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一種納米態(tài)Cu<sub>7</sub>Te<sub>4</sub>半導(dǎo)體材料的制備方法

文檔序號:3470461閱讀:323來源:國知局
專利名稱:一種納米態(tài)Cu<sub>7</sub>Te<sub>4</sub>半導(dǎo)體材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種納米態(tài)半導(dǎo)體材料的制備方法。
背景技術(shù)
納米粉體因其尺寸效應(yīng)具有獨特的物理、化學(xué)性能而引起人們高度重視, 近年來,碲化銅因具有高熱電動勢和通過摻雜可獲得p型和n型材料的優(yōu)點, 而廣泛應(yīng)用于熱電器件、太陽能電池、超離子導(dǎo)體等領(lǐng)域,但采用將銅粉和碲 粉放置在真空管中,控制溫度在500 600°C,發(fā)生固相反應(yīng)來獲得;或者采 用有惡臭氣味的,有毒的碲化氫與水溶液中的金屬離子反應(yīng)制備得到,都存在 碲化銅產(chǎn)物通常不純,為多種計量比化合物的混合物。并且這些方法存在著設(shè) 備昂貴,操作復(fù)雜,成本高,危險性大的缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是為了解決現(xiàn)有方法制備出的納米態(tài)半導(dǎo)體材料在制備過程中 設(shè)備昂貴、操作復(fù)雜、成本高、危險性大,得到產(chǎn)品的純度低的問題,而提供 一種納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料的制備方法。
納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料的制備按以下步驟實現(xiàn) 一、稱取0,23g的亞碲 酸鈉,然后依次加入5mL的去離子水、20 25mL的丙酮、5mL的聯(lián)胺和0.5g 的乙酸銅,而后放在磁力攪拌器上攪拌30 60min,得混合溶液A; 二、將混 合溶液A加入到有聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜中,密封,然后在溫度為160 220'C的條件下熱處理12 24h,自然冷卻至室溫,得Qi7Te4半導(dǎo)體材料前軀體; 三、將Cu7Te4半導(dǎo)體材料前軀體過濾、洗滌3 5次,然后在溫度為60。C的條件 下,干燥5 10h,即得納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料;步驟二中混合溶液A的加 入量為聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜容積的60% 80°/0。
本發(fā)明得到的納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料為結(jié)晶度好、粒度分布窄的粉體, 本發(fā)明得到的納米態(tài)0171^4半導(dǎo)體材料純度高達99%以上。
本發(fā)明采用溶劑熱法制備出的納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料合成時間短,在 低溫條件下就可控制,設(shè)備造價低并且操作簡單,成本低廉、無毒、反應(yīng)壓力小且反應(yīng)溫度低(危險性大大降低)并容易實現(xiàn)得到結(jié)晶度高、顆粒均勻的粉 體材料。


圖1是具體實施方式
十八中所得產(chǎn)物納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料的X射線 衍射分析圖譜,圖2是具體實施方式
十八所得到納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料的 SEM照片,圖3是是具體實施方式
十八所得到納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料的 TEM照片。
具體實施例方式
本發(fā)明技術(shù)方案不局限于以下所列舉具體實施方式
,還包括各具體實施方 式間的任意組合。
具體實施方式
一:本實施方式納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料的制備按以下步驟 實現(xiàn) 一、稱取0.23£的亞碲酸鈉,然后依次加入5mL的去離子水、20 25mL 的丙酮、5mL的聯(lián)胺和0.5g的乙酸銅,而后放在磁力攪拌器上攪拌30 60min, 得混合溶液A; 二、將混合溶液A加入到有聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜中, 密封,然后在溫度為160 220。C的條件下熱處理12 24h,自然冷卻至室溫, 得Cu7Te4半導(dǎo)體材料前軀體;三、將Qi7Te4半導(dǎo)體材料前軀體過濾、洗滌3 5 次,然后在溫度為6(TC的條件下,干燥5 10h,即得納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料; 步驟二中混合溶液A的加入量為聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜容積的60% 80%。
本實施方式是采用溶劑熱法合成了純相的納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料。溶劑 熱法是以有機溶劑作為反應(yīng)體系,通過對反應(yīng)體系加熱、加壓(或自生成蒸汽 壓),創(chuàng)造一個相對高溫、高壓的反應(yīng)環(huán)境,使得通常難溶或不溶的物質(zhì)溶解 并且重結(jié)晶來制備材料,由于反應(yīng)是在一個密封的水溶液環(huán)境中進行,所以在 較低溫度、常壓的外界環(huán)境下就可制得其它方法無法制備的物質(zhì)。
本實施方式中所使用的原材料市場可以購買,大大降低了生產(chǎn)成本。
具體實施方式
二本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟一中丙酮的 加入量為22mL。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
三本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟一中攪拌時 間為40 50min。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
四本實施方式與具體實施方式
一不同的是步驟一中攪拌時 間為45min。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
五本實施方式與具體實施方式
三或四不同的是步驟一中攪 拌速度為4000 8000r/min。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
三或四相同。
具體實施方式
六本實施方式與具體實施方式
三或四不同的是步驟一中攪 拌速度為5000 7000 r/min。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
三或四相同。
具體實施方式
七本實施方式與具體實施方式
三或四不同的是步驟一中攪 拌速度為6000r/min。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
三或四相同。
具體實施方式
八本實施方式與具體實施方式
五、六或七不同的是步驟二 中溫度為170 210°C。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
五、六或七相同。
具體實施方式
九本實施方式與具體實施方式
五、六或七不同的是步驟二 中溫度為18(TC。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
五、六或七相同。
具體實施方式
十本實施方式與具體實施方式
一、三、四、八或九不同的 是步驟二中熱處理時間為14 20h。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
一、三、 四、八或九相同。
具體實施方式
十一本實施方式與具體實施方式
一、三、四、八或九不同 的是步驟二中熱處理時間為16h。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
一、三、四、 八或九相同。
具體實施方式
十二本實施方式與具體實施方式
十或十一不同的是步驟二 中混合溶液A的加入量為聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜容積的65% 75%。 其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
十或十一相同。
具體實施方式
十三本實施方式與具體實施方式
十或十一不同的是步驟二 中混合溶液A的加入量為聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜容積的70%。其它步 驟及參數(shù)與具體實施方式
十或十一相同。
具體實施方式
十四本實施方式與具體實施方式
一、三、四、八、九、十 二或十三不同的是步驟三中洗滌次數(shù)為4次。其它步驟及參數(shù)與
具體實施例方式
一、三、四、八、九、十二或十三相同。
具體實施方式
十五本實施方式與具體實施方 十四不同的是步驟三中依 次用丙酮和去離子水進行洗滌。其它步驟及參數(shù)與具體實施方式
十四相同。
具體實施方式
十六本實施方式與具體實施方式
一、三、四、八、九、十 二、十三或十五不同的是步驟三中干燥時間為6 9h。其它步驟及參數(shù)與具體 實施方式一、三、四、八、九、十二、十三或十五相同。
具體實施方式
十七本實施方式與具體實施方式
一、三、四、八、九、十 二、十三或十五不同的是步驟三中干燥時間為8h。其它步驟及參數(shù)與具體實 施方式一、三、四、八、九、十二、十三或十五相同。
具體實施方式
十八:本實施方式納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料的制備按以下步 驟實現(xiàn) 一、稱取0.23g的亞碲酸鈉,然后依次加入5mL的去離子水、22mL 的丙酮、5!1丄的聯(lián)胺和0.5§的乙酸銅,而后放在磁力攪拌器上攪拌45min,得 混合溶液A; 二、將混合溶液A加入到有聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜中, 密封,然后在溫度為20(TC的條件下熱處理16h,自然冷卻至室溫,得Cu7Te4 半導(dǎo)體材料前軀體;三、將Qi7Te4半導(dǎo)體材料前軀體過濾、洗滌3次,然后在 溫度為60'C的條件下,干燥8h,即得納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料;步驟二中混合 溶液A的加入量為聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜容積的70%。
采用本實施方式制備得到的Cu7Te4半導(dǎo)體材料為粉狀物,且本實施方式 得到的Qi7Te4半導(dǎo)體材料的形貌為納米球形粒子。
本實施方式得到的納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料經(jīng)測得純度為99.62%。
本實施方式得到的納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料的X射線衍射分析(XRD) 圖譜如圖1所示,從圖1中可以看出本實施方式所得納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材 料為六方晶相,結(jié)晶度高,純度高,沒有雜相。
本實施方式得到的納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料的SEM照片如圖2所示,從 圖2中可以看出本實施方式所得納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料為均一的球形粒子。
本實施方式得到的納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料的TEM照片如圖3所示,從 圖3中可以看出本實施方式所得納米態(tài)Cii7Te4半導(dǎo)體材料為30 50nm粒子。
具體實施方式
十九:本實施方式納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料的制備按以下步 驟實現(xiàn) 一、稱取023g的亞碲酸鈉,然后依次加入5mL的去離子水、25mL 的丙酮、5mL的聯(lián)胺和0.5g的乙酸銅,而后放在磁力攪拌器上攪拌60min,得 混合溶液A; 二、將混合溶液A加入到有聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜中, 密封,然后在溫度為22(TC的條件下熱處理18h,自然冷卻至室溫,得CU7Te4半導(dǎo)體材料前軀體;三、將Cii7Te4半導(dǎo)體材料前軀體過濾、洗滌5次,然后在 溫度為6(TC的條件下,干燥8h,即得納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料;步驟二中混合 溶液A的加入量為聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜容積的80%。
本實施方式得到的納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料經(jīng)測得純度為99.64%。
權(quán)利要求
1、一種納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料的制備方法,其特征在于Cu7Te4半導(dǎo)體材料的制備按以下步驟實現(xiàn)一、稱取0.23g的亞碲酸鈉,然后依次加入5mL的去離子水、20~25mL的丙酮、5mL的聯(lián)胺和0.5g的乙酸銅,而后放在磁力攪拌器上攪拌30~60min,得混合溶液A;二、將混合溶液A加入到有聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜中,密封,然后在溫度為160~220℃的條件下熱處理12~24h,自然冷卻至室溫,得Cu7Te4半導(dǎo)體材料前軀體;三、將Cu7Te4半導(dǎo)體材料前軀體過濾、洗滌3~5次,然后在溫度為60℃的條件下,干燥5~10h,即得納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料;步驟二中混合溶液A的加入量為聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜容積的60%~80%。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種納米態(tài)Oi7Te4半導(dǎo)體材料的制備方法,其 特征在于步驟一中攪拌時間為40 50min。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料的制備方法, 其特征在于步驟一中攪拌速度為4000 8000r/min。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種納米態(tài)Oi7Te4半導(dǎo)體材料的制備方法,其 特征在于步驟二中溫度為170 210°C。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1、 2或4所述的一種納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料的制備 方法,其特征在于步驟二中熱處理時間為14 20h。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種納米態(tài)Cii7Te4半導(dǎo)體材料的制備方法,其 特征在于步驟二中混合溶液A的加入量為聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜容積 的65% 75%。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2、 4或6所述的一種納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料的制 備方法,其特征在于步驟三中洗滌次數(shù)為4次。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種納米態(tài)Cu7Te4半導(dǎo)體材料的制備方法,其 特征在于步驟三中依次用丙酮和去離子水進行洗漆。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1、 2、 4、 6或8所述的一種納米態(tài)Qi7Te4半導(dǎo)體材料 的制備方法,其特征在于步驟三中干燥時間為6 9h。
全文摘要
一種納米態(tài)Cu<sub>7</sub>Te<sub>4</sub>半導(dǎo)體材料的制備方法,它涉及一種納米態(tài)半導(dǎo)體材料的制備方法。它解決了現(xiàn)有方法制備出的納米態(tài)半導(dǎo)體材料在制備過程中設(shè)備昂貴、操作復(fù)雜、成本高、危險性大,得到產(chǎn)品的純度低的問題。制備方法一、制備混合溶液A;二、制備Cu<sub>7</sub>Te<sub>4</sub>半導(dǎo)體材料前軀體;三、將Cu<sub>7</sub>Te<sub>4</sub>半導(dǎo)體材料前軀體過濾、洗滌,干燥。本發(fā)明是采用溶劑熱法合成的方法實現(xiàn)了在低溫、友好條件下制得Cu<sub>7</sub>Te<sub>4</sub>半導(dǎo)體材料前軀體。本發(fā)明得到的產(chǎn)品純度高,本發(fā)明原材料價格便宜、工藝簡單、設(shè)備簡單,無危險性且設(shè)備造價低。
文檔編號C01B19/00GK101654228SQ200910072890
公開日2010年2月24日 申請日期2009年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月15日
發(fā)明者琳 王, 群 王, 金仁成, 剛 陳 申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
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