一種光學(xué)元件金屬化鍍膜的納米掩膜方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種納米掩膜方法，特別涉及一種光學(xué)元件金屬化鍍膜的納米掩膜方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，人們對(duì)光學(xué)元件表面金屬化圖案的要求越來(lái)越高。目前傳統(tǒng)的表面金屬圖案的加工方法主要是通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。首先在整個(gè)元件表面鍍金屬膜，再通過(guò)光刻的方法實(shí)現(xiàn)圖案化;或者首先在元件表面進(jìn)行光刻，光刻膠圖案與目標(biāo)圖案互補(bǔ)，再在整個(gè)元件上鍍金屬層，通過(guò)去掉光刻膠來(lái)形成金屬化圖案。利用光刻的方法實(shí)現(xiàn)金屬層圖案化步驟繁雜，出錯(cuò)幾率大，成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種光學(xué)元件金屬化鍍膜的納米掩膜方法。
[0004]—種光學(xué)元件金屬化鍍膜的納米掩膜方法，包括如下步驟:
[0005](I)準(zhǔn)備基片和納米掩膜模板，將基片清洗干凈并烘干，所述納米掩膜模板選自納米掩膜夾具或者網(wǎng)板；
[0006](2)通過(guò)納米掩膜模板覆蓋基片上，再通過(guò)蒸鍍、電鍍或者印刷中的一種方法將納米掩膜材料覆蓋在基片上，完成后取下納米掩膜模板；
[0007](3)通過(guò)蒸鍍、電鍍中的一種方法，在室溫-160度溫度下，在整個(gè)基片上形成金屬層；
[0008](4)鍍有納米掩膜層和金屬層的基片一起與去除液進(jìn)行反應(yīng)，得到具有金屬化圖案的光學(xué)元件；
[0009](5)將步驟(4)得到的光學(xué)元件清洗、烘干、待用。
[0010]進(jìn)一步的，所述基片選自玻璃、石英、藍(lán)寶石、硅、鍺、硫化鋅、砸化鋅光學(xué)基片材料中的一種。
[0011]進(jìn)一步的，所述納米掩膜層材料選自48、01^1工&0)3工&0、他(:1、2113、感光膠、？1膠和ZnSe容易溶解于酸、堿、有機(jī)溶劑中的一種。
[0012]進(jìn)一步的，所述步驟(2)中實(shí)施溫度為室溫至160°C。
[0013]進(jìn)一步的，所述步驟(3)中的形成的金屬層為一層或者多層，所述多層為2-20層。
[0014]進(jìn)一步的，所述金屬層的料選自Au、Ag、Cu、Pt、N1、T1、T1、W、Cr中的一種或多種。
[0015]進(jìn)一步的，所述去除液選自鹽酸、硝酸、硫酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、有機(jī)溶劑乙醇、乙醚、丙酮、IPA、石油醚中的一種或幾種。
[0016]進(jìn)一步的，所述納米掩膜夾具材料選自不銹鋼、鋁、銅或鐵容易加工的金屬中的一種，其形狀根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。
[0017]相較其他的技術(shù)方案，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0018](I)本發(fā)明納米掩膜一次成形，方法簡(jiǎn)單方便，可提高產(chǎn)品產(chǎn)量和良率；
[0019](2)本發(fā)明中所選掩膜材料可以與一些酸、堿或酒精、丙酮等有機(jī)溶劑反應(yīng)，在基片上形成掩膜以后，方便后續(xù)處理；
[0020](3)納米掩膜可以與去除液在整個(gè)接觸面同時(shí)反應(yīng)，可以被快速去除掉；
[0021](4)納米掩膜的實(shí)現(xiàn)方法有多種，可根據(jù)實(shí)際情況靈活選擇；
[0022](5)本發(fā)明的納米掩膜法制備光學(xué)元件金屬化鍍膜的制備成本低，經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1是本發(fā)明具體實(shí)施例1中的光學(xué)元件金屬化鍍膜的納米掩膜方法的設(shè)計(jì)方案；
[0024]圖2是本發(fā)明具體實(shí)施例5中的光學(xué)元件金屬化鍍膜的納米掩膜方法的設(shè)計(jì)方案；
[0025]圖3是本發(fā)明具體實(shí)施例6中的光學(xué)元件金屬化鍍膜的納米掩膜方法的設(shè)計(jì)方案。
[0026]附圖標(biāo)記
[0027]1-基片;2-納米掩膜模板;3-納米掩膜層;4-金屬層;5-金屬化圖案的光學(xué)元件。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出。以下通過(guò)附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0029]—種光學(xué)元件金屬化鍍膜的納米掩膜方法，包括如下步驟:
[0030](I)準(zhǔn)備基片I和納米掩膜模板2，將基片I清洗干凈并烘干，所述納米掩膜模板選自納米掩膜夾具或者印刷網(wǎng)板；
[0031](2)通過(guò)納米掩膜模板2覆蓋基片I上，再通過(guò)蒸鍍、電鍍或者印刷中的一種方法將納米掩膜材料覆蓋在基片I上，得到一層納米掩膜層，完成后取下納米掩膜模板2;
[0032](3)通過(guò)蒸鍍、電鍍中的一種方法，在室溫-160度溫度下，在整個(gè)基片上形成金屬層4 ；
[0033](4)鍍有納米掩膜層3和金屬層4的基片一起與去除液進(jìn)行反應(yīng)，得到具有金屬化圖案的光學(xué)元件5;
[0034](5)將步驟(4)得到的光學(xué)元件清洗、烘干、待用。
[0035]所述基片選自玻璃、石英、藍(lán)寶石、硅、鍺、硫化鋅、砸化鋅光學(xué)基片材料中的一種。
[0036]所述納米掩膜層材料選自Ag、Cu、Al、CaCO3、CaO、NaCl、ZnS、感光膠、PI膠和ZnSe容易溶解于酸、堿、有機(jī)溶劑中一種。
[0037]所述步驟(2)中實(shí)施溫度為室溫至160°C。
[0038]所述步驟(3)中的形成的金屬層為一層或者多層，所述多層為2-20層。
[0039]所述金屬層的料選自Au、Ag、Cu、Pt、N1、T1、W、Cr中的一種或多種。
[0040]所述去除液選自鹽酸、硝酸、硫酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、有機(jī)溶劑乙醇、乙醚、丙酮、IPA、石油醚中的一種或幾種。
[0041]所述納米掩膜夾具材料選自不銹鋼、鋁、銅或鐵容易加工的金屬中的一種，其形狀根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。
[0042]本發(fā)明中的納米掩膜層3和金屬層4不能是同一種金屬，也需要有相異的特性。例如納米掩膜層3為Ag是需用稀硝酸作為去除液去除，則金屬層4不能設(shè)定為Cu等可被稀硝酸腐蝕的金屬層，也就是如果想要金屬層4為Cu，則納米掩膜層3避免使用Ag等。這個(gè)需要本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)行自行調(diào)整和設(shè)置。
[0043]本發(fā)明中納米掩膜材料可以通過(guò)蒸鍍、電鍍或者印刷的方式覆蓋在基片上，其中一些材料可以用多種方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要選擇一種方式進(jìn)行，優(yōu)選的是金屬可以用蒸鍍和電鍍。感光膠和PI膠用印刷的方式進(jìn)行。
[0044]本發(fā)明中多層金屬層可以是一次掩膜，在其納米掩膜層上覆蓋多層金屬層，也可以是將一層金屬層覆蓋完成后，利用去除液去除納米掩膜層，在重復(fù)制作步驟(2)-(4)，覆蓋多層金屬層，本發(fā)明中覆蓋的金屬層可以達(dá)到20層，另外本發(fā)明中每一次金屬層的掩膜方式可以不一樣，根據(jù)具體的情況進(jìn)行操作。