專利名稱：場(chǎng)發(fā)射電極的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造場(chǎng)發(fā)射電極的方法，特別涉及一種制造場(chǎng)發(fā)射電極的新方法，在此方法中傳統(tǒng)電泳法中出現(xiàn)的碳納米管結(jié)合強(qiáng)度低的缺點(diǎn)得到了改進(jìn)。
背景技術(shù)：
總的來講，場(chǎng)發(fā)射裝置是基于真空中的電子發(fā)射的光源，并且涉及一種根據(jù)從微小粒子發(fā)射的電子通過強(qiáng)電場(chǎng)加速而撞擊熒光材料的原理發(fā)光的元件。上述場(chǎng)發(fā)射裝置有一些優(yōu)點(diǎn)，例如良好的發(fā)光效率，以及與如白熾燈等傳統(tǒng)的照明光源相比實(shí)現(xiàn)了重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊的性能，并且由于與熒光燈不同，不使用重金屬而有利于環(huán)境，因而作為用于不同照明領(lǐng)域和顯示器中的下一代光源受到了廣泛的關(guān)注。
場(chǎng)發(fā)射裝置的性能主要依賴于發(fā)射電極的發(fā)射電場(chǎng)的能力。最近，碳納米管(carbon nanotubes，CNT)被廣泛地用作用于具有良好電子發(fā)射特性的發(fā)射電極的電子發(fā)射材料。
然而，在大面積襯底上均勻地生長碳納米管非常困難，因此，通常使用一種包括使通過單獨(dú)處理產(chǎn)生的碳納米管純化，并使其沉積在襯底上的方法。制造碳納米管發(fā)射電極的代表性方法包括典型的印刷法(printing method)和電泳法。
由傳統(tǒng)印刷法制造碳納米管發(fā)射電極是通過在平面襯底上施加電極層，并將由碳納米管和銀粉制成的電極糊印刷到該電極層上來實(shí)現(xiàn)的。隨后通過熱處理方法除去包含在糊中的樹脂和溶劑，并利用紗帶法(tape method)使碳納米管的一部分從固化層的表面上曝露出來。
然而，這種方法存在例如工藝復(fù)雜的缺點(diǎn)，很難實(shí)現(xiàn)碳納米管均勻擴(kuò)散，因此，場(chǎng)發(fā)射電極的特性可能會(huì)變壞。另外，使用已知電極糊施加方法在碳納米管和下部電極材料之間獲得足夠的物理/機(jī)械接合方面還存在另一個(gè)問題。
可選擇地，用電泳制造碳納米管發(fā)射電極的方法是通過在電解液14中將先前純化的碳納米管(CNT)與分散劑(例如，陽離子分散劑)混合，然后對(duì)浸入電解液14中的電極16和17施加電壓，從而將碳納米管沉積在陽極16的襯底11上來實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。
這種利用電泳的方法可以實(shí)現(xiàn)較均勻的碳納米管分散以及整個(gè)方法的簡(jiǎn)化，但是由于碳納米管的結(jié)合強(qiáng)度較弱導(dǎo)致對(duì)機(jī)械沖擊的抵抗力較低，這種方法存在著不適于用在要求長使用壽命的裝置上的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是基于對(duì)上述問題的考慮而作出的。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于制造具有改進(jìn)的碳納米管結(jié)合強(qiáng)度和改進(jìn)的電特性的場(chǎng)發(fā)射電極的制造方法，通過將導(dǎo)電聚合物施加到通過電泳法沉積(deposit)在襯底上的碳納米管上來實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種用于制造具有改進(jìn)的碳納米管結(jié)合強(qiáng)度和改進(jìn)的電特性的場(chǎng)發(fā)射電極的方法。它是通過形成半固化的導(dǎo)電聚合物層，并通過電泳法在導(dǎo)電聚合物層上沉積碳納米管來實(shí)現(xiàn)的。
依照本發(fā)明，上述及其他目的可以通過提供這樣一種用于制造場(chǎng)發(fā)射電極的方法來完成，該方法包括將陰極和陽極浸入含有在其中分散的碳納米管的電解液(electrolyte)中，并向陰極和陽極施加預(yù)定電壓，從而使碳納米管沉積到設(shè)置在兩個(gè)電極之一上的襯底上；回收(recover，也稱取出)襯底，并將導(dǎo)電聚合物施加在其上沉積有碳納米管的襯底表面上；以及，對(duì)它們進(jìn)行熱處理從而使導(dǎo)電聚合物固化。
最好碳納米管的長度為1μm至2μm，施加導(dǎo)電聚合物層使其厚度為約0.2μm至1μm。
導(dǎo)電聚合物選自包括聚吡咯、聚苯胺、聚(3，4-乙撐二氧噻吩)(poly(3，4-ethylenedioxythiophene))、聚乙炔、聚(對(duì)-苯撐)、聚噻吩、聚(對(duì)-苯撐乙烯撐)(poly(p-phenylenevinylene))和聚(噻吩乙烯)(poly(thienylene vinylene))的組，但不限于此。
導(dǎo)電聚合物的施加可通過選自包括旋涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷和噴墨印刷的組的方法實(shí)現(xiàn)。優(yōu)選地，可以使用旋涂法。
在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，可以將分散劑另外添加至其中分散有碳納米管的電解液中。分散劑可以是諸如苯扎氯銨(benzenekonium chloride)、聚乙烯亞胺(polyethyleneimine)和氯化鎂(MgCl2)等陽離子分散劑，或是諸如十二烷基硫酸鈉等陰離子分散劑。優(yōu)選地，分散劑的添加量為相對(duì)碳納米管量的約100wt％至約500wt％。
另外，為了使碳納米管更加均勻地分散在電解液中，可以在沉積碳納米管的步驟之前，在分散有碳納米管的電解液中另外應(yīng)用超聲波。
如果有必要，根據(jù)本發(fā)明的方法可進(jìn)一步包括蝕刻導(dǎo)電聚合物層的表面，使碳納米管充分暴露。
此外，本發(fā)明提供了一種用于制造另一種類型的場(chǎng)發(fā)射電極的方法。該方法包括在襯底上施加導(dǎo)電聚合物；使導(dǎo)電聚合物半固化，從而使施加的導(dǎo)電聚合物形成可保持在襯底上的不流動(dòng)的聚合物層；通過電泳將碳納米管沉積在導(dǎo)電聚合物襯底上；以及，對(duì)其上沉積有碳納米管的導(dǎo)電聚合物進(jìn)行熱處理，使其完全固化。
在此實(shí)施例中，導(dǎo)電聚合物的厚度最好為0.5μm至2μm。
優(yōu)選地，該方法可進(jìn)一步包括在半固化步驟之后，將不流動(dòng)的導(dǎo)電聚合物層從襯底分開，其中沉積碳納米管的步驟可以通過把導(dǎo)電聚合物層連接至陽極(只可在使用陽離子分散劑的情況下應(yīng)用)，并將導(dǎo)電聚合物隨陰極浸入其中分散有碳納米管的溶解液中，然后向兩個(gè)電極施加預(yù)定電壓，從而將碳納米管沉積到導(dǎo)電聚合物層上來完成。
在該實(shí)施例中，使導(dǎo)電聚合物半固化的步驟可通過在50℃至100℃的溫度下對(duì)導(dǎo)電聚合物進(jìn)行5分鐘至30分鐘的熱處理來完成。


本發(fā)明的上述和其它目的、特征和其他優(yōu)點(diǎn)通過下面結(jié)合附圖所作的詳細(xì)描述，將會(huì)得到清楚的了解。圖中
圖1是示出在使用傳統(tǒng)電泳法制備場(chǎng)發(fā)射電極的方法中采用的電化學(xué)聚合法的示意圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制備場(chǎng)發(fā)射電極的方法的示意圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的制備場(chǎng)發(fā)射電極的方法的示意圖；以及圖4a和圖4b分別是按照本發(fā)明制備的碳納米管發(fā)射電極的SEM及其發(fā)光狀態(tài)。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的描述。
圖2a到2d是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于制備場(chǎng)發(fā)射電極的方法的示意圖。
首先，如圖2a所示，制備場(chǎng)發(fā)射電極的方法由準(zhǔn)備襯底21開始。由于碳納米管將要通過電泳沉積在襯底21上，所以應(yīng)用導(dǎo)電襯底。最好通過酸洗和清洗使襯底21具有清潔的表面。
其次，如圖2b所示，通過圖1所示的傳統(tǒng)電泳法將碳納米管23沉積在襯底21上。通過研磨用CVD或電弧放電法制備的多壁或單壁碳納米管，然后通過使用如場(chǎng)流通量分離(field flux flowseparation)等的已知方法使其純化，可以得到碳納米管23。本發(fā)明中所用的碳納米管的長度最好為約1μm至約2μm。
在本發(fā)明的電泳所用的電解液中混合并分散碳納米管。為了改進(jìn)碳納米管的均勻分散效果，可添加分散劑或應(yīng)用超聲波?？梢允褂萌绫皆蠕@、聚乙烯亞胺和氯化鎂(MgCl2)等陽離子分散劑，或是如十二烷基硫酸鈉等陰離子分散劑作為分散劑。根據(jù)所選的分散劑，決定碳納米管要沉積到哪個(gè)的電極(陰極或陽極)上。最好加入相對(duì)碳納米管量的大約100wt％至500wt％的分散劑。
在使用電泳沉積碳納米管23的步驟中，碳納米管可能沉積的不牢固，由此達(dá)不到足夠的強(qiáng)度。例如，一部分碳納米管23也許不能牢固地沉積，因而不能可靠地固定，如“A”所代表的碳納米管。因此這種碳納米管23較弱，在機(jī)械沖擊下易破裂，從而導(dǎo)致產(chǎn)品性能的下降。
在此實(shí)施例中，為了同時(shí)防止這種不良沉積和改進(jìn)電特性，可以應(yīng)用圖2c所示的方法。也就是，如圖2c所示，在襯底21(通過電泳將碳納米管23沉積在襯底上)上執(zhí)行施加導(dǎo)電聚合物25的施加方法。
導(dǎo)電聚合物25的施加厚度t1的范圍從約0.2μm至約1μm，從而碳納米管可以穿過施加表面適度地暴露。這是因?yàn)槿绻┘拥膶?dǎo)電聚合物25的厚度t1小于0.2μm，結(jié)合強(qiáng)度增強(qiáng)效果會(huì)減弱，而如果t1超過了1μm，碳納米管就不能適度地暴露。這種施加方法可通過旋涂(spin coating)、噴涂、絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明使用的導(dǎo)電聚合物25選自包括聚吡咯、聚苯胺、聚(對(duì)-苯撐乙烯撐)、聚乙炔，聚(對(duì)-苯撐)、聚噻吩、聚(對(duì)-苯撐乙烯撐)和聚(噻吩乙烯)的組，但不限于此。
最后，如圖2d所示，施加的導(dǎo)電聚合物25通過熱處理形成固化的導(dǎo)電聚合物層25′。盡管此過程中用于熱處理的溫度根據(jù)所采用的聚合物的類型而改變，但是熱處理可以從約150℃至約200℃的溫度范圍內(nèi)完成。固化的導(dǎo)電聚合物層25′不僅可以加固碳納米管23的沉積狀態(tài)，還可以使碳納米管23電連接，從而保證在碳納米管23和要從場(chǎng)發(fā)射裝置提供的電極(沒有示出)之間具有足夠的接觸面積。此過程之后，可以進(jìn)行另外的蝕刻導(dǎo)電聚合物層25′表面的過程，從而使碳納米管23充分地暴露。
盡管已經(jīng)說明本實(shí)施例是采用在襯底上沉積碳納米管之后施加導(dǎo)電聚合物的方式，但是本發(fā)明還可通過先施加導(dǎo)電聚合物，之后再在襯底上沉積碳納米管的方法來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的制造場(chǎng)發(fā)射電極的方法如圖3a至3e所示。
首先，如圖3a所示，該方法開始先準(zhǔn)備襯底31。在此實(shí)施例中，由于在碳納米管沉積的過程之前形成導(dǎo)電聚合物層，所以可能通過直接將陽極連接到導(dǎo)電聚合物層上進(jìn)行電泳。因此，與上述實(shí)施例不同，襯底31不特別限于導(dǎo)電襯底。
然后，如圖3b所示，在襯底31上進(jìn)行施加導(dǎo)電聚合物35的過程。這個(gè)施加過程通過旋涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷來進(jìn)行。導(dǎo)電聚合物35選自包括聚吡咯、聚苯胺、聚(對(duì)-苯撐乙烯撐)、聚乙炔、聚(對(duì)-苯撐)、聚噻吩、聚(對(duì)-苯撐乙烯撐)和聚(噻吩乙烯)的組，但不限于此。
在這方面，導(dǎo)電聚合物35的施加厚度t2最好比較厚，因?yàn)榕c前述實(shí)施例不同，在隨后的步驟中，其上沉積碳納米管的部分是導(dǎo)電聚合物。優(yōu)選的施加厚度t2可為0.5μm至約2μm。
接下來，如圖3c所示，在低于固化溫度的溫度下對(duì)導(dǎo)電聚合物35進(jìn)行熱處理，從而形成不流動(dòng)的導(dǎo)電聚合物層35′。通過該過程，碳納米管有效地沉積在導(dǎo)電聚合物35′上，與此同時(shí)，提供了適當(dāng)?shù)牟涣鲃?dòng)性，由于這種不流動(dòng)性，通過電泳碳納米管在沉積的過程中不會(huì)發(fā)生變形。盡管對(duì)熱處理?xiàng)l件沒有特殊的限制，但用于半固化的熱處理最好在50℃至100℃的溫度下進(jìn)行5分鐘至30分鐘。
接下來，如圖3d所示，通過與傳統(tǒng)電泳法相似的過程，將碳納米管33沉積在導(dǎo)電聚合物層35′上?？蛇x擇地，在該過程之前，可以通過將半固化的導(dǎo)電聚合物層35′與襯底31分離，并只將導(dǎo)電聚合物層35′連接至陽極來實(shí)現(xiàn)碳納米管的沉積過程，盡管在本實(shí)施例中描述了襯底31上形成有導(dǎo)電聚合物層35′。在這種情況下，由于最終的發(fā)射電極設(shè)置成其上沉積有碳納米管的導(dǎo)電聚合物層的形式，所以其一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以將電極處理成不同形式。
最后，如圖3e所示，對(duì)半固化的導(dǎo)電聚合物層35′進(jìn)行熱處理，從而形成完全固化的導(dǎo)電聚合物層35″。盡管在此過程中熱處理的溫度隨所用的聚合物類型而變化，但是與上述的固化條件類似，熱處理可在約150℃至約200℃溫度下完成。
此外，根據(jù)本實(shí)施例，固化的導(dǎo)電聚合物層35″可以加固碳納米管33的沉積狀態(tài)，還可以增加碳納米管33和電極之間的接觸面積。此外，在本實(shí)施例中，通過僅分離聚合物層，而不象上述那樣使用襯底來制造碳納米管發(fā)射電極也是可行的，而且這樣可以得到更好的加工性能。而且，當(dāng)通過電泳進(jìn)行碳納米管沉積過程時(shí)，與傳統(tǒng)的電極材料銅相比，導(dǎo)電聚合物有很低的導(dǎo)電率，因此它可作為電阻層，實(shí)現(xiàn)碳納米管更均勻的沉積。
根據(jù)本發(fā)明的制造場(chǎng)發(fā)射電極的方法將通過下面的例子進(jìn)行更詳細(xì)地描述。
舉例首先，用10％的硫磺酸溶液對(duì)襯底進(jìn)行10分鐘的酸洗，然后用去離子水清洗，得到干凈表面的襯底。
對(duì)襯底而言，使用亞乙基二氧硫代酚作為導(dǎo)電聚合物施加到襯底上，接著通過在600rpm的轉(zhuǎn)速下進(jìn)行旋涂至厚度大約為0.75μm。然后，為了使施加的導(dǎo)電聚合物半固化，在50℃的溫度下對(duì)其進(jìn)行10分鐘的熱處理，從而形成不流動(dòng)的導(dǎo)電聚合物層。
接下來，為了通過電泳實(shí)現(xiàn)碳納米管的沉積過程，將用CVD法制備的30mg多壁碳納米管和60mg作為陽離子分散劑的苯扎氯銨在去離子水中混合配制成電解液。將這樣得到的電解液進(jìn)行大約1小時(shí)的超聲波處理，使碳納米管在電解液中更均勻地分散。
接下來，將陽極和陰極連接到電源上并浸入電解液中。將其上形成有導(dǎo)電聚合物層的襯底安裝到陽極上，然后向兩個(gè)兩極施加預(yù)定電壓，使碳納米管沉積在導(dǎo)電聚合物層上。
最后，回收襯底，并在大約180℃的溫度下對(duì)它進(jìn)行30分鐘的熱處理，使半固化的導(dǎo)電聚合物層完全固化，這樣完成了所需的碳納米管發(fā)射電極的形成。
圖4a和圖4b分別是按照此實(shí)施例制備的場(chǎng)發(fā)射電極和其發(fā)光狀態(tài)的SEM(掃描電子顯微鏡圖像)。如圖4a中所示，碳納米管均勻分散并形成在導(dǎo)電聚合物層內(nèi)部。而且，如圖4b中所示，當(dāng)應(yīng)用在場(chǎng)發(fā)射裝置中時(shí)，碳納米管發(fā)射電極展現(xiàn)出良好的發(fā)光狀態(tài)。
從上面的描述中可以明顯地看出，本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)碳納米管結(jié)合強(qiáng)度的提高和電極電特性的改進(jìn)，這是由于通過提供固化的導(dǎo)電聚合物層，增加了碳納米管與電極間的電接觸面積。
此外，當(dāng)首先形成導(dǎo)電聚合物層時(shí)，不使用襯底來制備其上形成有碳納米管的導(dǎo)電聚合物層是可能的，這樣可以得到好的加工性能，并且因此適用于不同形式的場(chǎng)發(fā)射裝置(例如，桿狀結(jié)構(gòu)的場(chǎng)發(fā)射裝置)。而且，當(dāng)通過電泳進(jìn)行碳納米管沉積過程時(shí)，與傳統(tǒng)的材料銅相比，導(dǎo)電聚合物層有很低的導(dǎo)電率。因此，它可作為電阻層，從而實(shí)現(xiàn)碳納米管的更均勻沉積。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于制造場(chǎng)發(fā)射電極的方法，包括如下步驟將陰極和陽極浸入含有分散在其中的碳納米管的電解液中，并且向所述陰極和陽極施加預(yù)定電壓，使碳納米管沉積到設(shè)置在兩個(gè)電極之一上的襯底上；回收所述襯底，并將導(dǎo)電聚合物施加在其上沉積有碳納米管的襯底表面上；以及對(duì)它們進(jìn)行熱處理使所述導(dǎo)電聚合物固化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述碳納米管的長度為1μm至2μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述施加的導(dǎo)電聚合物層的厚度大約為0.2μm至1μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電聚合物選自包括聚吡咯、聚苯胺、聚(3，4-乙撐二氧噻吩)、聚乙炔、聚(對(duì)-苯)、聚噻吩、聚(對(duì)-苯撐乙烯撐)和聚(噻吩乙烯)的組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述施加導(dǎo)電聚合物的步驟通過選自包括旋涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷和噴墨印刷的組的方法實(shí)現(xiàn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，分散劑被另外添加至其中分散有碳納米管的電解液中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述分散劑是選自包括苯扎氯銨、聚乙烯亞胺和氯化鎂(MgCl2)的組的至少一種陽離子分散劑，或諸如十二烷基硫酸鈉的陰離子分散劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述分散劑的添加量為相對(duì)碳納米管量的約100wt％至約500wt％。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在使所述碳納米管沉積的步驟之前，使用超聲波，更均勻地分散其中分散有碳納米管的電解液。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括蝕刻所述導(dǎo)電聚合物層的表面，使碳納米管充分地暴露。
11.一種用于制造場(chǎng)發(fā)射電極的方法，所述方法包括如下步驟將導(dǎo)電聚合物施加在襯底上；使所述導(dǎo)電聚合物半固化，從而使所述施加的導(dǎo)電聚合物形成可保持在襯底上的不流動(dòng)的聚合物層；通過電泳將碳納米管沉積在所述不流動(dòng)的導(dǎo)電聚合物層上；以及對(duì)其上沉積有碳納米管的所述導(dǎo)電聚合物進(jìn)行熱處理，使其完全固化。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述碳納米管的長度為1μm至2μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述施加的導(dǎo)電聚合物層的厚度為0.5μm至2μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述導(dǎo)電聚合物選自包括聚吡咯、聚苯胺、聚(3，4-乙撐二氧噻吩)、聚乙炔、聚(對(duì)-苯撐)、聚噻吩、聚(對(duì)-苯撐乙烯撐)和聚(噻吩乙烯)的組。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述施加導(dǎo)電聚合物的步驟通過選自包括旋涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷和噴墨印刷的組的方法實(shí)現(xiàn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，將分散劑另外添加至其中分散有碳納米管的電解液中。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述分散劑是選自包括苯扎氯銨、聚乙烯亞胺和氯化鎂(MgCl2)的組的至少一種陽離子分散劑，或諸如十二烷基硫酸鈉的陰離子分散劑。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述分散劑的添加量為相對(duì)碳納米管量的約100wt％至約500wt％。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述使碳納米管沉積的步驟之前，應(yīng)用超聲波，更均勻地分散其中分散有碳納米管的電解液。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述半固化步驟之后，使所述不流動(dòng)的導(dǎo)電聚合物層從所述襯底分離，其中，使碳納米管沉積的所述步驟包括將所述導(dǎo)電聚合物層連接到兩個(gè)電極之一上，將所述導(dǎo)電聚合物層隨陰極浸入含有在其中分散的碳納米管的電解液中，并且向兩極施加預(yù)定電壓，使碳納米管沉積到所述導(dǎo)電聚合物層上。
21.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，使導(dǎo)電聚合物層半固化的所述步驟包括在50℃至100℃的溫度下對(duì)所述導(dǎo)電聚合物進(jìn)行5分鐘至30分鐘的熱處理。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于制造場(chǎng)發(fā)射電極的方法，包括如下步驟將陰極和陽極浸入含有分散在其中的碳納米管的電解液中，并且向所述陰極和陽極施加預(yù)定電壓，使碳納米管沉積到設(shè)置在陽極上的襯底上；回收所述襯底并將導(dǎo)電聚合物施加在其上沉積有碳納米管的襯底表面上；以及，對(duì)它們進(jìn)行熱處理使導(dǎo)電聚合物固化。
文檔編號(hào)C01B31/00GK1750210SQ20051000874
公開日2006年3月22日 申請(qǐng)日期2005年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月14日
發(fā)明者康鎣同, 鄭玄喆, 李相汶, 李宗勉 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社