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一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺的制作方法

文檔序號:3278188閱讀:206來源:國知局
專利名稱:一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
—種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺技術(shù)領(lǐng)域:本實用新型涉及晶體材料加工、實驗設(shè)備,特別是一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺。
背景技術(shù)
:現(xiàn)在的硬脆晶體材料的用途十分廣泛,不僅可廣泛應(yīng)用在多個薄膜技術(shù)領(lǐng)域,用于制作高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電薄膜、磁學(xué)薄膜和光電薄膜等,是高溫超導(dǎo)器件、功能元件、光學(xué)元件和集成電路的基片(襯底)材料,還可廣泛應(yīng)用于民用、軍用及高科技領(lǐng)域,用于制作光學(xué)鏡片、透明元件、激光器件和耐高溫高壓的窗口等,是火箭、導(dǎo)彈和核反應(yīng)堆部件、高溫光學(xué)系統(tǒng)、激光光學(xué)系統(tǒng)、紅外夜視系統(tǒng)、光學(xué)信息系統(tǒng)等不可多得的光學(xué)基片。而電子器件、功能元件、光學(xué)元件和集成電路的性能完全受制于襯底的表面質(zhì)量及器件制造過程中各工序工件的表面加工質(zhì)量。在微電子及光電子制造行業(yè),隨產(chǎn)品性能的不斷提高,加工精度和表面質(zhì)量的要求愈來愈高,不僅要求半導(dǎo)體及光電晶體基片表面具有很高的面型精度和很低的表面粗糙度,而且還要求半導(dǎo)體及光電晶體基片的超精密加工無損傷表面和亞表面。目前,在進行硬脆晶體基片的超精密研磨和化學(xué)機械拋光實驗時,常采用直接在壓塊上用石臘粘接基片進行加工實驗,這種結(jié)構(gòu)存在的問題是,(I)在超精密研磨和化學(xué)機械拋光實驗時,需要一定的壓力,壓塊做的較厚,裝卸工件需對壓塊進行加熱,由于壓塊熱容量大,所以要花費較多時間等待壓塊的加熱與冷卻,有時需要等待近2小時時間更換一個工件;(2)當(dāng)需要進行很多片加工時、或者改變加工的壓力時,需要更換壓塊,因此為了滿足實驗要求,由于裝卸工件較費時,所以需要準(zhǔn)備大量的壓塊;(3)當(dāng)需要對一個樣品在研拋期間進行去除率、表面質(zhì)量與形貌的測量時,或者需要觀測一個樣品在不同研拋時段的去除率、表面質(zhì)量與形貌時,不能快速取下工件,如果不取下工件去檢測,則由于檢測儀器設(shè)備上的空間限制,而導(dǎo)致無法檢測,造成實驗效率很低。發(fā)明內(nèi)容:本實用新型的目的是設(shè)計一種使用方便、結(jié)構(gòu)合理的晶體基片超精密研拋實驗用載物臺。本實用新型的技術(shù)方案是,一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺,它包括載物盤,壓塊,其特征在于:載物盤與壓塊之間通過定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)固定。所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)為,在載物盤上與壓塊聯(lián)接的一面設(shè)有圓孔、錐孔、十字槽、鍵槽、凹槽中的一種或組合,在壓塊上對應(yīng)的設(shè)有圓柱銷、圓錐銷、十字塊、平鍵、凸塊中的任意一種或組合。所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)為,在載物盤上與壓塊聯(lián)接的一面設(shè)有圓柱銷、圓錐銷、十字塊、平鍵、凸塊中的任意一種或組合,在壓塊上對應(yīng)的設(shè)有圓孔、錐孔、十字槽、鍵槽、凹槽中的一種或組合。在載物盤上與壓塊聯(lián)接的一面以及在壓塊與載物盤連接的那一面上,對應(yīng)位置分別設(shè)有圓孔、錐孔、十字槽、鍵槽、凹槽的一種或組合,載物盤與壓塊之間對應(yīng)的選取圓柱銷、圓錐銷、十字塊、平鍵、凸塊中的任意一種或組合對兩者進行聯(lián)接。在載物盤上與壓塊聯(lián)接的一面以及在壓塊與載物盤連接的那一面上分別設(shè)有端面齒??梢栽O(shè)有多個壓塊,在多個壓塊之間也可以采用定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)固定。在所述壓塊上可以設(shè)有多個載物盤。[0009]本實用新型結(jié)構(gòu)合理,使用方便,便于使用,能夠極大的提高實驗效率。


:圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
:結(jié)合附圖詳細描述實施例,實施例1,一種晶體基片I超精密研拋實驗用載物臺,它包括載物盤3,壓塊5,載物盤3與壓塊5之間通過定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4固定、本實施例所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4為,在載物盤3與壓塊5接觸的一面上設(shè)有圓孔,在壓塊5與載物盤3接觸這一面上對應(yīng)的設(shè)有圓柱銷,便于載物盤3與壓塊5之間快速定位、固定;在壓塊5上可以設(shè)有兩個載物盤3,便于同時對多個晶體基片I進行加工或者實驗,晶體基片I與載物盤3通過粘接層2連接,能夠極大的提聞生廣或試驗效率,并且載物盤3可以制造的盡量薄一些,便于將載物盤3與晶體基片I同時放置在檢測設(shè)備上,壓塊5的厚度可以較小,便于對壓塊5進行快速加熱,能夠減少生產(chǎn)或試驗準(zhǔn)備時間。實施例2,一種晶體基片I超精密研拋實驗用載物臺,它包括載物盤3,壓塊5,載物盤3與壓塊5之間通過定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4固定、本實施例所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4為,在載物盤3與壓塊5接觸的一面上設(shè)有圓錐銷,在壓塊5與載物盤3接觸這一面上對應(yīng)的設(shè)有錐孔,便于載物盤
3與壓塊5之間快速定位、固定;在壓塊5上可以設(shè)有三個載物盤3,便于同時對多個晶體基片I進行加工或者實驗,晶體基片I與載物盤3通過粘接層2連接,能夠極大的提聞生廣或試驗效率,并且載物盤3可以制造的盡量薄一些,便于將載物盤3與晶體基片I同時放置在檢測設(shè)備上,壓塊5的厚度可以較小,便于對壓塊5進行快速加熱,能夠減少生產(chǎn)或試驗準(zhǔn)備時間。實施例3,一種晶體基片I超精密研拋實驗用載物臺,它包括載物盤3,壓塊5,載物盤3與壓塊5之間通過定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4固定、本實施例所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4為,在載物盤3與壓塊5接觸的一面上設(shè)有十字槽,在壓塊5與載物盤3接觸這一面上對應(yīng)的設(shè)有十字塊,便于載物盤3與壓塊5之間快速定位、固定;在壓塊5上可以設(shè)有一個載物盤3,便于同時對多個晶體基片I進行加工或者實驗,能夠極大的提聞生廣或試驗效率,并且載物盤3可以制造的盡量薄一些。實施例4, 一種晶體基片I超精密研拋實驗用載物臺,它包括載物盤3,壓塊5,載物盤3與壓塊5之間通過定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4固定、本實施例所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4為,在載物盤3的與壓塊5接觸的一面上設(shè)有凹槽和錐孔,在壓塊5與載物盤3接觸這一面上對應(yīng)的設(shè)有凸塊和圓錐銷,便于載物盤3與壓塊5之間快速定位、固定;在壓塊5上可以設(shè)有一個載物盤3,便于同時對多個晶體基片I進行加工或者實驗,能夠極大的提聞生廣或試驗效率,并且載物盤3可以制造的盡量薄一些,便于將載物盤3與晶體基片I同時放置在檢測設(shè)備上,壓塊5的厚度可以較小,便于對壓塊5進行快速加熱,能夠減少生產(chǎn)或試驗準(zhǔn)備時間,當(dāng)需要增加研拋壓力時,一個壓塊5的厚度不夠時,可以增加壓塊5的數(shù)量,壓塊5與壓塊5之間通過端面齒連接,能夠?qū)簤K5和壓塊5進行快速定位,將壓塊5的厚度增大,便于承重。實施例5、一種晶體基片I超精密研拋實驗用載物臺,它包括載物盤3,壓塊5,載物盤3與壓塊5之間通過定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4固定、本實施例所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4為,在載物盤3上與壓塊5聯(lián)接的一面上設(shè)有鍵槽,在壓塊5與載物盤3連接的那一面上的對應(yīng)位置也設(shè)有鍵槽,載物盤3與壓塊5之間的連接件對應(yīng)的選取平鍵,對壓塊5與載物盤3進行連接,本結(jié)構(gòu)便于載物盤3與壓塊5之間快速定位、固定;本實施例在壓塊5上可以設(shè)有三個載物盤3,便于同時對多個晶體基片I進行加工或者實驗,能夠極大的提聞生廣或試驗效率,并且載物盤3可以制造的盡量薄一些,便于將載物盤3與晶體基片I同時放置在檢測設(shè)備上,壓塊5的厚度可以較小,便于對壓塊5進行快速加熱,能夠減少生產(chǎn)或試驗準(zhǔn)備時間。實施例6、一種晶體基片I超精密研拋實驗用載物臺,它包括載物盤3,壓塊5,載物盤3與壓塊5之間通過定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4固定、本實施例所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4為,在載物盤3上與壓塊5聯(lián)接的一面上設(shè)有圓錐孔,在壓塊5與載物盤3連接的那一面上的對應(yīng)位置也設(shè)有圓錐孔,載物盤3與壓塊5之間的連接件對應(yīng)的選取圓錐銷,對壓塊5與載物盤3進行連接,本結(jié)構(gòu)便于載物盤3與壓塊5之間快速定位、固定;本實施例在壓塊5上可以設(shè)有三個載物盤3,便于同時對多個晶體基片I進行加工或者實驗,能夠極大的提聞生廣或試驗效率,并且載物盤3可以制造的盡量薄一些,便于將載物盤3與晶體基片I同時放置在檢測設(shè)備上,壓塊5的厚度可以較小,便于對壓塊5進行快速加熱,能夠減少生產(chǎn)或試驗準(zhǔn)備時間。實施例7、—種晶體基片I超精密研拋實驗用載物臺,它包括載物盤3,壓塊5,載物盤3與壓塊5之間通過定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4固定、本實施例所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)4為,在載物盤3上與壓塊5聯(lián)接的一面上設(shè)有端面齒,在壓塊5與載物盤3連接的那一面上的對應(yīng)位置也設(shè)有與載物盤3上結(jié)構(gòu)相同的端面齒,本結(jié)構(gòu)便于載物盤3與壓塊5之間快速定位、固定;本實施例在壓塊5上可以設(shè)有三個載物盤3,便于同時對多個晶體基片I進行加工或者實驗,能夠極大的提高生產(chǎn)或試驗效率,并且載物盤3可以制造的盡量薄一些,便于將載物盤3與晶體基片I同時放置在檢測設(shè)備上,壓塊5的厚度可以較小,便于對壓塊5進行快速加熱,能夠減少生產(chǎn)或試驗準(zhǔn)備時間。本實用新型結(jié)構(gòu)合理、使用方便,能夠極大的提高生產(chǎn)和實驗效率易于生產(chǎn)和推廣使用。
權(quán)利要求1.一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺,它包括載物盤,壓塊,其特征在于:載物盤與壓塊之間通過定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)固定。
2.如權(quán)利要求1所述的一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺,其特征在于:所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)為,在載物盤上與壓塊聯(lián)接的一面設(shè)有圓孔、錐孔、十字槽、鍵槽、凹槽中的一種或組合,在壓塊上對應(yīng)的設(shè)有圓柱銷、圓錐銷、十字塊、平鍵、凸塊中的任意一種或組合。
3.如權(quán)利要求1所述的一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺,其特征在于:所述定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)為,在載物盤上與壓塊聯(lián)接的一面設(shè)有圓柱銷、圓錐銷、十字塊、平鍵、凸塊中的任意一種或組合,在壓塊上對應(yīng)的設(shè)有圓孔、錐孔、十字槽、鍵槽、凹槽中的一種或組合。
4.如權(quán)利要求1所述的一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺,其特征在于:在載物盤上與壓塊聯(lián)接的一面以及在壓塊與載物盤連接的那一面上,對應(yīng)位置分別設(shè)有圓孔、錐孔、十字槽、鍵槽、凹槽的一種或組合,載物盤與壓塊之間對應(yīng)的選取圓柱銷、圓錐銷、十字塊、平鍵、凸塊中的任意一種或組合對兩者進行聯(lián)接。
5.如權(quán)利要求1所述的一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺,其特征在于:在載物盤上與壓塊聯(lián)接的一面以及在壓塊與載物盤連接的那一面上分別設(shè)有端面齒。
6.如權(quán)利要求1所述的一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺,其特征在于:可以設(shè)有多個壓塊,在多個壓塊之間也可以采用定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)固定。
7.如權(quán)利要求1所述的一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺,其特征在于:在所述壓塊上可以設(shè)有多個載物盤。
專利摘要本實用新型公開了一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺。本實用新型的技術(shù)方案要點是,一種晶體基片超精密研拋實驗用載物臺,它包括載物盤,壓塊,載物盤與壓塊之間通過定位聯(lián)接結(jié)構(gòu)固定。本實用新型結(jié)構(gòu)合理,使用方便,便于使用,能夠極大的提高實驗效率。
文檔編號B24B37/30GK203031442SQ20122071160
公開日2013年7月3日 申請日期2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月21日
發(fā)明者蘇建修, 洪源, 劉幸龍, 叢曉霞, 王振寧, 王占合, 姚建國, 胡志剛 申請人:河南科技學(xué)院
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