專利名稱：蒸發(fā)源及其制造方法和有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及蒸發(fā)源及其制造方法，以及采用該蒸發(fā)源制造有機(jī)電致發(fā)光
(EL)顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，人們已經(jīng)將注意力集中在采用有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件的有機(jī) EL顯示裝置作為一種薄顯示裝置。有機(jī)EL顯示裝置為自發(fā)光的并且不需要 背光，因此提供包括寬視角和低能耗的優(yōu)點(diǎn)。
有機(jī)EL裝置中采用的有機(jī)EL元件具有由有機(jī)材料制成的有機(jī)層，該 有機(jī)層從頂部和底部夾設(shè)在電極(陽(yáng)極和陰極)之間。給陽(yáng)極施加正電壓而 給陰極施加負(fù)電壓。這引起空穴和電子分別從陽(yáng)極和陰極注入到有機(jī)層。結(jié) 果，空穴和電子在有機(jī)層中復(fù)合而發(fā)光。
有機(jī)EL元件的有機(jī)層包括多個(gè)層，這些層包括空穴注入層、空穴輸 運(yùn)層、發(fā)光層、電子輸運(yùn)層和電子注入層。形成各種功能層的有機(jī)材料的抗 水性很差，使其不能使用濕法工藝。因此，真空氣相沉積用于形成有機(jī)層。 此外，為了顯示彩色圖像，三種不同的有機(jī)材料用于發(fā)射R (紅)、G(綠) 和B (藍(lán))色以形成RGB發(fā)射層。
前述的RGB發(fā)射層以給定的顏色順序形成在基板上，該基板用于形成 有機(jī)EL元件(下文稱為"元件形成基板")。因此，元件形成基板必須圖案 化，從而RGB發(fā)射層逐個(gè)像素地分開。典型地將采用氣相沉積掩模的真空 氣相沉積作為用于此目的的圖案化方法。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，如果掩模增 大以響應(yīng)于屏幕尺寸日益增大的顯示裝置，則采用氣相沉積掩模涉及幾個(gè)問(wèn) 題。在這些問(wèn)題中，包括氣相沉積掩模的褶皺及其運(yùn)輸中涉及的復(fù)雜性。
出于這樣的原因，激光熱轉(zhuǎn)印被用作替換的圖案化方法。激光熱轉(zhuǎn)印包 括從轉(zhuǎn)印供體的背面將激光照射到彼此貼附的轉(zhuǎn)印供體和受體基板上，因此 引起光熱轉(zhuǎn)換層吸收激光束，并且將其轉(zhuǎn)換成熱能。該熱能用于選擇性轉(zhuǎn)印 部分轉(zhuǎn)印層(用激光束輻射的部分)到受體基板上。
另一方面，日本專利申諱v厶開No. 2002-302759(在下文稱為專利文獻(xiàn)1 ) 公開了一種技術(shù)。在該技術(shù)中，給定形狀的電極圖案提供在蒸發(fā)源的基板上， 并且蒸發(fā)材料設(shè)置在提供有電極圖案的表面上。然后，蒸發(fā)材料由通過(guò)電極 圖案的電流流動(dòng)產(chǎn)生的焦耳熱蒸發(fā)。蒸發(fā)的材料氣相沉積在目標(biāo)基板上，該 目標(biāo)基板與該蒸發(fā)源的基板相對(duì)。

發(fā)明內(nèi)容
然而，前述的激光熱轉(zhuǎn)印因激光用作熱源而需要高精度的激光光學(xué)系 統(tǒng)。結(jié)果，整體上制造系統(tǒng)成本很高，這是有才幾EL顯示裝置高制造成本的 原因之一。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸發(fā)源包括絕緣基板和以條形方式形成在該基板 上的第一電極圖案。該蒸發(fā)源還包括以條形方式形成在該基板上的第二電極 圖案，以與第一電極圖案交叉，并且與第一電極電絕緣。蒸發(fā)源還包括電阻 層，該電阻層設(shè)置在第一電極圖案和第二電極圖案之間的交叉部分，并且?jiàn)A 設(shè)在交叉部分的第 一電極圖案和第二電極圖案之間。
在如上述構(gòu)造的蒸發(fā)源中，給定的電壓分別施加給第一電極圖案和第二 電極圖案，以使電流通過(guò)電阻層。這在電阻層中產(chǎn)生焦耳熱。結(jié)果，蒸發(fā)材 料可以通過(guò)焦耳熱從電極圖案之間的交叉部分蒸發(fā)。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸發(fā)源可以通過(guò)使電流通過(guò)設(shè)置在第 一 電極圖案 和第二電極圖案之間的交叉部分上的電阻層產(chǎn)生焦耳熱，因此允許通過(guò)焦耳 熱從交叉部分蒸發(fā)該蒸發(fā)材料。結(jié)果，對(duì)于疊置在蒸發(fā)源的基板上的目標(biāo)基 板，反映交叉部分的布局的氣相沉積膜可以通過(guò)分別給第一電極圖案和第二 電極圖案施加給定的電壓而形成在目標(biāo)基板上。
此外，當(dāng)有機(jī)EL顯示裝置采用上述蒸發(fā)源制造時(shí)，反映交叉部分的布 局的有機(jī)膜可以通過(guò)分別給第一電極圖案和第二電極圖案施加給定的電壓 而形成在元件形成基板上。此時(shí)，用于形成有才幾EL元件的元件形成基板疊 置在蒸發(fā)源的基板上。蒸發(fā)源的基板在其上形成有蒸發(fā)材料層，該蒸發(fā)材料 層包括有機(jī)升華材料。


圖1是圖解有機(jī)EL顯示裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖2是圖解有機(jī)EL元件的層結(jié)構(gòu)的實(shí)例的截面圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸發(fā)源的構(gòu)造的平面圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸發(fā)源的主要部分的截面圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸發(fā)源的主要部分的截面圖6是圖解蒸發(fā)源與電極電源之間關(guān)系的示意圖7是圖解蒸發(fā)源與電極電源之間連接關(guān)系的等效電路圖8A和8B是描述蒸發(fā)源的制造方法的示意圖(1 );
圖9A和9B是描述蒸發(fā)源的制造方法的示意圖(2);
圖IOA和IOB是圖解形成在蒸發(fā)源上的蒸發(fā)材料層的示意圖ll是圖解用于制造有機(jī)EL顯示裝置的膜形成系統(tǒng)的整個(gè)構(gòu)造的示意
圖12是示意性圖解發(fā)光層形成部分的構(gòu)造的透視圖； 圖13是圖解蒸發(fā)源與電極探針之間布局關(guān)系的示意圖； 圖14是描述采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的蒸發(fā)源的有機(jī)EL顯示裝置的制造 方法的示意圖15A至15C是圖解施加給電極圖案的電壓變化的示意圖； 圖16是概略地圖解帶有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的蒸發(fā)源的構(gòu)造的平面圖； 圖17是圖解對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的對(duì)準(zhǔn)的示意圖18A至18C是圖解采用帶有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的蒸發(fā)源的有機(jī)EL顯示裝置的 制造方法的示意圖；以及
圖19A至19C是圖解采用帶有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的蒸發(fā)源的有機(jī)EL顯示裝置的 制造方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施例。
圖1是圖解有機(jī)EL顯示裝置的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖1所示的有機(jī)EL 顯示裝置1包括多個(gè)(大量)的有機(jī)EL元件2。有機(jī)EL元件2逐個(gè)單元像 素地以發(fā)射顏色即R (紅)、G (綠)和B (藍(lán))而彼此分隔。
有機(jī)EL元件2包括元件形成基板3。在元件形成基板3上依次接續(xù)地 堆疊未示出的開關(guān)元件(例如，薄膜晶體管)、下電極4、絕緣層5、有機(jī)層 6和上電極7。此外，上電極7覆蓋有保護(hù)層8，在保護(hù)層8上通過(guò)結(jié)合層9
設(shè)置有對(duì)向基板10。
元件形成基板3和對(duì)向基板10每一個(gè)都包括透明玻璃基板。元件形成 基板3和對(duì)向基板IO設(shè)置為彼此相對(duì)，其間夾設(shè)有下電極4、絕緣層5、有 機(jī)層6、上電極7、保護(hù)層8和結(jié)合層9。
下電極4和上電極7之一用作陽(yáng)極電極，而另一個(gè)用作陰極電極。如果 有機(jī)EL顯示裝置1是頂發(fā)射型，則下電極4包括高反射率材料。如果有機(jī) EL顯示裝置1是透射型的，則下電極4包括透射材料。
這里，作為實(shí)例，我們假設(shè)有機(jī)EL顯示裝置1是頂發(fā)射型，并且下電 極4用作陽(yáng)極電極。在此情況下，下電極4包括具有高反射率的導(dǎo)電材料， 例如銀(Ag )、鋁(Al )、鉻(Cr )、鐵(Fe )、鈷(Co )、鎳(Ni )、銅(Cu )、 鉭(Ta)、鴒(W)、拍(Pt)或金(Au),或者前述金屬的合金。
應(yīng)當(dāng)注意的是，如果有機(jī)EL顯示裝置1是頂發(fā)射型并且下電極4用作 陰極電極，下電極4包括具有小的功函數(shù)和高的光反射率的導(dǎo)電材料，例如 鋁(Al)、銦(In)、鎂(Mg)-銀(Ag)合金、鋰(Li)和氟(F)的化合物、 或者鋰和氧(0)的化合物。
此外，如果有機(jī)EL顯示裝置1是透射型并且下電極4用作陽(yáng)極電極， 則下電極4包括具有高透射率的導(dǎo)電材料，例如ITO(銦錫氧化物)或者IZO (銦鋅氧化物)。此外，如果有機(jī)EL顯示裝置1是透射型并且下電極4用作 陰極電極，則下電極4包括具有小的功函數(shù)和高的光透射率的導(dǎo)電材料。
絕緣層5以覆蓋下電極4的周圍部分的方式形成在元件形成基板3的頂 表面上。絕緣層5具有為每個(gè)單元像素形成的窗口。下電極4暴露在窗口的 開口部分。絕緣層5用例如聚酰亞胺或者光致抗蝕劑的有機(jī)絕緣材料或者例 如二氧化硅的無(wú)機(jī)絕緣材料形成。
有機(jī)層6具有例如四層結(jié)構(gòu)，包括從元件形成基板3側(cè)依次接續(xù)地堆疊 的空穴注入層61、空穴輸運(yùn)層62、發(fā)光層63 ( 63r、 63g或者63b )和電子 輸運(yùn)層64,如圖2所示。在這些層中，空穴注入層61、空穴輸運(yùn)層62和電 子輸運(yùn)層64是公共層，與RGB發(fā)光顏色的差別無(wú)關(guān)。
空穴注入層61用例如m-MTDATA ，即4，4，4-三(3-曱苯基苯氨基)三 苯胺(4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine )形成。2穴輸運(yùn) 層62用例如a-NPD,即二- [(N-萘基)-N-對(duì)二氨基聯(lián)苯 (4,4-bis(N-l-naphthyl-N畫phenylamino)biphenyl)形成。應(yīng)當(dāng)注意的是，不限
于上述材料，而是也可以采用其它的空穴輸運(yùn)材料，例如對(duì)二氨基聯(lián)苯
(benzidine)衍生物、苯乙烯基胺(styrylamine )衍生物、三苯甲烷 (triphenylmethane )書亍生4勿和月宗(hydrazone )書T生4勿。jt匕夕卜，空穴5主人層 61和空穴輸運(yùn)層62每一個(gè)都可以為包括多個(gè)層的分層結(jié)構(gòu)。
發(fā)光層63用對(duì)于每個(gè)RGB顏色成分不同的有機(jī)發(fā)光材料形成。更具體 地講，紅發(fā)光層63r包括例如用作主材料(host material)的ADN (( 二-2-萘基)蒽)與用作摻雜材料的30% (重量)的2，6-二[ ( 4'-曱氧基-二苯氨基) 苯乙》?；鵠-1,5 -二氛基茶(2,G三bis[(斗，三methoxydiphenylamino)styryl]三l,5三 dicyanophthalene, BSN)的混合物。綠發(fā)光層63g包括例如用作主材料的 ADN和用作摻雜材料的5% (重量)的香豆素6 ( coumalin 6 )的混合物。藍(lán) 發(fā)光層63b包括例如用作客體材料(guest material)的ADN和2.5% (重量) 的 4,4，- 二 [2-{4-(N，N- 二苯氨基)苯基}乙烯基]聯(lián)笨(4， 4,三bis[2三(4三(N，N三diphenylamino)phenyl)vinyl] biphenyl, DPAVBi )的混合物。 各發(fā)光層63r、 63g和63b根據(jù)像素顏色次序設(shè)置成矩陣形式。
電子豐敘運(yùn)層64用侈'B口 8-^5基p查淋^呂(8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3) 形成。
如果有機(jī)EL顯示裝置1是頂發(fā)射型，則上電極27包括透明或者半透明 的導(dǎo)電材料。如果有機(jī)EL顯示裝置l是透射型，則該上電極27包括高反射 率材料。
有機(jī)EL元件2 (紅、綠和藍(lán)有機(jī)EL元件2r、 2g和2b )每一個(gè)都包括 上述的元件形成基板3、下電極4、絕緣層5、有機(jī)層6和上電極7。
保護(hù)層8形成來(lái)例如防止?jié)駳獾竭_(dá)上電極7和有機(jī)層6。因此，保護(hù)層 8用低滲透性和低吸水性材料形成為具有足夠的厚度。此外，如果有機(jī)EL 顯示裝置1是頂發(fā)射型，則保護(hù)層8包括約80%的光透射率的材料，這是因 為該層必須透射有機(jī)層6發(fā)射的光。
此外，如果上電極7用金屬薄膜形成，并且如果絕緣保護(hù)層8直接形成 在金屬薄膜的頂上，則可以優(yōu)選采用無(wú)機(jī)非晶絕緣材料，例如非晶硅 (a-SiC)、非晶硅氮化物(a-Si,.xNx)及此外的非晶碳(ot-C )。這樣的無(wú)機(jī) 非晶絕緣材料為顆粒形式，并且具有很低的滲透性。結(jié)果，這些材料可以形 成極好保護(hù)層8。
結(jié)合層9用例如UV (紫外線輻射)硬化樹脂形成。結(jié)合層9用于固定
對(duì)向基一反10。
<蒸發(fā)源的構(gòu)造>
圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的制造工藝中采用的 蒸發(fā)源構(gòu)造的平面圖。圖4是該蒸發(fā)源的主要部分的截面圖。蒸發(fā)源11包 括例如絕緣玻璃基板12作為基底(base )材料。玻璃基板12在其側(cè)面之一 上具有沿著Y方向以條形方式形成的多個(gè)第一電極圖案13。第一電極圖案 13以彼此之間的給定間隔沿X方向布置。X和Y方向在玻璃基板12上彼此 以直角(彼此垂直)相交。
此外，玻璃基板12具有在其上形成的多個(gè)第二電極圖案14，以使第二 電極圖案14與第一電極圖案13交叉。第二電極圖案14沿著X方向以條形 方式形成。第二電極圖案14以彼此之間的給定間隔沿Y方向布置。
電阻加熱層15提供在第一電極圖案13和第二電極圖案14之間的每個(gè) 交叉部分。電阻加熱層15的每一個(gè)都在交叉部分夾設(shè)于第一電極圖案13和 第二電極圖案14之間。
第一電極圖案13和第二電極圖案14 二者都包括例如低電阻的金屬材 料，以避免施加第一和第二電壓所產(chǎn)生的電壓降，這將在稍后描述。
相反，電阻加熱層15包括電阻高于形成第一電極圖案13和第二電極圖 案14的材料(在本實(shí)施例中為鋁)并且具有高熔點(diǎn)的金屬材料。例如，電 阻加熱層15包括高熔點(diǎn)金屬材料，例如鵠、鉬或鉭。
除了上面的交叉部分外，絕緣層16在第一電極圖案13和第二電極圖案 14之間。絕緣層16提供第一電極圖案13和第二電極圖案14之間的電絕緣。 絕緣層16包括例如氮化硅、二氧化硅或者聚酰亞胺。關(guān)于絕緣層16的厚度， 優(yōu)選為至少200nm厚的膜以防止第一電極圖案13和第二電極圖案14之間 的電流泄漏。
應(yīng)當(dāng)注意的是，作為蒸發(fā)源11的構(gòu)造，可以省略未示出的電極焊盤部 分，并且防氧化層17可以以覆蓋玻璃基板12上的第二電極圖案14的方式 形成，以便防止第二電極圖案14的熱氧化。防氧化層17用例如氮化硅、氧 化硅或聚酰亞胺形成。
在上面的實(shí)例中，第一電極圖案13形成在第二電極圖案14的下面。然 而，反過(guò)來(lái)，第二電極圖案14可以形成在第一電極圖案13的下面。此外， 對(duì)于條形圖案的方向，在上面的實(shí)例中，第一電極圖案13形成為平行于Y
方向，而第二電極圖案14平行于X方向。然而，反過(guò)來(lái)，第一電極圖案13 可以形成為平行于X方向，而第二電極圖案14平行于Y方向。
如上所述構(gòu)造的蒸發(fā)源11電連接到兩個(gè)第一電極電源21A和21B以及 兩個(gè)第二電極電源22A和22B,如圖6所示。第一電極電源21A和21B用 于給第一電極圖案13提供第一電壓。第二電極電源22A和22B用于給第二 電極圖案14提供第二電壓。在本發(fā)明的實(shí)施例中，例如，第二電壓是接地 電位(GND)，而第一電壓是正電壓，從而第一電壓從接地電位變化到給定 的力口熱電壓。
第一電極電源21A和21B設(shè)置在沿著第一電極圖案13的長(zhǎng)度(在Y方 向上)的每一側(cè)。第二電極電源22A和22B設(shè)置在沿著第二電極圖案14的 長(zhǎng)度(在X方向上)的每一側(cè)。第一電極電源21A和21B 二者都用于通過(guò) 設(shè)置在沿著第一電極圖案13的長(zhǎng)度的終端部分的電極焊盤(未示出)給第 一電極圖案13提供第一電壓。第二電極電源22A和22B二者都用于通過(guò)設(shè) 置在沿著第二電極圖案14的長(zhǎng)度的終端部分上的電極焊盤(未示出)給第 二電極圖案14提供第二電壓。
上面的連接條件可以通過(guò)圖7所示的等效電路來(lái)描述。就是說(shuō)，第一電 極電源21A包括多個(gè)電流源23A ( 23A-1、 23A-2、 23A-3和23A-4 )和多個(gè) 開關(guān)元件24A (24A-1、 24A-2、 24A-3和24A-4 )。電流源23A和開關(guān)元件 24A以一對(duì)一的方式與多個(gè)第一電極圖案13 ( 13-1、 13-2、 13-3和13-4)(為 了簡(jiǎn)化僅示出其中的四個(gè))相關(guān)聯(lián)。當(dāng)截止時(shí)，開關(guān)元件24A-1使電流源 23A-1接地到接地電位。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，開關(guān)元件24A-1 -使得電流源23A-1與第 一電極圖案13相通。在這一點(diǎn)上，其它的開關(guān)元件24A-2、 24A-3和24A-4 也以相同的方式運(yùn)行。
第一電極電源21B包括多個(gè)電流源23B(23B-1、23B-2、23B-3和23B-4 ) 和多個(gè)開關(guān)元件24B ( 24B-1 、 24B-2、 24B-3和24B-4 )。電流源23B和開關(guān) 元件24B以一對(duì)一的方式與多個(gè)第一電極圖案13( 13-1、 13-2、 13-3和13-4) 相關(guān)聯(lián)。當(dāng)截止時(shí)，開關(guān)元件24B-1使第一電極圖案13接地到接地電位。 當(dāng)導(dǎo)通時(shí)，開關(guān)元件24B-1 4吏得第一電極圖案13與電流源23B-1相通。在 這一點(diǎn)上，其它的開關(guān)元件24B-2、 24B-3和24B-4也以相同的方式運(yùn)行。
另一方面，第二電極電源22A和22B二者都使所有的第二電極圖案14 接地到接地電位。因此，如果如圖7所示第 一 電極電源21A的開關(guān)元件24A-3
與第一電極電源21B的開關(guān)元件24B-3二者都導(dǎo)通，而其他開關(guān)元件都截止， 則當(dāng)電流通過(guò)提供在交叉部分的電阻加熱層15時(shí)，在第一電極圖案13-3和 第二電極圖案14-1之間以及第一電極圖案13-3和第二電極圖案14-2之間的 交叉部分產(chǎn)生焦耳熱。第一電極圖案13-1、 13-2和13-4上的任何交叉部分 上不產(chǎn)生焦耳熱。
<蒸發(fā)源的制造方法〉
首先，如圖8A所示，第一電極圖案13以條形方式形成在用作絕緣基板 的玻璃基板12上。例如，通過(guò)在玻璃基板12的整個(gè)表面上氣相沉積鋁膜， 并且隨后通過(guò)光刻進(jìn)行鋁膜的圖案化，來(lái)實(shí)現(xiàn)第一電極圖案13的形成。
接下來(lái)，如圖8B所示，電阻加熱層15以彼此之間的給定間隔形成在第 一電極圖案13上。這里所述的給定間隔對(duì)應(yīng)于第二電極圖案14之間在Y方 向上的間隔。電阻加熱層15用高熔點(diǎn)金屬材料例如鴒、鉬或鉭形成。
接下來(lái)，如圖9A所示，絕緣層16以覆蓋玻璃基板12的圖案形成表面 的方式形成，并且隨后對(duì)絕緣層16形成開口從而暴露電阻加熱層15。
然后，如圖9B所示，第二電極圖案14以條形方式形成在玻璃基板12 上，從而第二電極圖案14與第一電極圖案13在形成有電阻加熱層15的部 分交叉。第二電極圖案14僅需由與第一電極圖案13相同的方法形成。
這提供了具有電阻加熱層15的蒸發(fā)源ll，該電阻加熱層15夾設(shè)在第一 電極圖案13和第二電極圖案14之間的交叉部分。應(yīng)當(dāng)注意的是，防氧化層 17僅需在形成第二電極圖案14后以覆蓋玻璃基板12的圖案形成表面的方式 形成。
如果有機(jī)EL顯示裝置1 (參照?qǐng)D1 )采用上述獲得的蒸發(fā)源11通過(guò)真 空氣相沉積來(lái)制造，則采用升華有機(jī)材料，并且更具體地講升華有機(jī)發(fā)光材 料作為真空氣相沉積的蒸發(fā)材料。該蒸發(fā)材料形成在玻璃基板12上，作為 真空氣相沉積前的蒸發(fā)材料層。
更具體地講，如圖IOA中的實(shí)例所示，蒸發(fā)材料通過(guò)真空沉積法沉積在 玻璃基板12的圖案形成表面上，或者通過(guò)旋涂或者其它技術(shù)將墨水形式的 蒸發(fā)材料涂敷在圖案形成表面上，因此在玻璃基板12上形成蒸發(fā)材料層25。 作為選擇，如圖IOB所示，通過(guò)例如噴墨印刷的印刷技術(shù)將墨水形式的蒸發(fā) 材料沉積在玻璃基板12的圖案形成表面上的第一電極圖案13和第二電極圖 案14之間的交叉部分上，因此在玻璃基板12上形成蒸發(fā)材料層25。如果蒸
發(fā)材料層25僅特定形成在第一電極圖案13和第二電極圖案14之間的交叉 部分，則可以無(wú)損耗地利用蒸發(fā)材料，因此保證蒸發(fā)材料使用上的高效率。 蒸發(fā)材料層25的厚度僅需根據(jù)有機(jī)層的最終目標(biāo)膜厚度和其它因素進(jìn)行調(diào) 整。如果蒸發(fā)材料層25用如上所述的升華有機(jī)材料(包括有機(jī)發(fā)光材料) 形成，則蒸發(fā)材料層25的膜厚度的最大值應(yīng)當(dāng)是約200nm。
圖ll是圖解在有機(jī)EL顯示裝置1的制造工藝中在元件形成基板3上形 成有機(jī)層6所采用的膜形成系統(tǒng)的整個(gè)構(gòu)造的示意圖。圖11所示的膜形成 系統(tǒng)2包括預(yù)加工部分27、第一公共層形成部分28、第二公共層形成部分 29、發(fā)光層形成部分30、第三公共層形成部分31和第四公共層形成部分32。 預(yù)加工部分27處理在元件形成基板3上形成有機(jī)層6所需的給定的預(yù)加工。
第一公共層形成部分28用于形成空穴注入層61，用作元件形成基板3 上的第一公共層。第二公共層形成部分29用于形成空穴輸運(yùn)層62,用作元 件形成基板3上的第二公共層。發(fā)光層形成部分30用于形成發(fā)光層63( 63r、 63g或63b)。第三公共層形成部分31用于形成電子輸運(yùn)層64，作為元件形 成基板3上的第三公共層。第四公共層形成部分32用于形成電子注入層， 作為元件形成基板3上的第四公共層。如果有機(jī)層6沒(méi)有任何有機(jī)注入層， 則不需要第四公共層形成部分32。
圖12是示意性圖解發(fā)光層形成部分30的構(gòu)造的透視圖。發(fā)光層形成部 分30的真空腔301具有運(yùn)輸窗口 302，其用于裝卸元件形成基板3。真空腔 301其中包括用于支撐蒸發(fā)源11的底座303。真空腔301還包括第一電極探 針304,其用于提供由底座303支撐的蒸發(fā)源11與第一電極電源21之間的 電連接。真空腔301還包括第二探針305，其用于提供蒸發(fā)源11與第二電極 電源22之間的電連接。圖13圖解了蒸發(fā)源11與電極探針304和305之間 的布局關(guān)系。
為了采用上述構(gòu)造的膜形成系統(tǒng)2在元件形成基板3上形成發(fā)光層63 (63r、 63g或63b)，蒸發(fā)源11裝配到真空腔301中的底座303上，并且第 一電極圖案13和第二電極圖案14分別連接到電極探針304和305。
此外，在真空腔301中，元件形成基板3設(shè)置在蒸發(fā)源11的圖案形成 表面之上，以使它們彼此相對(duì)，其后，抽真空以產(chǎn)生真空氣氛，如圖14所 示。此時(shí)，用于定義像素的膜33 (在下文，稱為"像素定義膜")事先形成 在元件形成基板3上。像素定義膜33為如上所述僅在單元像素上具有開口
的膜。抽真空前，優(yōu)選在真空腔301中具有惰性氣體例如氮?dú)饣蛘邭鍤獾臍夥铡?br> 如果在該條件下第一電壓(加熱電壓)從第一電極電源21施加給第一 電極圖案13，并且第二電壓從第二電極電源22施加給第二電極圖案14，則 作為電流通過(guò)第一電極圖案13和第二電極圖案14之間的交叉部分的電阻加 熱層15的結(jié)果，^接照電阻加熱層15的電阻加熱的原則而產(chǎn)生焦耳熱。此時(shí)， 作為工藝條件的實(shí)例，通過(guò)電阻加熱的蒸發(fā)材料(有機(jī)材料)的加熱溫度為 30CTC，加熱時(shí)間為5至10分鐘。這引起有機(jī)材料從蒸發(fā)材料層25升華， 因此使得升華的有機(jī)材料沉積在元件形成基板3的單元像素部分上。
結(jié)果，反映出交叉部分的布局的發(fā)光層63形成在元件形成基板3上。 就是說(shuō)，如果蒸發(fā)材料層25用發(fā)射紅光的有機(jī)發(fā)光材料形成，則反映交叉 部分布局的紅發(fā)光層63r將形成在元件形成基板3上。此外，如果蒸發(fā)材料 層25用發(fā)綠光的有機(jī)發(fā)光材料形成，則反映交叉部分布局的綠發(fā)光層63g 將形成在元件形成基板3上。此外，如果蒸發(fā)材料層25用發(fā)藍(lán)光的有機(jī)發(fā) 光材料形成，則反映交叉部分布局的藍(lán)發(fā)光層63b將形成在元件形成基板3 上。因此，RGB發(fā)光層可以分別涂敷在元件形成基板3上。然而，應(yīng)當(dāng)注 意的是，本發(fā)明同樣適用于用不同有機(jī)材料按照發(fā)光顏色分別涂敷除發(fā)光層 之外的有機(jī)層(電子注入層、電子輸運(yùn)層、空穴輸運(yùn)層、空穴注入層)的情 況。
采用蒸發(fā)源11的真空氣相沉積允許分別涂敷RGB發(fā)光層。這使其能避 免與加大真空沉積掩模尺寸相關(guān)的各種問(wèn)題(例如，真空沉積掩模的褶皺引 起的對(duì)準(zhǔn)精度的下降，掩模運(yùn)輸中涉及的復(fù)雜性)。此外，采用蒸發(fā)源ll的 真空氣相沉積允許在元件形成基板3上的寬闊區(qū)域上以高精度形成RGB發(fā) 光層的圖案，而不采用導(dǎo)致制造系統(tǒng)高成本的激光熱轉(zhuǎn)印。結(jié)果，可以比采 用激光作為熱源時(shí)更便宜地制造有機(jī)EL顯示裝置(特別是大的有機(jī)EL顯 示裝置)。
另一方面，如果如前述第一電壓變化而第二電壓設(shè)定到接地電位，則優(yōu) 選采用第一電極電源21逐漸地升高第一電壓到給定的加熱電壓。更具體地 講，優(yōu)選以圖15A中的實(shí)例所示的恒定梯度升高第一電壓。作為選擇，優(yōu)選 如圖15B和15C所示的(兩步或三步)分步方式(或者更多步驟)將第一 電壓從接地電位升高到給定的加熱電壓。
此外，如果通過(guò)第一電極電源21控制多個(gè)開關(guān)元件24A和24B的開關(guān) 操作(導(dǎo)通/截止操作)，則電流可以選擇性僅通過(guò)施加有給定加熱電壓的第 一電極圖案13上的電阻加熱層15來(lái)產(chǎn)生焦耳熱。例如，如果加熱電壓施加 給圖7中的第一電極圖案13-1,則焦耳熱僅從第一電極圖案13-1上的電阻 加熱層15產(chǎn)生。這使其能夠引起有機(jī)發(fā)光材料僅從第一電極圖案13-1和第 二電極圖案14-1之間以及第一電極圖案13-1和第二電極圖案14-2之間的交 叉部分蒸發(fā)，因此允許有機(jī)發(fā)光材料沉積在元件形成基板3上。
通過(guò)該方法，通過(guò)除去用過(guò)的蒸發(fā)材料層25并且形成新的蒸發(fā)材料層 25，可以反復(fù)再用蒸發(fā)源ll。
附帶地，為了采用形成在蒸發(fā)源11的玻璃基板12上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和形成 在元件形成基板(玻璃基板)上的參考標(biāo)記實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)源11和元件形成基板3 之間的對(duì)準(zhǔn)，優(yōu)選在蒸發(fā)源11上并排設(shè)置多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以便在有機(jī)材料 用作蒸發(fā)材料的使用中保證改善的效率。
圖16是概略圖解帶有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的蒸發(fā)源11的構(gòu)造的平面圖。在圖16 所示的蒸發(fā)源11中，第一電極圖案13和第二電極圖案14之間的交叉部分 (形成電阻加熱層15的部分)用陰影線來(lái)表示。此外，多個(gè)第一電極圖案 13分類(分組)成三組列，即第一列R1、第二列R2和第三列R3。在X方 向上每隔兩列設(shè)置第一列Rl中的第一電極圖案13。同樣，在X方向上每隔 兩列設(shè)置第二列R2和第三列R3中的第一電極圖案13。因此，在各列中的 第一電極圖案13在X方向上以第一列Rl、第二列R2和第三列R3的順序 從蒸發(fā)源11的玻璃基板12上的一側(cè)(圖16中的左側(cè))到另一側(cè)(圖16中 的右側(cè))重復(fù)地布置。
當(dāng)元件形成基板3設(shè)置在如上所述蒸發(fā)源11的玻璃基板12之上時(shí)，在 X方向上彼此相鄰的第一列Rl和第二列R2中的第一電極圖案13之間的間 隔設(shè)定為等于在X方向上彼此相鄰的兩個(gè)單元像素之間的間隔(在下文，稱 為"像素到像素的間隔")。此外，在X方向上彼此相鄰的第一列Rl和第三 列R3中的第一電極圖案13之間以及在X方向上彼此相鄰的第二列和第三 歹'J R2和R3中的第一電極圖案13之間的間隔也設(shè)定為等于像素到像素的間 隔。
此外，在蒸發(fā)源11的玻璃基板12上，多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、 M2和M3并 排提供在X方向上，以便以一對(duì)一的方式與第一電極圖案13的列(Rl、 R2
和R3 )相對(duì)應(yīng)。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml 、 M2和M3之間的間隔設(shè)定為與第 一電極圖 案13的列相對(duì)應(yīng)。這里，術(shù)語(yǔ)"與第一電極圖案13的列相對(duì)應(yīng)的間隔"是 指第一電極圖案13的第一列Rl、第二列R2和第三列R3之間的間隔。應(yīng)當(dāng) 注意的是,根據(jù)第一電極圖案13和第二電極圖案14之間的層和方向的關(guān)系， 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和M3之間的間隔可以設(shè)定為與第二電極圖案14的列相 對(duì)應(yīng)。
對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和M3形成為相同的形狀(實(shí)例所示的十字形狀)。 應(yīng)當(dāng)注意的是，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在形狀上可以任意改變。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和M3 可以提供在玻璃基板12上，每種以兩個(gè)為一套(成對(duì)的左右標(biāo)標(biāo)記)。對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記Ml 、 M2和M3可以提供例如在玻璃基板12的表面上斜對(duì)角部分上。
在玻璃基板12的一側(cè)(圖16中的左側(cè))提供在X方向上并排的三個(gè)對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和M3。在第一電極圖案13的另一側(cè)上(圖16中的右側(cè)) 也提供在X方向上并排的三個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和M3。在它們當(dāng)中，成對(duì) 的左右對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1設(shè)置為與第一列Rl中的第一電極圖案13相對(duì)應(yīng)。此外， 成對(duì)的左右對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M2設(shè)置為與第二列R2中的第一電極圖案13相對(duì)應(yīng)。 還有，成對(duì)的左右對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M3設(shè)置為與第三列R3中的第一電極圖案13相 對(duì)應(yīng)。
上述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、 M2和M3以與第一列Rl、第二列R2和第三列 R3中的第一電極圖案13之間相同的間隔并排設(shè)置在X方向(第一電極圖案 13的列方向)上。在X方向上彼此相鄰的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2之間的間隔設(shè) 定為等于像素到像素的間隔。在X方向上彼此相鄰的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M2和M3之 間的間隔也設(shè)定為等于像素到像素的間隔。此外，第一列R1中的第一電極 圖案13與左右對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1之間、第二列R2中的第一電極圖案13與左右 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M2之間以及第三列R3中的第一電極圖案13與左右對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M3 之間的位置關(guān)系設(shè)定為相同。這里，第一列R1、第二列R2和第三列R3中 的第一電極圖案13都以相同的間隔設(shè)置。然而，即使第一列Rl和第二列 R2中的第一電極圖案13之間的間隔設(shè)定為與第二列R2和第三列R3中的第 一電極圖案13之間的間隔不同，也不存在問(wèn)題，只要對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與各列中的 第一電極圖案13之間位置關(guān)系相同。
為了采用具有如上述構(gòu)造的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的蒸發(fā)源在元件形成基板3上形成 發(fā)光層63,則當(dāng)在蒸發(fā)源11之上設(shè)置元件形成基板3時(shí)，形成在元件形成
基板3上的參考標(biāo)記與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、 M2和M3之一對(duì)準(zhǔn)。例如，如果在元 件形成基板上以圖17所示的形狀形成參考標(biāo)記M0，則作為第一真空沉積工 藝步驟，元件形成基板3上的參考標(biāo)記M0與蒸發(fā)源11上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml 對(duì)準(zhǔn)。參考標(biāo)記M0與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml之間的對(duì)準(zhǔn)采用例如成像照相機(jī)通過(guò)圖 像處理技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。隨著兩個(gè)標(biāo)記的彼此對(duì)準(zhǔn)，僅給第一列R1中的第一電 極圖案13施加加熱電壓，而沒(méi)有給第二列R2和第三列R3中的第一電極圖 案13施加加熱電壓。這在第一列Rl中的第一電極圖案13上的電阻加熱層 15產(chǎn)生焦耳熱，因此使得有機(jī)發(fā)光材料通過(guò)焦耳熱從蒸發(fā)材料層25升華， 如圖18A所示。結(jié)果，在具有像素定義膜33形成在其上的元件形成基板3 上，有機(jī)發(fā)光材料僅沉積在與第一列Rl中的第一電極圖案與第二電極圖案 14之間的交叉部分相對(duì)的單元像素部分上。
接下來(lái)，作為第二真空沉積工藝步驟，將不同于第一真空沉積工藝步驟 中采用的元件形成基板3設(shè)置在與第 一真空沉積工藝步驟中采用的相同的蒸 發(fā)源11之上。在此情況下，形成在元件形成基板3上的參考標(biāo)記與對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記M2對(duì)準(zhǔn)。然后，隨著兩個(gè)標(biāo)記的彼此對(duì)準(zhǔn)，加熱電壓僅施加給第二列 R2中的第一電極圖案13，而沒(méi)有施加給第一列Rl和第三列R3中的第一電 極圖案13。這從第二列R2中的第一電極圖案13上的電阻發(fā)熱層15產(chǎn)生焦 耳熱，因此引起有機(jī)發(fā)光材料通過(guò)焦耳熱從蒸發(fā)材料層25升華，如圖18B 所示。結(jié)果，在具有像素定義膜33形成在其上的元件形成基板3上，有機(jī) 發(fā)光材料僅沉積在與第二列R2中的第一電極圖案13與第二電極圖案14之 間的交叉部分相對(duì)的單元像素部分上。
接下來(lái)，作為第三真空沉積工藝步驟，將不同于第一或者第二真空沉積 工藝步驟中采用的元件形成基板3設(shè)置在與第 一和第二真空沉積工藝步驟中 采用的相同的蒸發(fā)源11之上。在此情況下，形成在元件形成基板3上的參 考標(biāo)記與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M3對(duì)準(zhǔn)。然后，隨著兩個(gè)標(biāo)記的彼此對(duì)準(zhǔn)，加熱電壓僅 施加給第三列R3中的第一電極圖案13,而沒(méi)有施加給第一列Rl和第二列 R2中的第一電極圖案13。這從第三列R3中的第一電極圖案13上的電阻加 熱層15產(chǎn)生焦耳熱，因此引起有機(jī)發(fā)光材料通過(guò)焦耳熱從蒸發(fā)材料層25升 華，如圖18C所示。結(jié)果，在具有像素定義膜33形成在其上的元件形成基 板上，有機(jī)發(fā)光材料僅沉積在與第三列R3中的第一電極圖案13與第二電極 圖案14之間的交叉部分相對(duì)的單元像素部分上。
前述的工藝步驟允許采用具有蒸發(fā)材料層25形成在其上的蒸發(fā)源11在
三個(gè)元件形成基板3上形成發(fā)光層63。例如，當(dāng)蒸發(fā)材料層25用發(fā)射紅光 的有機(jī)發(fā)光材料形成時(shí)，紅發(fā)光層63r可以通過(guò)三次采用具有該蒸發(fā)材料層 25形成在其上的蒸發(fā)源11而形成在三個(gè)元件形成基板3上。當(dāng)蒸發(fā)材料層 25用發(fā)射綠光的有機(jī)發(fā)光材料形成時(shí)，綠發(fā)光層63g可以采用具有該蒸發(fā)材 料層25形成在其上的蒸發(fā)源11而形成在三個(gè)元件形成基板3上。當(dāng)蒸發(fā)材 料層25用發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)發(fā)光材料形成時(shí)，藍(lán)發(fā)光層63b可以采用具有該 蒸發(fā)材料層25形成在其上的蒸發(fā)源11而形成在三個(gè)元件形成基板3上。結(jié) 果，如果蒸發(fā)材料層25用有機(jī)發(fā)光材料均勻地形成在蒸發(fā)源11的玻璃基板 12上時(shí)，有機(jī)發(fā)光材料(蒸發(fā)材料)的使用效率與僅一次性使用具有蒸發(fā)材 料層25形成在其上的蒸發(fā)源11的情況相比可以得到改善。
在上述工藝步驟的實(shí)例中，已經(jīng)描述了這樣的情況，其中三次使用具有 相同的蒸發(fā)材料層25形成在其上的蒸發(fā)源11以形成發(fā)光層63。然而，作為 選擇，可以通過(guò)多次使用具有相同的蒸發(fā)材料層25形成在其上的蒸發(fā)源11, 在一個(gè)(相同的)元件形成基板3上形成希望厚度的發(fā)光層63。
具體的工藝步驟如下。就是說(shuō)，作為第一真空沉積工藝步驟，形成在元 件形成基板3上的參考標(biāo)記M0與具有蒸發(fā)材料層25形成在其上的蒸發(fā)源 11上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1對(duì)準(zhǔn)。然后，隨著兩個(gè)標(biāo)記彼此對(duì)準(zhǔn)，加熱電壓僅施加 給第一列Rl中的第一電極圖案13,而不施加給第二列R2和第三列R3中的 第一電極圖案13。這從第一列Rl中的第一電極圖案13上的電阻加熱層15 產(chǎn)生焦耳熱，因此通過(guò)焦耳熱使得有機(jī)發(fā)光材料從蒸發(fā)材料層25升華，如 圖19A所示。結(jié)果，在具有像素定義膜33形成在其上的元件形成基板3上， 有機(jī)發(fā)光材料僅沉積在與第一列Rl中的第一電極圖案13與第二電極圖案 14之間的交叉部分相對(duì)的單元像素部分上。
接下來(lái)，作為第二真空沉積工藝步驟，將與第一真空沉積工藝步驟中采 用的相同的元件形成基板3設(shè)置在與第 一真空沉積工藝步驟中采用的相同的 蒸發(fā)源11之上。在此情況下，形成在元件形成基板3上的參考標(biāo)記M0與 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M2對(duì)準(zhǔn)。然后，隨著兩個(gè)標(biāo)記彼此對(duì)準(zhǔn)，加熱電壓僅施加給第二 列R2中的第一電極圖案13，而不施加給第一列Rl和第三列R3中的第一電 極圖案13。這從第二列R2中的第一電極圖案13上的電阻加熱層15產(chǎn)生焦 耳熱，因此通過(guò)焦耳熱引起有機(jī)發(fā)光材料從蒸發(fā)材料層25升華，如圖19B
所示。結(jié)果，在具有像素定義膜33形成在其上的元件形成基板3上，有機(jī) 發(fā)光材料僅沉積在與第二列R2中的第一電極圖案13與第二電極圖案14之 間的交叉部分相對(duì)的單元像素部分上。
接下來(lái)，作為第三真空沉積工藝步驟，將與第一和第二真空沉積工藝步 驟中采用的相同的元件形成基板3設(shè)置在與第一和第二真空沉積工藝步驟中 采用的相同的蒸發(fā)源11之上。在此情況下，形成在元件形成基板3上的參 考標(biāo)記M0與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M3對(duì)準(zhǔn)。然后，隨著兩個(gè)標(biāo)記彼此對(duì)準(zhǔn)，加熱電壓 僅施加給第三列R3中的第一電極圖案13，而不施加給第一列Rl和第二列 R2中的第一電極圖案13。這從第三列R3中的第一電極圖案13上的電阻加 熱層15產(chǎn)生焦耳熱，因此通過(guò)焦耳熱引起有機(jī)發(fā)光材料從蒸發(fā)材料層25升 華，如圖19C所示。結(jié)果，在具有像素定義膜33形成在其上的元件形成基 板3上，有機(jī)發(fā)光材料僅沉積在與第三列R3中的第一電極圖案13與第二電 極圖案14之間的交叉部分相對(duì)的單元像素部分上。
作為前述三個(gè)真空沉積工藝步驟的結(jié)果，在元件形成基板3上的相同單 元像素部分上沉積有機(jī)發(fā)光材料三次。這使得能夠形成比通過(guò)單一真空沉積 工藝步驟形成的真空沉積膜更厚的發(fā)光層63。此外，真空沉積工藝步驟的數(shù) 量越大，在元件形成基板3上的單元像素部分上發(fā)光層63變得越厚。這使 得能夠通過(guò)采用真空沉積工藝步驟的數(shù)量作為參數(shù)來(lái)調(diào)整發(fā)光層63的膜厚 度。附帶地，如果有機(jī)EL顯示裝置1是頂發(fā)射型，則可以對(duì)于每個(gè)RGB 發(fā)光顏色而調(diào)整電子輸運(yùn)層或者空穴輸運(yùn)層的厚度。本發(fā)明也以靈活的方式 應(yīng)用于這樣的情況。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在權(quán)利要求或者其等同特征的范圍 內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其它因素，可以進(jìn)行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。
本發(fā)明包含與2007年8月9日提交日本專利局的日本專利申請(qǐng)JP 2007-207417相關(guān)的主題，將其全部?jī)?nèi)容引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1、一種蒸發(fā)源，包括絕緣基板；第一電極圖案，以條形方式形成在所述基板上；第二電極圖案，以條形方式形成在所述基板上，以與所述第一電極圖案交叉并且與所述第一電極圖案電絕緣；以及電阻層，設(shè)置在所述第一電極圖案和所述第二電極圖案之間的交叉部分，并且在所述交叉部分夾設(shè)在所述第一電極圖案和所述第二電極圖案之間。
2、 如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其中多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記并排地設(shè)置在所述基板上且所述多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間具有 間隔，所述間隔與所述第 一電極圖案和所述第二電極圖案的列之間的間隔相對(duì)應(yīng)。
3、 一種蒸發(fā)源的制造方法，包括如下步驟 在絕緣基板上以條形方式形成第 一 電極圖案；在所述第一電極圖案上形成電阻層且所述電阻層之間具有給定間隔；以及以條形形式形成第二電極圖案，從而所述第二電極圖案與所述第一電極 圖案在形成有所述電阻層的部分交叉。
4、 一種采用蒸發(fā)源制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法， 所述蒸發(fā)源包括絕緣基板；第一電極圖案，以條形方式形成在所述基板上；第二電極圖案，以條形方式形成在所述基板上，以與所述第一電極 圖案交叉，并且與所述第一電極圖案電絕緣；以及電阻層，設(shè)置在所述第一電極圖案和所述第二電極圖案之間的交叉 部分，并且在所述交叉部分夾設(shè)在所述第一電極圖案和所述第二電極圖 案之間，所述制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法包括如下步驟 成有機(jī)電致發(fā)光元件的元件形成基板，所述蒸發(fā)材料層包括有機(jī)升華材料；以及通過(guò)分別向所述第一電極圖案和所述第二電極圖案施加第一電壓 和第二電壓以在所述交叉部分的電阻層中產(chǎn)生熱，所述熱？I起有機(jī)材料 升華，從而在所述元件形成基板上形成有機(jī)膜。
5、 如權(quán)利要求4所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法，包括如下 步驟逐漸升高所述第一電壓到給定加熱電壓，而所述第二電壓設(shè)定到接地電位。
6、 一種采用蒸發(fā)源制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法， 所述蒸發(fā)源包括絕緣基板；第一電極圖案，以條形方式形成在所述基板上；第二電極圖案，以條形方式形成在所述基板上，以與所述第一電極 圖案交叉，并且與所述第一電極圖案電絕緣；以及電阻層，設(shè)置在所述第一電極圖案和所述第二電極圖案之間的交叉 部分，并且在所述交叉部分夾設(shè)在所述第一電極圖案和所述第二電極圖 案之間，其中多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記并排地設(shè)置在所述基板上且所述多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 之間具有間隔，所述間隔與所述第一電極圖案和所述第二電極圖案的列 之間的間隔相對(duì)應(yīng)，所述制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法包括如下步驟 在每次進(jìn)行真空沉積工藝時(shí)，在所述蒸發(fā)源的基板上疊置用于形成有機(jī)電致發(fā)光元件的元件形成基板，同時(shí)切換所述多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與形成在所述元件形成基板上的參考標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；并且通過(guò)分別向所述第一電極圖案和所述第二電極圖案施加第一電壓和第二電壓以在所述交叉部分的電阻層中產(chǎn)生熱，所述熱引起有機(jī)材料升華，從而在所述元件形成基板上形成有機(jī)膜。
7、 如權(quán)利要求6所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法，包括如下 步驟在每次進(jìn)行所述真空沉積工藝時(shí)，在所述蒸發(fā)源的基板上疊置不同的元 件形成基板。
8、如權(quán)利要求6所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法，包括如下 步驟在每次進(jìn)行所述真空沉積工藝時(shí)，在所述蒸發(fā)源的基板上疊置相同的元 件形成基板。
全文摘要
本發(fā)明涉及蒸發(fā)源及其制造方法以及有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，該蒸發(fā)源包括絕緣基板；第一電極圖案，以條形方式形成在基板上；第二電極圖案，以條形方式形成在基板上，以與第一電極圖案交叉，并且與第一電極圖案電絕緣；以及電阻層，設(shè)置在第一電極圖案和第二電極圖案之間的交叉部分，并且?jiàn)A設(shè)在該交叉部分的第一電極圖案和第二電極圖案之間。
文檔編號(hào)C23C14/12GK101363113SQ200810210270
公開日2009年2月11日 申請(qǐng)日期2008年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月9日
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