專利名稱：缺陷修補(bǔ)裝置及靶材結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種修補(bǔ)裝置，尤其是指一種利用具有流體冷卻 以避免裝置的構(gòu)成組件以及修補(bǔ)材料受到熱影響而遭受破壞以 及氧化之一種缺陷修補(bǔ)裝置。
背景技術(shù)：
平面顯示器(Flat Panel Display, FPD)已是國內(nèi)最重要的 產(chǎn)業(yè)之一，隨著大尺寸液晶顯示器面板的發(fā)展量產(chǎn)到七代廠，面 板尺寸的大型化及產(chǎn)能需求不斷提高的趨勢及市場需求下，使得 現(xiàn)有的修補(bǔ)制程面臨極大的瓶頸。如圖l所示，平面顯示器的前 段制程主要為利用光阻蝕刻技術(shù)進(jìn)行線路圖案成型，而在此制程 中因污染及本身的蝕刻誤差，導(dǎo)致制程完成后于線路圖案中產(chǎn)生 開路缺陷(open defect) 10以及線缺陷(line defect) 11，這些缺 陷是不被允許的，因此必須加以修補(bǔ)(repair)。傳統(tǒng)進(jìn)行修補(bǔ)的主要方式為激光化學(xué)氣相沉積(Laser Chemical Vapor Deposition, Laser CVD)， 而此修補(bǔ)制程主要 是將檢測后的面板離線送至需特殊氣氛環(huán)境的Laser CVD設(shè)備 中，再利用激光與特殊氣體的光化學(xué)反應(yīng)，使修補(bǔ)的線路材料沉積于具有缺陷的線路上而完成修補(bǔ)制程。因?yàn)樾枰x線進(jìn)行修補(bǔ)處理及制程需要于特殊氣氛環(huán)境下進(jìn)行，導(dǎo)致使用Laser CVD進(jìn)行修補(bǔ)制程的產(chǎn)能較低。另外，現(xiàn)有技術(shù)中如日本公開專利JP. NO. 2000031013號(hào)所揭露的一種線路圖案修補(bǔ)裝置與方法，其是利用激光將修補(bǔ)材料 轉(zhuǎn)移至具有缺陷的線路圖案上，以回復(fù)線路圖案的電性。在該技術(shù)中，修補(bǔ)的線路材料受激光照射后，修補(bǔ)材料容易受到激光的 能量而產(chǎn)生熱影響區(qū)的現(xiàn)象，因此會(huì)有材料氧化及破壞的問題。 此外，在現(xiàn)有技術(shù)中也容易因?yàn)楦邿岫鴮?dǎo)致裝置的相關(guān)組件，例如修補(bǔ)材料承載單元以及被修補(bǔ)的基板遭到損壞。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的是提供一種缺陷修補(bǔ)裝置，其是可提供冷卻以避 免修補(bǔ)裝置的構(gòu)成組件或被修補(bǔ)的基板因在修補(bǔ)過程中受熱而 遭受熱損害。本發(fā)明提供一種缺陷修補(bǔ)裝置，其是可提供冷卻以避免修補(bǔ) 材料因在修補(bǔ)過程中受熱而氧化，進(jìn)而影響其導(dǎo)電特性。本發(fā)明提供一種缺陷修補(bǔ)裝置，其是不需將檢測后的面板離 線修補(bǔ)，可與整線制程設(shè)備結(jié)合，大幅提升生產(chǎn)效率。本發(fā)明提供一靶材結(jié)構(gòu)，其是承載多種不同材質(zhì)以及不同厚 度的修補(bǔ)材料，以適用于各種多樣式的修補(bǔ)圖案。在一實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種缺陷修補(bǔ)裝置，包括 一電 磁波發(fā)射單元； 一平臺(tái)，其是可提供承載待修補(bǔ)的一基板，該基 板上具有一缺陷線路； 一承載單元，其是設(shè)置于該電磁波發(fā)射單元與該平臺(tái)之間，該承載單元是承載有一修補(bǔ)材料，該修補(bǔ)材料 可接收該電磁波發(fā)射單元所提供的電磁波光束，以轉(zhuǎn)移至該缺陷 線路上；以及一流體冷卻單元，其是可吸收在轉(zhuǎn)移修補(bǔ)材料時(shí)所 產(chǎn)生的熱，以提供冷卻。在另一實(shí)施例中，該流體冷卻單元是為一承載單元冷卻裝 置，其是設(shè)置于該承載單元上，該承載單元冷卻裝置可以提供一 氣流作用于該承載單元上。在另一實(shí)施例中，該流體冷卻單元更具有 一保護(hù)氣簾單元， 其是設(shè)置于該承載單元的周圍且具有多數(shù)個(gè)氣流通道，以提供一 循環(huán)氣流于該基板以及該修補(bǔ)材料上；以及一承載單元冷卻裝 置，其是設(shè)置于該承載單元上，該承載單元冷卻裝置可以提供一 冷卻氣流。在另一實(shí)施例中，該流體冷卻單元更具有 一保護(hù)氣簾單元， 其是設(shè)置于該承載單元的周圍且具有多數(shù)個(gè)氣流通道，以提供一 循環(huán)氣流于該基板以及該修補(bǔ)材料上； 一承載單元冷卻裝置，其 是設(shè)置于該承載單元上，該承載單元冷卻裝置可以提供一冷卻氣 流；以及一平臺(tái)冷卻單元，其是設(shè)置于該平臺(tái)上，該平臺(tái)冷卻單 元具有循環(huán)回路以提供一流體進(jìn)行循環(huán)。在另一實(shí)施例中，該流體冷卻單元更具有 一保護(hù)氣簾單元， 其是設(shè)置于該承載單元的周圍且具有多數(shù)個(gè)氣流通道，以提供一 循環(huán)氣流于該基板以及該修補(bǔ)材料上；以及一平臺(tái)冷卻單元，其 是設(shè)置于該平臺(tái)上，該平臺(tái)冷卻單元具有循環(huán)回路以提供一流體 進(jìn)行循環(huán)。在另一實(shí)施例中，該流體冷卻單元更具有 一承載單元冷卻裝置，其是設(shè)置于該承載單元上，該承載單元冷卻裝置可以提供 一冷卻氣流；以及一平臺(tái)冷卻單元，其是設(shè)置于該平臺(tái)上，該平 臺(tái)冷卻單元具有循環(huán)回路以提供一流體進(jìn)行循環(huán)。在一實(shí)施例中，本發(fā)明更提供一種靶材結(jié)構(gòu)，包括 一承載 板；以及復(fù)數(shù)種修補(bǔ)材料，其是形成于該承載板的一面上。該復(fù) 數(shù)種修補(bǔ)材料可選擇環(huán)形數(shù)組以及矩形數(shù)組其中之一而排列于 該承載板上。


圖1是為線路圖案的缺陷示意圖。圖2A與圖2B是為本發(fā)明缺陷修補(bǔ)裝置的第一實(shí)施例示意圖。 圖3是為本發(fā)明缺陷修補(bǔ)裝置的第二實(shí)施例示意圖。 圖4A至圖4C是為本發(fā)明缺陷修補(bǔ)裝置的流體冷卻單元其它實(shí) 施例示意圖。圖5是為本發(fā)明缺陷修補(bǔ)裝置的第三實(shí)施例示意圖。 圖6是為本發(fā)明缺陷修補(bǔ)裝置的第四實(shí)施例示意圖。圖7是為本發(fā)明的耙材結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例示意圖。 圖8A至圖8H是為本發(fā)明的修補(bǔ)材料結(jié)構(gòu)示意圖。圖9是為本發(fā)明的靶材結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例示意圖。主要組件符號(hào)說明1- 線路圖案 10、 11-缺陷2- 缺陷修補(bǔ)裝置20- 電磁波發(fā)射單元 200-電磁波21- 承載單元 210-固定單元211、 213、 214-承載板 22、 22a、 22b-修補(bǔ)材料220- 金屬材料層221- 緩沖層222- 導(dǎo)電黏著層 224-中介層23- 平臺(tái)230-平臺(tái)冷卻單元24- 保護(hù)氣簾單元 240-氣流通道25- 承載單元冷卻裝置26- 光罩結(jié)構(gòu)27- 光形調(diào)整單元 30-基板 3卜缺陷線路 90-循環(huán)氣流具體實(shí)施方式
為能對本發(fā)明的特征、目的及功能有更進(jìn)一步的認(rèn)知與了 解，下文特將本發(fā)明的裝置的相關(guān)細(xì)部結(jié)構(gòu)以及設(shè)計(jì)的理念原由 進(jìn)行說明，以使得審查委員可以了解本發(fā)明的特點(diǎn)，詳細(xì)說明 陳述如下請參閱圖2A與圖2B所示，該圖是為本發(fā)明缺陷修補(bǔ)裝置的 第一實(shí)施例示意圖。該缺陷修補(bǔ)裝置2具有一電磁波發(fā)射單元 20、 一平臺(tái)23、 一承載單元21以及一流體冷卻單元。該電磁波 發(fā)射單元20是可產(chǎn)生電磁波光束200，其是可選擇為全波段激光 源或者是紫外光波激光。在本實(shí)施例中，該電磁波發(fā)射單元20 是為全波段激光源。該平臺(tái)23，其是可提供承載待修補(bǔ)的一基板30，該基板30 上具有一缺陷線路31。該缺陷線路31是可為線缺陷或者是開路 缺陷或者是前述兩者的組成，在本實(shí)施例中是以開路缺陷作說 明。該基板30可是玻璃基板或者是硅基板，面板上的線路圖案 在本實(shí)施例中是為應(yīng)用于平面顯示器的線路圖案，但不在此限。 該承載單元21，其是設(shè)置于該電磁波發(fā)射單元20與該平臺(tái)23 之間，該承載單元21是具有一固定單元210以及一承載板211。 該承載板211是承載有一修補(bǔ)材料22，該修補(bǔ)材料22可接收該 電磁波發(fā)射單元20所提供的電磁波光束200，以轉(zhuǎn)移至該缺陷線 路31上。該修補(bǔ)材料22可為金屬可導(dǎo)電的材料，該金屬可導(dǎo)電 材料可選擇鎢、金、銀、銅、銀膠或者是鉬材料，但不在此限。 在本實(shí)施例中，該修補(bǔ)材料22是形成于一承載板211上，該承 載單元21的固定單元210是利用真空吸附或者是夾持的方式固定該承載板211，此時(shí)該修補(bǔ)材料22是與該缺陷線路31相對應(yīng)。該流體冷卻單元，其是可提供冷卻以避免該修補(bǔ)材料因受熱 氧化、該基板因受熱影響而損壞或者是缺陷修補(bǔ)裝置的構(gòu)成組件，例如承載單元21，受熱而損壞。本發(fā)明的流體冷卻單元可以對基板30或者是修補(bǔ)材料22提供冷卻的效果以避免基板30 損壞或者是修補(bǔ)材料22因在轉(zhuǎn)移的過程中受熱氧化，進(jìn)而減低 或者是喪失其導(dǎo)電的特性。此外，流體冷卻單元可以對承載修補(bǔ) 材料22的承載板211提供冷卻的效果，以防止承載板211受熱 而損壞。因此在圖2A的實(shí)施例中，該流體冷卻單元是包括有 一保護(hù)氣簾單元24以及一平臺(tái)冷卻單元230。該保護(hù)氣簾單元24， 其是設(shè)置于該承載單元21的周圍且具有多數(shù)個(gè)氣流通道240，以 提供一循環(huán)氣流90于該基板30以及該修補(bǔ)材料22上。該平臺(tái) 冷卻單元230，其是設(shè)置于該平臺(tái)23內(nèi)，該平臺(tái)冷卻單元230 具有循環(huán)回路以提供一流體進(jìn)行循環(huán)。該保護(hù)氣簾單元上的氣流 信道，可導(dǎo)引循環(huán)氣流90由上往下吹，并在該修補(bǔ)材料22與該 基板30之間循環(huán)。如圖2B所示，當(dāng)電磁波發(fā)射單元20發(fā)射出電磁波光束 200 (本實(shí)施例為全波段激光)時(shí)，修補(bǔ)材料22接受電磁波光束 200照射后產(chǎn)生的碰撞壓力，亦即直接來自光子撞擊所產(chǎn)生的光 壓，輔以電磁波能量產(chǎn)生打斷分子鍵結(jié)或爆炸現(xiàn)象，而轉(zhuǎn)移至缺 陷線路31上。此時(shí)該循環(huán)氣流90可以吸收熱電磁波轉(zhuǎn)移修補(bǔ)材 料22時(shí)所產(chǎn)生的熱量，并可以形成氣幕以避免外界空氣進(jìn)入， 進(jìn)而防止該修補(bǔ)材料22氧化。在本實(shí)施例中該循環(huán)氣流90的氣體可選擇為惰性氣體，例如氦氣或者是氖氣等，但不在此限。 另外該平臺(tái)冷卻單元230可通過由循環(huán)回路內(nèi)所通過的流體，例 如液體或者是氣體，產(chǎn)生冷卻的效果，以避免基板30在轉(zhuǎn)移過程中受熱而損壞。該平臺(tái)冷卻單元230的技術(shù)是可利用現(xiàn)有技術(shù)達(dá)成，在此不作贅述。請參閱圖3所示，該圖3是為本發(fā)明缺陷修補(bǔ)裝置的第二實(shí) 施例示意圖。在本實(shí)施例中，在該承載單元21上更設(shè)置有一承 載單元冷卻裝置25，其是設(shè)置于該承載單元上21，該承載單元 冷卻裝置25可以提供一冷卻氣流91作用于該承載單元21以及 該承載板211上。由于該電磁波發(fā)射單元20所產(chǎn)生的電磁波光 束200是會(huì)穿透該承載板211，因此在轉(zhuǎn)移的過程中承載板211 也會(huì)產(chǎn)生高熱。為了避免在轉(zhuǎn)移過程中所產(chǎn)生的高熱破壞承載板 211，該承載單元冷卻裝置25所產(chǎn)生的冷卻氣流91可以輔助降 低承載板211的溫度，以增加承載板211的使用壽命。另外，由 于該承載單元冷卻裝置25也可以提供輔助降低修補(bǔ)材料22的溫 度以及避免電磁波能量不均的功效。在本實(shí)施例中，該冷卻氣流 91的氣體可選擇為惰性氣體，例如氦氣或者是氖氣等，但不在 此限。綜合前述的本發(fā)明所提供的流體冷卻單元的實(shí)施例具有保 護(hù)氣簾單元24、承載單元冷卻裝置25以及平臺(tái)冷卻裝置230。 前述的保護(hù)氣簾單元24、承載單元冷卻裝置25以及平臺(tái)冷卻裝 置230可以單獨(dú)實(shí)施或者是相互組合以達(dá)到不同的冷卻功效，如 圖4A至圖4C所示的流體冷卻單元的不同組合實(shí)施例。例如在 圖4A中該流體冷卻單元是為承載單元冷卻裝置25與平臺(tái)冷卻單元230的組合。而在圖4B中該流體冷卻單元是為承載單元冷 卻裝置25。另外在圖4C中，該流體冷卻單元是為平臺(tái)冷卻單元 230。接下來請參閱圖5所示，該圖是為本發(fā)明缺陷修補(bǔ)裝置的第 三實(shí)施例示意圖。在本實(shí)施例中，在該修補(bǔ)材料22與該電磁波 發(fā)射單元20之間更可以設(shè)置一光罩結(jié)構(gòu)26，以對不同的線路圖 案進(jìn)行修補(bǔ)，增加可修補(bǔ)圖案的多樣性。雖然在圖5中是將光罩 結(jié)構(gòu)26與圖2A的缺陷修補(bǔ)裝置實(shí)施例結(jié)合，但實(shí)際上亦可與圖 3的實(shí)施例結(jié)合，或者是其它單獨(dú)或者是組合實(shí)施。請參閱圖6所示，該圖是為本發(fā)明缺陷修補(bǔ)裝置的第四實(shí)施 例示意圖。在本實(shí)施例中，在該修補(bǔ)材料22與該電磁波發(fā)射單 元20之間更可以設(shè)置一光形調(diào)整單元27(beam shaper)。該光形 調(diào)整單元27可以視需求選擇聚焦該電磁波光束、增大該電磁波 光束的面積或者是調(diào)整該電磁波光束的線形，以配合不同的線路 圖案進(jìn)行修補(bǔ)，增加可修補(bǔ)圖案的多樣性。該光形調(diào)整單元27 是為現(xiàn)有技術(shù)的商品，在此不作贅述。雖然在圖6中是將光形調(diào) 整單元27與圖2A的實(shí)施例結(jié)合，但實(shí)際上亦可與圖3的實(shí)施例 結(jié)合，或者是其它單獨(dú)或者是組合實(shí)施本發(fā)明的流體冷卻單元的 實(shí)施例(如圖4A至圖4C)相組合。接下來說明轉(zhuǎn)移時(shí)的靶材結(jié)構(gòu)，該靶材結(jié)構(gòu)是由前述的承載 板211以及修補(bǔ)材料22所構(gòu)成。在前述的實(shí)施例中，耙材結(jié)構(gòu) 的修補(bǔ)材料22是皆為相同性質(zhì)的材。請參閱圖7所示，該圖是 為本發(fā)明的靶材結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例示意圖，在本實(shí)施例中，該耙材 結(jié)構(gòu)的承載板213是為矩形承載板，而其上具有復(fù)數(shù)種修補(bǔ)材料22a，該復(fù)數(shù)種修補(bǔ)材料22a是成矩形數(shù)組排列于該承載板213 上。該復(fù)數(shù)種修補(bǔ)材料22a的組成可以相同或者是不相同，例如 在圖7中的a位置上的修補(bǔ)材料與b位置上的修補(bǔ)材料可為相同 結(jié)構(gòu)或者是不相同結(jié)構(gòu)。接下來說明修補(bǔ)材料的幾種實(shí)施例。以位置a的修補(bǔ)材料為 例，其是可為如圖8A的狀態(tài)，該修補(bǔ)材料是為單一的金屬材料 層220，該金屬材料層220的材料可以選擇為鎢、金、銀、銅、 銀膠以及鉬其中之一。另為如圖8B所示，該圖是為修補(bǔ)材料的 另一實(shí)施例，在本實(shí)施例中，該修補(bǔ)材料具有一緩沖層221以及 一金屬材料層220。該緩沖層221是形成于該承載板213上，而 該金屬材料層220則形成于該緩沖層221上。該金屬材料層220 的材料選擇如前所述。在本實(shí)施例中，該緩沖層221不轉(zhuǎn)移至缺 陷線路上，該緩沖層221的目的在于吸收電磁波光源的能量并傳 導(dǎo)部分的電磁波能量給該金屬材料層220。如此一來， 一方面可 以避免該金屬材料層220因受熱而氧化，進(jìn)而影響導(dǎo)電的特性； 另一方面也可以通過由該緩沖層221與金屬材料層220之間的低 黏著性，以使得金屬材料層220容易從緩沖層221轉(zhuǎn)移至缺陷線 路上。該緩沖層221是可選擇為高分子材料，在本實(shí)施例中，該 高分子材料是選擇為聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane， PDMS)。如圖8C所示，在本實(shí)施例中，該修補(bǔ)材料具有一金屬材料 層220以及一導(dǎo)電黏著層222。該金屬材料層220，其是形成于 該承載板213上。該導(dǎo)電黏著層222，其是形成于該金屬材料層 220上。該金屬材料層220的材料選擇如前所述，而該導(dǎo)電黏著層222主要目的是為加強(qiáng)金屬材料層220于轉(zhuǎn)移后與缺陷線路之 間的黏著性。該導(dǎo)電黏著層222的材料是可選擇同時(shí)具有導(dǎo)電性 以及黏著性的材料，在本實(shí)施例中是使用銀膠。另外如圖8D所 示，更可以在圖8C的結(jié)構(gòu)上于該金屬材料層220與該承載板213 之間形成一層緩沖層221。該緩沖層221的目的如前所述，在此 不做贅述。如圖8E所示，在本實(shí)施例中，該修補(bǔ)材料更具有 一中介層224以及一金屬材料層220。該中介層224，其是形成于該承 載板213上。該金屬材料層220，其是形成于該中介層224上。 該中介層224是為可吸收電磁波能量的材料，以保護(hù)該金屬材料 層220免于直接受到該電磁波光源的影響而產(chǎn)生熱影響區(qū)，以避 免該金屬材料層220因受熱而氧化，進(jìn)而影響導(dǎo)電的特性。該金 屬材料層220的材料如前所述，而該該中介層224的材料是為鈦， 但不以此為限。另外，在該中介層224與該承載板213之間形成 一層緩沖層221，如圖8F的結(jié)構(gòu)。該緩沖層221的目的如前所 述，在此不做贅述。或者是在圖8E的結(jié)構(gòu)下，于該金屬材料層 220上更形成一層導(dǎo)電黏著層222，以形成如圖8G的結(jié)構(gòu)。另外 也可以在圖8G的結(jié)構(gòu)下，在該中介層224與該承載板213之間 形成一層緩沖層221。至于前述的緩沖層221以及導(dǎo)電黏著層222 的結(jié)構(gòu)以及目的如前所述在此不做贅述。另外，除了圖8的矩形結(jié)構(gòu)承載板外，如圖9所示，該承載 板也可以為圓形的承載板214。在本實(shí)施例中，該復(fù)數(shù)種修補(bǔ)材 料22b是成環(huán)形數(shù)組分布于承載板214上。至于修補(bǔ)材料22b的 種類與結(jié)構(gòu)如前所述。惟以上所述，僅為本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)不能以的限制本發(fā)明 范圍。即大凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化及修飾，仍 將不失本發(fā)明的要義所在，亦不脫離本發(fā)明的精神和范圍，故都 應(yīng)視為本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施狀況。綜合上述，本發(fā)明提供的缺陷修補(bǔ)裝置及靶材結(jié)構(gòu)，其是具 有避免裝置與待修補(bǔ)的基板在轉(zhuǎn)移修補(bǔ)材料的過程中受到熱損 壞以及避免修補(bǔ)材料受熱而氧化。另外，更可以根據(jù)需求改變修 補(bǔ)圖案。因此可以滿足業(yè)界的需求，進(jìn)而提高該產(chǎn)業(yè)的競爭力以 及帶動(dòng)周遭產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，誠已符合發(fā)明專利法所規(guī)定申請發(fā)明所 需具備的要件，故依法呈提發(fā)明專利的申請。
權(quán)利要求
1. 一種缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于包括一電磁波發(fā)射單元；一平臺(tái)，其是可提供承載待修補(bǔ)的一基板，該基板上具有一缺陷線路；一承載單元，其是設(shè)置于該電磁波發(fā)射單元與該平臺(tái)之間，該承載單元是承載有一修補(bǔ)材料，該修補(bǔ)材料可接收該電磁波發(fā)射單元所提供的電磁波，以轉(zhuǎn)移至該缺陷線路上；以及一流體冷卻單元，其是可吸收在轉(zhuǎn)移修補(bǔ)材料時(shí)所產(chǎn)生的熱，以提供冷卻。
2. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該缺陷 線路是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成其中之一。
3. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流體冷卻單元是為一保護(hù)氣簾單元，其是設(shè)置于該承載單元的周圍且 具有多數(shù)個(gè)氣流通道，以提供一循環(huán)氣流于該基板以及該修補(bǔ)材 料上。
4. 如權(quán)利要求3所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該循環(huán)氣流是可選擇為惰性氣體。
5. 如申請專利范圍第4項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其中該惰性氣體是可選擇為氦氣以及氖氣其中之一。
6. 如權(quán)利要求l所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流體冷卻單元是為一承載單元冷卻裝置，其是設(shè)置于該承載單元上，該承載單元冷卻裝置可以提供一冷卻氣流。
7. 如權(quán)利要求6所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該氣流 是選擇為惰性氣體。
8. 如權(quán)利要求7所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該惰性 氣體是選擇為氦氣以及氖氣其中之一。
9. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流體 冷卻單元是設(shè)置于該平臺(tái)內(nèi)，該流體冷卻單元具有循環(huán)回路以提 供一流體進(jìn)行循環(huán)。
10. 如權(quán)利要求9所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流 體是可選擇為液體或者是氣體其中之一。
11. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流 體冷卻單元更具有一保護(hù)氣簾單元，其是設(shè)置于該承載單元的周圍且具有多數(shù) 個(gè)氣流通道，以提供一循環(huán)氣流于該基板以及該修補(bǔ)材料上；以 及一承載單元冷卻裝置，其是設(shè)置于該承載單元上，該承載單 元冷卻裝置可以提供一冷卻氣流。
12. 如權(quán)利要求11所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該循 環(huán)氣流是可選擇為惰性氣體。
13. 如權(quán)利要求12所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該惰 性氣體是可選擇為氦氣以及氖氣其中之一。
14. 如權(quán)利要求11所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該冷 卻氣流是可選擇為惰性氣體。
15. 如權(quán)利要求14所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該惰性氣體是可選擇為氦氣以及氖氣其中之一。
16. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流 體冷卻單元更具有一保護(hù)氣簾單元，其是設(shè)置于該承載單元的周圍且具有多數(shù) 個(gè)氣流通道，以提供一循環(huán)氣流于該基板以及該修補(bǔ)材料上；一承載單元冷卻裝置，其是設(shè)置于該承載單元上，該承載單 元冷卻裝置可以提供一冷卻氣流；以及一平臺(tái)冷卻單元，其是設(shè)置于該平臺(tái)內(nèi)， 有循環(huán)回路以提供一流體進(jìn)行循環(huán)。
17. 如權(quán)利要求16所述的缺陷修補(bǔ)裝置環(huán)氣流是可選擇為惰性氣體。
18. 如權(quán)利要求17所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該惰性氣體是可選擇為氦氣以及氖氣其中之一。
19. 如權(quán)利要求16所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該冷卻氣流是可選擇為惰性氣體。
20. 如權(quán)利要求19所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該惰性氣體是可選擇為氦氣以及氖氣其中之一。
21. 如權(quán)利要求16所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流體是可選擇為液體或者是氣體其中之一。
22. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流 體冷卻單元更具有一保護(hù)氣簾單元，其是設(shè)置于該承載單元的周圍且具有多數(shù)個(gè)氣流通道，以提供一循環(huán)氣流于該基板以及該修補(bǔ)材料上；以 及該平臺(tái)冷卻單元具 ，其特征在于該循一平臺(tái)冷卻單元 有循環(huán)回路以提供一
23. 如權(quán)利要求 環(huán)氣流是可選擇為惰
24. 如權(quán)利要求性氣體是可選擇為氦
25. 如權(quán)利要求 體是可選擇為液體或
26. 如權(quán)利要求體冷卻單元更具有一承載單元冷卻 元冷卻裝置可以提供一平臺(tái)冷卻單元 有循環(huán)回路以提供一
27. 如權(quán)利要求，其是設(shè)置于該平臺(tái)內(nèi)，該平臺(tái)冷卻單元具 流體進(jìn)行循環(huán)。22所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該循 性氣體。23所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該惰氣以及氖氣其中之一。22所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流者是氣體其中之一。l所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流裝置，其是設(shè)置于該承載單元上，該承載單一冷卻氣流；以及，其是設(shè)置于該平臺(tái)內(nèi)，該平臺(tái)冷卻單元具 流體進(jìn)行循環(huán)。26所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該冷卻氣流是可選擇為惰性氣體。
28. 如權(quán)利要求27所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該惰性氣體是選擇為氦氣以及氖氣其中之一。
29. 如權(quán)利要求26所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該流體是選擇為液體或者是氣體其中之一。
30. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該修補(bǔ)材料與該電磁波發(fā)射單元相對應(yīng)的面上設(shè)置有一光罩結(jié)構(gòu)。
31. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該修補(bǔ)材料與該電磁波發(fā)射單元之間設(shè)置有一光形調(diào)整單元。
32. 如權(quán)利要求31所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該光 形調(diào)整單元可以聚焦該電磁波光束、增大該電磁波光束的面積或 者是調(diào)整該電磁波光束的線形。
33. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該電 磁波發(fā)射單元是選擇為一全波段激光源以及紫外光波激光其中 之一。
34. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該修 補(bǔ)材料是為一金屬材料。
35. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該金 屬材料是選擇鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬材料其中之一。
36. 如權(quán)利要求1所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于承載 單元是具有一固定單元；以及一耙材結(jié)構(gòu)，其是具有一承載板以提供承載該修補(bǔ)材料。
37. 如權(quán)利要求36所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該固 定單元是利用真空吸附或者是夾持方式固定該承載板。
38. 如權(quán)利要求36所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該承 載板上更具有復(fù)數(shù)種的修補(bǔ)材料。
39. 如權(quán)利要求38所述的缺陷修補(bǔ)裝置，其特征在于該復(fù) 數(shù)種修補(bǔ)材料可選擇環(huán)形數(shù)組以及矩形數(shù)組其中之一而排列于 該承載板上。
40. —種靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于包括 一承載板；以及復(fù)數(shù)種修補(bǔ)材料，其是形成于該承載板之一面上。
41. 如權(quán)利要求40所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該復(fù)數(shù)種 修補(bǔ)材料可選擇環(huán)形數(shù)組以及矩形數(shù)組其中之一而排列于該承 載板上。
42. 如權(quán)利要求40所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于其中的一金屬材料層。42所述的靶材結(jié)爾鎢、金、銀、銅、銀.42所述的靶材結(jié)構(gòu)，有一層緩沖材料。44所述的靶材結(jié)構(gòu)，種修補(bǔ)材料是具有一
43. 如權(quán)利要求 料層的材料是選擇為
44. 如權(quán)利要求 與該金屬材料層間具
45. 如權(quán)利要求 料是為一高分子材料
46. 如權(quán)利要求 材料是為聚二甲基硅
47. 如權(quán)利要求 種修補(bǔ)材料更具有一中介層，其是 一金屬材料層，
48. 如權(quán)利要求 料層的材料是選擇為
49. 如權(quán)利要求其特征在于該金屬. 膠以及鉬其中之一。實(shí)特征在于該承載.46所述的靶材結(jié)構(gòu)，氧垸。40所述的耙材結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖材其特征在于該高分子其特征在于其中的形成于該承載板上；以及其是形成于該中介層上。47所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬47所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在 的材是可吸收電磁波光源的能量或防止該金屬材料
50. 如權(quán)利要求47所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該中介層 的材料是為鈦。
51. 如權(quán)利要求47所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該中介層于該金屬材其中之一。于該中介層與該承載板間更具有一層緩沖層。
52. 如權(quán)利要求51所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖材 料是為一高分子材料。
53. 如權(quán)利要求52所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該高分子 材料是為聚二甲基硅氧烷。
54. 如權(quán)利要求40所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于其中的一種修補(bǔ)材料具有一中介層，其是形成于該承載板上； 一金屬材料層，其是形成于該中介層上；以及 一導(dǎo)電黏著層，其是形成于該金屬材料層上。
55. 如權(quán)利要求54所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該金屬材 料層的材料是選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬其中之一。
56. 如權(quán)利要求54所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)電黏 著層是可為一銀膠。
57. 如權(quán)利要求54所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該中介層 的材是可吸收電磁波光源的能量或防止該金屬材料層氧化。
58. 如權(quán)利要求54所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該中介層 的材料是為鈦。
59. 如權(quán)利要求54所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該中介層 與該承載板間具有 一 緩沖層。
60. 如權(quán)利要求59所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖層 是為一高分子材料。
61. 如權(quán)利要求60所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該高分子材料是為聚二甲基硅氧烷。
62. 如權(quán)利要求40所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于其中的一 種修補(bǔ)材料具有一金屬材料層，其是形成于該承載板上；以及 一導(dǎo)電黏著層，其是形成于該金屬材料層上。
63. 如權(quán)利要求62所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該金屬材料層的材料是選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬其中之一。
64. 如權(quán)利要求62所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該導(dǎo)電黏著層是為一銀膠。
65. 如權(quán)利要求62所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該金屬材料層與該承載板間更具有一緩沖層。
66. 如權(quán)利要求65所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該緩沖層 是可為一高分子材料。
67. 如權(quán)利要求66所述的靶材結(jié)構(gòu)，其特征在于該高分子 材料是為聚二甲基硅氧垸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種缺陷修補(bǔ)裝置，包括一電磁波發(fā)射單元、一平臺(tái)、一承載單元以及一流體冷卻單元。該平臺(tái)，其是提供承載待修補(bǔ)之一基板，該基板上具有一缺陷線路。該承載單元，其是設(shè)置于該電磁波發(fā)射單元與該平臺(tái)之間，該承載單元是承載有一修補(bǔ)材料，該修補(bǔ)材料可接收該電磁波發(fā)射單元所提供的電磁波光束，以轉(zhuǎn)移至該缺陷線路上。該流體冷卻單元，其是可吸收在轉(zhuǎn)移修補(bǔ)材料時(shí)所產(chǎn)生的熱，以提供冷卻。利用本發(fā)明的裝置可以防止缺陷修補(bǔ)裝置受到熱影響而受到破壞以及修補(bǔ)材料因受熱而氧化的問題。另外本發(fā)明提供一靶材結(jié)構(gòu)，其是承載多種不同材質(zhì)以及不同厚度的修補(bǔ)材料，以適用于各種多樣式的修補(bǔ)圖案。
文檔編號(hào)B23K26/00GK101276071SQ20071009173
公開日2008年10月1日 申請日期2007年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者廖仕杰, 王儀龍, 陳輝達(dá) 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院