本申請要求于2014年4月30日申請的歐洲申請14166492.0的權益，通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。

技術領域

本發(fā)明涉及光刻設備和用于制造器件的方法。

背景技術：

光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。光刻設備可用于例如制造集成電路(IC)中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，通過將圖案成像到設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標部分的網(wǎng)絡，所述相鄰目標部分被連續(xù)地圖案化。公知的光刻設備包括：所謂的步進機，在所述步進機中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。

在光刻設備中的一些部件、與光刻設備相關的部件以及進入光刻設備的某些物體的溫度穩(wěn)定性是重要的。典型地，這些部件保持在目標設定點溫度處。有許多不同的熱負載源于光刻設備以及光刻設備周圍，這些熱負載會使部件的溫度升高到它們的目標設定點溫度之上或者下降到它們的目標設定點溫度以下。因此，在光刻設備中使用熱屏蔽件，以使部件與熱負載熱絕緣。

熱屏蔽件的一種使用方式是用在被配置用于處理襯底的系統(tǒng)中。例如，熱屏蔽件可以用在接收襯底、確保襯底的溫度穩(wěn)定性并且將襯底提供至光刻設備的系統(tǒng)中。附加地，在光刻設備中對襯底成像之后，所述系統(tǒng)能夠從光刻設備接收襯底，并傳送該襯底，以用于下一處理。襯底的溫度穩(wěn)定性是重要的，因為襯底的溫度不穩(wěn)定性會導致成像誤差，諸如重疊誤差。因此，襯底通過的系統(tǒng)中的空間通過熱屏蔽件進行熱屏蔽，以使該空間與源于空間外部的熱負載熱絕緣。

包括絕熱材料的熱屏蔽件是已知的。然而，這種熱屏蔽件的有效性依賴于低的熱傳導性以及絕熱材料的厚度。在光刻設備中，空間是稀缺的，僅僅由絕熱材料制成的具有足夠好的熱絕緣性能的熱屏蔽件是不期望地笨重的。

包括通過流動液體(例如，水套)進行熱調(diào)節(jié)的壁的熱屏蔽件具有好的熱屏蔽性質(zhì)，并且比僅僅由絕熱材料制成的熱屏蔽件占用更少的體積。然而，用液體熱調(diào)節(jié)的壁具有復雜性增大的缺點，因為需要進行液體緊密密封，而且具有由于液體泄漏而損壞設備的風險。

本發(fā)明旨在提供一種與光刻設備一起使用的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)被配置用于處理襯底并且將襯底通過的空間與源于所述空間外部的熱負載熱絕緣。

技術實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種與光刻設備一起使用的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)被配置用于處理襯底，其中所述系統(tǒng)適于連接至氣體源，所述系統(tǒng)包括：襯底通過的空間；和用于將所述空間與源于所述空間外部的熱負載熱絕緣的熱屏蔽件，所述熱屏蔽件包括：第一壁和第二壁，且在第一壁和第二壁之間具有間隙，所述第一壁定位在所述空間與所述第二壁之間；至少一個入口開口，所述至少一個入口開口被配置用于允許來自氣體源的氣體流從所述空間的外部進入所述間隙；和至少一個出口開口，所述至少一個出口開口被配置用于允許氣體流離開所述間隙至所述空間的外部，其中所述系統(tǒng)適于引導來自氣體源的氣體流，使氣體流通過至少一個入口開口進入所述間隙、流動通過所述間隙并且通過至少一個出口開口流出所述間隙至所述空間外部，從而減少由于源于所述空間外部的熱負載而引起的空間中的熱波動。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種對襯底通過的空間熱絕緣的方法，所述方法包括：在源于空間外部的熱負載與空間之間設置熱屏蔽件，并且引導氣體從空間的外部進入熱屏蔽件中的間隙內(nèi)、通過所述間隙以及離開所述間隙至所述空間外部，從而減小由于源于所述空間外部的熱負載而引起的空間中的熱波動。

附圖說明

現(xiàn)在將參考隨附的示意性附圖僅通過舉例的方式描述本發(fā)明的實施例，其中相應的參考標記表示相應的部件，在附圖中：

圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設備；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的透視圖；和

圖3是根據(jù)本發(fā)明的熱屏蔽件的橫截面視圖。

具體實施方式

圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光刻設備。所述設備包括：

-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置成調(diào)節(jié)輻射束B(例如UV輻射)；

-支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；

-襯底臺(例如晶片臺)WT，其構造用于保持襯底(例如，涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)特定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和

-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。

照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。

所述支撐結構支撐，即承載圖案形成裝置的重量。所述支撐結構以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設備的設計以及諸如例如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結構可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結構可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。這里使用的任何術語“掩模版”或“掩?！笨梢钥醋髋c更為上位的術語“圖案形成裝置”同義。

這里所使用的術語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應該注意的是，賦予輻射束的圖案可能不與襯底的目標部分上的所需圖案精確地對應(例如，如果所述圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。

光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模臺)的類型。在這種“多平臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。

所述光刻設備還可以是這種類型：其中襯底的至少一部分可以由具有相對高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可以施加到光刻設備中的其他空間，例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒技術用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領域是熟知的。這里使用的術語“浸沒”并不意味著必須將結構(例如襯底)浸入到液體中，而僅意味著在曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。

如這里所示的，所述設備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。

參照圖1，照射器IL接收來自輻射源SO的輻射束。所述源和光刻設備可以是分立的實體(例如當該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源考慮成形成光刻設備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時設置的所述束傳遞系統(tǒng)BD一起稱作輻射系統(tǒng)。

所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如整合器IN和聚光器CO。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。類似于源SO，照射器IL可以被認為形成光刻設備的一部分，或者可以不被認為形成光刻設備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設備的組成部分，或者可以是與光刻設備分立的分立實體。在后一種情況下，光刻設備可以被配置成允許照射器IL被安裝在所述光刻設備上?？蛇x地，照射器IL是可拆卸的，可以單獨地設置(例如，通過光刻設備的制造商或者另外的供應商)。

所述輻射束B入射到保持在支撐結構(例如，掩模臺MT)上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(在圖1中沒有明確地示出)用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，掩模臺MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂醚谀蕵擞汳1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記占據(jù)了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分(這些公知為劃線對齊標記)之間的空間中。類似地，在將多于一個的管芯設置在掩模MA上的情況下，所述掩模對準標記可以位于所述管芯之間。

可以將所示的設備用于以下模式中的至少一種中：

1.在步進模式中，在將掩模臺MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。

2.在掃描模式中，在對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描移動的長度確定了所述目標部分的高度(沿掃描方向)。

3.在另一模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為基本靜止，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上的同時，對所述襯底臺WT進行移動或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術中。

也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。

圖2示意性地示出根據(jù)一實施例的系統(tǒng)10的透視圖。系統(tǒng)10用于與光刻設備一起使用，尤其是光刻投影設備，例如如以上參考圖1所描述的光刻投影系統(tǒng)。如圖1所示，系統(tǒng)10用于將襯底W提供至光刻投影設備以及從光刻投影設備獲取襯底W。

系統(tǒng)10被配置用于處理襯底W。在一實施例中，系統(tǒng)10被配置用于從預處理單元接收襯底W。在一實施例中，預處理單元清潔襯底W和/或?qū)⒐庵驴刮g劑涂層施加至襯底W，或者以其它方式準備用于曝光的襯底W。襯底W經(jīng)過系統(tǒng)10的第一空間105。在一實施例中，在襯底W處于第一空間105中的同時，可以被調(diào)節(jié)溫度。即，襯底W可以具有被均勻化和被調(diào)整處于目標設定點溫度的預定范圍內(nèi)的溫度。一旦在第一空間105中的襯底W已經(jīng)被調(diào)節(jié)溫度，并且一旦系統(tǒng)10所連接至的光刻投影設備準備好，襯底W就被移出第一空間105至光刻投影設備。

在一實施例中，在襯底W已經(jīng)被成像到光刻投影設備中之后，襯底W被送回至系統(tǒng)10并且通過第二空間107離開系統(tǒng)10至后處理單元。在一實施例中，后處理單元可以施加曝光后烘焙和/或顯影被曝光的光致抗蝕劑和/或蝕刻襯底或襯底上未被光致抗蝕劑保護的層。

在一實施例中，系統(tǒng)10僅具有單個空間并且不被分成第一空間105和第二空間107。這種系統(tǒng)10在其他方面與文中描述的相同。

在一實施例中，作為系統(tǒng)10的一部分并且至少部分地容納在第一和第二空間105、107中的致動器被用于將襯底W移入第一空間105和第二空間107以及將襯底W移出第一空間105和第二空間107。在一實施例中，用于移動襯底W的致動器是光刻投影設備的一部分和/或預處理單元的一部分和/或處理后單元的一部分，而不是系統(tǒng)10的一部分。

熱負載可能源于第一空間105和/或第二空間107的外部。例如，熱負載可能源自電子部件，諸如電機(加熱熱負載)或承載冷卻液體的管道(冷卻熱負載)。這種熱負載會有害地影響第一空間105和/或第二空間107中的襯底W的溫度或溫度均勻性。這可以是通過傳導、對流和/或輻射機制，在這些機制中能量在熱負載與襯底W之間傳遞。為了將第一空間105和/或第二空間107與這種熱負載熱絕緣，系統(tǒng)10包括熱屏蔽件110。

熱屏蔽件110被定位在第一空間105和/或第二空間107與源于空間105/107外部的熱負載之間。熱屏蔽件110可能形成被至少一個殼壁限定的殼體的至少一部分。至少一個殼壁至少部分地圍繞第一空間105和/或第二空間107。在一實施例中，熱屏蔽件110形成至少一個殼壁中的一個。

在圖2的實施例中，熱屏蔽件110包括至少一個襯底開口130、140和150，用于襯底W通過其中。在圖2的實施例中，系統(tǒng)10包括三個襯底開口130、140、150，限定在熱屏蔽件110中。第一襯底開口130是用于使來自系統(tǒng)10外部的襯底W通過而進入第一空間105的開口。襯底W可以從系統(tǒng)10的外部(例如，從襯底后處理單元)移動通過熱屏蔽件110而進入第一空間105。

襯底W可以從第一空間105移動通過第二襯底開口140而進入光刻投影設備。

在一實施例中，在襯底W已經(jīng)被成像到光刻投影設備中之后，襯底W被返回至系統(tǒng)10。襯底W通過第三開口150進入第二空間107。襯底W從第二空間107、通過熱屏蔽件110中的第一襯底開口130而移動至系統(tǒng)10的外部。在襯底W已經(jīng)通過第一開口130被傳到系統(tǒng)10的外部之后，襯底W被提供至襯底后處理單元。

現(xiàn)在將參考圖3解釋熱屏蔽件10的原理，其中圖3是在第二襯底開口140的位置處的熱屏蔽件110的橫截面視圖。相關于熱屏蔽第一空間105描述所述原理，但是該原理等同地適用于第二空間107是怎樣被熱屏蔽的。

熱屏蔽件110包括第一壁1100和第二壁1200。間隙1300在第一壁110與第二壁1200之間。即，第一壁110和第二壁1200被分開。第一壁1100定位在第一空間105與第二壁1200之間。即，相對于第一空間105，第二壁1200在第一壁110的外面。

入口開口1400被設置與間隙1300流體連通。入口開口1400允許氣體流212從氣體源30進入間隙1300。箭頭1310指示通過間隙1300的氣體流。當氣體流過間隙1300時，氣體從第一空間105和/或從系統(tǒng)10外部的環(huán)境中吸收能量以及向第一空間105和/或系統(tǒng)10外部的環(huán)境發(fā)射能量，從而補償熱負載。

在一實施例中，一個或多個隔離件可以存在于間隙1300中，以將第一壁1100和第二壁1200連接在一起和/或保持第一壁110和第二壁1200間隔開。隔離件1350可以由具有低導熱系數(shù)(與第一壁110和第二壁1200的材料的導熱系數(shù)相比)的材料制成。隔離件1350的示例性材料是熱塑性彈性體泡沫(TPE)。

在一實施例中，來自氣體源30的氣體可以被熱調(diào)節(jié)(使得它的溫度被調(diào)整處于設定點溫度的預定范圍內(nèi))。在一實施例中，設定點溫度與通過第一空間105的襯底W對應的設定點溫度相同。因此，襯底W的溫度相對于設定點溫度的任何變化將通過氣體從襯底W獲取能量或者將能量傳遞至襯底W而被補償。

來自氣體源30的氣體可以以任何方式設置至入口開口1440。這可以是通過氣體源30與入口開口1400之間的一個或多個管道的直接連接的方式，或者如所示的，可以是使來自氣體源30的氣體通過具有開口210、220的陣列的開口210、以將氣體流212提供至入口開口140中的方式。在一實施例中，系統(tǒng)10可以包括用于將從氣體源30延伸的一個或多個管道(不是系統(tǒng)10的一部分)連接至系統(tǒng)10的連接器310。來自氣體源30的氣體可以使其溫度在氣體源30的上游或下游被調(diào)整和/或均勻化。氣體的溫度可以被系統(tǒng)10的部件調(diào)整和/或均勻化。

在圖2和3的實施例中，僅僅示出一個入口開口1400。入口開口1400圍繞第一空間105和第二空間107的外部(平面內(nèi))一直延伸。在一實施例中，可以設置多于一個的入口開口1400。多個入口開口1400可以沿著熱屏蔽件110設置在分開的間隔處。在一實施例中，每個開口210可以與入口開口1400對準。

在一實施例中，系統(tǒng)10適于將來自氣體源30的氣體流212引導通過至少一個入口開口1400而進入間隙1300。然后，氣體被引導流過間隙1300，并且通過至少一個出口開口1500流出間隙1300至第一和第二空間105、107的外部。由于氣體流1310通過間隙1300，氣體流1310熱調(diào)節(jié)熱屏蔽件110的第一和第二壁1100、1200。通過至少一個出口開口1500離開間隙1300的氣體離開至第一空間105外部的一位置處(例如，至系統(tǒng)10外部的一位置處)。這樣，由于源于第一空間105外部的熱負載而引起的第一空間105中的熱波動能夠被減小。

在一實施例中，間隙1300具有處于10和20mm之間的寬度W(限定間隙1300的第一壁1100的外表面1120與第二壁1200的內(nèi)表面1220之間的距離)。如果寬度W小于10mm，則對通過間隙1300的氣體流1310的阻力變得很大。如果寬度W大于20mm，則在間隙1300中的氣體流1310的均勻性被不利地影響。附加地，在光刻設備中空間是稀缺的，增加間隙的寬度W會有害地增大系統(tǒng)10的體積。通過間隙1300的氣體的典型速度在0.1與0.5m/s之間。

至少一個入口開口1400和至少一個出口開口1500的位置可以被選擇成最大化氣體被第一壁1100的外表面1120和第二壁1200的內(nèi)表面1220上的新氣體替代的速率。例如可以使用有限元分析、利用已知技術模擬在間隙1300中的這個氣體流，并且這可以被用于調(diào)整至少一個出口開口1500和至少一個入口開口1400的位置，以在系統(tǒng)復雜性、入口開口1400和出口開口1500的位置以及在第一壁1100的外表面1120和第二壁1200的內(nèi)表面1220的所有部分處的氣體更新率之間實現(xiàn)好的折衷。

為了優(yōu)化通過間隙1300的氣體流1310，負壓源(在圖3中沒有示出)可以連接至至少一個出口開口1500。即，負壓源可以是真空源，具有比間隙1300中的氣體壓力和/或系統(tǒng)10周圍的與系統(tǒng)10接觸且在系統(tǒng)10外部的氣體的壓力小的壓力。這將氣體流1310拉向出口開口1500。這可以用于優(yōu)化間隙1300中的氣體的更新率和/或氣體的流動方向和/或流量。施加到出口開口1500的負壓的幅度可以不同于施加至其他出口開口1500的負壓幅度，從而影響間隙1300中的氣體流1310的圖案。

在一實施例中，如圖3所示，橫截面中呈彎曲的路徑1450從入口開口1400通至間隙1300。彎曲路徑1450被設置用于防止光進入第一壁1100與第二壁1200之間的間隙1300。這可以通過確保沒有能夠延伸通過入口開口1400進入間隙1300、同時不會撞擊第一壁1100或第二壁1200的虛直線1440而被實現(xiàn)。這是有益的，因為它防止光進入間隙1300以及防止將熱負載施加在第一壁1100的外表面1120和第二壁1200的內(nèi)表面1220上。

在圖3的實施例中，示出第二襯底開口140。第二襯底開口140被配置用于使襯底W通過其中而至第一空間105的外部。第一襯底開口130和第三襯底開口150可以以相同的方式設置。

在一實施例中，第二襯底開口140對間隙1300開放/通至間隙1300，使得至少一個出口開口和/或入口開口能夠被視為限定在第二襯底開口140的邊緣周圍。即，在間隙1300中的氣體流1310的一部分在第二襯底開口140處離開間隙1300(被箭頭131示出)，氣流1310的一部分通過第二襯底開口140向下進入間隙1300的剩余部分中，然后通過出口開口1500出去。在一實施例中，第二襯底開口140靠近間隙1300。

在一實施例中，與緊鄰系統(tǒng)10外部的氣氛相比，第一空間105保持在過壓下(例如，在比處在系統(tǒng)10外部且與系統(tǒng)10接觸的氣體大的壓力下)。這確保氣體流從第一空間105的內(nèi)部、通過第二襯底開口140至系統(tǒng)10的外部。這減小承載在氣體流中的污染物通過第一襯底開口130進入第一空間105的機會。

其他開口220被設置用于使來自氣體源30的氣體通過。來自其他開口220的氣體流被引導，使氣體流進入第一空間105(和第二空間107)。這具有使提供至間隙1300的氣體和提供至第一空間105的氣體具有大致相同的溫度且?guī)椭岣叩谝豢臻g105的熱穩(wěn)定性的優(yōu)點。如在別處所述，提供至第一空間105的氣體可以導致第一空間105中的氣體的壓力大于與緊挨系統(tǒng)10周圍的氣氛相接觸的氣體的壓力。過壓的幅度可以是0.3至5Pa量級的。結果，提供例如通過襯底開口130、140、150的氣體的凈流出。然而，不需要是這樣，例如氣體也可以從光刻投影設備、通過第三襯底開口150流入第二空間107中。

在一實施例中，開口210、220可以是開口的兩維陣列的形式。開口210、220的范圍可以與系統(tǒng)10的范圍相等或者大于系統(tǒng)10的范圍(在平面內(nèi))。開口210、220可以被限定在板200中。開口210、220可以流體連接至開口210、220上游的單個室，從而大致均勻化通過每個開口210、220的氣體流。在一實施例中，離開開口210、220的氣體的大約5-20％進入間隙1300。

僅僅設置第一壁1100和第二壁1200且在它們之間設置間隙1300可能不能夠滿足熱屏蔽件110的熱規(guī)格。因此，在一實施例中，可以設置絕熱材料的附加層(導熱率小于第一壁1100和第二壁1200的材料的導熱率的材料)。第一壁1100和第二壁1200可以設置在第一空間105與熱絕緣材料1600層之間。熱絕緣材料1600層可以附著至第二壁1200的外表面1210。在一實施例中，熱絕緣材料1600附加地或者可替換地附著至第一壁1100的面對第一空間105的內(nèi)表面1110。在一實施例中，熱絕緣材料1600層可以是熱塑性彈性體泡沫(TPE)，諸如可以從Thermaflex獲得的ThermoSmart^(TM)或者其他擠壓成型的交聯(lián)聚乙烯。在一實施例中，熱絕緣材料1600層可以具有在10與30mm之間的厚度T，期望地在15與25mm之間的厚度T。

圖2和3的實施例示出間隙1300中的向下氣體流。這不是必須的，在對流的方向上向上氣體流可能是更優(yōu)選的。

在一實施例中，如所示的，襯底W通過的空間被分成第一空間105和第二空間107。分離壁120可以被設置使第一空間105與第二空間107分離開。因此，系統(tǒng)10可以分成至少部分圍繞第一空間105的第一隔室和至少部分圍繞第二空間107的第二隔室，在使用中正在被加載的襯底W通過第一隔室，在使用中正在被卸載的襯底W通過第二隔室。分離壁120可以是諸如圖3中所示的熱屏蔽件或者可以不是諸如圖3中所示的熱屏蔽件，可以具有絕熱材料層或者不具有絕緣材料層。

在一實施例中，第一壁1100的面對第一空間105的內(nèi)表面1110和/或第一壁1100的外表面1120在0.7至10μm的波長范圍內(nèi)可以具有小于0.5、優(yōu)選小于0.3、更優(yōu)選小于0.15的發(fā)射系數(shù)(在相同溫度下被表面輻射的能量與被理想黑體輻射的能量的比值)。這樣，如果熱屏蔽件110在與第一空間105中的襯底W的溫度不同的溫度下，將通過從第一壁1100的內(nèi)表面1110至第一空間105的輻射/來自第一空間105的輻射傳遞少的能量。第一壁的內(nèi)表面1110的發(fā)射率可以通過表面處理(例如拋光)而調(diào)整或者通過涂覆涂層來調(diào)整。為了避免能量在第一壁1100與第二壁1200之間傳遞，第一壁1100的外表面1120和/或第二壁1200的內(nèi)表面1220被制成為具有小于0.5、期望地小于0.3以及更加期望地小于0.15的發(fā)射系數(shù)。

根據(jù)上述實施例中的至少一個實施例的系統(tǒng)可以用在器件制造方法中，在該方法中使用投影束輻射襯底。

雖然在本文中詳述了光刻設備用于制造IC(集成電路)，但是應該理解到這里所述的光刻設備可以有其他的應用，例如制造集成光學系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。本領域技術人員應該認識到，在這種替代應用的情況中，可以將這里使用的任何術語“晶片”或“管芯”分別認為是與更上位的術語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如以便產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。

雖然上面詳述了本發(fā)明的實施例在光學光刻術中的應用，但是，應該注意到，本發(fā)明可以有其它的應用，例如壓印光刻術，并且只要情況允許，不局限于光學光刻術。在壓印光刻術中，圖案形成裝置中的形貌限定了在襯底上產(chǎn)生的圖案。可以將所述圖案形成裝置的形貌印刷到提供給所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。

此處使用的術語“輻射”和“束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有或約365、355、248、193、157或126nm的波長)和極紫外(EUV)輻射(例如具有在5-20nm范圍的波長)以及諸如離子束或電子束的粒子束。

在允許的情況下，術語“透鏡”可以表示不同類型的光學部件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性的、電磁的和靜電的光學部件。

盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但應該認識到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來實現(xiàn)。

上文描述意圖是說明性的，而不是限制性的。因此，本領域技術人員應當理解在不背離所附的權利要求的范圍的情況下，可以對所述的本發(fā)明進行修改。