，通過(guò)在底盤(pán)本體100內(nèi)設(shè)置從底盤(pán)本體100的中心旋向底盤(pán)本體100的外周緣的六個(gè)螺旋流道110，且在底盤(pán)本體100的中心處設(shè)置分別與六個(gè)螺旋流道110連通的冷卻液進(jìn)口 120，這樣冷卻液可以通過(guò)冷卻液進(jìn)口 120分別進(jìn)入六個(gè)螺旋流道110，對(duì)底盤(pán)本體100的上表面、多個(gè)進(jìn)氣管300、多個(gè)排氣管400和多個(gè)電極座200進(jìn)行強(qiáng)制冷卻。由于在底盤(pán)本體100內(nèi)設(shè)置六個(gè)螺旋流道110，使得每個(gè)螺旋流道110的流程較短，減少了冷卻液的流動(dòng)阻力，提高了冷卻效果，且避免了底盤(pán)本體100徑向溫差過(guò)大，有利于防止底盤(pán)本體100產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。因此，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件10具有冷卻液流動(dòng)阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形等優(yōu)點(diǎn)。
[0025]下面參考附圖描述根據(jù)本實(shí)用新型具體實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件10。
[0026]在本實(shí)用新型的一些具體實(shí)施例中，如圖1和圖2所示，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤(pán)組件10包括底盤(pán)本體100、多個(gè)電極座200、多個(gè)進(jìn)氣管300和多個(gè)排氣管400。
[0027]進(jìn)一步地，六個(gè)螺旋流道110的長(zhǎng)度相等，且六個(gè)螺旋流道110的相同長(zhǎng)度處的寬度相等。由此可以進(jìn)一步提高底盤(pán)本體100徑向溫度的均勻性，從而進(jìn)一步防止底盤(pán)本體100產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。
[0028]可選地，如圖1所示，六個(gè)螺旋流道110沿底盤(pán)本體100的徑向盤(pán)繞成七層，冷卻液出口 130設(shè)置在底盤(pán)本體100的外周緣處，冷卻液由底盤(pán)本體100中心經(jīng)螺旋流道110
后排出。
[0029]在本實(shí)用新型的一些具體示例中，如圖1和圖2所示，底盤(pán)本體100包括底盤(pán)法蘭140、上底板150、下底板160、中隔板170。底盤(pán)法蘭140用于連接爐體。上底板150、下底板160和中隔板170均設(shè)在底盤(pán)法蘭140內(nèi)，其中下底板160位于上底板150下方且中隔板170位于上底板150和下底板160之間，中隔板170與上底板150和底盤(pán)法蘭140限定出冷卻腔180。進(jìn)氣管300和排氣管400貫穿上底板150、中隔板170和下底板160。由此可以減少爐體下部進(jìn)氣管數(shù)量，簡(jiǎn)化設(shè)備安裝和管路布置。
[0030]為了在上述底盤(pán)本體100上設(shè)置螺旋流道110，可以將六個(gè)導(dǎo)流板190設(shè)在冷卻腔180內(nèi)且在冷卻腔180內(nèi)限定出六個(gè)螺旋流道110，即冷卻腔180可以由六個(gè)螺旋流道110共同組成。為提高導(dǎo)流板190在冷卻腔180內(nèi)的穩(wěn)定性，六個(gè)導(dǎo)流板190可以焊接在中隔板170的上表面上。
[0031]進(jìn)一步地