本發(fā)明涉及一種電極組件，尤其涉及一種多晶硅還原爐的電極組件。

背景技術：

多晶硅生產過程中，還原爐內電極穿過還原爐底盤，將硅芯通過石墨套件及絕緣陶瓷環(huán)套件固定在電極上，通過電極為硅芯接通電流，加熱硅芯，從而達到發(fā)生還原化學氣相沉積所需溫度。其中石墨套件主要起到固定硅芯、支撐硅棒和與硅芯接觸導通電流的作用，絕緣陶瓷環(huán)主要起到隔絕電極與還原爐底盤，絕緣保護、避免放電現(xiàn)象發(fā)生的作用。

一般還原爐底盤上通過電極組件設置有多個電極，相應地，每個電極設置有一個石墨卡瓣和卡套，用于將一個硅芯夾持固定在其上，形成一一對應的設置關系，這樣在還原爐內可以有多個電極與硅芯，還原爐可以一次生長多個硅棒，然而，這樣的還原爐的生產效率不足，成本較高。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術問題是：提供一種生產成本更低的還原爐的電極組件。

一種多晶硅還原爐的電極組件，包括石墨支撐底座，石墨支撐底座包括第一導電臂和第二導電臂，第一導電臂上設置有安裝硅芯的第一安裝部，第二導電臂上設置有安裝硅芯的第二安裝部。

本發(fā)明的多晶硅還原爐電極組件，將硅芯的密度增加一倍，在還原爐發(fā)生還原反應的時候，熱量、物料利用率提高，成本降低。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施方式一多晶硅還原爐的電極組件的示意圖。

圖2為圖1所示的多晶硅還原爐的電極組件的石墨支撐底座的剖視圖。

圖3為圖2所示的石墨支撐底座的俯視圖。

圖4為本發(fā)明實施方式二的石墨支撐底座的俯視圖。

圖5為本發(fā)明實施方式三的石墨支撐底座的俯視圖。

圖6為本發(fā)明實施方式四的石墨支撐底座的剖視圖。

圖7為本發(fā)明實施方式五的石墨支撐底座的剖視圖。

圖8為本發(fā)明實施方式六的石墨支撐底座的俯視圖。

圖9為本發(fā)明實施方式七的石墨支撐底座的俯視圖。

具體實施方式

下面結合圖示對本發(fā)明的多晶硅還原爐的電極組件進行詳細說明。

請參見圖1，本發(fā)明實施方式一的多晶硅還原爐的電極組件用于安裝硅芯(圖未示)，電極12通過陶瓷絕緣環(huán)14安裝固定在還原爐底盤10上，多晶硅還原爐的電極組件安裝在電極12一端。

請同時參見圖2與圖3，多晶硅還原爐的電極組件包括石墨支撐底座21、設置在石墨支撐底座21上的石墨卡瓣23和設置在石墨卡瓣23外部的石墨卡套25。其中，石墨卡瓣23用于夾持硅芯，石墨卡套25在石墨卡瓣23夾持硅芯后套在石墨卡瓣23外部，保持石墨卡瓣23能夠穩(wěn)定夾持硅芯。

在實施方式一中，石墨支撐底座21底部設置有卡槽211，卡槽211用于與電極12配合固定。石墨支撐底座21包括第一導電臂213和第二導電臂215，第一導電臂213和第二導電臂215相對于卡槽211對稱。第一導電臂213相對于卡槽211的遠端端部設置有第一安裝部2131，同樣地，第二導電臂215相對于卡槽211的遠端端部設置有第二安裝部2151。第一安裝部2131和第二安裝部2151上面均設置有安裝槽，第一安裝部2131和第二安裝部2151上可以分別設置一個石墨卡瓣23和石墨卡套25，用于分別安裝一個硅芯。

本案實施方式一的石墨支撐底座21的結構，包括第一導電臂213和第二導電臂215，將硅芯的密度增加一倍，在還原爐發(fā)生還原反應的時候，熱量、物料利用率提高，成本降低。同時，本發(fā)明實施方式一的結構，對石墨支撐底座21改進設計，但是不改變現(xiàn)有的還原爐底盤10結構，由于還原爐底盤10設備改造的成本較高且較為復雜，因此在設備改造上更為方便，且設備改造成本低。

請參見圖4，本發(fā)明實施方式二與實施方式一相似，但實施方式二的石墨支撐底座21除了包括第一導電臂213和第二導電臂215之外，還包括第三導電臂217。第一導電臂213、第二導電臂215和第三導電臂217結構相同，三者均勻分布，相鄰兩者的夾角為120度。如此可以再增加一個導電臂，進一步提高硅芯的密度。

請參見圖5，本發(fā)明實施方式三與實施方式一類似，但實施方式三的石墨支撐底座21除了包括第一導電臂213、第二導電臂215、第三導電臂217之外，還包括第四導電臂219。四個導電臂成十字分布，兩兩對稱。

可以理解，上述實施方式的導電臂數(shù)量還可以按照實際需要繼續(xù)增加。

請參見圖6，本發(fā)明實施方式四與實施方式一類似，包括第一導電臂213和第二導電臂215。但第一導電臂213上除了在端部設置有第一安裝部2131外，還在中間位置設置有第一附加安裝部2132；第二導電臂215也具有相同的結構，第二導電臂215端部設置有第二安裝部2151，中間位置設置有第二附加安裝部2152。這樣可以在不增加導電臂的情況下，增加硅芯的數(shù)量，達到提高硅芯密度的效果。

請參見圖7，本發(fā)明實施方式五與實施方式一類似，但實施方式五的第一導電臂213與第二導電臂215為非對稱結構，具體而言是，第一導電臂213比第二導電臂215高。使用時，較高的第一導電臂213位于外圈，第二導電臂215位于內圈，使得垂直硅芯與橫梁硅芯的總長度相同。

請參見圖8，本發(fā)明實施方式六與實施方式一類似，但第一導電臂213與第二導電臂215利用銷軸、鉸鏈等機械機構可轉動連接，使得第一導電臂213與第二導電臂215之間的角度Φ可調，Φ角在0到180度之間?？梢愿鶕?jù)需要調整角度大小?？梢员３窒噜弮呻姌O上需要硅芯橫梁連接的長度相等，以及垂直硅芯與橫梁硅芯的總長度相同。

請參見圖9，本發(fā)明實施方式七與實施方式一類似，不同的是，石墨支撐底座21上有切削部216、218，切削部216、218的設置，減少了石墨材料的使用，但不影響導電和使用效果，進一步減少成本。

可以理解，上述實施方式四、五、六、七的技術方案，也可以與實施方式一、二、三的方案在不抵觸的情況下組合使用，可以達到更好的效果。

綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，不應以此限制本發(fā)明的范圍。即凡是依本發(fā)明權利要求書及說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內。