本發(fā)明涉及定位技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種定位結(jié)構(gòu)及硅片加工設(shè)備。

背景技術(shù)：

在硅片加工設(shè)備例如減薄機(jī)上需要設(shè)置對(duì)硅片定位的定位結(jié)構(gòu)，以便對(duì)硅片進(jìn)行磨削等加工?，F(xiàn)有的定位結(jié)構(gòu)包括載物臺(tái)和真空通路，真空通路將硅片吸附于載物臺(tái)表面。載物臺(tái)經(jīng)螺釘安裝于減薄機(jī)的底座上。如圖1中所示，載物臺(tái)包括本體11’以及設(shè)置于本體11’上的微孔陶瓷12’，在本體11’表面上開設(shè)有凹槽2’，由凹槽2’形成真空通路，本體11’中部具有與凹槽2’連通的抽真空孔25’，微孔陶瓷12’將凹槽2’覆蓋，在微孔陶瓷12’的外周包繞有隔離件14’，從而，硅片放置于微孔陶瓷12’上，抽真空孔25’連接抽真空裝置，將硅片吸附于微孔陶瓷12’上。

由于需要硅片的尺寸與微孔陶瓷12’的尺寸相同，因此，現(xiàn)有的定位結(jié)構(gòu)只能加工一種尺寸的硅片，當(dāng)需要加工的硅片尺寸改變時(shí)，相應(yīng)的定位結(jié)構(gòu)也需要進(jìn)行更換。更換過程為：關(guān)閉真空->卸下載物臺(tái)的螺釘->打開返吹氣2分鐘->用螺桿分別插入位于載物臺(tái)側(cè)面四個(gè)孔，往上抬->拆下載物臺(tái)->清潔舊載物臺(tái)背面和安裝底座->清潔新載物臺(tái)背面->潤(rùn)滑密封圈->對(duì)應(yīng)螺絲孔位裝入新載物臺(tái)->對(duì)角固定螺釘->打開真空->打開返吹->清潔載物臺(tái)->大修整載物臺(tái)->初始化設(shè)備->定位設(shè)備->完成。更換過程復(fù)雜，至少需要2小時(shí)的時(shí)間，嚴(yán)重影響生產(chǎn)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種可對(duì)不同尺寸的待定位件進(jìn)行定位的定位結(jié)構(gòu)。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種定位結(jié)構(gòu)，包括：

載物臺(tái)；

真空通路，用于將待定位件吸附于所述載物臺(tái)表面，所述真空通路包括相互隔開設(shè)置的至少兩個(gè)真空通路單元；

連接通路，將所述真空通路單元之間連通；以及，

開關(guān)件，用于將所述連接通路切斷或接通，以改變所述真空通路的吸附區(qū)域。

優(yōu)選地，所述載物臺(tái)包括本體以及設(shè)置于所述本體上的微孔陶瓷，所述真空通路將待定位件吸附于所述微孔陶瓷表面；

所述微孔陶瓷包括分別與至少兩個(gè)所述真空通路單元位置對(duì)應(yīng)的至少兩個(gè)微孔陶瓷單元；

還包括第一隔離件和第二隔離件，所述第一隔離件設(shè)置于相鄰所述微孔陶瓷單元之間，所述第二隔離件包繞于所述微孔陶瓷的外周。

優(yōu)選地，所述至少兩個(gè)真空通路單元包括中心通路單元以及位于所述中心通路單元外周的至少一條周部通路單元。

優(yōu)選地，所述本體表面設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽形成所述中心通路單元；

在所述本體表面上，第一凹槽的外周沿徑向向外依次設(shè)置至少一條第二凹槽，每條所述第二凹槽形成一條所述周部通路單元。

優(yōu)選地，所述本體設(shè)置有與所述第一凹槽連通的抽真空孔，所述抽真空孔用于與抽真空裝置連接。

優(yōu)選地，所述連接通路包括設(shè)置于所述本體內(nèi)的第一連接通路單元，所述第一連接通路單元將靠近所述第一凹槽的第二凹槽與所述抽真空孔連通。

優(yōu)選地，所述連通通路還包括設(shè)置于所述本體內(nèi)的第二連接通路單元，所述第二連接通路單元將相鄰第二凹槽連通，或者，所述第二連接通路單元分別將除去靠近所述第一凹槽的第二凹槽之外的第二凹槽與所述抽真空孔連通。

優(yōu)選地，所述至少兩個(gè)微孔陶瓷單元包括中心微孔陶瓷單元以及位于所述中心微孔陶瓷單元外周的至少一個(gè)周部微孔陶瓷單元；

所述中心微孔陶瓷單元為圓形，所述中心通路單元用于將5英寸的所述待定位件吸附于所述中心微孔陶瓷單元表面。

優(yōu)選地，所述至少一個(gè)周部微孔陶瓷單元包括與所述中心微孔陶瓷單元相鄰的第一周部微孔陶瓷單元，所述第一周部微孔陶瓷單元為與所述中心微孔陶瓷單元同心設(shè)置的圓環(huán)形，所述至少一條周部通路單元包括與所述中心通路單元相鄰的第一周部通路單元，所述第一周部通路單元及所述中心通路單元用于將6英寸的所述待定位件吸附于所述第一周部微孔陶瓷單元及所述中心微孔陶瓷單元表面。

優(yōu)選地，所述本體內(nèi)設(shè)置有通道，所述通道依次將所述第二凹槽與所述抽真空孔連通；

所述開關(guān)件設(shè)置于所述通道內(nèi)，所述開關(guān)件上靠近所述抽真空孔的一端開設(shè)有第一連通孔，所述開關(guān)件的側(cè)壁上開設(shè)有第二連通孔，所述第一連通孔與所述第二連通孔連通；

當(dāng)所述第二連通孔與所述第二凹槽接通時(shí)，所述連通通路接通，當(dāng)所述第二連通孔與所述第二凹槽錯(cuò)開時(shí)，所述連通通孔切斷。

優(yōu)選地，所述開關(guān)件呈圓柱狀，通過轉(zhuǎn)動(dòng)所述開關(guān)件實(shí)現(xiàn)所述連通通路的接通和切斷。

本發(fā)明還提供了一種硅片加工設(shè)備，采用如上所述的定位結(jié)構(gòu)，無需更換定位結(jié)構(gòu)即可對(duì)不同尺寸的硅片進(jìn)行加工，大大提高了生產(chǎn)效率。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種硅片加工設(shè)備，采用如上所述的定位結(jié)構(gòu)對(duì)硅片進(jìn)行定位。

優(yōu)選地，所述硅片加工設(shè)備為減薄機(jī)。

本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明提供的定位結(jié)構(gòu)具有至少兩個(gè)真空通路單元，真空通路單元之間經(jīng)連接通路連通，通過開關(guān)件可將連接通路切斷和接通，從而改變真空通路的吸附區(qū)域，進(jìn)而可對(duì)不同尺寸的待定位件進(jìn)行定位，通用性強(qiáng)。

本發(fā)明提供的硅片加工設(shè)備采用如上所述的定位結(jié)構(gòu)，無需更換定位結(jié)構(gòu)即可對(duì)不同尺寸的硅片進(jìn)行加工，大大提高了生產(chǎn)效率。

附圖說明

通過以下參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述以及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中：

圖1是現(xiàn)有的定位結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖2是本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例提供的定位結(jié)構(gòu)對(duì)第一硅片定位時(shí)的剖視圖；

圖3是本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例提供的定位結(jié)構(gòu)對(duì)第二硅片定位時(shí)的剖視圖；

圖4是本發(fā)明具體實(shí)施例提供的定位結(jié)構(gòu)除去微孔陶瓷、第一隔離件和第二隔離件后的俯視圖；

圖5是本發(fā)明另一個(gè)具體實(shí)施例提供的定位結(jié)構(gòu)對(duì)第一硅片定位時(shí)的剖視圖；

圖6是本發(fā)明另一個(gè)具體實(shí)施例提供的定位結(jié)構(gòu)對(duì)第二硅片定位時(shí)的剖視圖；

圖7是本發(fā)明另一個(gè)具體實(shí)施例提供的定位結(jié)構(gòu)對(duì)第三硅片定位時(shí)的剖視圖。

圖中，11’、本體；12’、微孔陶瓷；2’、凹槽；25’、抽真空孔；14’、隔離件；

11、本體；111、缺口；112、安裝孔；121、中心微孔陶瓷單元；122、周部微孔陶瓷單元；13、第一隔離件；14、第二隔離件；21、第一環(huán)形槽；22、第二環(huán)形槽；23、第一連通槽；24、第二連通槽；25、抽真空孔；3、開關(guān)件；31、第一連通孔；32、第二連通孔；33、旋鈕；4、硅片；5、通道。

具體實(shí)施方式

以下基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，但是本發(fā)明并不僅僅限于這些實(shí)施例。在下文對(duì)本發(fā)明的細(xì)節(jié)描述中，詳盡描述了一些特定的細(xì)節(jié)部分。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說沒有這些細(xì)節(jié)部分的描述也可以完全理解本發(fā)明。為了避免混淆本發(fā)明的實(shí)質(zhì)，公知的方法、過程、流程、元件并沒有詳細(xì)敘述。

本發(fā)明提供了一種定位結(jié)構(gòu)，包括：

載物臺(tái)；

真空通路，用于將待定位件吸附于載物臺(tái)表面，真空通路包括相互隔開設(shè)置的至少兩個(gè)真空通路單元；

連接通路，將真空通路單元之間連通；以及，

開關(guān)件，用于將連接通路切斷或接通，以改變真空通路的吸附區(qū)域。

本發(fā)明提供的定位結(jié)構(gòu)具有至少兩個(gè)真空通路單元，真空通路單元之間經(jīng)連接通路連通，通過開關(guān)件可將連接通路切斷和接通，從而改變真空通路的吸附區(qū)域，進(jìn)而可對(duì)不同尺寸的待定位件進(jìn)行定位，通用性強(qiáng)。

下面參照?qǐng)D2至圖7說明本發(fā)明的定位結(jié)構(gòu)應(yīng)用于吸附硅片的實(shí)施例。

如圖2至4所示，本實(shí)施例中的定位結(jié)構(gòu)包括載物臺(tái)、真空通路、連接通路及開關(guān)件3。

其中，載物臺(tái)包括本體11以及設(shè)置于本體11上的微孔陶瓷。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，真空通路包括中心通路單元以及位于中心通路單元外周的周部通路單元。具體的，如圖4所示，本體11表面設(shè)置有第一凹槽，由第一凹槽形成中心通路單元，在本體11表面上，第一凹槽的外周設(shè)置第二凹槽，第二凹槽形成周部通路單元。第一凹槽和第二凹槽的具體設(shè)置方式不限，優(yōu)選的，第一凹槽布滿本體的中部區(qū)域，第二凹槽布滿周部區(qū)域，進(jìn)一步優(yōu)選的，第一凹槽包括沿徑向向外依次設(shè)置的四條第一環(huán)形槽21，第一環(huán)形槽21之間經(jīng)第一連通槽23連通，第二凹槽包括位于第一凹槽外周的第二環(huán)形槽22。在本體11的中部還設(shè)置有抽真空孔25，抽真空孔25經(jīng)第二連通槽24與第一環(huán)形槽21連通。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，微孔陶瓷包括與中心通路單元對(duì)應(yīng)的中心微孔陶瓷單元121以及與周部通路單元對(duì)應(yīng)的周部微孔陶瓷單元122。中心微孔陶瓷單元121將所有第一環(huán)形槽21覆蓋，周部微孔陶瓷單元122將第二環(huán)形槽22覆蓋。在中心微孔陶瓷單元121與周部微孔陶瓷單元122之間設(shè)置有第一隔離件13，從而防止中心微孔陶瓷單元121與周部微孔陶瓷單元122之間通氣。周部微孔陶瓷單元122的外周包繞有第二隔離件14，從而防止周部微孔陶瓷單元122漏氣。第一隔離件13和第二隔離件14的具體材料不限，優(yōu)選采用氧化鋁陶瓷。

在進(jìn)一步的實(shí)施例中，中心微孔陶瓷單元121為直徑125毫米的圓形，第一凹槽形成的中心通路單元對(duì)應(yīng)用于將5英寸的待定位件吸附于中心微孔陶瓷單元121表面；周部微孔陶瓷單元122為至少一個(gè)，本實(shí)施例中，其包括與中心微孔陶瓷單元121相鄰的第一周部微孔陶瓷單元，第一周部微孔陶瓷單元為與中心微孔陶瓷單元121同心設(shè)置的外圓直徑150毫米的圓環(huán)形，對(duì)應(yīng)地，由第二凹槽形成的至少一條周部通路單元包括與中心通路單元相鄰的第一周部通路單元，第一周部通路單元及中心通路單元用于將6英寸的待定位件吸附于第一周部微孔陶瓷單元及中心微孔陶瓷單元121表面。5英寸、6英寸的待定位件例如是5英寸、6英寸的硅片，當(dāng)然，中心微孔陶瓷單元121及至少一個(gè)周部微孔陶瓷單元的形狀及尺寸不限于本實(shí)施例給出的數(shù)據(jù)，根據(jù)對(duì)應(yīng)進(jìn)行定位的待定位件的形狀和尺寸，可以有相應(yīng)的變化，周部微孔陶瓷單元的數(shù)量也不限于本實(shí)施例中的第一周部微孔陶瓷單元一個(gè)，例如在替代的實(shí)施例中，周部微孔陶瓷單元包括第一周部微孔陶瓷單元和第二周部微孔陶瓷單元，其中中心微孔陶瓷單元為圓形，第一周部微孔陶瓷單元和第二周部微孔陶瓷單元為與中心微孔陶瓷單元同心設(shè)置的圓環(huán)形，第一周部微孔陶瓷單元與中心微孔陶瓷單元相鄰，中心微孔陶瓷單元、第一周部微孔陶瓷單元、第二周部微孔陶瓷單元的外圓直徑遞增，具體大小可以根據(jù)各自對(duì)應(yīng)的待定位件的大小確定。

在本體11內(nèi)設(shè)置有通道5，通道5可將第二環(huán)形槽22和抽真空孔25連通，由通道5形成前述的連接通路。開關(guān)件3設(shè)置在通道5內(nèi)，用于將連接通路切斷和接通。開關(guān)件3的具體結(jié)構(gòu)不限，能夠?qū)崿F(xiàn)第二環(huán)形槽22與通道5的接通和切換即可，例如開關(guān)閥等，開關(guān)閥可以是電動(dòng)控制，也可以是手動(dòng)控制。

在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，為簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，開關(guān)件3上靠近抽真空孔25的一端開設(shè)第一連通孔31，開關(guān)件3的側(cè)壁上開設(shè)有第二連通孔32，第一連通孔31與第二連通孔32連通。當(dāng)?shù)诙B通孔32與第二環(huán)形槽22接通時(shí)，連通通路接通，當(dāng)?shù)诙B通孔32與第二環(huán)形槽22錯(cuò)開時(shí)，連通通孔切斷。進(jìn)一步優(yōu)選的，開關(guān)件3呈圓柱狀，通過轉(zhuǎn)動(dòng)開關(guān)件3實(shí)現(xiàn)連通通路的接通和切斷，具體的，如圖2所示，當(dāng)開關(guān)件3轉(zhuǎn)至第二連通孔與第二環(huán)形槽22錯(cuò)開時(shí)，第一凹槽內(nèi)抽真空，可將第一尺寸的硅片4吸附，如圖3所示，當(dāng)開關(guān)件3轉(zhuǎn)至第二連通孔32與第二環(huán)形槽22相對(duì)時(shí)，第一凹槽和第二凹槽內(nèi)均抽真空，可將第二尺寸的硅片4吸附。

進(jìn)一步的，為方便開關(guān)件3的轉(zhuǎn)動(dòng)，開關(guān)件3上與開設(shè)第一連通孔31的一端相對(duì)的端部設(shè)置有旋鈕33，本體11的周部設(shè)置有缺口111，旋鈕33設(shè)置在缺口111中。

進(jìn)一步的，本體11上還設(shè)置有多個(gè)安裝孔112，用于將定位結(jié)構(gòu)安裝于減薄機(jī)等設(shè)備上。

下面以硅片為例說明本實(shí)施例的定位結(jié)構(gòu)對(duì)不同尺寸的待定位件進(jìn)行定位時(shí)的切換過程。

如圖2，當(dāng)開關(guān)件3轉(zhuǎn)至第二連通孔與第二環(huán)形槽22錯(cuò)開時(shí)，第一凹槽內(nèi)抽真空，所述定位結(jié)構(gòu)可將第一尺寸的硅片4吸附。需要切換為對(duì)第二尺寸的硅片4吸附時(shí)，關(guān)閉與抽真空孔25相連的抽真空裝置，接著如圖3，通過旋轉(zhuǎn)旋鈕33將開關(guān)件3轉(zhuǎn)至第二連通孔32與第二環(huán)形槽22相對(duì)，再打開與抽真空孔25相連的抽真空裝置，此時(shí)第一凹槽和第二凹槽內(nèi)均抽真空，所述定位結(jié)構(gòu)可將第二尺寸的硅片4吸附。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例的定位結(jié)構(gòu)僅需要旋轉(zhuǎn)旋鈕33即可實(shí)現(xiàn)對(duì)不同尺寸的待定位件進(jìn)行定位時(shí)的切換，避免了更換整個(gè)載物臺(tái)帶來的一系列繁瑣的的操作。

可以理解的是，真空通路的各個(gè)真空通路單元的設(shè)置位置不局限于上述情形，可根據(jù)所要定位的不同待定位件的形狀進(jìn)行設(shè)置，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)不同待定位件的定位即可。真空通路單元的數(shù)量也不局限于兩個(gè)，可根據(jù)待定位件的種類進(jìn)行設(shè)置。

以硅片為例，如圖5至圖7所示，在本體11表面上，第一凹槽的外周沿徑向向外依次設(shè)置兩條第二凹槽，具體的，兩條凹槽均為第二環(huán)形槽22。微孔陶瓷包括中心微孔陶瓷單元121以及兩個(gè)周部微孔陶瓷單元122，中心微孔陶瓷單元121將全部第一環(huán)形槽21覆蓋，兩個(gè)周部微孔陶瓷單元分別將兩條第二環(huán)形槽22覆蓋。在中心微孔陶瓷單元121與周部微孔陶瓷單元122之間以及兩個(gè)周部微孔陶瓷單元122之間均設(shè)置有第一隔離件13，從而防止中心微孔陶瓷單元121與周部微孔陶瓷單元122之間以及相鄰周部微孔陶瓷單元122之間通氣，位于外側(cè)的周部微孔陶瓷單元122的外周包繞有第二隔離件14，從而防止周部微孔陶瓷單元122漏氣。第二凹槽也可以多于兩條，結(jié)構(gòu)類似，在此不再贅述。

在本體11內(nèi)設(shè)置有通道5，通道5可將兩條第二環(huán)形槽22依次與抽真空孔25連通。開關(guān)件3上靠近抽真空孔25的一端開設(shè)第一連通孔31，開關(guān)件3的側(cè)壁上在周向的第一位置設(shè)置有一個(gè)第二連通孔32，該第二連通孔32與第一連通孔31連通，開關(guān)件3的側(cè)壁上在周向的第二位置設(shè)置有兩個(gè)第二連通孔32，這兩個(gè)第二連通孔32也均與第一連通孔31連通。如圖5所示，當(dāng)開關(guān)件3轉(zhuǎn)至所有的第二連通孔32與第二環(huán)形槽22錯(cuò)開時(shí)，第一凹槽內(nèi)抽真空，可將第一尺寸的硅片4吸附，如圖6所示，當(dāng)開關(guān)件3轉(zhuǎn)至第一位置的第二連通孔32與內(nèi)側(cè)的第二環(huán)形槽22相對(duì)時(shí)，第一凹槽和內(nèi)側(cè)的第二凹槽內(nèi)均抽真空，可將第二尺寸的硅片4吸附，如圖7所示，當(dāng)開關(guān)件3轉(zhuǎn)至第二位置的兩個(gè)第二連通孔32分別與兩條第二環(huán)形槽22相對(duì)時(shí)，第一凹槽以及兩個(gè)第二凹槽內(nèi)均抽真空，可將第三尺寸的硅片4吸附。

當(dāng)然，可以理解的是，當(dāng)真空通路單元的數(shù)量多于兩個(gè)時(shí)，連接通路的結(jié)構(gòu)不局限于是上述的一體式通道5，還可以是包括設(shè)置于本體11內(nèi)的第一連接通路單元，第一連接通路單元將靠近第一凹槽的第二凹槽與抽真空孔25連通，連通通路還包括設(shè)置于本體11內(nèi)的第二連接通路單元，第二連接通路單元將相鄰第二凹槽連通，或者，第二連接通路單元分別將除去靠近第一凹槽的第二凹槽之外的第二凹槽與抽真空孔25連通，只要能夠通過開關(guān)件3實(shí)現(xiàn)連接通路的各種切斷和接通狀態(tài)即可。

本發(fā)明還提供了一種硅片加工設(shè)備，該硅片加工設(shè)備采用如上所述的定位結(jié)構(gòu)對(duì)硅片進(jìn)行定位，無需更換定位結(jié)構(gòu)即可對(duì)不同尺寸的硅片進(jìn)行加工，大大提高了生產(chǎn)效率。

硅片加工設(shè)備具體不限，例如是減薄機(jī)等。

此外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在此提供的附圖都是為了說明的目的，并且附圖不一定是按比例繪制的。

同時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解，示例實(shí)施例被提供，以使本公開是全面的，并將其范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。很多特定細(xì)節(jié)(例如特定部件、設(shè)備和方法的示例)被給出以提供對(duì)本公開的全面理解。本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白，不需要采用特定細(xì)節(jié)，示例實(shí)施例可以以很多不同的形式被實(shí)施，并且示例實(shí)施例不應(yīng)被理解為限制本公開的范圍。在一些示例實(shí)施例中，眾所周知的設(shè)備結(jié)構(gòu)以及眾所周知的技術(shù)沒有詳細(xì)描述。

當(dāng)一元件或?qū)颖惶峒盀樵诹硪辉驅(qū)印吧稀?、“被接合到”、“被連接到”或“被聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可直接在另一元件或?qū)由?、被直接接合、連接或聯(lián)接到另一元件或?qū)?，或者可存在中間元件或?qū)?。相比之下，?dāng)一元件被提及為“直接”在另一元件或?qū)印吧稀?、“直接被接合到”、“直接被連接到”或“直接被聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，可不存在中間元件或?qū)印Ｓ糜诿枋鲈g關(guān)系的其它詞語應(yīng)該以相似方式被解釋(例如，“之間”與“直接在之間”，“鄰近”與“直接鄰近”等)。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或更多關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的任一或全部組合。

雖然術(shù)語第一、第二、第三等在此可被用于描述各個(gè)元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段不應(yīng)該被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語可僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段與另一元件、區(qū)域、層或區(qū)段區(qū)分開。諸如“第一”、“第二”的術(shù)語和其它數(shù)值術(shù)語當(dāng)在此使用時(shí)不意味著次序或順序，除非上下文明確指出。因而，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段，而不背離示例實(shí)施例的教導(dǎo)。此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明可以有各種改動(dòng)和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。