本發(fā)明涉及OLED顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種蒸鍍掩膜板、OLED基板及測(cè)量蒸鍍像素偏位的方法。

背景技術(shù)：

OLED，即有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode)，又稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示(Organic Electroluminesence Display)。OLED顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的LCD顯示方式不同，無(wú)需背光燈，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基層，當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。而且OLED顯示器可以做得更輕更薄，可視角度更大，并且能夠顯著節(jié)省電能。OLED顯示器由M*N(M和N均為自然數(shù))個(gè)發(fā)光像素單元按照矩陣結(jié)構(gòu)排列組合而成，對(duì)于彩色OLED顯示器每個(gè)發(fā)光像素又包括紅色像素(R)、綠色像素(G)和藍(lán)色像素(B)。OLED顯示器根據(jù)驅(qū)動(dòng)方式分為主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)(有源驅(qū)動(dòng))OLED(AMOLED)和被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)(無(wú)源驅(qū)動(dòng))OLED(PMOLED)。

在制造OLED顯示器的過(guò)程中，需要通過(guò)蒸鍍掩膜板對(duì)紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素分別進(jìn)行蒸鍍。為了檢驗(yàn)蒸鍍效果、判斷一些不良產(chǎn)生的原因，需要測(cè)量蒸鍍像素的偏移情況。目前常用的測(cè)量蒸鍍像素偏移情況的方法是：制作母玻璃板，在所述母玻璃板上蒸鍍單色像素，通過(guò)蒸鍍后的母玻璃板來(lái)判斷蒸鍍掩膜板對(duì)位后的像素偏移情況(也即測(cè)量蒸鍍像素的偏移情況)。

這種方法需要單獨(dú)制作母玻璃板，增加了人力、物力和時(shí)間成本；此外，無(wú)法實(shí)際監(jiān)控蒸鍍過(guò)程中每塊OLED基板對(duì)應(yīng)像素的偏移情況，不能準(zhǔn)確反應(yīng)實(shí)時(shí)蒸鍍效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種蒸鍍掩膜板、OLED基板及測(cè)量蒸鍍像素偏位的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)量蒸鍍像素的偏移情況的成本較高并且不能準(zhǔn)確反應(yīng)實(shí)時(shí)蒸鍍效果的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種蒸鍍掩膜板，用以在OLED基板上蒸鍍單色像素，所述蒸鍍掩膜板包括：框架、固定于所述框架上的掩膜片及固定于所述框架上的支撐掩膜；其中，所述掩膜片包括有源區(qū)和過(guò)渡區(qū)，所述過(guò)渡區(qū)上設(shè)置有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口用于蒸鍍單色像素；所述支撐掩膜上設(shè)置有第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口在所述掩膜片上的投影覆蓋所述第一開(kāi)口，所述第二開(kāi)口在所述OLED基板上的投影覆蓋所述OLED基板上的標(biāo)記。

可選的，在所述的蒸鍍掩膜板中，所述支撐掩膜的固定區(qū)設(shè)置有標(biāo)識(shí)，所述標(biāo)識(shí)用以標(biāo)示蒸鍍顏色。

可選的，在所述的蒸鍍掩膜板中，所述支撐掩膜的兩端固定區(qū)均設(shè)置有標(biāo)識(shí)。

可選的，在所述的蒸鍍掩膜板中，所述第一開(kāi)口的數(shù)量為多個(gè)。

可選的，在所述的蒸鍍掩膜板中，所述第二開(kāi)口在所述掩膜片上的投影覆蓋一個(gè)或者多個(gè)所述第一開(kāi)口。

可選的，在所述的蒸鍍掩膜板中，所述支撐掩膜的數(shù)量為多個(gè)，其中，一個(gè)或者多個(gè)支撐掩膜上設(shè)置有第二開(kāi)口。

可選的，在所述的蒸鍍掩膜板中，所述有源區(qū)具有第三開(kāi)口，所述第三開(kāi)口用于蒸鍍單色像素。

本發(fā)明還提供一種OLED基板，所述OLED基板上設(shè)置有標(biāo)記。

可選的，在所述的OLED基板中，所述標(biāo)記位于所述OLED基板上的非顯示區(qū)。

本發(fā)明還提供一種測(cè)量蒸鍍像素偏位的方法，所述測(cè)量蒸鍍像素偏位的方法包括：

采用如上所述的蒸鍍掩膜板對(duì)如上所述的OLED基板執(zhí)行蒸鍍單色像素工藝；

測(cè)量蒸鍍后的OLED基板上標(biāo)記與覆蓋標(biāo)記的單色像素之間的偏移，從而得到蒸鍍像素的偏移情況。

在本發(fā)明提供的蒸鍍掩膜板、OLED基板及測(cè)量蒸鍍像素偏位的方法中，通過(guò)在OLED基板上設(shè)置標(biāo)記；蒸鍍掩膜板的掩膜片上設(shè)置有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口用于蒸鍍單色像素，蒸鍍掩膜板的支撐掩膜上設(shè)置有第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口在所述掩膜片上的投影覆蓋所述第一開(kāi)口，所述第二開(kāi)口在所述OLED基板上的投影覆蓋所述OLED基板上的標(biāo)記，由此通過(guò)所述蒸鍍掩膜板執(zhí)行蒸鍍工藝時(shí)，蒸鍍的單色像素將同時(shí)形成于所述標(biāo)記上，由此通過(guò)測(cè)量蒸鍍的單色像素與所述標(biāo)記之間的偏移即可得到蒸鍍像素的偏移情況。通過(guò)該方法獲取蒸鍍像素的偏移情況無(wú)需特別制作母玻璃板，從而降低了人力、物力和時(shí)間成本；此外，能夠?qū)嶋H監(jiān)控蒸鍍過(guò)程中每塊OLED基板對(duì)應(yīng)像素的偏移情況，準(zhǔn)確反應(yīng)實(shí)時(shí)蒸鍍效果。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍掩膜板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例的掩膜片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例的OLED基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍不同顏色的單色像素時(shí)所用的支撐掩膜的比較示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的蒸鍍掩膜板、OLED基板及測(cè)量蒸鍍像素偏位的方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

請(qǐng)參考圖1至圖3，其中，圖1為是本發(fā)明實(shí)施例蒸鍍掩膜板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例掩膜片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的OLED基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1至圖2所述，所述蒸鍍掩膜板1包括：框架10、固定于所述框架10上的掩膜片20及固定于所述框架10上的支撐掩膜30；其中，所述掩膜片20包括有源區(qū)21和過(guò)渡區(qū)22，所述過(guò)渡區(qū)22上設(shè)置有第一開(kāi)口(圖2中未示出)，所述第一開(kāi)口用于蒸鍍單色像素；所述支撐掩膜30上設(shè)置有第二開(kāi)口31，所述第二開(kāi)口31在所述掩膜片20上的投影覆蓋所述第一開(kāi)口，所述第二開(kāi)口31在所述OLED基板4上的投影覆蓋所述OLED基板上的標(biāo)記40。

優(yōu)選的，所述支撐掩膜30的固定區(qū)設(shè)置有標(biāo)識(shí)32，所述標(biāo)識(shí)32用以標(biāo)示蒸鍍顏色。即具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，所述標(biāo)識(shí)32可以通過(guò)紅、綠、藍(lán)等顏色來(lái)制作，具體可以與蒸鍍的單向像素的顏色一致，從而方便、清楚的示出了當(dāng)前蒸鍍掩膜板1所要蒸鍍的單色像素的顏色。更優(yōu)的，所述支撐掩膜30的兩端固定區(qū)均設(shè)置有標(biāo)識(shí)32。由此，在制作蒸鍍掩膜板1的過(guò)程中，左右移動(dòng)所述支撐掩膜30均能夠方便的獲悉當(dāng)前蒸鍍掩膜板1所要蒸鍍的單色像素的顏色。

請(qǐng)繼續(xù)參考圖1和圖2，進(jìn)一步的，所述第一開(kāi)口的數(shù)量為多個(gè)，即在此每個(gè)過(guò)渡區(qū)22上均設(shè)置有多個(gè)第一開(kāi)口。進(jìn)一步的，所述有源區(qū)21具有第三開(kāi)口(圖2未示出)，所述第三開(kāi)口用于蒸鍍單色像素。較佳的，所述第三開(kāi)口與所述第一開(kāi)口的開(kāi)口形式相似，例如，所述第三開(kāi)口的形狀、大小與所述第一開(kāi)口的形狀、大小相同；同時(shí)，每個(gè)有源區(qū)21具有多個(gè)第三開(kāi)口，每個(gè)過(guò)渡區(qū)22具有多個(gè)第一開(kāi)口，相鄰兩個(gè)第三開(kāi)口之間的距離與相鄰兩個(gè)第一開(kāi)口之間的距離相同。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述第二開(kāi)口31在所述掩膜片20上的投影覆蓋一個(gè)或者多個(gè)所述第一開(kāi)口。當(dāng)所述第二開(kāi)口31覆蓋一個(gè)第一開(kāi)口時(shí)，通過(guò)所述蒸鍍掩膜板1蒸鍍單色像素時(shí)，將通過(guò)所述第二開(kāi)口31和一個(gè)第一開(kāi)口形成一個(gè)蒸鍍單色像素(當(dāng)然，還將通過(guò)有源區(qū)21上的第三開(kāi)口形成多個(gè)正常的、需要的單色像素)；當(dāng)所述第二開(kāi)口31覆蓋多個(gè)第一開(kāi)口時(shí)，通過(guò)所述蒸鍍掩膜板1蒸鍍單色像素時(shí)，將通過(guò)所述第二開(kāi)口31和多個(gè)第一開(kāi)口形成多個(gè)蒸鍍單色像素。

進(jìn)一步的，所述支撐掩膜30的數(shù)量為多個(gè)，其中，一個(gè)或者多個(gè)支撐掩膜30上設(shè)置有第二開(kāi)口31。請(qǐng)繼續(xù)參考圖1，圖1中示出了三個(gè)支撐掩膜30，且每個(gè)支撐掩膜30上均設(shè)置有第二開(kāi)口31。在本申請(qǐng)的其他實(shí)施例中，也可以僅有其中一個(gè)或者兩個(gè)支撐掩膜30上設(shè)置有第二開(kāi)口31，而在另外一個(gè)或者兩個(gè)支撐掩膜30上不設(shè)置第二開(kāi)口31，對(duì)此并不做限定。

綜上可見(jiàn)，在本申請(qǐng)的設(shè)計(jì)中，只要通過(guò)第二開(kāi)口31和第一開(kāi)口蒸鍍至少一個(gè)額外的單色像素即可。

接著，請(qǐng)繼續(xù)參考圖3，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述標(biāo)記40位于所述OLED基板4上的非顯示區(qū)，從而可以完全不影響后續(xù)形成的OLED顯示器的質(zhì)量與顯示效果。進(jìn)一步的，可以在所述OLED基板4上形成一個(gè)或者多個(gè)標(biāo)記40，一個(gè)或者多個(gè)標(biāo)記40均位于非顯示區(qū)。優(yōu)選的，所述標(biāo)記40通過(guò)低溫多晶硅制程工藝形成，例如，在形成像素限定層的同時(shí)形成所述標(biāo)記40。由此既能夠很方便的形成所述標(biāo)記40，又無(wú)需增加額外的制造工序。

接著，便可采用所述蒸鍍掩膜板1對(duì)所述OLED基板4執(zhí)行蒸鍍單色像素工藝；測(cè)量蒸鍍后的OLED基板上標(biāo)記與覆蓋標(biāo)記的單色像素之間的偏移，從而得到蒸鍍像素的偏移情況?？梢?jiàn)，通過(guò)該方法獲取蒸鍍像素的偏移情況無(wú)需特別制作母玻璃板，從而降低了人力、物力和時(shí)間成本；此外，能夠?qū)嶋H監(jiān)控蒸鍍過(guò)程中每塊OLED基板對(duì)應(yīng)像素的偏移情況，準(zhǔn)確反應(yīng)實(shí)時(shí)蒸鍍效果。

通過(guò)上述方法便可實(shí)現(xiàn)單色像素的蒸鍍以及測(cè)量蒸鍍像素的偏移情況。對(duì)于一般的紅、綠、藍(lán)三色或者更多色的蒸鍍工藝而言，接著便可繼續(xù)其他單色的蒸鍍。其中，蒸鍍不同單色像素所使用的蒸鍍掩膜板以及蒸鍍方法、像素偏移的檢測(cè)方法基本相同。其差別僅在于，由于蒸鍍不同的單色像素，支撐掩膜上的第二開(kāi)口的位置具有一定的偏移。

具體的，請(qǐng)參考圖4，其為本發(fā)明實(shí)施例的蒸鍍不同顏色的單色像素時(shí)所用的支撐掩膜的比較示意圖。如圖4所示，支撐掩膜30a、支撐掩膜30b、支撐掩膜30c、支撐掩膜30d和支撐掩膜30e分別用于蒸鍍不同顏色的單色像素，可見(jiàn)，這幾者的第二開(kāi)口之間具有一定的偏移，從而實(shí)現(xiàn)蒸鍍不同顏色的單色像素。此時(shí)，通過(guò)每個(gè)支撐掩膜上的標(biāo)識(shí)可以很方便的看出各支撐掩膜用以蒸鍍的單色像素的顏色。

上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書(shū)的保護(hù)范圍。