一種基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，包括兩條相互平行的總線(xiàn)光波導(dǎo)I和總線(xiàn)光波導(dǎo)II，總線(xiàn)光波導(dǎo)I和總線(xiàn)光波導(dǎo)II之間設(shè)置有微環(huán)，微環(huán)連接有電極，微環(huán)的整體或部分區(qū)域設(shè)置有黑磷層，設(shè)置有黑磷層的微環(huán)從下至上依次包括微環(huán)硅層、第一隔離介質(zhì)層、黑磷層、第二隔離介質(zhì)層、微環(huán)硅層和包層，所述黑磷層的一側(cè)延伸到電極的下方。本發(fā)明能夠靈活且實(shí)時(shí)地選擇和分離出具有特定波長(zhǎng)值的光信號(hào)；本發(fā)明的器件設(shè)計(jì)靈活、反應(yīng)速度快、能耗低、使用方便，滿(mǎn)足不同的波分復(fù)用要求；通過(guò)對(duì)不同的電極施加不同的偏置電壓，可以實(shí)現(xiàn)不同波長(zhǎng)光信號(hào)的選擇以實(shí)現(xiàn)光路由功能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于集成光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，由含有黑磷與電極的硅基微環(huán)與兩個(gè)直波導(dǎo)耦合構(gòu)成，可用于實(shí)現(xiàn)光波分復(fù)用和光路由功能。
【背景技術(shù)】
[0002]絕緣襯底上硅(SOI ,Silicon on Insulator)材料具有高折射率差，可在CMOS(Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor)兼容工藝下實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)緊湊的光子器件。由環(huán)形光波導(dǎo)和直光波導(dǎo)耦合而成的微環(huán)諧振器是一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊的光學(xué)濾波器，它可以用來(lái)構(gòu)建多種不同用途的集成光學(xué)器件，包括光調(diào)制器、光開(kāi)關(guān)、光插分復(fù)用器、光路由器、光傳感器等。近幾年的理論和實(shí)驗(yàn)研究也表明，硅基微環(huán)諧振結(jié)構(gòu)可以很大程度上減小器件的尺寸以適應(yīng)更高的集成度，并且具有適合采用單片集成的工藝制作、級(jí)聯(lián)形式更加靈活多變等突出優(yōu)點(diǎn)。因此基于SOI材料的微環(huán)諧振結(jié)構(gòu)對(duì)于制作低成本、高性能并且結(jié)構(gòu)緊湊的光電器件具有重要意義。
[0003]繼石墨烯之后，二維晶體材料由于其優(yōu)異的光學(xué)及電學(xué)特性，成為半導(dǎo)體材料研究的新方向。復(fù)旦大學(xué)物理系張遠(yuǎn)波教授課題組發(fā)現(xiàn)了一種新型二維半導(dǎo)體材料一一黑磷。黑磷是一種單層蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的二維磷原子層，它具有非常好的半導(dǎo)體性質(zhì)，在集成電路及集成光學(xué)領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景;具有良好的電子迀移率(?1000cm2/Vs)，還有非常高的漏電流調(diào)制率(是石墨烯的10000倍)，且具有飽和吸收特性;并且它具有一個(gè)
0.3eV的半導(dǎo)體帶隙，相當(dāng)于4.Ιμπι的光子波長(zhǎng)，這表明黑磷能夠用于寬帶光調(diào)制。黑磷的這些特性使得其在光調(diào)制器上可以充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)(見(jiàn)文獻(xiàn)Rui Zhang,et al.Broadbandblack phosphorus optical modulator in visible to mid-1nfrared spectralrange.);而利用同樣的原理可實(shí)現(xiàn)光路由的功能。黑磷納米帶(phosphorene nanofibbon，PNR)因其特殊的邊緣特性也倍受關(guān)注，研究表明氫飽和和氟飽和兩類(lèi)鈍化模式后的黑磷納米帶其帶隙會(huì)隨著外加電場(chǎng)的變化而變化(見(jiàn)文獻(xiàn)張龍，萬(wàn)浪輝，許富明，等.黑磷納米帶電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控)。
[0004]由激光器、光調(diào)制器、光纖、光探測(cè)器等光電子器件組建的光通信網(wǎng)絡(luò)具有低損粍、低時(shí)延、大帶寬和抗電磁干擾等優(yōu)點(diǎn)。光波分復(fù)用技術(shù)是目前最成功、最廣泛應(yīng)用的光信道復(fù)用技術(shù)，為建設(shè)超大容量的光纖網(wǎng)絡(luò)奠定了物質(zhì)基礎(chǔ)，而適合于光波分復(fù)用和光路由技術(shù)并且具有寬帶、穩(wěn)定可靠、可擴(kuò)展性等的光波分復(fù)用或者光路由元器件也越來(lái)越受到關(guān)注和重視。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，解決石墨稀本身沒(méi)有帶隙，很難與其他光學(xué)器件高度集成的問(wèn)題。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0007]—種基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，所述微環(huán)光路由器包括兩條相互平行的總線(xiàn)光波導(dǎo)I和總線(xiàn)光波導(dǎo)II，所述的總線(xiàn)光波導(dǎo)I和總線(xiàn)光波導(dǎo)II之間設(shè)置有微環(huán)，所述微環(huán)連接有電極，所述微環(huán)的整體或部分區(qū)域設(shè)置有黑磷層，設(shè)置有黑磷層的微環(huán)從下至上依次包括微環(huán)硅層、第一隔離介質(zhì)層、黑磷層、第二隔離介質(zhì)層、微環(huán)硅層和包層，所述黑磷層的一側(cè)延伸到電極的下方。
[0008]上述技術(shù)方案中，所述總線(xiàn)光波導(dǎo)1、總線(xiàn)光波導(dǎo)II和微環(huán)置于SOI結(jié)構(gòu)的二氧化硅緩沖層的上方。
[0009]上述技術(shù)方案中，所述黑磷層與二氧化硅緩沖層相互平行。
[0010]上述技術(shù)方案中，線(xiàn)光波導(dǎo)1、總線(xiàn)光波導(dǎo)II和微環(huán)的橫截面均采用脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
[0011]上述技術(shù)方案中，所述總線(xiàn)光波導(dǎo)I與總線(xiàn)光波導(dǎo)II的幾何結(jié)構(gòu)相同；所述總線(xiàn)光波導(dǎo)1、總線(xiàn)光波導(dǎo)II和微環(huán)的波導(dǎo)高度相同；總線(xiàn)光波導(dǎo)I和總線(xiàn)光波導(dǎo)II兩者橫截面的脊型光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊寬和微環(huán)橫截面的脊型光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊寬相同。
[0012]上述技術(shù)方案中，微環(huán)與總線(xiàn)光波導(dǎo)I以及總線(xiàn)光波導(dǎo)II的耦合距離相同。
[0013]上述技術(shù)方案中，所述黑磷層的材料由鈍化黑磷納米帶，可以為氫飽和或氟飽和兩類(lèi)鈍化模式的黑磷納米帶。
[0014]上述技術(shù)方案中，所述的第一隔離介質(zhì)層和第二隔離介質(zhì)層為絕緣材料，可以是硅氧化物、硅氮氧化物、硼氮化物之一。
[0015]上述技術(shù)方案中，當(dāng)微環(huán)光路由器的數(shù)量大于等于2個(gè)時(shí)，各個(gè)微環(huán)光路由器串聯(lián)連接。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果:
[0017]本發(fā)明基于SOI結(jié)構(gòu)，可使用商用SOI晶元進(jìn)行制作，與CMOS工藝兼容，并且器件能耗低穩(wěn)定性好，便于與其他光電元件互聯(lián)。
[0018]本發(fā)明采用插分復(fù)用型微環(huán)諧振結(jié)構(gòu)，在很大程度上減少了器件尺寸面積，使得器件結(jié)構(gòu)緊湊，便于集成。
[0019]通過(guò)電極對(duì)黑磷層施加不同的偏置電壓，來(lái)靈活的調(diào)制微環(huán)中的諧振波長(zhǎng)，從而可以靈活且實(shí)時(shí)地選擇和分離出具有特定波長(zhǎng)值的光信號(hào)。
[0020]同時(shí)，本發(fā)明的器件設(shè)計(jì)靈活、能耗較低、使用方便，可以通過(guò)將總線(xiàn)光波導(dǎo)I相連接來(lái)進(jìn)行多個(gè)基本單元級(jí)聯(lián)使用來(lái)滿(mǎn)足不同的波分復(fù)用要求;電信號(hào)通過(guò)電極施加到黑磷層上，產(chǎn)生偏置電場(chǎng)，隨著電場(chǎng)的變化，其帶隙也會(huì)出現(xiàn)變化，因?yàn)閹兜淖兓瘯?huì)改變黑磷對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收特性，進(jìn)而控制特定波長(zhǎng)光的諧振。通過(guò)對(duì)電極施加不同的偏置電壓，可以實(shí)現(xiàn)不同波長(zhǎng)光信號(hào)的選擇以實(shí)現(xiàn)光路由功能。相對(duì)于石墨烯微環(huán)路由器通過(guò)變化的電場(chǎng)控制石墨烯有效折射率，黑磷的帶隙是直接帶隙，即導(dǎo)帶底部和價(jià)帶頂部在同一位置，這意味著黑磷可以和光直接親合，減少光路中光的損耗。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2為本發(fā)明中包含黑磷層的微環(huán)的橫截面結(jié)構(gòu)圖。
[0023]圖3為本發(fā)明中總線(xiàn)光波導(dǎo)I與總線(xiàn)光波導(dǎo)II的橫截面結(jié)構(gòu)圖。
[0024]圖4是氫飽和鈍化模式下兩類(lèi)不同結(jié)構(gòu)的黑磷納米帶的帶隙隨電場(chǎng)變化示意圖。
[0025]圖5為本發(fā)明中包含黑磷層的微環(huán)光波導(dǎo)橫截面的基模電場(chǎng)模值的分布圖。
[0026]圖6為本發(fā)明中總線(xiàn)光波導(dǎo)I橫截面上基模電場(chǎng)模值的分布圖。
[0027]圖7為本發(fā)明中光信號(hào)由3輸出端口輸出時(shí)微環(huán)中電場(chǎng)的分布圖。
[0028]圖8為本發(fā)明中光信號(hào)由2輸出端口輸出時(shí)微環(huán)中電場(chǎng)的分布圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的所有特征，或公開(kāi)的所有方法或過(guò)程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。
[0030]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明:
[0031]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，并不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的其他所用實(shí)施例，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0032]結(jié)合附圖，本發(fā)明的基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，包括至少一個(gè)微環(huán)光路由器，所述微環(huán)光路由器包括兩條相互平行的總線(xiàn)光波導(dǎo)118和總線(xiàn)光波導(dǎo)1119，所述的總線(xiàn)光波導(dǎo)118和總線(xiàn)光波導(dǎo)1119之間設(shè)置有微環(huán)5，所述微環(huán)5連接有電極13，所述微環(huán)5的整體或部分區(qū)域設(shè)置有黑磷層，設(shè)置有黑磷層的微環(huán)從下至上依次包括微環(huán)硅層51、第一隔離介質(zhì)層61、黑磷層8、第二隔離介質(zhì)層62和微環(huán)硅層51和包層20，所述黑磷層8的一側(cè)延伸到電極13的下方。即是說(shuō)，黑磷層8經(jīng)第一隔離介質(zhì)層61和第二隔離介質(zhì)層62設(shè)置在微環(huán)5的微環(huán)娃層51之間。
[0033]所述總線(xiàn)光波導(dǎo)118、總線(xiàn)光波導(dǎo)1119和微環(huán)5置于SOI結(jié)構(gòu)的二氧化硅緩沖層12的上方。其中SOI結(jié)構(gòu)包括從下至上依次的硅襯底和二氧化硅中間層和硅層，即是說(shuō)總線(xiàn)光波導(dǎo)118、總線(xiàn)光波導(dǎo)1119和微環(huán)5由最上層的硅層通過(guò)刻蝕等方法加工而成，本發(fā)明的包層20即位于最上方的空氣層。
[0034]其中，本發(fā)明的黑磷層覆蓋的范圍由黑磷層對(duì)微環(huán)圓形的張角7來(lái)控制，并且作為本發(fā)明一種優(yōu)選的方式，黑磷層設(shè)置在微環(huán)5橫截面電磁場(chǎng)強(qiáng)度最大值附近。
[0035]所述黑磷層8與二氧化硅緩沖層12相互平行。
[0036]總線(xiàn)光波導(dǎo)118、總線(xiàn)光波導(dǎo)1119和微環(huán)5的橫截面均采用脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
[0037]所述總線(xiàn)光波導(dǎo)118與總線(xiàn)光波導(dǎo)II19的幾何結(jié)構(gòu)相同；所述總線(xiàn)光波導(dǎo)118、總線(xiàn)光波導(dǎo)Π19和微環(huán)5的波導(dǎo)高度相同；總線(xiàn)光波導(dǎo)118和總線(xiàn)光波導(dǎo)1119兩者橫截面的脊型光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊寬17和微環(huán)5橫截面的脊型光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊寬14相同。
[0038]微環(huán)5與總線(xiàn)光波導(dǎo)118以及總線(xiàn)光波導(dǎo)1119的耦合距離相同。
[0039]所述黑磷層的材料由鈍化黑磷納米帶，可以為氫飽和或氟飽和兩類(lèi)鈍化模式的黑磷納米帶制成。
[0040]所述的第一隔離介質(zhì)層和第二隔離介質(zhì)層為絕緣材料，可以是硅氧化物、硅氮氧化物、硼氮化物之一。
[0041]當(dāng)微環(huán)光路由器的數(shù)量大于等于2個(gè)時(shí)，各個(gè)微環(huán)光路由器串聯(lián)連接，通過(guò)對(duì)不同微環(huán)5的電極13施加不同的偏置電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)波分復(fù)用功能。
[0042]當(dāng)具有多個(gè)同波長(zhǎng)值波分復(fù)用的光信號(hào)從總線(xiàn)光波導(dǎo)118的輸入端口I輸入時(shí)，可通過(guò)電極13對(duì)黑磷層8施加偏置電壓，用以調(diào)制微環(huán)5的諧振波長(zhǎng)，從而可以選擇和分離出具有特定波長(zhǎng)值的光信號(hào)從總線(xiàn)光波導(dǎo)1119的輸出端口3輸出，而其余光信號(hào)從總線(xiàn)光波導(dǎo)118的輸出端口 2輸出。
[0043]本發(fā)明一種基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器的工作原理為:可以通過(guò)電極對(duì)黑磷層施加偏置電壓來(lái)調(diào)制黑磷的帶隙，以改變黑磷層對(duì)于所在光波導(dǎo)中光信號(hào)的吸收，進(jìn)而改變微環(huán)中諧振光波長(zhǎng)的數(shù)值;可以通過(guò)電極對(duì)黑磷層施加不同的偏置電壓來(lái)實(shí)時(shí)、靈活的選擇諧振光波長(zhǎng)，并將符合微環(huán)諧振條件的光波長(zhǎng)信號(hào)由總線(xiàn)光波導(dǎo)II的信號(hào)輸出端口輸出，實(shí)現(xiàn)其與其他不同波長(zhǎng)光信號(hào)的分離，實(shí)現(xiàn)光路由或者波分復(fù)用功能。
[0044]實(shí)施例
[0045]微環(huán)和兩個(gè)總線(xiàn)光波導(dǎo)硅層的總厚度9為340nm左右;微環(huán)和兩個(gè)總線(xiàn)光波導(dǎo)橫截面的脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊寬14和17均為400nm左右;為保證波導(dǎo)中光信號(hào)的單模傳輸，微環(huán)和兩個(gè)總線(xiàn)光波導(dǎo)橫截面的脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊寬應(yīng)大于或等于260nm;所述黑磷層8應(yīng)該被設(shè)計(jì)于微環(huán)橫截面電磁場(chǎng)強(qiáng)度最大值附近，即黑磷層與脊型光波導(dǎo)頂部的距離10應(yīng)在200nm左右。
[0046]圖5為當(dāng)微環(huán)中親合進(jìn)入波長(zhǎng)為1550nm(光通信最佳傳輸窗口)的光信號(hào)后，含黑磷層的那部分微環(huán)的橫截面處的基模電場(chǎng)的模值分布圖，可見(jiàn)黑磷層已基本位于脊型光波導(dǎo)內(nèi)電磁場(chǎng)的最大值處，并且對(duì)光信號(hào)產(chǎn)生了一定的吸收；圖6當(dāng)給總線(xiàn)光波導(dǎo)118的輸入端口 I輸入波長(zhǎng)為1550nm的光信號(hào)時(shí)，總線(xiàn)光波導(dǎo)橫截面上基模電場(chǎng)的模值分布圖，可見(jiàn)光場(chǎng)被良好的限制在了波導(dǎo)層中進(jìn)行傳輸。
[0047]圖4是氫飽和下兩類(lèi)不同結(jié)構(gòu)的黑磷納米帶在鈍化模式下帶隙隨電場(chǎng)變化的示意圖，可以看出隨著電場(chǎng)的增強(qiáng)，其帶隙能迅速下降。會(huì)改變光在微環(huán)中傳輸一周后的損耗，進(jìn)而會(huì)使得在微環(huán)中發(fā)生諧振的光波長(zhǎng)產(chǎn)生移動(dòng)，改變?cè)瓉?lái)的諧振特性。
[0048]進(jìn)一步的，如圖7和圖8為本發(fā)明中黑磷層施加不同偏置電壓后，硅基微環(huán)光路由器中電場(chǎng)分布圖，由圖7中可以看出當(dāng)給黑磷層施加某個(gè)偏置電壓時(shí)，光信號(hào)由總線(xiàn)光波導(dǎo)II的輸出端口 3耦合輸出；如圖8所示，在另一偏置電壓處，其光信號(hào)將由總線(xiàn)光波導(dǎo)I的輸出端2輸出，達(dá)到分離不同波長(zhǎng)的光信號(hào)功能。
[0049]進(jìn)一步的，由于黑磷帯隙的變化引起其對(duì)于微環(huán)光波導(dǎo)中光場(chǎng)的吸收發(fā)生變化，進(jìn)而改變了諧振光波長(zhǎng)的數(shù)值，從而可以經(jīng)由電極所施加的偏置電壓的數(shù)值來(lái)實(shí)時(shí)、靈活的選擇不同的諧振光波長(zhǎng)，使得被選擇的諧振光波長(zhǎng)從總線(xiàn)光波導(dǎo)I的輸出端口 2或總線(xiàn)光波導(dǎo)II的輸出端口 3輸出，從而實(shí)現(xiàn)光波分復(fù)用或者光路由的功能。
[0050]此外，本發(fā)明也可以將多個(gè)所述微環(huán)與兩個(gè)總線(xiàn)波導(dǎo)組成的器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行級(jí)聯(lián)，對(duì)不同微環(huán)的電極選擇性施加不同的偏置電壓，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)多個(gè)波長(zhǎng)光信號(hào)的波分復(fù)用中分波或光路由功能；同時(shí)，也可以將該器件的原輸出口作為信號(hào)輸入端，原輸出口作為信號(hào)的輸出端來(lái)實(shí)現(xiàn)波分復(fù)用中的合波功能。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，包括微環(huán)光路由器單元，微環(huán)光路由器單元包括兩條相互平行的總線(xiàn)光波導(dǎo)1(18)和總線(xiàn)光波導(dǎo)11(19)，所述的總線(xiàn)光波導(dǎo)1(18)和總線(xiàn)光波導(dǎo)11(19)之間設(shè)置有微環(huán)(5)，所述微環(huán)連接有電極(13)，所述微環(huán)的整體或部分區(qū)域設(shè)置有黑磷層(8)，設(shè)置有石墨烯層(8)的微環(huán)從下至上依次包括微環(huán)硅層(51)、第一隔離介質(zhì)層(61)、黑磷層(8)、第二隔離介質(zhì)層(62)、微環(huán)硅層(51)和包層(20)，第一隔離介質(zhì)層(61)和第二隔離介質(zhì)層(62)設(shè)置在微環(huán)(5)的微環(huán)硅層(51)之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，所述總線(xiàn)光波導(dǎo)1(18)、總線(xiàn)光波導(dǎo)11(19)和微環(huán)(5)置于SOI結(jié)構(gòu)的二氧化硅緩沖層(12)的上方。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于石墨烯的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，所述黑磷層(8)與二氧化硅緩沖層(12)相互平行。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，總線(xiàn)光波導(dǎo)I(18)、總線(xiàn)光波導(dǎo)11(19)和微環(huán)(5)的橫截面均采用脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，所述總線(xiàn)光波導(dǎo)1(18)與總線(xiàn)光波導(dǎo)11(19)的幾何結(jié)構(gòu)相同；所述總線(xiàn)光波導(dǎo)1(18)、總線(xiàn)光波導(dǎo)11(19)和微環(huán)(5)的波導(dǎo)高度相同；總線(xiàn)光波導(dǎo)I(18)和總線(xiàn)光波導(dǎo)II(19)兩者橫截面的脊型光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊寬和微環(huán)橫截面的脊型光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊寬相同。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，微環(huán)與總線(xiàn)光波導(dǎo)1(18)以及總線(xiàn)光波導(dǎo)11(19)的耦合距離相同。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，所述黑磷層(8)的材料由鈍化黑磷納米帶，可以為氫飽和或氟飽和兩類(lèi)鈍化模式的黑磷納米帶。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于:所述的第一隔離介質(zhì)層(61)和第二隔離介質(zhì)層(62)為絕緣材料，為硅氧化物、硅氮氧化物、硼氮化物之一。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于黑磷的硅基微環(huán)光路由器，其特征在于，當(dāng)微環(huán)光路由器單元的數(shù)量大于等于2個(gè)，各個(gè)微環(huán)光路由器串聯(lián)連接。
【文檔編號(hào)】G02B6/293GK106054410SQ201610599096
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年7月27日 公開(kāi)號(hào)201610599096.7, CN 106054410 A, CN 106054410A, CN 201610599096, CN-A-106054410, CN106054410 A, CN106054410A, CN201610599096, CN201610599096.7
【發(fā)明人】陸榮國(guó), 田朝輝, 劉天良, 葉勝威, 張尚劍, 劉爽, 劉永
【申請(qǐng)人】電子科技大學(xué)