專利名稱：用于化學(xué)氣相沉積(cvd)的基板處理設(shè)備的制作方法
用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置，特別是指一種應(yīng)用于化學(xué)氣相沉積制程，為了將玻璃基板承載于反應(yīng)室中以進(jìn)行表面處理的基板處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
化學(xué)氣相沉積(CVD)經(jīng)數(shù)十年的發(fā)展，已成為半導(dǎo)體及薄膜晶體管_液晶顯示器(TFT-LCD)制程中最主要的薄膜沉積工具，而其中又以電漿為最重要的關(guān)鍵的一，由于PECVD制程中含有許多無法預(yù)測的變量，當(dāng)電漿受異常狀況(壓力異常、射頻供應(yīng)器異常、制程氣體供輸異常、成膜環(huán)境異常等)影響時(shí)，輕者可能造成設(shè)備當(dāng)機(jī)，重者可能致使產(chǎn)品的損失及設(shè)備稼動(dòng)率的下降。 針對TFT-LCD的化學(xué)氣相沉積制程中，請參閱圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)的基板處理設(shè)備的示意圖，其包含基座(Susc印tor)ll與遮蔽框架(Shadow Frame) 12，基座11與遮蔽框架12會上下(Up/Down)往復(fù)運(yùn)動(dòng)，來針對液晶面板進(jìn)行加工；然而，在周期性往復(fù)而造成遮蔽框架12的復(fù)位針孔(Reset Pin Hole) 121因多次受撞擊后損壞，從而產(chǎn)生金屬粒子(MetalParticle) 122崩壞，造成面板的污染。 其次，復(fù)位針孔(Reset Pin Hole) 121因撞擊而使尺寸變大，導(dǎo)致遮蔽框架12與基座11密合時(shí)，遮蔽玻璃基板13位置偏移，而使得玻璃基板13鍍膜區(qū)域也跟著位移，嚴(yán)重時(shí)，將會導(dǎo)致腔體部(Chamber Parts)的表面發(fā)生電弧放電(Arcing)。為防止這種缺失的發(fā)生，得經(jīng)常性地更換遮蔽框架12，然而，僅因?yàn)閺?fù)位針孔121尺寸的問題就要更換整個(gè)遮蔽框架12，造成成本大幅提高。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問題，本發(fā)明提供一種用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，以大體上解決先前技術(shù)存在的缺失，提高基板處理設(shè)備的使用生命周期，同時(shí)避免因金屬破碎粒子導(dǎo)致污染、與良率降低的問題。 因此為實(shí)現(xiàn)上述所要解決的技術(shù)問題，本發(fā)明所揭露的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，包含有基座、遮蔽框架與復(fù)數(shù)陶瓷復(fù)位塊，基座具有處理平臺，用以承置玻璃基板，且處理平臺周圍凸設(shè)至少一個(gè)陶瓷復(fù)位鈕(Reset Button);遮蔽框架，設(shè)有對應(yīng)處理平臺的凹槽，使基座作垂直位移而重迭于基座，并通過凹槽使玻璃基板可露出，且遮蔽框架底部對應(yīng)陶瓷復(fù)位鈕而設(shè)有至少一個(gè)陶瓷復(fù)位塊。陶瓷復(fù)位塊底部是配合陶瓷復(fù)位鈕的頂部形狀朝內(nèi)凹陷，形成有可供陶瓷復(fù)位鈕對位的復(fù)位孔，使該蔽框架重迭于基座時(shí)，陶瓷復(fù)位鈕卡合固定入復(fù)位孔，同時(shí)，陶瓷復(fù)位塊設(shè)置固定于遮蔽框架上，并其設(shè)置為可拆卸裝置，為可自遮蔽框架拆卸更替，而可于復(fù)位孔磨損或是損壞后，僅更替復(fù)位塊，除了可以免除需要更替整個(gè)遮蔽框架、而提高成本的問題外，同時(shí)可以常態(tài)保持復(fù)位孔、復(fù)位鈕的配合精度，避免習(xí)知金屬粒子污染的問題，提高生產(chǎn)加工良率，并延長使用操作的生命周期。

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的基板處理設(shè)備的剖視圖； 圖2為用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備的實(shí)施例的剖視 圖3A為基板處理設(shè)備的遮蔽框架的立體外觀 圖3B為圖3A沿A-A剖面線所取的剖視 圖3C為圖3B局部放大圖； 圖4為本發(fā)明的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備的另一實(shí)施例的剖視圖。
具體實(shí)施方式

請參閱圖2，為本發(fā)明的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備的實(shí)施例的剖視圖?；瘜W(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，包含有基座21與遮蔽框架22，基座21具有處理平臺211，用以承置玻璃基板23，且處理平臺211周圍凸設(shè)至少一個(gè)陶瓷復(fù)位鈕(ResetButton)24。遮蔽框架22設(shè)有對應(yīng)處理平臺211的凹槽221，使基座21作垂直位移而重迭于基座21 ，并藉由凹槽221使玻璃基板23可露出，且遮蔽框架22底部對應(yīng)陶瓷復(fù)位鈕24而設(shè)有至少一個(gè)陶瓷復(fù)位塊25。陶瓷復(fù)位塊25底部系配合陶瓷復(fù)位鈕24的頂部形狀朝內(nèi)凹陷，形成有可供陶瓷復(fù)位鈕24對位的復(fù)位孔222，使遮蔽框架22相對基座21作垂直位移而重迭于基座21時(shí)，陶瓷復(fù)位鈕24卡合固定入復(fù)位孔222。 請參閱圖3A及圖3B及圖3C，圖3A為基板處理設(shè)備的遮蔽框架的立體外觀圖，圖3B為圖3A沿A-A剖面線所取的剖視圖，圖3C為圖3B局部放大圖。于圖3A中，遮蔽框架22設(shè)有對應(yīng)一基座的處理平臺的凹槽221，且遮蔽框架22底部設(shè)有裝設(shè)槽，以設(shè)置陶瓷復(fù)位塊25。 于圖3C中，由于陶瓷復(fù)位塊25設(shè)置固定于遮蔽框架22上，并其設(shè)置為可拆卸裝置，可自遮蔽框架22拆卸更替，而可于復(fù)位孔222磨損或是損壞后，僅更替陶瓷復(fù)位塊25，而陶瓷復(fù)位塊25的材質(zhì)為氧化鋁(A1203)，且陶瓷復(fù)位塊25的橫截面大致為T型的陶瓷T型塊。其中，遮蔽框架22底部的裝設(shè)槽30供陶瓷復(fù)位塊25設(shè)置，而陶瓷復(fù)位塊25可利用至少一螺釘31螺固于遮蔽框架22上，而螺釘31表面系經(jīng)由陽極處理而形成一陶瓷氧化膜，此外，陶瓷復(fù)位塊25底部配合一基座的陶瓷復(fù)位鈕的頂部形狀朝內(nèi)凹陷，形成有可供陶瓷復(fù)位鈕對位的復(fù)位孔222，這樣，可以常態(tài)保持復(fù)位孔、陶瓷復(fù)位鈕的配合精度。
當(dāng)陶瓷復(fù)位鈕通過卡合固定于陶瓷復(fù)位塊25來進(jìn)行相互對位，而造成陶瓷復(fù)位塊25損傷時(shí)，上述陶瓷復(fù)位塊25為可拆卸式，修繕時(shí)無須更換整個(gè)遮蔽框架22，僅需將螺釘31自遮蔽框架22上卸除，以使陶瓷復(fù)位塊25脫離遮蔽框架22的裝設(shè)槽30，可達(dá)到方便卸除更替的功效，以及有效延長遮蔽框架22的使用壽命，并減少生產(chǎn)成本及提高產(chǎn)品良率的目的。 此外，陶瓷復(fù)位塊25還可通過嵌合或膠合方式設(shè)置于裝設(shè)槽30內(nèi)，如陶瓷復(fù)位塊25是利用一耐熱膠膠合于遮蔽框架22上。 請參閱圖4，其為本發(fā)明的用于化學(xué)氣相沉積的基板處理設(shè)備的另一實(shí)施例的剖視圖?；逄幚碓O(shè)備包含基座41與遮蔽框架42，于薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-LCD)的化學(xué)氣相沉積制程中，基座41與遮蔽框架42會上下往復(fù)運(yùn)動(dòng)，來針對液晶顯示器進(jìn)行加工動(dòng)作。 圖中，基座41具有處理平臺及至少一陶瓷復(fù)位鈕24，處理平臺用以承置玻璃基板23，而基座41的處理平臺的上表面具有一第一表面411與一第二表面412，且第一表面411的高度高于第二表面412，而處理平臺設(shè)置于基座41的第一表面411，陶瓷復(fù)位鈕24設(shè)置于基座41的第二表面412。 遮蔽框架42設(shè)有對應(yīng)處理平臺的凹槽221 ，且底部對應(yīng)陶瓷復(fù)位鈕24而設(shè)有至少一個(gè)陶瓷復(fù)位塊25，陶瓷復(fù)位塊25設(shè)置固定于遮蔽框架42上，并其設(shè)置為可拆卸裝置，可自遮蔽框架42拆卸更替。陶瓷復(fù)位塊25底部系配合陶瓷復(fù)位鈕24的頂部形狀朝內(nèi)凹陷，形成有可供陶瓷復(fù)位鈕24對位的復(fù)位孔222。 遮蔽框架42的下表面具有一嵌合槽421，用以置入基座41的處理平臺，且嵌合槽421頂部是部份連通于凹槽221底部，其中，凹槽221的底部面積小于頂部面積而具有一梯形剖面。當(dāng)遮蔽框架22相對基座21作垂直位移而重迭于基座21時(shí)，陶瓷復(fù)位鈕24卡合固定入復(fù)位孔222，而處理平臺可頂?shù)钟谇逗喜?21頂部的遮蔽框架22，并露出玻璃基板23于凹槽221底部。 由上述得知，本發(fā)明的復(fù)位鈕與復(fù)位塊的材質(zhì)為陶瓷(Ceramic)取代習(xí)知復(fù)位針孔的材質(zhì)為鋁(Al)，用以解決現(xiàn)有復(fù)位針孔因多次受撞擊后損壞，而需要更換整個(gè)遮蔽框架的問題。更進(jìn)一步而言，能有效控制復(fù)位針孔受撞擊后所產(chǎn)生金屬粒子崩壞而面板的污染，可提高生產(chǎn)加工良率、生產(chǎn)時(shí)效，并延長使用操作的生命周期。 本發(fā)明的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備的遮蔽框架的陶瓷復(fù)位塊部份變化與進(jìn)一步應(yīng)用可輕易替換、變更，熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士也可予以再設(shè)計(jì)，在此無法逐項(xiàng)羅列，但并非僅限定于此些方式變化。 此些組合方式可以輕易變化，無法一一繪示列舉，圖中所繪示僅為實(shí)施例，并非用以限定本發(fā)明的范圍。 雖然本發(fā)明以前述的實(shí)施方式揭露如上，但并非用以限定本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所為的變動(dòng)與修飾，均屬本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。關(guān)于本發(fā)明所界定的保護(hù)范圍請參考所附的權(quán)利要求書。
權(quán)利要求
一種用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于包含，一基座，具有一處理平臺，用以承置一玻璃基板，該處理平臺周圍凸設(shè)至少一陶瓷復(fù)位鈕(Reset Button)；一遮蔽框架，設(shè)有一對應(yīng)該處理平臺的凹槽，且底部對應(yīng)該陶瓷復(fù)位鈕設(shè)有至少一陶瓷復(fù)位塊；以及多個(gè)陶瓷復(fù)位塊，設(shè)置固定于該遮蔽框架上，并其設(shè)置為可拆卸裝置，可自該遮蔽框架拆卸更替。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該 遮蔽框架上設(shè)置有一凹槽，使該基座作垂直位移而重迭于該基座，并通過該凹槽使該玻璃 基板可露出。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該 陶瓷復(fù)位塊底部配合該陶瓷復(fù)位鈕的頂部形狀朝內(nèi)凹陷，形成有一可供該陶瓷復(fù)位鈕對位 的復(fù)位孔，使該遮蔽框架重迭于該基座時(shí)，該陶瓷復(fù)位鈕卡合固定入該復(fù)位孔。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該 陶瓷復(fù)位塊的材質(zhì)是氧化鋁(A1203)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該 陶瓷復(fù)位塊的橫截面大致為T型。
6. 如權(quán)利要求l所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該遮 蔽框架底部具有至少一裝設(shè)槽，以設(shè)置該陶瓷復(fù)位塊。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該 陶瓷復(fù)位塊是通過螺固、嵌合或膠合方式設(shè)置于該裝設(shè)槽內(nèi)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該 陶瓷復(fù)位塊利用至少一螺釘螺固方式于該遮蔽框架，該螺釘表面經(jīng)由陽極處理而形成一陶 瓷氧化膜。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該 陶瓷復(fù)位塊是利用一耐熱膠膠合方式于該遮蔽框架。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該 凹槽的底部面積小于頂部面積而具有一梯形剖面。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該 基座的上表面具有一第一表面與一第二表面，且該第一表面的高度高于該第二表面，而該 處理平臺設(shè)置于該基座的該第一表面，該陶瓷復(fù)位鈕設(shè)置于該基座的該第二表面。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，其特征在于該 遮蔽框架的下表面更具有一嵌合槽，用以置入該基座的該處理平臺，且該嵌合槽頂部部份 連通于該凹槽底部，使該處理平臺可頂?shù)钟谠撉逗喜垌敳康脑撜诒慰蚣懿⒙冻鲈摬ＡЩ?于該凹槽底部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的基板處理設(shè)備，包含用以承置玻璃基板的基座，并于基座上方設(shè)有可相對基座作垂直位移的遮蔽框架，基座和遮蔽框架分別設(shè)有同樣為陶瓷材質(zhì)的復(fù)位鈕與復(fù)位塊，能避免復(fù)位鈕通過卡合固定于復(fù)位塊來進(jìn)行相互對位時(shí)造成復(fù)位塊容易損傷的問題，且上述陶瓷復(fù)位塊為可拆卸式，修繕時(shí)無須更換整個(gè)遮蔽框架，可有效延長遮蔽框架的使用壽命，并減少生產(chǎn)成本及提高產(chǎn)品良率。
文檔編號C23C16/44GK101748385SQ200810220198
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月22日
發(fā)明者陳志弦 申請人:深超光電(深圳)有限公司