一種鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料及其制備方法，所述材料的組成為NiO：20～70％，La0.7Ca0.3MnO3:30～80％，該材料的居里溫度為100～215K，絕緣-金屬轉(zhuǎn)變溫度為50～200K，具有優(yōu)越的低場磁電阻；該材料的制備方法是利用脈沖激光沉積法在650～750℃和25～50Pa氧壓的條件下，用鑭鈣錳氧和氧化鎳靶材在SrTiO3(001)基板上沉積40～80nm鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜。該復合薄膜材料在10～100K范圍內(nèi)實現(xiàn)了巨大低場磁電阻值的穩(wěn)定平臺，在磁電阻材料在磁傳感器和高溫超導異質(zhì)結(jié)中具有廣闊的應用前景。
【專利說明】
一種鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料及其制備方法
技術(shù)領域
[0001]本發(fā)明屬于電子材料、功能材料和智能材料領域，具體涉及一種鑭I丐猛氧-氧化鎳納米復合薄膜材料及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]鑭I丐猛氧(Laa7Caa3MnO3,簡稱LCM0)具有電子相分離、強關(guān)聯(lián)性、磁控性、半金屬性、載流子濃度易控等優(yōu)點，在磁傳感器、自旋異質(zhì)結(jié)、晶體管等微電子器件方面有著更廣泛的應用前景。但是，LCMO內(nèi)稟磁電阻需要較大的磁場才能顯示出可應用的磁電阻效應，使其在較小的偏置場下用于自旋異質(zhì)結(jié)尚有困難。為此，人們在LCMO塊體或薄膜中引入第二相(例如:MgO，ZnO, Al2O3, 1102等)來增強其低場磁電阻效應，進而提高了磁阻轉(zhuǎn)換效率。但是，上述LCMO復合材料的低場磁電阻僅在低溫出現(xiàn)并且隨溫度升高而急劇下降，這使得其低場磁電阻如同巨磁電阻一樣，在器件應用中產(chǎn)生大的電性噪音，而使它們的應用范圍受到了限制。為此，我們在LCMO薄膜中添加反鐵磁材料氧化鎳(N1)，制備出LCMO-N1納米復合薄膜。通過研究N1添加量對復合薄膜磁電阻的影響，優(yōu)選出LCMO與N1的最佳體積比為50%:50%。在N1為50%體積比的復合薄膜中，通過調(diào)節(jié)兩種材料構(gòu)成的微觀組織結(jié)構(gòu)，包括納米顆粒復合、納米層狀復合和納米柱狀復合的微結(jié)構(gòu)，使復合薄膜在較寬的溫度范圍具有安定的、優(yōu)越的低場磁電阻性能。開發(fā)LCMO-N1復合薄膜材料及其制備技術(shù)，可與微機電加工和集成電路技術(shù)兼容，使電子器件實現(xiàn)微小型化，因此在自旋異質(zhì)結(jié)應用方面具有優(yōu)越性。LCMO-N1復合薄膜作為磁電阻材料在低磁場下具有高的磁電阻值、寬的溫度范圍，在微小磁傳感器和晶體管等微電子器件方面將具有廣闊的應用前景。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料及其制備方法，本發(fā)明采用脈沖激光沉積法制備薄膜材料，具有工藝簡單，薄膜材料微觀組織結(jié)構(gòu)連續(xù)可調(diào)，納米尺度的晶粒分布均勻，薄膜厚度精確可控和晶體取向外延等優(yōu)點，在磁傳感器和高溫超導異質(zhì)結(jié)應用中具有廣闊的應用前景。
[0004]本發(fā)明提供了一種鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料，該復合薄膜材料的兩相組成成分滿足下述要求:體積百分比Laa7Caa3MnO3:30?80%，N1:20?70%，優(yōu)選配比為 La。.7Ca0.3Mn03:50%, N1: 50% 0 薄膜厚度為 40 ?80nm。
[0005]本發(fā)明提供的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料，所述薄膜材料的居里溫度為100?215K，絕緣-金屬轉(zhuǎn)變溫度為50?200K，在10?100K溫度范圍具有>80%的低場磁電阻平臺，所述薄膜材料具有001面晶體取向。
[0006]本發(fā)明還提供了所述的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料的制備方法，該方法的具體步驟如下:(1)將三氧化二鑭(La2O3,99.99% )，碳酸鈣(CaO, 99.98% )以及二氧化錳(Μη0299.9% )粉體按照La:Ca:Mn = 0.7:0.3:1的摩爾比混合，壓制成型后，在850°C到1300°C的溫度范圍內(nèi)分別燒結(jié)5次，得到純相的鑭鈣錳氧靶材。將Ni0(99.99% )粉體壓制成型，然后在800°C燒結(jié)，得到純相的氧化鎳靶材。(2)把步驟(I)得到的靶材安放在沉積室中，利用脈沖激光沉積法制備復合薄膜。基板為750°C _30min退火處理過的5^103單晶薄片，沉積溫度為650?750°C，激光能量為1.2J/cm2，靶材與基板間的距離為4cm，氧壓為25?50Pa。(3)首先，用激光照射LCMO靶材3?30秒，接著激光照射N1靶材3?30秒，在基片上沉積LCMO和N1; (4)重復步驟(3)數(shù)次，制得具有不同微觀組織結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧與氧化鎳的納米復合薄膜材料。(5)最后，將步驟(4)制備的納米復合薄膜材料在一個大氣壓下原位退火30分鐘，然后以2°C /min的速率冷卻到室溫。
[0007]本發(fā)明通過交替控制激光照射不同革El材的時間，LaQ.7CaQ.3Mn(VFP N1:t = 3?30秒，使薄膜中的氧化鎳含量從20 %連續(xù)變化至70 %，微觀組織結(jié)構(gòu)從納米顆粒膜連續(xù)演變?yōu)榧{米層狀膜和納米柱狀膜，在10?100K范圍內(nèi)實現(xiàn)了巨大低場磁電阻平臺，并且連續(xù)可調(diào)。
[0008]本發(fā)明提供的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料的制備方法，所述步驟(2)優(yōu)選沉積溫度為670°C，氧壓為30Pa。
[0009]本發(fā)明提供的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料的制備方法，所述步驟(4)優(yōu)選為用激光分別照射LaCaMnOjP N1靶材40次，以得到80nm厚的復合薄膜。
[0010]本發(fā)明所述的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，可以調(diào)節(jié)不同微觀組織結(jié)構(gòu)，具體工藝參數(shù)如下:
[0011](I)、用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13(001)基片上沉積鑭鈣錳氧30秒，接著沉積氧化鎳15秒；重復以上過程多次，得到以Laa7Caa3MnO3為基體、N1顆粒彌散分布在La Q.7Caa3Mn03基體中的0-3結(jié)構(gòu)，該復合薄膜材料組成的體積百分比為La。.7Ca0.3Mn03:70%,Ni0:30% ；
[0012](2)、用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13(001)基片上沉積鑭媽猛氧15秒，接著沉積氧化鎳30秒，得到以N1為基體、Laa7Caa3MnO3顆粒彌散分布在N1基體中的0-3結(jié)構(gòu)，該復合薄膜材料組成的體積百分比為Laa7Ca0.3Mn03:30%,Ni0:70% ；
[0013](3)、用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13(001)基片上沉積鑭鈣錳氧15秒，接著沉積氧化鎳15秒，得到Laa7Caa3MnOdP N1皆為顆粒狀的納米顆粒復合薄膜，該復合薄膜材料組成的體積百分比為La。.7Caa3Μη03:50%，Ni0:50% ；
[0014](4)、用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13 (001)基片上沉積鑭鈣錳氧30秒，接著沉積氧化鎳30秒，得到Laa7Ca0 3MnO3和N1皆為層狀的納米層狀復合薄膜，該復合薄膜材料組成的體積百分比為Laa7Caa3MnO3:50%，N1: 50% ;
[0015](5)、用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13 (001)基片上沉積鑭鈣錳氧3秒，接著沉積氧化鎳3秒，得到Laa7Caa3MnOdP N1皆為柱狀的納米柱狀復合薄膜，該復合薄膜材料組成的體積百分比為Laa7Caa3MnO3:50%，N1: 50%。
[0016]本發(fā)明所述鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料可應用在磁傳感器和高溫超導異質(zhì)結(jié)中，如與YBCO超導薄膜構(gòu)成的隧穿結(jié)和自旋異質(zhì)結(jié)等。
[0017]本發(fā)明的優(yōu)點:本發(fā)明采用脈沖激光沉積法制備鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料。該材料具有微觀組織結(jié)構(gòu)連續(xù)可調(diào)，兩相以納米尺寸混合且均勻分布，薄膜晶體外延性好，制備工藝簡單，居里溫度和絕緣-金屬轉(zhuǎn)變溫度可連續(xù)調(diào)節(jié)，低場磁電阻溫度范圍廣等優(yōu)點。該復合薄膜作為磁電阻材料在低磁場下具有高的巨磁阻抗效應，在微小磁傳感器和自旋異質(zhì)結(jié)、晶體管等微電子器件方面將具有廣闊的應用前景。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明制得到的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜的磁電阻隨N1組成和微結(jié)構(gòu)的變化圖。
[0019]圖2為本發(fā)明制得到的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜的X射線衍射圖；
[0020]圖3為本發(fā)明制得到的納米顆粒結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜的透射電子顯微鏡照片；
[0021]圖4為本發(fā)明制得到的0-3結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜的透射電子顯微鏡照片；
[0022]圖5為本發(fā)明制得到的納米柱狀結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜的透射電子顯微鏡照片；
[0023]圖6為本發(fā)明制得到的納米層狀結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜的透射電子顯微鏡照片。
【具體實施方式】
[0024]以下實施例將對本發(fā)明予以進一步的說明，但并不因此而限制本發(fā)明。實施例1
[0025](I)使用SrT13(OOl)基片。將基板在丙酮和酒精微波超聲20分鐘，然后在真空中把基片加熱到750°C，保溫30分鐘；
[0026](2)用脈沖激光在溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13(001)基片上沉積鑭鈣錳氧30秒，然后沉積氧化鎳10秒；
[0027](3)重復以上過程70次，制得厚度為80nm的以鑭鈣錳氧為基體的0-3結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料。該復合薄膜材料組成的體積百分比為La。.7Ca0.3Mn03:80 %，N1: 20 %。該材料具有001晶面取向，居里溫度約為215K，絕緣-金屬轉(zhuǎn)變溫度為208K。在該薄膜中，僅在170K附近觀察到了龐磁電阻效應(見圖1)。
[0028]實施例2
[0029](I)使用SrTi03(001)基片。將基板在丙酮和酒精微波超聲20分鐘，然后在真空中把基片加熱到750°C，保溫30分鐘；
[0030](2)用脈沖激光在溫度670 °C和氧壓30Pa的條件下，在SrTi03 (001)基片上沉積鑭鈣錳氧30秒，然后沉積氧化鎳15秒；
[0031](3)重復以上過程60次，制得厚度為80nm的、以鑭鈣錳氧為基體的0-3結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料。該復合薄膜材料組成的體積百分比為La0.7Ca0.3Mn03:70%, N1: 30% 0該材料具有001晶面取向(見圖2)，居里溫度約為170K，絕緣-金屬轉(zhuǎn)變溫度為160K。在該薄膜中，僅在135K附近觀察到了龐磁電阻效應(見圖1)。
[0032]實施例3
[0033](I)將SrT13(OOl)基片在丙酮和酒精微波超聲20分鐘，然后把基片在真空中加熱到750°C，保溫30分鐘退火；
[0034](2)用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13 (001)基片上沉積鑭鈣錳氧15秒，接著沉積氧化鎳15秒；
[0035](3)重復以上過程80次，制得厚度為80nm的納米顆粒結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料。該復合薄膜材料組成的體積百分比為Laa7Caa3MnO3:50 %，N1: 50 %。該材料具有001晶面取向(見圖2)，Laa7Caa3MnOjP N1兩相以納米顆?；旌锨揖鶆蚍植?見圖3)，居里溫度為120K，絕緣-金屬轉(zhuǎn)變溫度為85K。低場磁電阻值在10-85K的溫度區(qū)間出現(xiàn)平臺，而且，低場磁電阻值>70% (見圖1)。
[0036]實施例4
[0037](I)將SrT13(OOl)基片在丙酮和酒精微波超聲20分鐘，然后把基片在真空中加熱到750°C，保溫30分鐘退火；
[0038](2)用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13 (001)基片上沉積鑭鈣錳氧15秒，接著沉積氧化鎳30秒；
[0039](3)重復以上過程60次，制得厚度為80nm的、以N1為基體的0_3結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料。該復合薄膜材料組成的體積百分比為La。.7Ca。.3Μη03:30%，Ni0:70%。該材料具有001晶面取向(見圖2)，鑭鈣錳氧納米顆粒均勻分布在N1基體中(見圖4)。該材料的居里溫度為60K，絕緣-金屬轉(zhuǎn)變溫度為40K。該材料在1K的低場磁電阻值>70%，但是，隨溫度升高急劇下降(見圖1)。
[0040]實施例5
[0041](I)使用SrT13(OOl)基片。將基板在丙酮和酒精微波超聲20分鐘，然后在真空中把基片加熱到750°C，保溫30分鐘；
[0042](2)用脈沖激光在溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13(001)基片上沉積鑭鈣錳氧3秒，然后沉積氧化鎳3秒；
[0043](3)重復以上過程400次，制得厚度為80nm的納米柱狀結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料。該復合薄膜材料組成的體積百分比為Laa7Caa3MnO3:50 %，N1: 50 %。該材料具有001晶面取向(見圖2)，Laa7Caa3MnOjP N1兩相以納米柱狀復合且均勻分布(見圖5)，居里溫度約為110K，絕緣-金屬轉(zhuǎn)變溫度為62K。在10-62K溫度區(qū)間的低場磁電阻值>80% (見圖1)。
[0044]實施例6
[0045](I)將SrT13(OOl)基片在丙酮和酒精微波超聲20分鐘，然后把基片在真空中加熱到750°C，保溫30分鐘退火；
[0046](2)用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13 (001)基片上沉積鑭鈣錳氧30秒，接著沉積氧化鎳30秒；
[0047](3)重復以上過程40次，制得厚度為80nm的納米層狀結(jié)構(gòu)的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料。該復合薄膜材料組成的體積百分比為Laa7Caa3MnO3:50%，N1:50%。該材料具有001晶面取向(見圖2)，Laa7Caa3MnOjP N1兩相以納米層狀復合(見圖6)，居里溫度為125K，絕緣-金屬轉(zhuǎn)變溫度為110K。在10-100K溫度區(qū)間的低場磁電阻值>80%，而且出現(xiàn)穩(wěn)定平臺，即低場磁電阻值在這一溫度區(qū)間可以保持穩(wěn)定值(見圖1)。
[0048]對比例I
[0049](I)將SrT13(OOl)基片放在丙酮和酒精中微波超聲20分鐘，然后，在真空中把SrT13(OOl)基片加熱到750°C保溫30分鐘退火；
[0050](2)用脈沖激光沉積法在溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13 (001)基片上沉積鑭鈣錳氧2400秒，制得了純鑭鈣錳氧薄膜。該薄膜材料的居里溫度為230K，具有001晶面取向(見圖2)。在該薄膜材料中，僅在210K附近觀察到了龐磁電阻效應(見圖1)。該薄膜在210K的磁電阻值>50%，但是，隨溫度升高或下降而急劇下降。與此對比，50%體積比的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米顆粒復合薄膜的低場磁電阻在10-85K的溫度區(qū)間出現(xiàn)穩(wěn)定平臺，其值>70%;50%體積比的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米柱狀復合薄膜的低場磁電阻在10-62K的溫度區(qū)間出現(xiàn)穩(wěn)定平臺，其值>80% ;50%體積比的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米層狀復合薄膜的低場磁電阻在10-100K的溫度區(qū)間出現(xiàn)穩(wěn)定平臺，其值>80%。因此，在鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜中，鑭鈣錳氧與氧化鎳的最佳體積比為50%:50%，而且通過微觀組織結(jié)構(gòu)，可以調(diào)控該復合薄膜的低場磁電阻值和其穩(wěn)定的溫度范圍。
[0051]上述實施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料，其特征在于:該復合薄膜材料組成的體積百分比為 Laa7Caa3MnO3:30 ?80%，N1: 20 ?70%。2.按照權(quán)利要求1所述的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料，其特征在于:該復合薄膜材料組成的體積百分比為La。.7Ca0.3Mn03:50 %，N1: 50 %。3.按照權(quán)利要求1或2所述的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料，其特征在于:該復合薄膜材料的居里溫度為100?215K，絕緣-金屬轉(zhuǎn)變溫度為50?200K。4.按照權(quán)利要求1或2所述的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料，其特征在于:該復合薄膜材料的厚度為40?80nm。5.按照權(quán)利要求1或2所述的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料，其特征在于:該復合薄膜材料具有不同的微觀組織結(jié)構(gòu)，分別是0-3結(jié)構(gòu)，納米顆粒結(jié)構(gòu)，納米多層膜結(jié)構(gòu)和納米柱狀結(jié)構(gòu)。6.權(quán)利要求1所述的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料的制備方法，其特征在于:該方法的具體步驟如下: (1)、利用固態(tài)粉末燒結(jié)方法制備純相的鑭鈣錳氧和氧化鎳靶材:利用固態(tài)燒結(jié)法，按照La:Ca:Mn = 0.7:0.3:1的摩爾比混合鑭氧化物、鈣氧化物和錳氧化物粉體，通過成型、燒結(jié)制備純相的鑭鈣錳氧靶材；將氧化鎳粉體壓制成型，利用固態(tài)燒結(jié)法制備氧化鎳靶材； (2)、把步驟(I)制備的鑭鈣錳氧靶材和氧化鎳靶材安放在脈沖激光沉積設備的沉積室中； (3)、利用脈沖激光沉積法在基板溫度為650?750°C和25?50Pa氧壓的條件下，用激光先后轟擊鑭鈣錳氧靶材3?30秒，氧化鎳靶材3?30秒，在基板上沉積鑭鈣錳氧和氧化鎳； (4)、重復步驟(3)過程，制得厚度為40?SOnm的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜。7.按照權(quán)利要求6所述的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料的制備方法，其特征在于:步驟(3)中，所述基板為SrT13，基板需要用丙酮和酒精清洗，然后升溫至750°C保溫30分鐘。8.按照權(quán)利要求6所述的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料的制備方法，其特征在于:所述步驟(4)成膜結(jié)束后，制備得到的納米復合薄膜材料在一個大氣壓下原位退火30分鐘，然后以2°C /min的速率冷卻到室溫。9.按照權(quán)利要求6所述的鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，調(diào)節(jié)不同微觀組織結(jié)構(gòu)，具體工藝參數(shù)如下: (1)、用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13(001)基片上沉積鑭鈣錳氧30秒，接著沉積氧化鎳15秒；重復以上過程，得到以Laa7Caa3MnO3S基體、N1顆粒彌散分布在Laa7Caa3MnO3S體中的0_3結(jié)構(gòu)，該復合薄膜材料組成的體積百分比為 Laa7Caa3MnO3:70%，Ni 0:30% ； (2)、用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13(001)基片上沉積鑭媽猛氧15秒，接著沉積氧化鎳30秒，得到以N1為基體、1^。.70&。.3]/[1103顆粒彌散分布在N1基體中的0-3結(jié)構(gòu)，該復合薄膜材料組成的體積百分比為La。.7Ca0.3Mn03:30%,Ni0:70% ； (3)、用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13(001)基片上沉積鑭鈣錳氧15秒，接著沉積氧化鎳15秒，得到Laa7Caa3MnOdP N1皆為顆粒狀的納米顆粒復合薄膜，該復合薄膜材料組成的體積百分比為Laa7Caa3MnO3:50%，N1: 50% ; (4)、用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13(001)基片上沉積鑭鈣錳氧30秒，接著沉積氧化鎳30秒，得到Laa7Ca0 3MnO3和N1皆為層狀的納米層狀復合薄膜，該復合薄膜材料組成的體積百分比為Laa7Caa3MnO3:50%，N1: 50% ; (5)、用脈沖激光沉積法在沉積溫度670°C和氧壓30Pa的條件下，在SrT13(001)基片上沉積鑭鈣錳氧3秒，接著沉積氧化鎳3秒，得到Laa7Caa3MnOdP N1皆為柱狀的納米柱狀復合薄膜，該復合薄膜材料組成的體積百分比為Laa7Caa3MnO3:50%，N1: 50%。10.權(quán)利要求1所述鑭鈣錳氧-氧化鎳納米復合薄膜材料在磁傳感器和高溫超導異質(zhì)結(jié)中的應用。
【文檔編號】B82Y40/00GK105986227SQ201510083387
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月16日
【發(fā)明人】王占杰, 寧興坤, 張志東
【申請人】中國科學院金屬研究所