一種氧化鎂燒結體靶材的微量硅元素均勻摻雜方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種微量元素均勻摻雜方法，特別涉及一種氧化鎂燒結體靶材的微量硅元素均勻摻雜方法。
【背景技術】
[0002]氧化鎂是最耐離子撞擊的材料之一，且具有很高的二次電子發(fā)射效率與透光率，因而被廣泛用作等離子體顯示板(PDP)的介質保護膜。在AC-PDP放電單元中，介質保護膜直接與放電氣體接觸，要求其具有:離子誘導二次電子發(fā)射系數大、抗離子轟擊、對可見光透明。高純氧化鎂燒結體靶材在彩色交流等離子體顯示器上的成功應用，極大的提高了其使用壽命和顯示效果。然而降低rop屏的著火電壓是rop行業(yè)永恒的課題。各種實驗研究顯示，提高MgO膜的二次電子發(fā)射系數(γ )，可以降低著火電壓和維持電壓，整機產品更加節(jié)能。
[0003]解決上述問題的有效途徑是，在高純氧化鎂燒結體靶材中均勻摻雜微量的某種元素，可以增加介質保護膜的晶格缺陷，更容易因受到激發(fā)而產生大量的二次電子，進而提高二次電子發(fā)射系數。目前，已經得到良好試驗效果的摻雜元素是硅元素，以納米S12與MgO粉體進行干法混合，混合24?48小時。該方法較費時，且混合均勻性較差。

【發(fā)明內容】

[0004]為了解決高純氧化鎂燒結體靶材中慘雜不均勻的問題，本發(fā)明提供一種氧化鎂燒結體靶材的微量硅元素均勻摻雜方法。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下措施來達到:提供一種氧化鎂燒結體靶材的微量硅元素均勻摻雜方法，首先將硅源溶解制備成前驅液;再與一定重量比的氧化鎂原料在球磨機中混合，制備成漿料，從而完成硅元素的均勻摻雜;此漿料再進行噴霧造粒、壓制成型、燒結等工序，制備成微量硅元素摻雜的氧化鎂燒結體靶材。當所用硅源為可溶于水的如硅酸鈉、硅酸、硅酸鉀等，直接用去離子水溶解，再進行定容，形成前驅液。當所用硅源為可溶于有機溶劑的硅源，如正硅酸乙脂、三甲基硅醇、四乙酰氧基硅烷等，先溶解于有機溶劑，再以乙醇-水進行定容，形成前驅液。
[0006]有益效果:本發(fā)明可以在I?2小時內，將微量的硅元素均勻摻雜到氧化鎂原料中；摻雜時間短，均勻性高，適合工業(yè)化應用。
【具體實施方式】
[0007]下面結合實施例對本發(fā)明進行詳細說明。
[0008]本發(fā)明提供一種氧化鎂燒結體靶材的微量硅元素均勻摻雜方法，首先將硅源溶解制備成前驅液。當所用硅源為可溶于水的如硅酸鈉、硅酸、硅酸鉀等，直接用去離子水溶解，再進行定容，形成前驅液。當所用硅源為可溶于有機溶劑的硅源，如正硅酸乙脂、三甲基硅醇、四乙酰氧基硅烷等，先溶解于有機溶劑，如乙醇、笨、丙酮等或混合溶液中，再以乙醇-水進行定容，形成前驅液。前驅液再與一定重量比的氧化鎂原料在球磨機中混合，制備成漿料，從而完成硅元素的均勻摻雜。此漿料再進行噴霧造粒、壓制成型、燒結等工序，制備成微量硅元素摻雜的氧化鎂燒結體靶材。
[0009]實施例1
[0010]將1g九水硅酸鈉溶解于10ml去離子水中，再定容到500ml，即硅源前驅液；取50ml前驅液與10g氧化鎂、500ml去離子水在行星式球磨機中混合30分鐘，即可形成100ppm娃摻雜的氧化鎂楽料;再將此楽料制備成氧化鎂燒結體革E材，即得到100ppm娃摻雜氧化鎂燒結體靶材。
[0011]實施例2:
[0012]將7.4g正硅酸乙脂溶解于50ml乙醇中，再用去離子水定容到500ml，即硅源前驅液;取50ml前驅液與10g氧化鎂、500ml去離子水在行星式球磨機中混合30分鐘，即可形成100ppm娃摻雜的氧化鎂楽料，再將此楽料制備成氧化鎂燒結體革E材，即得到100ppm娃摻雜氧化鎂燒結體靶材。
[0013]以上內容是結合優(yōu)選技術方案對本發(fā)明所做的進一步詳細說明，不能認定發(fā)明的具體實施僅限于這些說明。對本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明的構思的前提下，還可以做出簡單的推演及替換，都應當視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.一種氧化鎂燒結體靶材的微量硅元素均勻摻雜方法，其特征在于，將硅源溶解制備成前驅液;再與一定重量比的氧化鎂原料在球磨機中混合，制備成漿料，從而完成硅元素的均勻摻雜;此漿料再進行噴霧造粒、壓制成型、燒結等工序，制備成微量硅元素摻雜的氧化鎂燒結體靶材。2.根據權利要求1所述的一種氧化鎂燒結體靶材的微量硅元素均勻摻雜方法，其特征在于，所用硅源為可溶于水的如硅酸鈉、硅酸、硅酸鉀、九水硅酸鈉等，直接用去離子水溶解，再進行定容，形成前驅液。3.根據權利要求1所述的一種氧化鎂燒結體靶材的微量硅元素均勻摻雜方法，其特征在于，所用硅源為可溶于有機溶劑的硅源，如正硅酸乙脂、三甲基硅醇、四乙酰氧基硅烷等，先溶解于有機溶劑，再以乙醇-水進行定容，形成前驅液。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氧化鎂燒結體靶材的微量硅元素均勻摻雜方法。首先將硅源溶解制備成前驅液：當所用硅源為可溶于水的如硅酸鈉、硅酸、硅酸鉀等，直接用去離子水溶解，再進行定容，形成前驅液；當所用硅源為可溶于有機溶劑的硅源，如正硅酸乙脂、三甲基硅醇、四乙酰氧基硅烷等，先溶解于有機溶劑，再以乙醇-水進行定容，形成前驅液。前驅液再與一定重量比的氧化鎂原料在球磨機中混合，制備成漿料，從而完成硅元素的均勻摻雜。此漿料再進行噴霧造粒、壓制成型、燒結等工序，制備成微量硅元素摻雜的氧化鎂燒結體靶材。本發(fā)明摻雜時間短，均勻性高，適合工業(yè)化應用。
【IPC分類】H01J11/40, C04B35/626, C04B35/04
【公開號】CN105503159
【申請?zhí)枴緾N201510931180
【發(fā)明人】曾衛(wèi)軍
【申請人】營口鎂質材料研究院有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年12月15日